JPH0340956A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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-
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は超電導体の製造方法に係り、特に高い臨界電流
密度(以下、Jcと称する。)を有する酸化物超電導体
の製造方法に関する。
密度(以下、Jcと称する。)を有する酸化物超電導体
の製造方法に関する。
[従来の技術]
近年、超電導体の開発競争が苫−シい速度で進められて
おり、特に、YBa 2 Cu30xで代表されるLn
−Ba−Cu−0系酸化物(Ln:希土類元素)は9(
IKという高い臨界温度(以下、Tcと称する。)を有
し、実用可能な材料として注目されている。
おり、特に、YBa 2 Cu30xで代表されるLn
−Ba−Cu−0系酸化物(Ln:希土類元素)は9(
IKという高い臨界温度(以下、Tcと称する。)を有
し、実用可能な材料として注目されている。
実用材料としては、高いJcを有し、かつ加工性に優れ
ることが必要であり、このため焼結体の高密度化が不可
欠の要件となっている。従来、このような高密度化の問
題に対しては、原料粉末の微細化および均質化のアプロ
ーチから検討されてきており、有効な手段として認めら
れている。
ることが必要であり、このため焼結体の高密度化が不可
欠の要件となっている。従来、このような高密度化の問
題に対しては、原料粉末の微細化および均質化のアプロ
ーチから検討されてきており、有効な手段として認めら
れている。
しかしながら、原料粉末を成型後焼結する方法ではその
高密度化、すなわちJcの向上には限界があるという問
題がある。
高密度化、すなわちJcの向上には限界があるという問
題がある。
以上の問題点を解決する方法として、基体上に超電導物
質の構成元素をそれぞれ所定比率を構成するように含む
金属塩あるいはこれ等の金属塩を含む溶液を塗布した後
、焼結する方法が検討されている。
質の構成元素をそれぞれ所定比率を構成するように含む
金属塩あるいはこれ等の金属塩を含む溶液を塗布した後
、焼結する方法が検討されている。
[発明が解決しようとする課題]
上記の方法においては、たとえばY−13a−Cu−0
系セラミツクスの場合、金属塩あるいは金属塩を含む溶
液中のY s Bas Cuの原子数比(モル比)は約
1:2:3となるように配合されるが、この場合におい
ても粉末を用いる方法に比較すれば高密度化は達成され
るものの、焼結後の成型体中にはかなりの空孔が存在す
ることが走査電子’a微mによる観察等の結果から明ら
かとなった。
系セラミツクスの場合、金属塩あるいは金属塩を含む溶
液中のY s Bas Cuの原子数比(モル比)は約
1:2:3となるように配合されるが、この場合におい
ても粉末を用いる方法に比較すれば高密度化は達成され
るものの、焼結後の成型体中にはかなりの空孔が存在す
ることが走査電子’a微mによる観察等の結果から明ら
かとなった。
本発明は上記の難点を解決するためになされたもので、
超電導体中の空孔の存7[量を減少させ、これによりJ
cを向上させることのできる方法を提供することをその
目的とする。
超電導体中の空孔の存7[量を減少させ、これによりJ
cを向上させることのできる方法を提供することをその
目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、本発明の酸化物超電導体の
製造方法は、酸化物超電導物質からなる仮焼結体または
焼結体に酸化物超電導物質を構成する元素を含む金属塩
あるいはこれ等の金属塩を含む溶液を含浸した後、焼結
するものである。
製造方法は、酸化物超電導物質からなる仮焼結体または
焼結体に酸化物超電導物質を構成する元素を含む金属塩
あるいはこれ等の金属塩を含む溶液を含浸した後、焼結
するものである。
上記の発明において、仮焼粘体または焼結体、および金
属塩中の各構成元素の比率(モル比)は、それぞれ超電
導物質を構成する元素の原子数比に調整される。
属塩中の各構成元素の比率(モル比)は、それぞれ超電
導物質を構成する元素の原子数比に調整される。
