JPH034036Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH034036Y2 JPH034036Y2 JP9940387U JP9940387U JPH034036Y2 JP H034036 Y2 JPH034036 Y2 JP H034036Y2 JP 9940387 U JP9940387 U JP 9940387U JP 9940387 U JP9940387 U JP 9940387U JP H034036 Y2 JPH034036 Y2 JP H034036Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block type
- type receiver
- protrusion
- workpiece
- cross
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体製造の初期工程で半導体単結
晶インゴツトのオリエンテ−シヨンフラツト(以
下OFという)面を確認する際や、その後の単結
晶結晶軸の方位測定をする際に用いられる測定用
治具に関する。
晶インゴツトのオリエンテ−シヨンフラツト(以
下OFという)面を確認する際や、その後の単結
晶結晶軸の方位測定をする際に用いられる測定用
治具に関する。
半導体デバイスの製造工程においては、デバイ
ス特性との関係から、用いられる半導体単結晶ウ
エ−ハは、その結晶方位が一定になるよう管理さ
れている。この管理の手段は、円形ウエ−ハの外
周の一部分を平らに切り欠き、この面を基準にす
ることにより行なう。この切り欠き面をOF面と
いい、半導体製造工程の初期段階、すなわち単結
晶インゴツトの状態のとき、その決められた側面
を研削することによりOF面を形成している。OF
面形成後、確認のため、X線回析法によりOF面
の測定を行ない、さらに単結晶の結晶軸方位測定
をする。ここで、OF面確認のためにはインゴツ
ト側面のOF面を、結晶軸測定にためにはインゴ
ツト断面を計測することになる。
ス特性との関係から、用いられる半導体単結晶ウ
エ−ハは、その結晶方位が一定になるよう管理さ
れている。この管理の手段は、円形ウエ−ハの外
周の一部分を平らに切り欠き、この面を基準にす
ることにより行なう。この切り欠き面をOF面と
いい、半導体製造工程の初期段階、すなわち単結
晶インゴツトの状態のとき、その決められた側面
を研削することによりOF面を形成している。OF
面形成後、確認のため、X線回析法によりOF面
の測定を行ない、さらに単結晶の結晶軸方位測定
をする。ここで、OF面確認のためにはインゴツ
ト側面のOF面を、結晶軸測定にためにはインゴ
ツト断面を計測することになる。
ところが、このとき用いられる計測機器は、
OF面確認時と結晶軸測定時とで第6図及び第7
図に示すように、別々の形状のワ−ク載置部で構
成されているため交換の必要がある。交換の際
は、ワ−ク載置部10,10′の取り外し、取り
付けの操作がボルト11に依つているため面倒で
時間がかかり、しかも載置部が重量物のため危険
がともない作業効率ひいては生産効率を低下させ
ていた。
OF面確認時と結晶軸測定時とで第6図及び第7
図に示すように、別々の形状のワ−ク載置部で構
成されているため交換の必要がある。交換の際
は、ワ−ク載置部10,10′の取り外し、取り
付けの操作がボルト11に依つているため面倒で
時間がかかり、しかも載置部が重量物のため危険
がともない作業効率ひいては生産効率を低下させ
ていた。
本考案は、前記のような問題点を解決すべくな
されたもので、 斜面及び/又は上面に若干の幅をもつ一以上の
直線溝1を奥行方向に穿設したVブロツク型受器
2と、 前記直線溝1の断面形状に略一致する断面形状
を有し、前記直線溝に対して摺動可能な突部3を
備え且つ、前記Vブロツク型受器2の斜面及び/
又は上面に密着して摺動できる面をその一構成面
として前記突部以外にもつ断面多角形のワ−ク載
置器4と、 前記ワ−ク載置器4にその上面後端部に直立し
て設けられた、X線回析用窓5を有するワ−ク支
持体6と、 から成り、 Vブロツク型受器2に穿説された直線溝1とワ
−ク載器器4の突部3とが係合摺動可能であるこ
とにより、ワ−ク載置器が、Vブロツク型受器か
ら適宜着脱できるようにしたものである。
されたもので、 斜面及び/又は上面に若干の幅をもつ一以上の
直線溝1を奥行方向に穿設したVブロツク型受器
2と、 前記直線溝1の断面形状に略一致する断面形状
を有し、前記直線溝に対して摺動可能な突部3を
備え且つ、前記Vブロツク型受器2の斜面及び/
又は上面に密着して摺動できる面をその一構成面
として前記突部以外にもつ断面多角形のワ−ク載
置器4と、 前記ワ−ク載置器4にその上面後端部に直立し
