JPH0341186A - 輝尽性螢光体とその製造方法 - Google Patents
輝尽性螢光体とその製造方法Info
- Publication number
- JPH0341186A JPH0341186A JP17617089A JP17617089A JPH0341186A JP H0341186 A JPH0341186 A JP H0341186A JP 17617089 A JP17617089 A JP 17617089A JP 17617089 A JP17617089 A JP 17617089A JP H0341186 A JPH0341186 A JP H0341186A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- photostimulable
- irradiated
- crystal
- raw materials
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
輝尽性の発光を示す螢光体に関し、
発光感度を向上することを目的とし、
（（Ｉ Ｘ）ＭＡＸＡ２ ＸＭ８Ｘ” ｚ ）（１−
ｙ）（Ｍ’Ｘｃ３ ）Ｙ ： ｚＴｌ”で表わされる
結晶を用い、放射線の照射により該結晶中にエネルギー
を蓄積し、光励起により輝尽性の発光をすることを特徴
として輝尽性螢光体を構成する。
ｙ）（Ｍ’Ｘｃ３ ）Ｙ ： ｚＴｌ”で表わされる
結晶を用い、放射線の照射により該結晶中にエネルギー
を蓄積し、光励起により輝尽性の発光をすることを特徴
として輝尽性螢光体を構成する。
但し、
ＭＡとＭｌは陶、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうちの何れか覧ら
なる元素、 ＭＣはＳｃ、 Ｙ、 Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕのうちの何れ
か＼らなる元素、 ＸＡ、ｘ” ＋ ｘｃはＣｆｆ１ 、Ｂｒ、 Ｉのう
ちの何れか＼らなるハロゲン元素であって、ＸＡとＸＢ
が同じの場合はない。
なる元素、 ＭＣはＳｃ、 Ｙ、 Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕのうちの何れ
か＼らなる元素、 ＸＡ、ｘ” ＋ ｘｃはＣｆｆ１ 、Ｂｒ、 Ｉのう
ちの何れか＼らなるハロゲン元素であって、ＸＡとＸＢ
が同じの場合はない。
Ｘは ０．４ ＜ｘ ＜０．６の範囲、ｙは ０ ＜
３／ ＜０．ｌの範囲、Ｚは ０．０００１＜ｚ ＜
０．０２の範囲、の値である。
３／ ＜０．ｌの範囲、Ｚは ０．０００１＜ｚ ＜
０．０２の範囲、の値である。
本発明は発光感度を向上した輝尽性螢光体とその製造方
法に関する。
法に関する。
輝尽性螢光体を用いてなるＸ線画像変換シートはデジタ
ル画像処理装置と組み合わせてＸ線写真システムを構成
している。
ル画像処理装置と組み合わせてＸ線写真システムを構成
している。
すなわち、Ｘ線は人体の診断や材料の鑑識など広い分野
で使用されているが、最大の用途はＸ線診断である。
で使用されているが、最大の用途はＸ線診断である。
そして、Ｘ線写真の撮影や透視により診断が行われてい
るが、Ｘ線は放射線であって人体に有害なことから被爆
線量がなるべく少ないことが必要で、Ｘ線装置の改良と
Ｘ線フィルム感度向上の面から改良が行われており、昔
と較べて比較にならない程少量のＸ線で検査が行われる
ようになっている。
るが、Ｘ線は放射線であって人体に有害なことから被爆
線量がなるべく少ないことが必要で、Ｘ線装置の改良と
Ｘ線フィルム感度向上の面から改良が行われており、昔
と較べて比較にならない程少量のＸ線で検査が行われる
ようになっている。
然し、フィルムの感度を上げようとすると画質が低下す
ることは避けられない。
ることは避けられない。
一方、最近開発されたＸ線写真システムはＸ線画像変換
シートと電算機とを用いて画像処理を行うもので、具体
的には従来のフィルムに代わってＸ線画像変換シートを
用いて撮影し、シートに写し込まれたＸ線画像をレーザ
光を使用して電気信号に変換して後、この信号を電算機