焼結により生成される超電導物質は、Y−Ba−Cu−
O系や旧−3r−Ca−Cu−0系であるが、これ等に
限定されず、さらにこれにFやpb等の元素を添加した
ものも含まれる。
O系や旧−3r−Ca−Cu−0系であるが、これ等に
限定されず、さらにこれにFやpb等の元素を添加した
ものも含まれる。
本発明における金属塩としては、脂肪酸、樹脂酸、ナフ
テン酸等のアルカリ塩以外の金属塩、すなわち金属石け
んおよびアセチルアセトン錯塩が適する。
テン酸等のアルカリ塩以外の金属塩、すなわち金属石け
んおよびアセチルアセトン錯塩が適する。
上記の金属石けんは常態の液状で仮焼結体または焼結体
の外側に塗VHiするか、あるいはキシレン、トルエン
、ナフサ、アルコール、ケトン系等の溶媒に均一に分散
せしめてこれを塗布したり、溶液中に浸漬して含浸する
。
の外側に塗VHiするか、あるいはキシレン、トルエン
、ナフサ、アルコール、ケトン系等の溶媒に均一に分散
せしめてこれを塗布したり、溶液中に浸漬して含浸する
。
含浸後の焼結体の生成は、酸素気流中あるいは酸素加圧
下で酸化調整しながら、あるいは空気中で850〜96
0℃に加熱することにより行われる。
下で酸化調整しながら、あるいは空気中で850〜96
0℃に加熱することにより行われる。
この焼結層の外側に安定化材を被覆することしでき、た
とえば銀、銅、アルミニウムまたはこれらの合金をメツ
キや蒸着により、0.1−10μmの厚さに施すことが
できる。
とえば銀、銅、アルミニウムまたはこれらの合金をメツ
キや蒸着により、0.1−10μmの厚さに施すことが
できる。
さらに、その外側に絶縁被膜を施すこともできる。絶縁
被膜としては有機あるいは無機材料が用いられ、前者の
有機絶縁被膜としてはU■硬化ウレタン樹脂やPVP
、ポリエステル、シリコーン等のエナメルワニスを、一
方、後者の無機絶縁被膜としてはアルミナやポリボロシ
ロキサン樹脂等を挙げることができる。もちろん上記の
安定化材を介さずに直接絶縁被膜を施すこともできる。
被膜としては有機あるいは無機材料が用いられ、前者の
有機絶縁被膜としてはU■硬化ウレタン樹脂やPVP
、ポリエステル、シリコーン等のエナメルワニスを、一
方、後者の無機絶縁被膜としてはアルミナやポリボロシ
ロキサン樹脂等を挙げることができる。もちろん上記の
安定化材を介さずに直接絶縁被膜を施すこともできる。
[作 用]
本発明の方法においては、金属塩が仮焼結体または焼結
体中に含浸せしめられるため超電導物質生成の反応が促
進されるとともに、空孔が減少して電気的通路が増大し
Jcが向上する。
体中に含浸せしめられるため超電導物質生成の反応が促
進されるとともに、空孔が減少して電気的通路が増大し
Jcが向上する。
[実施flJ ]
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例1
酸化イツトリウム、炭酸バリウムおよび酸化銅をY:B
a:Cu−1=2:3の比となるようにそれぞれ秤量し
、これをエタノールで混合した後、空気中で800℃×
24時間仮焼した。次いで、これをボールミルで粉砕し
て粒径1−10μmの粉末を得、この原料粉末にIt/
c−の圧力を加えて金属板上に加圧成型した後、900
℃×24時間加熱した。
a:Cu−1=2:3の比となるようにそれぞれ秤量し
、これをエタノールで混合した後、空気中で800℃×
24時間仮焼した。次いで、これをボールミルで粉砕し
て粒径1−10μmの粉末を得、この原料粉末にIt/
c−の圧力を加えて金属板上に加圧成型した後、900
℃×24時間加熱した。
次いで、この焼結体の外側に、
オクチル酸イツトリウム (Y分8νt%) 100g
オクチル酸バリウム CBa分8wL%) 310
gおよびオクチル酸銅 (Cu分5vt%) 34
2gを混合した溶液を塗布し含浸した。
オクチル酸バリウム CBa分8wL%) 310
gおよびオクチル酸銅 (Cu分5vt%) 34
2gを混合した溶液を塗布し含浸した。
次いで、この金属塩を含浸した焼結体を900でX 2
4特間加熱して超電導体を製造した。その特性を測定し
た結果、Jcは190DA/cd (at77K)であ
った。
4特間加熱して超電導体を製造した。その特性を測定し