て設けられた、X線回析用窓5を有するワ−ク支
持体6と、 から成り、 Vブロツク型受器2に穿説された直線溝1とワ
−ク載器器4の突部3とが係合摺動可能であるこ
とにより、ワ−ク載置器が、Vブロツク型受器か
ら適宜着脱できるようにしたものである。
本考案においては、Vブロツク型受器に穿設さ
れた直線溝に、ワ−ク載置器の突部が係合摺動す
る。Vブロツク型受器の斜面及び/又は上面に密
着する一面を有するワ−ク載置器は、したがつ
て、前記直線溝をあたかもレ−ルとするような状
態でVブロツク型受器上に納まることになる。
OF面確認時は、Vブロツク型受器にワ−ク載置
器を取り付けた状態で用いられ(これを第1図及
び第2図に示す)、結晶方位測定時には、ワ−ク
載置器を外したVブロツク型受器のみの状態で使
用される(これを第4図及び第5図に示す)。
れた直線溝に、ワ−ク載置器の突部が係合摺動す
る。Vブロツク型受器の斜面及び/又は上面に密
着する一面を有するワ−ク載置器は、したがつ
て、前記直線溝をあたかもレ−ルとするような状
態でVブロツク型受器上に納まることになる。
OF面確認時は、Vブロツク型受器にワ−ク載置
器を取り付けた状態で用いられ(これを第1図及
び第2図に示す)、結晶方位測定時には、ワ−ク
載置器を外したVブロツク型受器のみの状態で使
用される(これを第4図及び第5図に示す)。
以下、実施例をあげながら本考案をさら詳説す
る。
る。
第1図及び第2図に示すように、ワ−ク載置器
4をVブロツク型受器2にセツトした装置にOF
面を形成したシリコン単結晶インゴツト7を載せ
OF面の確認を行なつた。次に、ワ−ク載置器を
Vブロツク型受器から取り外し、Vブロツク型受
器上に第4図及び第5図に示すようにシリコン単
結晶インゴツト7をセツトし結晶軸方位測定を行
なつた。
4をVブロツク型受器2にセツトした装置にOF
面を形成したシリコン単結晶インゴツト7を載せ
OF面の確認を行なつた。次に、ワ−ク載置器を
Vブロツク型受器から取り外し、Vブロツク型受
器上に第4図及び第5図に示すようにシリコン単
結晶インゴツト7をセツトし結晶軸方位測定を行
なつた。
OF確認終了から、Vブロツク型受器をワ−ク
載置器から取外し結晶軸方位測定が終了するまで
に要した時間は、インゴツト1本当りほぼ4分
で、従来の12分に比し約1/3に短縮され、作業
効率が向上した。
載置器から取外し結晶軸方位測定が終了するまで
に要した時間は、インゴツト1本当りほぼ4分
で、従来の12分に比し約1/3に短縮され、作業
効率が向上した。
ワ−ク載置器4のVブロツク型受器2への取り
付けは、Vブロツク型受器斜面下に穿設された直
線溝1に、ワ−ク載置器下部に設けられている突
部3を係合させ奥行方向に摺動スライドさせて行
ない、取り外しはこの逆を行なう。
付けは、Vブロツク型受器斜面下に穿設された直
線溝1に、ワ−ク載置器下部に設けられている突
部3を係合させ奥行方向に摺動スライドさせて行
ない、取り外しはこの逆を行なう。
また、OF面確認時に用いるワ−ク載置器上の
ワ−ク支持体6にはX線回析用窓5が設けてあ
り、ここから計測用のX線8が入射し、OF面で
反射してX線回析器の受信側へ向かう。
ワ−ク支持体6にはX線回析用窓5が設けてあ
り、ここから計測用のX線8が入射し、OF面で
反射してX線回析器の受信側へ向かう。
本考案は、以上のような構成によりOF面確認
時と、結晶方位測定時とで従来のように治具交換
作業を行なう必要はなく、適宜ワ−ク載置器を取
り付け域は取り外しを行なえばいい。この作業
は、従来のように、ボルトの取り外しや、重量物
の移動等の時間と人手のかかるしかも危険なもの
ではなく、ただ、Vブロツク型受器に穿設された
直線溝とワ−ク載置器の突部とを係合させて取り
付け、もしくは取り外しを行なうのみであるか
ら、きわめて簡単で安全なしかも効率的なものと
なる。
時と、結晶方位測定時とで従来のように治具交換
作業を行なう必要はなく、適宜ワ−ク載置器を取
り付け域は取り外しを行なえばいい。この作業
は、従来のように、ボルトの取り外しや、重量物
の移動等の時間と人手のかかるしかも危険なもの
ではなく、ただ、Vブロツク型受器に穿設された
直線溝とワ−ク載置器の突部とを係合させて取り
付け、もしくは取り外しを行なうのみであるか
ら、きわめて簡単で安全なしかも効率的なものと
なる。
また装置の安定性についても、ワ−ク載置器を
Vブロツク型受器に搭載している状態では、ワ−
ク載置器は突部以外の面でもVブロツク型受器に
摺動可能に密着接しているから、ガタつくことは
ない。
Vブロツク型受器に搭載している状態では、ワ−
ク載置器は突部以外の面でもVブロツク型受器に
摺動可能に密着接しているから、ガタつくことは
ない。
第1図は、本考案を用いたOF面確認のための