で画像処理を行い、この情報をレーザ光の強弱に変換し
て通常の写真フィルムに写し変えることによりＸ線写真
を形成している。
シートと電算機とを用いて画像処理を行うもので、具体
的には従来のフィルムに代わってＸ線画像変換シートを
用いて撮影し、シートに写し込まれたＸ線画像をレーザ
光を使用して電気信号に変換して後、この信号を電算機
で画像処理を行い、この情報をレーザ光の強弱に変換し
て通常の写真フィルムに写し変えることによりＸ線写真
を形成している。
このような方法によると従来に較べて数１０分の１以下
の線量で鮮明な画像を得ることができる。
の線量で鮮明な画像を得ることができる。
こ覧で、Ｘ線画像変換シートは放射線エネルギーを一旦
蓄積でき、あとで熱や光の励起によって再び螢光を発す
る輝尽性螢光体を感光材料とするシートである。
蓄積でき、あとで熱や光の励起によって再び螢光を発す
る輝尽性螢光体を感光材料とするシートである。
本発明はか覧るＸ線画像変換シートを構成する輝尽性螢
光体とその製造方法に関するものである。
光体とその製造方法に関するものである。
Ｃ従来の技術〕
Ｘ線画像変換シートはポリエチレンテレフタレートフィ
ルム（以下略して通称のマイラー）などの透明樹脂膜の
上に、アルカリ土類金属のハロゲン化物とハロゲン化ユ
ーロピウム（Ｅｕ）との混合物を還元性ガス中で焼成し
て二価のユーロピウム賦活ハロゲン化アルカリ土類金属
螢光体を作り、かＸる輝尽性螢光体をバインダと混合し
て基材フィルム上に塗布し、この上に接着剤を用いてマ
イラーの薄膜を貼着してシート状として使用されている
。
ルム（以下略して通称のマイラー）などの透明樹脂膜の
上に、アルカリ土類金属のハロゲン化物とハロゲン化ユ
ーロピウム（Ｅｕ）との混合物を還元性ガス中で焼成し
て二価のユーロピウム賦活ハロゲン化アルカリ土類金属
螢光体を作り、かＸる輝尽性螢光体をバインダと混合し
て基材フィルム上に塗布し、この上に接着剤を用いてマ
イラーの薄膜を貼着してシート状として使用されている
。
このような輝尽性螢光体についてはすでに各種の研究が
行われており、特性の優れた輝尽性螢光体として二価の
ユーロピウム賦活塩化臭化バリウム（ＢａＣＩ Ｂｒ
： Ｅｕ２’）が発表されている。例えば（特開昭６ｌ
−７８８９２）。
行われており、特性の優れた輝尽性螢光体として二価の
ユーロピウム賦活塩化臭化バリウム（ＢａＣＩ Ｂｒ
： Ｅｕ２’）が発表されている。例えば（特開昭６ｌ
−７８８９２）。
こ＼で、輝尽性螢光発光の原理は螢光体結晶にＸ線が照
射されると、価電子帯にある電子が伝導電子帯に励起さ
れるが、直ちに禁止帯るこある不純物準位に落ち込んで
安定化する。
射されると、価電子帯にある電子が伝導電子帯に励起さ
れるが、直ちに禁止帯るこある不純物準位に落ち込んで
安定化する。
これがＸ線エネルギーの蓄積記録に対応する。
次に、読み取りのためにレーザ光を照射すると不純物準
位にある電子はレーザ光のエネルギーを吸収して伝導電
子帯に励起された後、元の価電子帯に落ちるが、この際
に螢光体は螢光を発生し、その明るさは不純物準位の捕
獲電子量に比例する。
位にある電子はレーザ光のエネルギーを吸収して伝導電
子帯に励起された後、元の価電子帯に落ちるが、この際
に螢光体は螢光を発生し、その明るさは不純物準位の捕
獲電子量に比例する。
以上のことからＸ線画像変換シートの表面を微少スポッ
ト（直径１００ μｍ）のレーザ光で走査し、各画素毎
の螢光発光を干渉フィルタを用いて検出し、光電子増倍
管で電子信号に変換して記録するものである。
ト（直径１００ μｍ）のレーザ光で走査し、各画素毎
の螢光発光を干渉フィルタを用いて検出し、光電子増倍
管で電子信号に変換して記録するものである。
か−る輝尽性螢光体においてＥｕ”は発光中心の形成に
当たって効果的な元素であり、Ｅｕ化合物例えば臭化ユ
ーロピウム（ＢａＢｒｚ）の還元により作られている。
当たって効果的な元素であり、Ｅｕ化合物例えば臭化ユ
ーロピウム（ＢａＢｒｚ）の還元により作られている。
具体的には塩化バリウム（ＢａＣ４１！ ｚ）と臭化バ
リウム（ＢａＢｒｚ）とＥｕＢｒ３とを蒸溜水に溶解さ
