JPH0340420A - レジスト像の製造方法 - Google Patents
レジスト像の製造方法Info
- Publication number
- JPH0340420A JPH0340420A JP1176033A JP17603389A JPH0340420A JP H0340420 A JPH0340420 A JP H0340420A JP 1176033 A JP1176033 A JP 1176033A JP 17603389 A JP17603389 A JP 17603389A JP H0340420 A JPH0340420 A JP H0340420A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- layer
- image
- pattern
- sensitive
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体製造プロセスにおけるレジスト像の製造
方法に関する。
方法に関する。
［従来の技術］
従来、半導体プロセスにおけるレジスト像の製造方法と
しｒｓＯＧ （Ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｒａｓｓ ニスピン
・オン・グラス〉により有１１１１１＠ＩＮ形成し、Ｒ
ＩＥ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｔｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）
：リアクティブ・イオン・エツチング〉でエツチング
する方法があったが、ＲＩＥを行うには真空引きの操作
が必要な上に、ゴミの付着が起こりやすく、レジスト剥
離が困難になるなどの問題があった。
しｒｓＯＧ （Ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｒａｓｓ ニスピン
・オン・グラス〉により有１１１１１＠ＩＮ形成し、Ｒ
ＩＥ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｔｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）
：リアクティブ・イオン・エツチング〉でエツチング
する方法があったが、ＲＩＥを行うには真空引きの操作
が必要な上に、ゴミの付着が起こりやすく、レジスト剥
離が困難になるなどの問題があった。
一方、パターンを反転させないでレジスト像を製造する
方法がある。しかしながら、この方法ではマスク上のガ
ラス部分に付着した異物によりパターン欠陥が発生する
という問題があった。
方法がある。しかしながら、この方法ではマスク上のガ
ラス部分に付着した異物によりパターン欠陥が発生する
という問題があった。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は上記の点を解決しようとするもので、その目的
は、ＲＩＥが不必要であり、レジスト像が反転像として
得られ、マスクのガラス上に付着した異物の彰饗を受け
にくく、かつ、反転レジストの側壁の角度を調整するこ
とができ、高精度で急峻な反転レジスト像が得られるレ
ジスト像の製造方法を提供することにある。
は、ＲＩＥが不必要であり、レジスト像が反転像として
得られ、マスクのガラス上に付着した異物の彰饗を受け
にくく、かつ、反転レジストの側壁の角度を調整するこ
とができ、高精度で急峻な反転レジスト像が得られるレ
ジスト像の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段］
本発明は、微細パターンを形成すべき半導体の基板上に
それぞれ異なる感度を有する１層目レジストと２層目レ
ジストをこの順に塗布乾燥し、マスクを介して２庖目レ
ジストに感度を有し１ｍ目レジストに感度を有しない波
長で２層目レジストをパターニング露光し、現像する工
程と、その上にコントラスト増強剤を塗部した後、１層
目レジストと２１ｉ目レジストの両方に感度を有する紫
外光を全面照射する工程と、コントラスト増強剤を除去
した後、コントラスト増強剤の膜厚差によるコントラス
トの差を利用して得られた反転潜像を現像し、半導体の
基板上に反転レジストパターンを形成する工程とを含む
ことを特徴とするレジスト像の製造方法である。
それぞれ異なる感度を有する１層目レジストと２層目レ
ジストをこの順に塗布乾燥し、マスクを介して２庖目レ
ジストに感度を有し１ｍ目レジストに感度を有しない波
長で２層目レジストをパターニング露光し、現像する工
程と、その上にコントラスト増強剤を塗部した後、１層
目レジストと２１ｉ目レジストの両方に感度を有する紫
外光を全面照射する工程と、コントラスト増強剤を除去
した後、コントラスト増強剤の膜厚差によるコントラス
トの差を利用して得られた反転潜像を現像し、半導体の
基板上に反転レジストパターンを形成する工程とを含む
ことを特徴とするレジスト像の製造方法である。
［実施例］
次に図面に示す実施例をあげて本発明を説明する。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ｄ）は本発明
のレジスト像の製造方法を示す断面説明図である。
のレジスト像の製造方法を示す断面説明図である。
まず、半導体の基板３上に１層目レジスト２ａと２層目
レジスト２をそれぞれ塗布乾燥する。
レジスト２をそれぞれ塗布乾燥する。
１層目レジスト２ａと２層目レジスト２とはそれぞれ異
なる波長に感度を有する材料を使用する。
なる波長に感度を有する材料を使用する。
例えば、下層部の１層目レジスト２ａには遠紫外光に感
度を有するＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）系
のフォトレジスト等を、上層部の２層目レジスト２には
Ｇ線に感度を有する通常のフォトレジスト等を使用する
。
度を有するＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）系
のフォトレジスト等を、上層部の２層目レジスト２には
Ｇ線に感度を有する通常のフォトレジスト等を使用する
。
このように基板３上に１＠目レジスト２ａと２層目レジ
