JPH0341187A - 輝尽性螢光体とその製造方法 - Google Patents
輝尽性螢光体とその製造方法Info
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- JPH0341187A JPH0341187A JP17617189A JP17617189A JPH0341187A JP H0341187 A JPH0341187 A JP H0341187A JP 17617189 A JP17617189 A JP 17617189A JP 17617189 A JP17617189 A JP 17617189A JP H0341187 A JPH0341187 A JP H0341187A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要］
輝尽性の発光を該混合物に関し、
発光感度を向上することを目的とし、
（ＭＡＸＡｚ ）（１ｘ）（ＭＩＩＸＢ２ ）ｘ（Ｍｃ
Ｘｃ）ｙ ：ｚＢｉで表わされる結晶を用いて、放射線
の照射により該結晶中にエネルギーを蓄積し、光励起に
より輝尽性の発光をすることを特徴とする輝尽性螢光休
を構成する。
Ｘｃ）ｙ ：ｚＢｉで表わされる結晶を用いて、放射線
の照射により該結晶中にエネルギーを蓄積し、光励起に
より輝尽性の発光をすることを特徴とする輝尽性螢光休
を構成する。
但し、
ＭＡとＭＢはＭｇ、 Ｃａ、 Ｓｒ、 Ｂａのうちの何
れか覧らなる元素、 ＭＣはＬｉ、Ｎａ、 Ｋ、 Ｒｈ、Ｃｓのうちの何れか
＼らなる元素、 ＸＡ ＸＢ ＸｃはＣＣＢｒ、Ｉの何れか＼らなるハロ
ゲン元素であって、ＸＡとＸ１１が同じの場合はない。
れか覧らなる元素、 ＭＣはＬｉ、Ｎａ、 Ｋ、 Ｒｈ、Ｃｓのうちの何れか
＼らなる元素、 ＸＡ ＸＢ ＸｃはＣＣＢｒ、Ｉの何れか＼らなるハロ
ゲン元素であって、ＸＡとＸ１１が同じの場合はない。
Ｘは ０．４ ＜ｘ ＜Ｑ、６の範囲、ｙは Ｑ ＜
ｙ＜０．１の範囲、 Ｚは ０．０００１＜ｚ ＜０．０２の範囲、である。
ｙ＜０．１の範囲、 Ｚは ０．０００１＜ｚ ＜０．０２の範囲、である。
本発明は発光感度を向上した輝尽性螢光休とその製造方
法に関する。
法に関する。
輝尽性螢光休を用いてなるＸ線画像変換シートはデジタ
ル画像処理装置と組み合わせてＸ線写真システムを構成
している。
ル画像処理装置と組み合わせてＸ線写真システムを構成
している。
すなわち、Ｘ線は人体の診断や材料の鑑識など広い分野
で使用されているが、最大の用途はＸ線診断である。
で使用されているが、最大の用途はＸ線診断である。
そして、Ｘ線写真の撮影や透視により診断が行われてい
るが、Ｘ線は放射線であって人体に有害なことから被爆
線量がなるべく少ないことが必要で、Ｘ線装置の改良と
Ｘ線フィルム感度向上の面から改良が行われており、昔
と較べて比較にならない程少量のＸ線で検査が行われる
ようになっている。
るが、Ｘ線は放射線であって人体に有害なことから被爆
線量がなるべく少ないことが必要で、Ｘ線装置の改良と
Ｘ線フィルム感度向上の面から改良が行われており、昔
と較べて比較にならない程少量のＸ線で検査が行われる
ようになっている。
然し、フィルムの感度を上げようとすると画質が低下す
ることは避けられない。
ることは避けられない。
一方、最近開発されたＸ線写真システムはＸ線画像変換
シートと電算機とを用いて画像処理を行うもので、具体
的には従来のフィルムに代わってＸ線画像変換シートを
用いて撮影し、シートに写し込まれたＸ線画像をレーザ
光を使用して電気信号に変換して後、この信号を電算機
で画像処理を行い、この情報をレーザ光の強弱に変換し