せた後に蒸発乾固を行い、この混合物を水素（Ｎ２）と
窒素（Ｎ２）の混合ガス流中で８００〜９００°Ｃの温
度で還元焼成することによりＢａＣｆＢｒ ： Ｅｕ”
からなる輝尽性螢光体が形成されている。
リウム（ＢａＢｒｚ）とＥｕＢｒ３とを蒸溜水に溶解さ
せた後に蒸発乾固を行い、この混合物を水素（Ｎ２）と
窒素（Ｎ２）の混合ガス流中で８００〜９００°Ｃの温
度で還元焼成することによりＢａＣｆＢｒ ： Ｅｕ”
からなる輝尽性螢光体が形成されている。
次に、この螢光体を粉砕した後、この粉体とバインダ（
例えばポリメチルメタクリレート略称ＰＭＭＡ）と溶剤
（例えばトルエン）とを混練して塗布液を作り、これを
樹脂フィルムの上に均一に塗布し、溶剤を乾燥させた後
、この上に樹脂フィルム（例えばマイラー）を貼着する
ことによりＸ線画像変換シートが作られている。
例えばポリメチルメタクリレート略称ＰＭＭＡ）と溶剤
（例えばトルエン）とを混練して塗布液を作り、これを
樹脂フィルムの上に均一に塗布し、溶剤を乾燥させた後
、この上に樹脂フィルム（例えばマイラー）を貼着する
ことによりＸ線画像変換シートが作られている。
従来のＸ線画像変換シートを形成している輝尽性螢光体
はこのように二価のＥｕ賦活塩化臭化バリウム（ＢａＣ
Ｉ Ｂｒ ： Ｅｕ”）を基本組成式として作られてお
り、次のような組成式をもつ輝尽性螢光体も提案されて
いる。
はこのように二価のＥｕ賦活塩化臭化バリウム（ＢａＣ
Ｉ Ｂｒ ： Ｅｕ”）を基本組成式として作られてお
り、次のような組成式をもつ輝尽性螢光体も提案されて
いる。
（特公昭５ｌ−２８５９１）
（Ｂａｔ−ａ−ｂ−ｐ Ｓｒ Ｘ Ｃａ ｙ Ｅｕ ｐ
”″）Ｆ（ＣＩ＋−−−ｂ Ｏｒ 、 ［）但し、 ｘ ＋ｙ ＋ｐ ≦１． ｙ≦０．２０
０．００１ ≦ｐ ≦０．２０ 、 ａ ＋ｂ
≦１然し、照射Ｘ線量を更に減少させたいと云う要望
は大きく、なお−層の改良が求められている。
”″）Ｆ（ＣＩ＋−−−ｂ Ｏｒ 、 ［）但し、 ｘ ＋ｙ ＋ｐ ≦１． ｙ≦０．２０
０．００１ ≦ｐ ≦０．２０ 、 ａ ＋ｂ
≦１然し、照射Ｘ線量を更に減少させたいと云う要望
は大きく、なお−層の改良が求められている。
医療診断や材料の鑑識などでＸ線画像シートの使用頻度
が増すに従って、照射Ｘ線量を更に少なくしたいと云う
要求は大きい。
が増すに従って、照射Ｘ線量を更に少なくしたいと云う
要求は大きい。
そこで、更に高感度化した輝尽性螢光体を実用化するこ
とが課題である。
とが課題である。
上記の課題は
（（１ｘ）ＭＡＸ’ ｚ ｘＭ’ Ｘ’ ｚ 〕
（１−ｙ）（ＭＣＸ’ ３ ）ｙ ： ｚＴｌ”
・（１）但し、 ＭＡとＭｌｌはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうちの何れか
＼らなる元素、 ＭＣはＳｃ、 Ｙ、 Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕのうちの（可
れか−らなる元素、 ＸＡ ＸＩ ＸＣはＣ１、Ｂｒ、 Ｉのうちの何
れか＼らなるハロゲン元素であって、ＸＡとＸｌが同じ
の場合はない。
（１−ｙ）（ＭＣＸ’ ３ ）ｙ ： ｚＴｌ”
・（１）但し、 ＭＡとＭｌｌはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうちの何れか
＼らなる元素、 ＭＣはＳｃ、 Ｙ、 Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕのうちの（可
れか−らなる元素、 ＸＡ ＸＩ ＸＣはＣ１、Ｂｒ、 Ｉのうちの何
れか＼らなるハロゲン元素であって、ＸＡとＸｌが同じ
の場合はない。
Ｘは ０．４ ＜ｘ ＜０．６の範囲、ｙは Ｏ＜
ｙ ＜０．１の範囲、 Ｚ！！ ０．００Ｑｌ＜２ ＜０．０２の範囲、で表
わされる結晶を用いて、放射線の照射によりこの結晶中
にエネルギーを蓄積し、光励起により輝尽性の発光をす
ることを特徴とする輝尽性螢光体を構威し、この製法と
しては＆ｌＮ戒式（１）に対応する組成比となるように
螢光体原料を混合した後、この混合物を還元性雰囲気中
で焼結し、輝尽性の発光を示す螢光体を得る製造方法を