スト２を形成したものにマスク１を通して、紫外光、Ｘ
線、電子線等で露光する［第１図（ａ）参照］。
スト２を形成したものにマスク１を通して、紫外光、Ｘ
線、電子線等で露光する［第１図（ａ）参照］。
次に、現像してパターン形成を行う［第１図（ｂ）参照
］。
］。
次いで、ある一定量以上の紫外光を照射すると急激に透
過率が増加する市販のコントラスト増強剤（以下ＣＥＬ
剤と称する）を塗部する。塗相後は２層目レジスト２の
段差により、２層目レジスト２のある部分は薄く、２層
目レジストのない部分は厚＜ＣＥＬ剤４が形成される。
過率が増加する市販のコントラスト増強剤（以下ＣＥＬ
剤と称する）を塗部する。塗相後は２層目レジスト２の
段差により、２層目レジスト２のある部分は薄く、２層
目レジストのない部分は厚＜ＣＥＬ剤４が形成される。
この状態で１層目レジスト２ａと２層目レジスト２とに
感度のある紫外光５を全面照射する［第１図（Ｃ）参照
］。
感度のある紫外光５を全面照射する［第１図（Ｃ）参照
］。
この紫外光の全面照射によりＣＥＬ剤の膜厚の厚い部分
と薄い部分、すなわち２廟目レジスト２のパターン通り
にコントラストの差ができる。この時、全面照射する紫
外光の光量をコントロールすることによって、反転レジ
ストパターン６の側壁の角度を調整でき、高精度で急峻
な反転レジスト像が得られる。
と薄い部分、すなわち２廟目レジスト２のパターン通り
にコントラストの差ができる。この時、全面照射する紫
外光の光量をコントロールすることによって、反転レジ
ストパターン６の側壁の角度を調整でき、高精度で急峻
な反転レジスト像が得られる。
次に、ＣＥＬ剤４を除去し、現像して基板上に反転レジ
ストパターン６を形成する［第１図（ｄ）参照］。
ストパターン６を形成する［第１図（ｄ）参照］。
ここで、得られたレジストパターンは１層目レジスト２
ａが平坦化の役割を果たしているため、基板３に段差が
ある場合、その影響を受けにくい。
ａが平坦化の役割を果たしているため、基板３に段差が
ある場合、その影響を受けにくい。
［発明の効果］
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、これま
での５ＯＧＷを用いてＲＩＥでエッチバックする方法に
比べて、ＲＩＥが不必要なため、真空引きの操作が不要
で、操作が簡単になり、ウェハへのゴミの付着が少なく
なり、さらには、レジスト剥離が困難になったりするこ
とがない。また、得られるレジスト像はマスクに対して
反転像となるため、マスクのガラス上に付着した異物の
影響を受けにくい。また、反転レジストの側壁の角度を
コントロールすることができ、高精度で急峻ａ反転レジ
スト像が得られる。
での５ＯＧＷを用いてＲＩＥでエッチバックする方法に
比べて、ＲＩＥが不必要なため、真空引きの操作が不要
で、操作が簡単になり、ウェハへのゴミの付着が少なく
なり、さらには、レジスト剥離が困難になったりするこ
とがない。また、得られるレジスト像はマスクに対して
反転像となるため、マスクのガラス上に付着した異物の
影響を受けにくい。また、反転レジストの側壁の角度を
コントロールすることができ、高精度で急峻ａ反転レジ
スト像が得られる。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ｄ）は本発明
のレジスト像の製造方法の一実施例を示す断面説明図で
ある。 １・・・マスク、２・・・２膿目レジスト、２ａ・・・
１層目レジスト、３・・・基板、４・・・コントラスト
増強剤、５・・・紫外光、６・・・レジストパターン。
のレジスト像の製造方法の一実施例を示す断面説明図で
ある。 １・・・マスク、２・・・２膿目レジスト、２ａ・・・
１層目レジスト、３・・・基板、４・・・コントラスト
増強剤、５・・・紫外光、６・・・レジストパターン。
Claims (1)
- （１）微細パターンを形成すべき半導体の基板上にそれ
ぞれ異なる感度を有する１層目レジストと２層目レジス
トをこの順に塗布乾燥し、マスクを介して２層目レジス
トに感度を有し１層目レジストに感度を有しない波長で
２層目レジストをパターニング露光し、現像する工程と
、その上にコントラスト増強剤を塗布した後、１層目レ
ジストと２層目レジストの両方に感度を有する紫外光を
全面照射する工程と、コントラスト増強剤を除去した後
、コントラスト増強剤の膜厚差によるコントラストの差
を利用して得られた反転潜像を現像し、半導体の基板上
に反転レジストパターンを形成する工程とを含むことを
特徴とするレジスト像の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176033A JPH0340420A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | レジスト像の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176033A JPH0340420A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | レジスト像の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340420A true JPH0340420A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=16006551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1176033A Pending JPH0340420A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | レジスト像の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0340420A (ja) |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP1176033A patent/JPH0340420A/ja active Pending
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