て通常の写真フィルムに写し変えることによりＸ線写真
を形成している。
シートと電算機とを用いて画像処理を行うもので、具体
的には従来のフィルムに代わってＸ線画像変換シートを
用いて撮影し、シートに写し込まれたＸ線画像をレーザ
光を使用して電気信号に変換して後、この信号を電算機
で画像処理を行い、この情報をレーザ光の強弱に変換し
て通常の写真フィルムに写し変えることによりＸ線写真
を形成している。
このような方法によると従来に較べて数１０分の１以下
の線量で鮮明な画像を得ることができる。
の線量で鮮明な画像を得ることができる。
こ＼で、Ｘ線画像変換シートは放射線エネルギーを一旦
蓄積でき、あとで熱や光の励起によって再び螢光を発す
る輝尽性螢光休を感光材料とするシートである。
蓄積でき、あとで熱や光の励起によって再び螢光を発す
る輝尽性螢光休を感光材料とするシートである。
本発明はか＼るＸ線画像変換シートをｔｉ或する輝尽性
螢光休とその製造方法に関するものである。
螢光休とその製造方法に関するものである。
Ｘ線画像変換シートはポリエチレンテレフタレートフィ
ルム（以下略して通称のマイラー）などの透明樹脂膜の
上に、アルカリ土類金属のハロゲン化物とハロゲン化ユ
ーロピウム（Ｅｕ）との混合物を還元性ガス中で焼成し
て二価のユーロピウム賦活ハロゲン化アルカリ土類金属
螢光体を作り、か覧る輝尽性螢光休をバインダと混合し
て基材フィルム上に塗布し、この上に接着剤を用いてマ
イラーの薄膜を貼着してシート状として使用されている
。
ルム（以下略して通称のマイラー）などの透明樹脂膜の
上に、アルカリ土類金属のハロゲン化物とハロゲン化ユ
ーロピウム（Ｅｕ）との混合物を還元性ガス中で焼成し
て二価のユーロピウム賦活ハロゲン化アルカリ土類金属
螢光体を作り、か覧る輝尽性螢光休をバインダと混合し
て基材フィルム上に塗布し、この上に接着剤を用いてマ
イラーの薄膜を貼着してシート状として使用されている
。
このような輝尽性螢光休についてはすでに各種の研究が
行われており、特性の優れた輝尽性螢光休として二価の
ユーロピウム賦活塩化臭化バリウム（ＢａＣＥ Ｂｒ
： Ｅｕ２”）が発表されている。例えば（特開昭６ｌ
−７８８９２）。
行われており、特性の優れた輝尽性螢光休として二価の
ユーロピウム賦活塩化臭化バリウム（ＢａＣＥ Ｂｒ
： Ｅｕ２”）が発表されている。例えば（特開昭６ｌ
−７８８９２）。
こ＼で、輝尽性螢光発光の原理は螢光体結晶にＸ線が照
射されると、価電子帯にある電子が伝導電子帯に励起さ
れるが、直ちに禁止帯にある不純物単位に落ち込んで安
定化する。
射されると、価電子帯にある電子が伝導電子帯に励起さ
れるが、直ちに禁止帯にある不純物単位に落ち込んで安
定化する。
これがＸ線エネルギーの蓄積記録に対応する。
次に、読み取りのためにレーザ光を照射すると不純物準
位にある電子はレーザ光のエネルギーを吸収して伝導電
子帯に励起された後、元の価電子帯に落ちるが、この際
に螢光体は螢光を発生し、その明るさは不純物準位の捕
獲電子量に比例する。
位にある電子はレーザ光のエネルギーを吸収して伝導電
子帯に励起された後、元の価電子帯に落ちるが、この際
に螢光体は螢光を発生し、その明るさは不純物準位の捕
獲電子量に比例する。
以上のことからＸ線画像変換シートの表面を微少スポッ
ト（直径１００μｍ）のレーザ光で走査し、各画素毎の
螢光発光を干渉フィルタを用いて検出し、光電子増倍管
で電子信号に変換して記録するものである。
ト（直径１００μｍ）のレーザ光で走査し、各画素毎の
螢光発光を干渉フィルタを用いて検出し、光電子増倍管
で電子信号に変換して記録するものである。
か＼る輝尽性螢光休においてＥｕ”は発光中心の形成に