た結果、Jcは190DA/cd (at77K)であ
った。
比較例1
実施例1で得た焼結体に金属塩を含浸させずにその特性
を測定した結果、Jcは500Aノcd (aL77K
)であった。
を測定した結果、Jcは500Aノcd (aL77K
)であった。
実施例2
B12 03 、Pb3O4、SrCO3、C71CO
3及びCuOの各粉末をBl:Pb:Sr:Ca:Cu
−0,6:0.4:1:l:2となるように混合し、8
00℃x10を時間加熱して仮焼扮を得た。この仮焼粉
をit/ c−の圧力でプレス成形した後、850℃X
50117間加熱して焼結体を得た。
3及びCuOの各粉末をBl:Pb:Sr:Ca:Cu
−0,6:0.4:1:l:2となるように混合し、8
00℃x10を時間加熱して仮焼扮を得た。この仮焼粉
をit/ c−の圧力でプレス成形した後、850℃X
50117間加熱して焼結体を得た。
次いで、この焼結体の外側に、
オクチル酸ビスマス (81分20.5vL%)
1[12gオクチル酸鉛 (Pb分17シL%)
81gオクチル酸ストロンチウム(Sr性分2
v%) 730gオクチル酸カルシウム(Ca分4v
L%) 187gオクチル酸銅 (Cu
骨分5vLを混合した溶液を塗布し含浸した。
1[12gオクチル酸鉛 (Pb分17シL%)
81gオクチル酸ストロンチウム(Sr性分2
v%) 730gオクチル酸カルシウム(Ca分4v
L%) 187gオクチル酸銅 (Cu
骨分5vLを混合した溶液を塗布し含浸した。
次いで、この金属塩を含浸した焼結体を850℃X50
時間加熱して超電導体を製造した。そのJcをMJ定し
た結果245^/ cd (at 77K)の値が得ら
れた。
時間加熱して超電導体を製造した。そのJcをMJ定し
た結果245^/ cd (at 77K)の値が得ら
れた。
比較例2
実施例2で得た焼結体に金属塩を含浸させずにそのJc
を測定した結果、90A/cj ( at 77K)の
値を示した。
を測定した結果、90A/cj ( at 77K)の
値を示した。
上記の各実施例および各比較例で得られた試料を走査電
子顕微鏡で観察した結果、前者は後者に比較して著しく
空孔の存在量が減少していることが確認された。
子顕微鏡で観察した結果、前者は後者に比較して著しく
空孔の存在量が減少していることが確認された。
[発明の効果コ
以上述べたように本発明の酸化物超電導体の製造方法に
よれば、空孔の存在量を減少させて高密度化を計ること
ができ、これによりJcを向上させることができる。
よれば、空孔の存在量を減少させて高密度化を計ること
ができ、これによりJcを向上させることができる。
Claims (2)
- (1)酸化物超伝導物質からなる仮焼結体または焼結体
に酸化物超電導物質を構成する元素を含む金属塩あるい
はこれ等の金属塩を含む溶液を含浸した後、焼結するこ
とを特徴とするセラミックス系超電導体の製造方法。 - (2)金属塩は金属石けんあるいはアセチルアセトン錯
塩である請求項1記載の酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1175337A JPH0340956A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1175337A JPH0340956A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340956A true JPH0340956A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=15994300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1175337A Pending JPH0340956A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0340956A (ja) |
-
1989
- 1989-07-06 JP JP1175337A patent/JPH0340956A/ja active Pending
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