とることにより解決することができる。
ｙ ＜０．１の範囲、 Ｚ！！ ０．００Ｑｌ＜２ ＜０．０２の範囲、で表
わされる結晶を用いて、放射線の照射によりこの結晶中
にエネルギーを蓄積し、光励起により輝尽性の発光をす
ることを特徴とする輝尽性螢光体を構威し、この製法と
しては＆ｌＮ戒式（１）に対応する組成比となるように
螢光体原料を混合した後、この混合物を還元性雰囲気中
で焼結し、輝尽性の発光を示す螢光体を得る製造方法を
とることにより解決することができる。
本発明はＢａＣＩ Ｂｒ ： Ｅｕ”を基本組成とする
従来の輝尽性螢光体を高感度化する方法として、発光中
心となる賦活性元素をＥｕからＴＩに変えて原子価制御
を行うと共に、構成元素の一部を同族の元素で置き換え
るものである。
従来の輝尽性螢光体を高感度化する方法として、発光中
心となる賦活性元素をＥｕからＴＩに変えて原子価制御
を行うと共に、構成元素の一部を同族の元素で置き換え
るものである。
その方法は次のようである。
Ｉ、構成元素の一部置き換え、
１−１）Ｂａの一部を周期率表で同じ［Ｉａ族のＭｇ。
Ｃａ、Ｓｒの何れかと置換を行う。
か＼る元素を（１）式ではＭＡとＭｓとして示した。
Ｉ −２） Ｂｒ、ＣＩ！、からなるハロゲン元素に【
を加え部分的に置換を行う。
を加え部分的に置換を行う。
か＼る元素を（１）式ではＸＡ ＸＢ ＸＣとして
示した。
示した。
■、原子価制御、
１ｌ−１）１価であるＴＩに３価の元素を加えることで
実効的に２価として働かせる。
実効的に２価として働かせる。
こ覧で、３価の元素としてはＳｃ、 Ｙ、 Ｌａ。
Ｇｄ、Ｌｕが適しており、か＼る元素を（１）式ではＭ
Ｃとして示した。
Ｃとして示した。
以上のようにして輝尽性螢光体を構成する原子のイオン
半径に変化をもたせ、また賦活性元素を従来のＥｕから
ＴＩに変えて原子価制御を行うもので、これにより輝尽
性螢光体を形成する不純物単位の数が増し、従って放射
線照射によりトラップされる電子数が増すことから、高
感度化が可能となる。
半径に変化をもたせ、また賦活性元素を従来のＥｕから
ＴＩに変えて原子価制御を行うもので、これにより輝尽
性螢光体を形成する不純物単位の数が増し、従って放射
線照射によりトラップされる電子数が増すことから、高
感度化が可能となる。
次に、か＼る輝尽性螢光体の製造方法としては（１３式
で表す組成式のように螢光体原料を秤量し、各種ごキサ
−９Ｖ型ブレンダ、ボールミル、ロッドミル等通常の混
合機を用いて混合を行う。
で表す組成式のように螢光体原料を秤量し、各種ごキサ
−９Ｖ型ブレンダ、ボールミル、ロッドミル等通常の混
合機を用いて混合を行う。
なお、螢光体原料は吸湿性があるために調整と混合は乾
燥雰囲気か不活性ガス雰囲気中で行うのが好ましい。
燥雰囲気か不活性ガス雰囲気中で行うのが好ましい。
次に、混合した螢光体原料をアルミナ坩堝２看英坩堝２
石英ボートなどの耐熱性容器に充填して焼成炉に入れて
焼成を行うが、大気中で焼成する場合は螢光体が酸化さ
れるので還元性雰囲気あるいは不活性雰囲気中で焼成が
行われる。
石英ボートなどの耐熱性容器に充填して焼成炉に入れて
焼成を行うが、大気中で焼成する場合は螢光体が酸化さ
れるので還元性雰囲気あるいは不活性雰囲気中で焼成が
行われる。
こ＼で、還元性雰囲気としては、３０容量％以下の水素
ガス（Ｈｚ）を含む窒素ガス（Ｎ２）雰囲気、−酸化炭
素（ＣＯ）とＮ２との混合ガスなどが用いられる。
ガス（Ｈｚ）を含む窒素ガス（Ｎ２）雰囲気、−酸化炭
素（ＣＯ）とＮ２との混合ガスなどが用いられる。
次に焼成温度は螢光体原料の種類や組成などにより異な
るが従来と同じ＜６００〜１０００″Ｃが用いられ、特
に７００〜９５０℃が適当である。
るが従来と同じ＜６００〜１０００″Ｃが用いられ、特
に７００〜９５０℃が適当である。
また、焼成時間は螢光体原料の種類１組成、焼成温度、
容器への充填度などにより異なるが１〜１２時間である
。
容器への充填度などにより異なるが１〜１２時間である
。
次に、Ｔ１はＴｌＣｌ＋の形で添加するが、ＴｌＣｌ、
は分解し易い材料であるために、他の原料との混合物を
高温で焼成すると、分解飛散して螢光体中に拡散しない
恐れがある。
は分解し易い材料であるために、他の原料との混合物を
高温で焼成すると、分解飛散して螢光体中に拡散しない
恐れがある。
そのため、良好な特性が得られないことがあるので、こ
れを避けるために閉空間中で原料混合物を一旦焼成して
均一化することが必要である。
れを避けるために閉空間中で原料混合物を一旦焼成して
均一化することが必要である。
このようにすると、原料から飛散してしまうことがなく
、適当な温度と時間の後には原料と化合して結晶中に取
り込まれる。
、適当な温度と時間の後には原料と化合して結晶中に取
り込まれる。
この処理温度は原料の組成によっても異なるが、３００
〜７００°Ｃが好ましい。
〜７００°Ｃが好ましい。
この後、原料を閉空間から取り出して還元性雰囲気ある
いは不活性雰囲気で６００−１０００″Ｃの温度で焼成
し、賦活剤を結晶の中に充分に拡散させると良質の結晶
を得ることができる。
いは不活性雰囲気で６００−１０００″Ｃの温度で焼成
し、賦活剤を結晶の中に充分に拡散させると良質の結晶
を得ることができる。
また、焼結して得た螢光体は焼結しているので粉砕と分
級が必要であるか、この工程においても吸湿がおこるの
で、乾燥雰囲気中で行うことが必要である。
級が必要であるか、この工程においても吸湿がおこるの
で、乾燥雰囲気中で行うことが必要である。
実施例１ ： （（ＢａＣ１ｚ）ｏ、５（ＢａＦｌｒ
ｚ）ｏ、ｓ ： ｏ、ｏｏｔＴＩ ）の製造例 モル比で目標値の組成比となるようにそれぞれの原料を
秤量し、ボールミルで１２時間に亙って混合した。
ｚ）ｏ、ｓ ： ｏ、ｏｏｔＴＩ ）の製造例 モル比で目標値の組成比となるようにそれぞれの原料を
秤量し、ボールミルで１２時間に亙って混合した。
この螢光体原料を石英ボートに入れ、８８０ ’Ｃに保
ち、２０容量％のＮ２を含むＮ２ガスを流速１０ ｅ
／分に流したチューブ炉に入れ、６０分に亙って焼成を
行い、焼成が終わった後は同様な雰囲気中で室温にまで
冷却した。
ち、２０容量％のＮ２を含むＮ２ガスを流速１０ ｅ
／分に流したチューブ炉に入れ、６０分に亙って焼成を
行い、焼成が終わった後は同様な雰囲気中で室温にまで
冷却した。
得られた螢光体は焼結しているので塙瑞製の乳鉢で粉砕
を行い、 （ＢａＣ１ｚ）ｏ、 ５（ＢａＢｒｚ）ｏ、 ｓ ：
ｏ、 ｏｏ＋ＴＩＯ組戒比をし組成の粉末を得た。
を行い、 （ＢａＣ１ｚ）ｏ、 ５（ＢａＢｒｚ）ｏ、 ｓ ：
ｏ、 ｏｏ＋ＴＩＯ組戒比をし組成の粉末を得た。
次に、この螢光体粉末にＸ線を照射し、これに波長が７
８０ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
した。
８０ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
した。
実施例２〜１３；
実施例１と同様に目標値の組成比となるように原料を秤
量し、実施例１と同様し焼成して■〜■の組成比をもつ
螢光体を作った。
量し、実施例１と同様し焼成して■〜■の組成比をもつ
螢光体を作った。
（ＢａＣ１ｚ）ｏ、４ｑ（ＢａＢｒｚ）ｏ、４ｑ（Ｓｃ
ＣＩ３）ｏ、ｏｘ ：ｏ、ｏｏｔＴＩ・・・■ ＣＢａＣＩｔ）ｏｌｑ（ＢａＢｒｚ）ｏ、ａｑ（ＳｃＣ
Ｉｆ１）ｏ、ｏｚ ：ｏ、ｏｏｔＴＩ・・・■ ＜ＢａＣＩｚ）ｏ、５ｑｃＢａＢｒｚ）ｏ、ａｑ（Ｓｃ
ＣＩＪｏ、ｏｚ ：ｏ、ｏｏｏｓＴｌ・・・■ （ＢａＣ１ｚ）ｏ、ｎ、（ＢａＢｒｚ）ｏ、 ４９（Ｓ
ｃＢｒ３）ｏ、０２ ： ｏ、ｏｏ４１・・・■ （ＢａＣＩｚ）ｏ、４９（ＢａＢｒｚ）ｏ、４ｑ（Ｙ
Ｃｌ５）０．０２ ： ｏ、ｏｏＩＴｌ・・・■ （ＢａＣＩｚ）ｏｌ、（ＢａＢｒｚ）ｏ、＜ｑ（Ｙ Ｂ
ｒ５）ｏ、ｏｚ ： Ｏ，０ＯＩＴＩ・・・■ （ＢａＣＩｚ）ｏ、Ｎ９（ＢａＢｒｚ）ｏ、Ｎ９（Ｌａ
ｃＩｆ１）ｏ、ｏｚ ：Ｏ，０ＯＩＴＩ・・・■ （ＢａＣ１ｚ）ｏ、ａｓ（ＢａＢｒｚ）ｏ、ａｓ（Ｌａ
Ｃ１ｓ）ｏ、ｏｎ ：０．０＋ｌＩ’ｒ＋・・・■ （ＢａＣ１ｚ）ｏ、 ５ｑ（ＢａＢｒｚ）ｏ、 ４ｑ（
ＬａＢｒｚ）ｏ、 ｏｚ ： ｏ、 ｏｏｌＴｌ・・
・［相］ （ＢａＣＩｚ）ｏ、４ＪＢａＢｒｚ）ｏ、４ｑ（ＧａＣ
ｌ２）ｏ、ｏｚ ：（１，００４ｔ・・・■ （ＢａＣ１ｚ）ｏ、５ｏ（ＢａＢｒｚ）ｏ、 ｎ＊（Ｌ
ｕＣ１ｚ）ｏ、 ｏｚ ： ｏ、 ｏｏＩＴｌ・・・
＠ （ＢａＣ１ｚ）ｏ、ｅ（ＢａＢｒｚ）ｏ、５ｏ（ＬｕＣ
Ｉｓ）ｏ、ｏｚ ：０．００４１・・・■ 次に、この螢光体粉末にＸ線を照射し、これに波長が７
８０ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
した。
ＣＩ３）ｏ、ｏｘ ：ｏ、ｏｏｔＴＩ・・・■ ＣＢａＣＩｔ）ｏｌｑ（ＢａＢｒｚ）ｏ、ａｑ（ＳｃＣ
Ｉｆ１）ｏ、ｏｚ ：ｏ、ｏｏｔＴＩ・・・■ ＜ＢａＣＩｚ）ｏ、５ｑｃＢａＢｒｚ）ｏ、ａｑ（Ｓｃ
ＣＩＪｏ、ｏｚ ：ｏ、ｏｏｏｓＴｌ・・・■ （ＢａＣ１ｚ）ｏ、ｎ、（ＢａＢｒｚ）ｏ、 ４９（Ｓ
ｃＢｒ３）ｏ、０２ ： ｏ、ｏｏ４１・・・■ （ＢａＣＩｚ）ｏ、４９（ＢａＢｒｚ）ｏ、４ｑ（Ｙ
Ｃｌ５）０．０２ ： ｏ、ｏｏＩＴｌ・・・■ （ＢａＣＩｚ）ｏｌ、（ＢａＢｒｚ）ｏ、＜ｑ（Ｙ Ｂ
ｒ５）ｏ、ｏｚ ： Ｏ，０ＯＩＴＩ・・・■ （ＢａＣＩｚ）ｏ、Ｎ９（ＢａＢｒｚ）ｏ、Ｎ９（Ｌａ
ｃＩｆ１）ｏ、ｏｚ ：Ｏ，０ＯＩＴＩ・・・■ （ＢａＣ１ｚ）ｏ、ａｓ（ＢａＢｒｚ）ｏ、ａｓ（Ｌａ
Ｃ１ｓ）ｏ、ｏｎ ：０．０＋ｌＩ’ｒ＋・・・■ （ＢａＣ１ｚ）ｏ、 ５ｑ（ＢａＢｒｚ）ｏ、 ４ｑ（
ＬａＢｒｚ）ｏ、 ｏｚ ： ｏ、 ｏｏｌＴｌ・・
・［相］ （ＢａＣＩｚ）ｏ、４ＪＢａＢｒｚ）ｏ、４ｑ（ＧａＣ
ｌ２）ｏ、ｏｚ ：（１，００４ｔ・・・■ （ＢａＣ１ｚ）ｏ、５ｏ（ＢａＢｒｚ）ｏ、 ｎ＊（Ｌ
ｕＣ１ｚ）ｏ、 ｏｚ ： ｏ、 ｏｏＩＴｌ・・・
＠ （ＢａＣ１ｚ）ｏ、ｅ（ＢａＢｒｚ）ｏ、５ｏ（ＬｕＣ
Ｉｓ）ｏ、ｏｚ ：０．００４１・・・■ 次に、この螢光体粉末にＸ線を照射し、これに波長が７
８０ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
した。
実施例１４：
実施例１と同様に目標値の組成比となるように原料を秤
量し、ボールミルで１２時間に亙って混合した。
量し、ボールミルで１２時間に亙って混合した。
次に、この混合物を石英製の容器に入れ、真空ポンプで
１０−’ ｔｏｒｒ以下に減圧しながら端末を酸水素炎
により封じた。
１０−’ ｔｏｒｒ以下に減圧しながら端末を酸水素炎
により封じた。
この容器を５００℃で２時間加熱してＴＩの拡散処理を
行い、冷却後に瑞珊乳鉢を用いて粉砕した後、この螢光
体原料を石英ボートに入れ、８８０°Ｃに保ち、２０容
量％のＮ２を含むＮ２ガスを流速１０１／分に流したチ
ューブ炉に入れ、６０分に亙って焼成を行い、焼成が終
わった後は同様な雰囲気中で室温にまで冷却した。
行い、冷却後に瑞珊乳鉢を用いて粉砕した後、この螢光
体原料を石英ボートに入れ、８８０°Ｃに保ち、２０容
量％のＮ２を含むＮ２ガスを流速１０１／分に流したチ
ューブ炉に入れ、６０分に亙って焼成を行い、焼成が終
わった後は同様な雰囲気中で室温にまで冷却した。
得られた螢光体は焼結しているので瑞瑞製の乳鉢で粉砕
を行い、 （ＢａＣ１ｚ） ｏ、 ｓｏ （ＢａＢｒｚ） ｏ、
ｓｏ ： ｏ、 ｏｏ ＋ＴＩの組成比をした［相］の
粉末を得た。
を行い、 （ＢａＣ１ｚ） ｏ、 ｓｏ （ＢａＢｒｚ） ｏ、
ｓｏ ： ｏ、 ｏｏ ＋ＴＩの組成比をした［相］の
粉末を得た。
次に、この螢光体粉末にＸ線を照射し、これに波長が７
８０ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
した。
８０ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
した。
実施例１５：
実施例Ｉ４と同様に目標値の組成比となるように原料を
秤量し、実施例１４と同様に焼成して（ＢａＣ１ｚ）ｏ
ｌｑ（ＢａＢｒｚ）ｏ、 ４ｑ（ＬａＣ１ｚ）ｏ、 ０
２ ： ０．００２Ｔｌの組成比をした■の粉末を得
、この螢光体粉末にＸ線を照射し、これに波長が７８０
ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生する波
長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出した
。
秤量し、実施例１４と同様に焼成して（ＢａＣ１ｚ）ｏ
ｌｑ（ＢａＢｒｚ）ｏ、 ４ｑ（ＬａＣ１ｚ）ｏ、 ０
２ ： ０．００２Ｔｌの組成比をした■の粉末を得
、この螢光体粉末にＸ線を照射し、これに波長が７８０
ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生する波
長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出した
。
比較例： （（ＢａＣＩｚ） ｏ、 ｓｏ （ＢａＢｒ
ｚ） ｏ、 ｓ。： ｏ、ｏｏ＋Ｅｕ ）の製造例 実施例１と同様に目標値の組成比となるように原料を秤
量し、実施例１と同様し焼成した後に粉砕して従来の組
成比の螢光体を作った。
ｚ） ｏ、 ｓ。： ｏ、ｏｏ＋Ｅｕ ）の製造例 実施例１と同様に目標値の組成比となるように原料を秤
量し、実施例１と同様し焼成した後に粉砕して従来の組
成比の螢光体を作った。
次に、この螢光体粉末にＸ線を照射し、これに波長が７
８０ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長４００ｒ＋ｎ＋の輝尽光を光電子増倍管を用いて
検出し、この感度を標準感度とした。
８０ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長４００ｒ＋ｎ＋の輝尽光を光電子増倍管を用いて
検出し、この感度を標準感度とした。
第１表はこの比較例の感度と実施例■〜［相］の感度と
を比較したものである。
を比較したものである。
第１表
この結果から判るように、組成によって従来よりち優れ
た感度のものを得ることができ、半導体レーザによる読
み出しに有利であることが判る。
た感度のものを得ることができ、半導体レーザによる読
み出しに有利であることが判る。
本発明の実施により、半導体レーザによる読み出しに有
利な波長７８０ｒｖでの輝尽発光が向上したため、診断
用のＸ線照射量を減少させることができる。
利な波長７８０ｒｖでの輝尽発光が向上したため、診断
用のＸ線照射量を減少させることができる。
Claims (2)
- （１）次の組成式で表わされる結晶よりなり、放射線の
照射により該結晶中にエネルギーを蓄積し、光励起によ
り輝尽性の発光をすることを特徴とする輝尽性螢光体。 〔（１−ｘ）Ｍ＾ＡＸ＾Ａ＿２ｘＭ＾ＢＸ＾Ｂ＿２〕（
１−ｙ）（Ｍ＾ＣＸ＿Ｃ＿３）ｙ：ｚＴｌ＾＋・・・（
１）但し、 Ｍ＾ＡとＭ＾Ｂはマグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（
Ｃａ），ストロンチウム（Ｓｒ）或いはバリウム（Ｂａ
）のうちの何れかゝらなる元素、 Ｍ＿Ｃはスカンジウム（Ｓｃ），イットリウム（Ｙ），
ランタン（Ｌａ），ガドリニウム（Ｇｄ），ルテシウム
（Ｌｕ）のうちの何れかゝらなる元素、 Ｘ＾Ａ，Ｘ＾Ｂ，Ｘ＾Ｃは塩素（Ｃｌ），臭素（Ｂｒ）
或いは沃素（Ｉ）の何れかゝらなるハロゲン元素であっ
て、Ｘ＾ＡとＸ＾Ｂが同じの場合はない。 ｘは０．４＜ｘ＜０．６の範囲、 ｙは０＜ｙ＜０．１の範囲、 ｚは０．０００１＜ｚ＜０．０２の範囲、 の値である。 - （２）請求項（１）記載の組成式（１）に対応する組成
比となるように螢光体原料を混合した後、該混合物を還
元性雰囲気中で焼結し、輝尽性の発光を示す螢光体を得
ることを特徴とする螢光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17617089A JPH0341186A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 輝尽性螢光体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17617089A JPH0341186A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 輝尽性螢光体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341186A true JPH0341186A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=16008888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17617089A Pending JPH0341186A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 輝尽性螢光体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341186A (ja) |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP17617089A patent/JPH0341186A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Brixner | New X-ray phosphors | |
| JP3258183B2 (ja) | １４面体型希土類賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体、その製造法、および放射線像変換パネル | |
| JPH0677079B2 (ja) | 放射線画像情報読取装置 | |
| JPH0260708B2 (ja) | ||
| CN1061958C (zh) | 一种半透明度高的发光材料制造方法 | |
| JPH0341186A (ja) | 輝尽性螢光体とその製造方法 | |
| JPH0333187A (ja) | 輝尽性螢光体とその製造方法 | |
| JPH0341187A (ja) | 輝尽性螢光体とその製造方法 | |
| JP3813794B2 (ja) | アルカリハライド系蛍光体および放射線像変換パネル | |
| JP2004037363A (ja) | 放射線像変換パネルの製造方法 | |
| JPH10338874A (ja) | Ｘ線蛍光体及びこれを用いたｘ線増感紙 | |
| JP2727273B2 (ja) | 蛍光体および放射線像変換パネル | |
| JPH05230452A (ja) | ハロゲン化物蛍光体の製造方法およびそれにより製造された蛍光体およびそれを用いたｘ線画像変換シート | |
| JPS63152692A (ja) | 希土類で活性化された結晶質ランタンオキシハロゲン化物発光物質 | |
| JPH058754B2 (ja) | ||
| JP3938820B2 (ja) | 希土類賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体の製造方法、および該製造方法により得られた希土類賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体を用いた放射線像変換パネル | |
| JPH0629404B2 (ja) | 螢光体およびその製造法 | |
| JP3959984B2 (ja) | 酸素導入希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体とその製造方法及び放射線画像変換パネル | |
| WO2006054532A1 (ja) | 希土類賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物輝尽性蛍光体の製造方法 | |
| JP4254037B2 (ja) | 放射線像変換パネルおよび放射線像撮影方法 | |
| JPH0427534B2 (ja) | ||
| JP3487132B2 (ja) | Ｘ線蛍光体及びこれを用いたｘ線増感紙 | |
| JP2657595B2 (ja) | 蛍光体および放射線像変換パネル | |
| JPH09291278A (ja) | 希土類付活弗化ハロゲン化バリウム系蛍光体粉末およびその製造方法 | |
| JP2572820B2 (ja) | テルビウム付活希土類タンタル系複合酸化物蛍光体及びその製造方法 |