当たって効果的な元素であり、Ｅｕ化合物例えば臭化ユ
ーロピウム（ＥｕＢｒｉ）の還元により作られている。
当たって効果的な元素であり、Ｅｕ化合物例えば臭化ユ
ーロピウム（ＥｕＢｒｉ）の還元により作られている。
具体的には塩化バリウム（ＢａＣｌ１ｚ）と臭化バリウ
ム（ＢａＢｒｚ）とＥｕＢｒ、とを蒸溜水に溶解させた
後に蒸発乾固を行い、この混合物を水素（Ｎ２）と窒素
（Ｎ２）の混合ガス流中で８００〜９００ ’Ｃの温度
で還元焼成することによりＢａＣＩ Ｂｒ ： Ｅｕ”
からなる輝尽性螢光休が形成されている。
ム（ＢａＢｒｚ）とＥｕＢｒ、とを蒸溜水に溶解させた
後に蒸発乾固を行い、この混合物を水素（Ｎ２）と窒素
（Ｎ２）の混合ガス流中で８００〜９００ ’Ｃの温度
で還元焼成することによりＢａＣＩ Ｂｒ ： Ｅｕ”
からなる輝尽性螢光休が形成されている。
次に、この螢光体を粉砕した後、この粉体とバインダ（
例えばポリメチルメタクリレート略称ＰＭＭＡ） と溶
剤（例えばトルエン）とを混練して塗布液を作り、これ
を樹脂フィルムの上に均一に塗布し、溶剤を乾燥させた
後、この上に樹脂フィルム（例えばマイラー）を貼着す
ることによりｘｉｌＩＡ両像変換シートが作られている
。
例えばポリメチルメタクリレート略称ＰＭＭＡ） と溶
剤（例えばトルエン）とを混練して塗布液を作り、これ
を樹脂フィルムの上に均一に塗布し、溶剤を乾燥させた
後、この上に樹脂フィルム（例えばマイラー）を貼着す
ることによりｘｉｌＩＡ両像変換シートが作られている
。
従来のＸ線画像変換シートを形成している輝尽性螢光休
はこのように二価のＥ＋ｉ賦活塩化臭化バリウムＣＢａ
Ｃ１Ｂｒ ： Ｅｕ”）を基本組成式として作られてお
り、次のような組成式をもつ輝尽性螢光休も提案されて
いる。
はこのように二価のＥ＋ｉ賦活塩化臭化バリウムＣＢａ
Ｃ１Ｂｒ ： Ｅｕ”）を基本組成式として作られてお
り、次のような組成式をもつ輝尽性螢光休も提案されて
いる。
（特公昭５ｌ−２８５９１）
（Ｂａ＋−ａ−ｂ−ｐ Ｓｒ ｘ Ｃａ ｙ Ｅｕ ｐ
” ）Ｆ（ＣＩ＋−ａ−ｂ Ｂｒ ＠ Ｉ）但し、 ｘ ＋ｙ ＋ｐ ≦１． ｙ≦０．２０
ｏ、ｏｏｔ ≦ｐ ≦０．２０ 、 ａ ＋ｂ
≦１然し、照射Ｘ線量を更に減少させたいと云う要望
は大きく、なお−層の改良が求められている。
” ）Ｆ（ＣＩ＋−ａ−ｂ Ｂｒ ＠ Ｉ）但し、 ｘ ＋ｙ ＋ｐ ≦１． ｙ≦０．２０
ｏ、ｏｏｔ ≦ｐ ≦０．２０ 、 ａ ＋ｂ
≦１然し、照射Ｘ線量を更に減少させたいと云う要望
は大きく、なお−層の改良が求められている。
医療診断や材料の鑑識などでＸ線画像シートの使用頻度
が増すに従って、照射Ｘ線量を更に少なくしたいと云う
要求は大きい。
が増すに従って、照射Ｘ線量を更に少なくしたいと云う
要求は大きい。
そこで、更に高感度化した輝尽性螢光休を実用化するこ
とが課題である。
とが課題である。
上記の課題は
（ＭＡ ＸＡｚ ） （ｌ ｘ）（Ｍ” Ｘ’
ｚ ）ｘ（ＭｃＸｃ） ３’ ： ｚＢｉ
−（１）但し、 ＭＡとＭ８はＭｇ、 Ｃａ、 Ｓｒ、 Ｂａのうちの何
れか＼らなる元素、 ＭＣはＬｉ、Ｎａ、 Ｋ、 Ｒｈ、Ｃｓのうちの（可れ
か−らなる元素、 ＸＡ 、 Ｘｌ、ＸＣはＣ１，Ｂｒ 、４の何れか＼ら
なるハロゲン元素であって、ＸＡとＸ１１が同じの場合
はない。
ｚ ）ｘ（ＭｃＸｃ） ３’ ： ｚＢｉ
−（１）但し、 ＭＡとＭ８はＭｇ、 Ｃａ、 Ｓｒ、 Ｂａのうちの何
れか＼らなる元素、 ＭＣはＬｉ、Ｎａ、 Ｋ、 Ｒｈ、Ｃｓのうちの（可れ
か−らなる元素、 ＸＡ 、 Ｘｌ、ＸＣはＣ１，Ｂｒ 、４の何れか＼ら
なるハロゲン元素であって、ＸＡとＸ１１が同じの場合
はない。
Ｘは ０．４ ＜ｘ ＜０．６の範囲、ｙは Ｏ＜
ｙ ＜０．１の範囲、 ２は ０．０００１ ＜ ｚ ＜ ０．０２の範囲、で
表わされる結晶を用いて、放射線の照射によりこの結晶
中にエネルギーを蓄積し、光励起により輝尽性の発光を
することを特徴とする輝尽性螢光休を構威し、この製法
としては組成式（１）に対応する組成比となるように螢
光体原料を混合した後、この混合物を還元性雰囲気中で
焼結し、輝尽性の発光を該混合物を得る製造方法をとる
ことにより解決することができる。
ｙ ＜０．１の範囲、 ２は ０．０００１ ＜ ｚ ＜ ０．０２の範囲、で
表わされる結晶を用いて、放射線の照射によりこの結晶
中にエネルギーを蓄積し、光励起により輝尽性の発光を
することを特徴とする輝尽性螢光休を構威し、この製法
としては組成式（１）に対応する組成比となるように螢
光体原料を混合した後、この混合物を還元性雰囲気中で
焼結し、輝尽性の発光を該混合物を得る製造方法をとる
ことにより解決することができる。
本発明はＢａＣＱ Ｂｒ ： Ｅｕ”・を基本組成とす
る従来の輝尽性螢光休を高感度化する方法として、発光
中心となる賦活性元素をＥｕからＢｉに変えて原子価制
御を行うと共に、構成元素の一部を同族の元素で置き換
えるものである。
る従来の輝尽性螢光休を高感度化する方法として、発光
中心となる賦活性元素をＥｕからＢｉに変えて原子価制
御を行うと共に、構成元素の一部を同族の元素で置き換
えるものである。
その方法は次のようである。
Ｉ、構成元素の一部置き換え、
ＩＩ）Ｂａの一部を周期率表で同じ■ａ族のＭｇＣａ、
Ｓｒの何れかと置換を行う。
Ｓｒの何れかと置換を行う。
か＼る元素を（１）式ではＭＡとＭｌとして示した。
１−２） Ｂｒ、Ｃｆからなるハロゲン元素に■を加え
部分的に置換を行う。
部分的に置換を行う。
か覧る元素を（１）式ではＸＡ、Ｘｓ、）＜ｃとして示
した。
した。
■、原子価制御、
１ｌ−１）３価であるＢｉに１価の元素を加えることで
実質的に２価と等価にする。
実質的に２価と等価にする。
こ＼で、１価の元素としてはＬｉ、Ｎａ、Ｋ。
Ｒｂ、 Ｃｓが適しており、か＼る元素を（１）式では
Ｍｃとして示した。
Ｍｃとして示した。
以上のようにして輝尽性螢光休を構成する原子のイオン
半径に変化をもたせ、また賦活性元素を従来のＥｕから
Ｂｉに変えて原子価制御を行うもので、これにより輝尽
性螢光休を形成する不純物準位の数が増し、従って放射
線照射によりトラップされる電子数が増すことから、高
感度化が可能となる。
半径に変化をもたせ、また賦活性元素を従来のＥｕから
Ｂｉに変えて原子価制御を行うもので、これにより輝尽
性螢光休を形成する不純物準位の数が増し、従って放射
線照射によりトラップされる電子数が増すことから、高
感度化が可能となる。
次に、か＼る輝尽性螢光休の製造方法としては（１）式
で表す組成式のように螢光体原料を秤量し、各種ξキサ
ー５Ｖ型ブレンダ、ボールミル、ロッドミル等通常の混
合機を用いて混合を行う。
で表す組成式のように螢光体原料を秤量し、各種ξキサ
ー５Ｖ型ブレンダ、ボールミル、ロッドミル等通常の混
合機を用いて混合を行う。
なお、螢光体原料は吸湿性があるために調整と混合は乾
燥雰囲気か不活性ガス雰囲気中で行うのが好ましい。
燥雰囲気か不活性ガス雰囲気中で行うのが好ましい。
次に、混合した螢光体原料をアルミナ坩堝１看英坩堝２
石英ボートなどの耐熱性容器に充填して焼成炉に入れて
焼成を行うが、大気中で焼成する場合は螢光体が酸化さ
れるので還元性雰囲気あるいは不活性雰囲気中で焼成が
行われる。
石英ボートなどの耐熱性容器に充填して焼成炉に入れて
焼成を行うが、大気中で焼成する場合は螢光体が酸化さ
れるので還元性雰囲気あるいは不活性雰囲気中で焼成が
行われる。
こ覧で、還元性雰囲気としては、３ｏ容量％以下の水素
ガス（Ｎ２）を含む窒素ガス（Ｎ２）雰囲気、−酸化炭
素（ＣＯ）とＮ２との混合ガスなどが用いられる。
ガス（Ｎ２）を含む窒素ガス（Ｎ２）雰囲気、−酸化炭
素（ＣＯ）とＮ２との混合ガスなどが用いられる。
次に焼成温度は螢光体原料の種類や組成などにより異な
るが従来と同じ＜ ６００−１０００’Ｃが用いられ、
特に７００〜９５０ ’Ｃが適当である。
るが従来と同じ＜ ６００−１０００’Ｃが用いられ、
特に７００〜９５０ ’Ｃが適当である。
また、焼成時間は螢光体原料の種類１組成、焼成温度、
容器への充填度などにより異なるがｌ〜１２時間である
。
容器への充填度などにより異なるがｌ〜１２時間である
。
また、焼結して得た螢光体は焼結しているので粉砕と分
級が必要であるが、この工程においても吸湿がおこるの
で、乾燥雰囲気中で行う必要がある。
級が必要であるが、この工程においても吸湿がおこるの
で、乾燥雰囲気中で行う必要がある。
実施例１ ： （（ＢａＣＩｚ）ｏ、 ａｓ（ＢａＢｒ
ｚ）ｏ、 ５ｓ（ＮａＣＩ）ｏ、 ｏ。
ｚ）ｏ、 ５ｓ（ＮａＣＩ）ｏ、 ｏ。
２ ：。、ｏｏＩＢｉ ］の製造例
モル比で目標値の組成比となるようにそれぞれの原料を
秤量し、ボールくルで１２時間に亙って混合した。
秤量し、ボールくルで１２時間に亙って混合した。
こ−で、ＢｉはＢ１Ｃｌ、１あるいは旧２０３として添
加しである。
加しである。
このようにして作った螢光体原料を石英ボートに入れ、
これを８８２°Ｃに保ち、２０容量％のＮ２を含むｔ（
ｅガスを流速１０１／分に流したチューブ炉に入れ、９
０分に亙って焼成を行い、焼成が終わった後は同様な雰
囲気中で室温にまで冷却した。
これを８８２°Ｃに保ち、２０容量％のＮ２を含むｔ（
ｅガスを流速１０１／分に流したチューブ炉に入れ、９
０分に亙って焼成を行い、焼成が終わった後は同様な雰
囲気中で室温にまで冷却した。
得られた螢光体は焼結しているのでＬｌ製の乳鉢で粉砕
を行い、 （ＢａＣＩｚ）ｏ、４ｓ（ＢａＢｒｚ）ｏ、５ｓ（Ｎａ
ＣＩ）ｏ、ｏｏｚ ：０．００１Ｅｌｉの組成比をし
た■の粉末を得た。
を行い、 （ＢａＣＩｚ）ｏ、４ｓ（ＢａＢｒｚ）ｏ、５ｓ（Ｎａ
ＣＩ）ｏ、ｏｏｚ ：０．００１Ｅｌｉの組成比をし
た■の粉末を得た。
次に、この螢光体粉末にＸ線を照射し、これに波長が７
８０ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
した。
８０ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
した。
実施例２〜１５：
実施例１と同様に目標値の組成比となるように原料を秤
量し、実施例１と同様し焼成して■〜０の組成比をもつ
螢光体を作った。
量し、実施例１と同様し焼成して■〜０の組成比をもつ
螢光体を作った。
（ＢａＣＩｚ） ｏ、 ａｓ （ＢａＢｒｚ） ｏ、
ｓｓ （ＮａＣＩ） ０．００２（ＢａＣＩｚ） ｏ、
ｓｏ （ＢａＢｒｚ） ０．５ｏ （ＬｉＣＩ） ｏ
、 ｏｏｚ（ＢａＣ１ｚ） ｏ、 ｓｏ （ｒｌａＢｒ
ｚ） ｏ、 ｓｏ （Ｋ Ｃ１） ０．００２（ＢａＣ
１ｚ）ｏ、４５（ＢａＢｒｚ）ｏ、 ５ｓ（ＲｈＢｒ）
ｏ、 ００２（ＢａＣｌｚ） ｏ、 ｓｏ （ＢａＢｒ
ｚ） ｏ、 ｓｏ （ＣｓＣＩ）ｏ。００２（ＢａＣ１
ｚ） ｏ、 ４５ （ＢａＢｒｚ） ｏ、 ｓｓ （Ｃ
ｓＢｒ） ｏ、 ｏｏｚ（ＢａＣ１ｚ）ｏ、ａｓ（Ｂａ
Ｂｒｚ）ｏ、５ｓ（Ｃｓ Ｉ）ｏ、ｏｏｚ（ＢａＣ１□
） ０．４５（ＢａＢｒｚ） ｏ、 ｓｓ （ＲｂＢｒ
） ