JPH0339470A - 薄膜製造方法 - Google Patents
薄膜製造方法Info
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- JPH0339470A JPH0339470A JP1175850A JP17585089A JPH0339470A JP H0339470 A JPH0339470 A JP H0339470A JP 1175850 A JP1175850 A JP 1175850A JP 17585089 A JP17585089 A JP 17585089A JP H0339470 A JPH0339470 A JP H0339470A
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- high frequency
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高周波電源を供給した複数個のターゲットを
同時にスパッタリングすることによる薄膜の製造方法に
関するものである。
同時にスパッタリングすることによる薄膜の製造方法に
関するものである。
従来の技術
従来、Ｓｉｎ、、Ｓｉｎ、ＺｎＳ等の誘電体材料の′ｒ
ＩＩＷＡの製造には、高周波スパッタリングによる方法
が用いられてきた。これら誘電体ｆｉｌｌｌを、特に光
ディスク等の保護膜あるいは干渉膜として用いる場合の
製造では、特性の安定した膜を高速で成膜することが要
求される。その方法としては、大型のターゲットを用い
る、複数個のターゲットを用いて別々にスパッタリング
する、などが考えられる。特に、複数個のターゲットを
用いたスパッタリングは ■ 小型のターゲットを利用できる。
ＩＩＷＡの製造には、高周波スパッタリングによる方法
が用いられてきた。これら誘電体ｆｉｌｌｌを、特に光
ディスク等の保護膜あるいは干渉膜として用いる場合の
製造では、特性の安定した膜を高速で成膜することが要
求される。その方法としては、大型のターゲットを用い
る、複数個のターゲットを用いて別々にスパッタリング
する、などが考えられる。特に、複数個のターゲットを
用いたスパッタリングは ■ 小型のターゲットを利用できる。
■ ターゲットの利用効率を上げることが容易である。
■ 単位面積当りの投入パワーを大きくできる。
などの利点を有する薄膜の製造方法である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構成の高周波多元スパックリ
ング装置では、各供給高周波電源の発振周波数を一致さ
せることがむずかしく、各ターゲットと基板間のバイア
ス電圧の周波数に差が生し、そのため移動周波数の異な
るプラズマ間の干渉により、成膜速度が低下するという
ｌｉ！題を有していた。
ング装置では、各供給高周波電源の発振周波数を一致さ
せることがむずかしく、各ターゲットと基板間のバイア
ス電圧の周波数に差が生し、そのため移動周波数の異な
るプラズマ間の干渉により、成膜速度が低下するという
ｌｉ！題を有していた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、複数個のタ
ーゲットのプラズマ間の干渉をなくすとともに、高速で
成膜可能な高周波多元スパッタリング装置を提供するこ
とを目的とする。
ーゲットのプラズマ間の干渉をなくすとともに、高速で
成膜可能な高周波多元スパッタリング装置を提供するこ
とを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を解決するために本発明の多元高周波スパッタ
リング装置による薄膜製造方法では、ターゲット間に磁
性体材料の遮蔽板を設け、ターゲットに供給している高
周波電源の周波数の差を５００Ｈｚ以上に設定するとい
う構成を有している。
リング装置による薄膜製造方法では、ターゲット間に磁
性体材料の遮蔽板を設け、ターゲットに供給している高
周波電源の周波数の差を５００Ｈｚ以上に設定するとい
う構成を有している。
または、ターゲット間に磁性体材料の遮蔽板を設け、タ
ーゲットに供給する高周波電源の発振機能を完全に同調
させるというＩｊＩ戒を有している。
ーゲットに供給する高周波電源の発振機能を完全に同調
させるというＩｊＩ戒を有している。
作用
この構成により、複数個のターゲットのプラズマ間の干
渉を防止することができ、高速で成膜可能な高周波多元
スパンタリング装置による薄膜製造方法を実現すること
ができる。
渉を防止することができ、高速で成膜可能な高周波多元
スパンタリング装置による薄膜製造方法を実現すること
ができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しなから説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における高周波多元スパッタ
リング装置の構成国を示すものである。
リング装置の構成国を示すものである。
第１図において、１は高周波電源（Ａ）、２は高周波を
源（Ｂ）、３はターゲットＡ、４はターゲットＢ、５は
基板、６は基板ホルダー、７は磁性体材料の遮蔽板、８
は放電により発生したプラズマ、９は真空室である。
源（Ｂ）、３はターゲットＡ、４はターゲットＢ、５は
基板、６は基板ホルダー、７は磁性体材料の遮蔽板、８
は放電により発生したプラズマ、９は真空室である。
以上のように構成された本実施例の二元高周波スパッタ
リング装置において、高周波電源（Ａ）１の周波数を１
３．５６０００ＭＨｚ、高周波電源（Ｂ）２の周波数を
１３．５６’１００ＭＨｚに設定した。
リング装置において、高周波電源（Ａ）１の周波数を１
３．５６０００ＭＨｚ、高周波電源（Ｂ）２の周波数を
１３．５６’１００ＭＨｚに設定した。
従来の構成では、高周波電源（Ａ）と高周波電源（Ｂ）
の周波数がほぼ一致しているが、わずかに異なり、その
差が１０Ｈｚ程度であるために、干渉が起こり、放電が
不安定となるために安定な成膜ができなかった。
の周波数がほぼ一致しているが、わずかに異なり、その
差が１０Ｈｚ程度であるために、干渉が起こり、放電が
不安定となるために安定な成膜ができなかった。
それに対し本実施例のＩＩＩｔｃでは、ターゲットに印
加する周波数の差がＩＫＨｚと非常に大きいため、それ
ぞれのターゲットのプラズマが周波数の差に追従しきれ
なくなる。しかも、各ターゲット間には磁性体材料の遮
幣板を設けているため、プラズマ間での干渉効果を低下
させることができ、高速で安定した成膜を実現できるも
のである。実際に、ターゲット個数に対する成膜速度は
第３図に示すような結果が得られた。このように、ター
ゲット間に磁性体材料の遮幣板を設け、ターゲットに供
給する高周波電源の周波数の差を５００Ｈｚ以上に設定
することにより、ターゲット間の干渉効果がなく、ター
ゲット個数に比例した成膜を実現できる。
加する周波数の差がＩＫＨｚと非常に大きいため、それ
ぞれのターゲットのプラズマが周波数の差に追従しきれ
なくなる。しかも、各ターゲット間には磁性体材料の遮
幣板を設けているため、プラズマ間での干渉効果を低下
させることができ、高速で安定した成膜を実現できるも
のである。実際に、ターゲット個数に対する成膜速度は
第３図に示すような結果が得られた。このように、ター
ゲット間に磁性体材料の遮幣板を設け、ターゲットに供
給する高周波電源の周波数の差を５００Ｈｚ以上に設定
することにより、ターゲット間の干渉効果がなく、ター
ゲット個数に比例した成膜を実現できる。
また、第２図は別の実施例における高周波多元スパンタ
リング装置の構成図を示すものである。
リング装置の構成図を示すものである。
第２図において、１１は高周波型Ｒ（ａ）、１２は高周
波ｔｉ（ｂ）、１０はこれら高周波電源の発振器、３は
ターゲット（ａ）、４はターゲットｂ、５は基羊反、６
は基板ホルダー、７は磁性体材料の遮幣板、８は放電に
より発生したプラズマ、９は真空室である。
波ｔｉ（ｂ）、１０はこれら高周波電源の発振器、３は
ターゲット（ａ）、４はターゲットｂ、５は基羊反、６
は基板ホルダー、７は磁性体材料の遮幣板、８は放電に
より発生したプラズマ、９は真空室である。
本実施例では高周波電源１１．１２の周波数を同一の周
波数発振器１０で発振させるため、周波数は全く一致し
ている。この結果、各ターゲットのプラズマ間で周波数
の差による移動度の差は生じない、また、ターゲット間
には磁性体材料の遮幣板１７を設けているため、ターゲ
ットのプラズマ間での干渉を低下させることができ、高
速で安定した成膜を実現できる。この結果も第１の実施
例の場合と同様にターゲット個数に比例した成膜を実現
できるものである。
波数発振器１０で発振させるため、周波数は全く一致し
ている。この結果、各ターゲットのプラズマ間で周波数
の差による移動度の差は生じない、また、ターゲット間
には磁性体材料の遮幣板１７を設けているため、ターゲ
ットのプラズマ間での干渉を低下させることができ、高
速で安定した成膜を実現できる。この結果も第１の実施
例の場合と同様にターゲット個数に比例した成膜を実現
できるものである。
以上のように本実施例によれば、ターゲット表面に発生
するプラズマ間の干渉効果を低減でき、高速で安定した
成膜を実現できるものである。
するプラズマ間の干渉効果を低減でき、高速で安定した
成膜を実現できるものである。
発明の効果
本発明は、高周波電源を供給した複数ターゲットからス
パッタリングにより薄膜を製造する方法において、ター
ゲット間に磁性体材料の遮蔽板を介在させることにより
、ターゲットのプラズマ間の干渉効果を低下させること
ができ、さらにターゲットに供給する高周波電源の周波
数の差を５００１（ｚ以上にするか、または複数の高周
波電源の周波数を同一の周波数発振器で発振させること
により、高速で安定した成膜を実現できる優れた薄膜製
造方法を実現できるものである。
パッタリングにより薄膜を製造する方法において、ター
ゲット間に磁性体材料の遮蔽板を介在させることにより
、ターゲットのプラズマ間の干渉効果を低下させること
ができ、さらにターゲットに供給する高周波電源の周波
数の差を５００１（ｚ以上にするか、または複数の高周
波電源の周波数を同一の周波数発振器で発振させること
により、高速で安定した成膜を実現できる優れた薄膜製
造方法を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例における高周波多元スパッタ
リング装置の構成図、第２図は本発明の別の実施例にお
ける高周波多元スパッタリング装置の構成図、第３図は
ターゲット個数に対する成膜速度の変化を示す図である
。 １．２・・・・・・高周波電源、３，４・・・・・・タ
ーゲット、５・・・・・・基板、６・・・・・・基板ホ
ルダー、７・・・・・・遮蔽板、８・・・・・・放電に
よるプラズマ、９・・・・・・真空室、ＩＯ・・・・・
・発振器、１１．１２・・・・・・高周波電源。
リング装置の構成図、第２図は本発明の別の実施例にお
ける高周波多元スパッタリング装置の構成図、第３図は
ターゲット個数に対する成膜速度の変化を示す図である
。 １．２・・・・・・高周波電源、３，４・・・・・・タ
ーゲット、５・・・・・・基板、６・・・・・・基板ホ
ルダー、７・・・・・・遮蔽板、８・・・・・・放電に
よるプラズマ、９・・・・・・真空室、ＩＯ・・・・・
・発振器、１１．１２・・・・・・高周波電源。
Claims (3)
- （１） 高周波電源を供給した複数ターゲットからスパ
ッタリングにより薄膜の製造する方法であって、前記複
数ターゲット間に、磁性材料の遮蔽板を介在させたこと
を特徴とする薄膜製造方法。 - （２） 高周波電源が５００Ｈｚ以上の周波数差をもっ
たバイアス電圧をそれぞれのターゲットに供給すること
を特徴とする請求項（１）記載の薄膜製造方法。 - （３） 高周波電源の交流バイアス電圧に同一発振器を
用いることを特徴とする請求項（１）記載の薄膜製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17585089A JP2679273B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 薄膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17585089A JP2679273B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 薄膜製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0339470A true JPH0339470A (ja) | 1991-02-20 |
| JP2679273B2 JP2679273B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=16003299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17585089A Expired - Fee Related JP2679273B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 薄膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2679273B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006249506A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | National Institute For Materials Science | バイポーラパルススパッタリング成膜装置および同装置を用いて作製される薄膜材料の製造方法 |
| KR100944868B1 (ko) * | 2009-01-07 | 2010-03-04 | 윤지훈 | 마그네트론 스퍼터링 장치 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP17585089A patent/JP2679273B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006249506A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | National Institute For Materials Science | バイポーラパルススパッタリング成膜装置および同装置を用いて作製される薄膜材料の製造方法 |
| KR100944868B1 (ko) * | 2009-01-07 | 2010-03-04 | 윤지훈 | 마그네트론 스퍼터링 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2679273B2 (ja) | 1997-11-19 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070801 Year of fee payment: 10 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080801 Year of fee payment: 11 |
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