測定状態を示す平面図、第2図は、本考案を用い
たOF面確認のための測定状態を示す正面図、第
3図は、本考案の一実施例に用いられるワ−ク載
置器の斜視図、第4図は本考案を用いた結晶方位
の測定状態を示す平面図、第5図は、本考案を用
いた結晶方位の測定状態を示す正面図、第6図
は、従来のOF面確認のための測定装置の要部縦
断面図、第7図は、従来の結晶方位測定のための
測定装置の要部縦断面図、第8図は、本考案を用
いたOF面確認のための他の測定状態を示す正面
図。 1……直線溝、2……Vブロツク型受器、3…
…突部、4……ワ−ク載置器、5……X線回析用
窓、6……ワ−ク支持体、7……シリコン単結晶
インゴツト、8……X線、10,10′……ワ−
ク載置部、11……ボルト。
測定状態を示す平面図、第2図は、本考案を用い
たOF面確認のための測定状態を示す正面図、第
3図は、本考案の一実施例に用いられるワ−ク載
置器の斜視図、第4図は本考案を用いた結晶方位
の測定状態を示す平面図、第5図は、本考案を用
いた結晶方位の測定状態を示す正面図、第6図
は、従来のOF面確認のための測定装置の要部縦
断面図、第7図は、従来の結晶方位測定のための
測定装置の要部縦断面図、第8図は、本考案を用
いたOF面確認のための他の測定状態を示す正面
図。 1……直線溝、2……Vブロツク型受器、3…
…突部、4……ワ−ク載置器、5……X線回析用
窓、6……ワ−ク支持体、7……シリコン単結晶
インゴツト、8……X線、10,10′……ワ−
ク載置部、11……ボルト。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 斜面及び/又は上面に若干の幅をもつ一以上の
直線溝を奥行方向に穿設したVブロツク型受器
と、 前記直線溝の断面形状に略一致する断面形状を
有し、前記直線溝に対し摺動可能な突部を備え且
つ、前記Vブロツク型受器の斜面及び/又は上面
に密着して摺動できる面をその一構成面として前
記突部以外にもつ断面多角形のワ−ク載置器と、 前記ワ−ク載置器に、その上面後端部に直立し
て設けられた、X線回析用窓を有するワ−ク支持
体と、 から成り、 前記直線溝と前記突部とが係合摺動可能である
ことにより、前記ワ−ク載置器が、前記Vブロツ
ク型受器から適宜着脱できることを特徴とする結
晶方位−オリエンテ−シヨンフラツト面測定用治
具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9940387U JPH034036Y2 (ja) | 1987-06-30 | 1987-06-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9940387U JPH034036Y2 (ja) | 1987-06-30 | 1987-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS646045U JPS646045U (ja) | 1989-01-13 |
| JPH034036Y2 true JPH034036Y2 (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=31326529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9940387U Expired JPH034036Y2 (ja) | 1987-06-30 | 1987-06-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034036Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2569862B2 (ja) * | 1990-02-13 | 1997-01-08 | 三菱電機株式会社 | X線露光装置およびx線露光方法 |
| JP2008207272A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Rex Industries Co Ltd | 帯鋸盤 |
| JP6384686B2 (ja) * | 2017-01-10 | 2018-09-05 | パルステック工業株式会社 | V溝深さ可変ステージ及びx線回折測定装置 |
-
1987
- 1987-06-30 JP JP9940387U patent/JPH034036Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS646045U (ja) | 1989-01-13 |
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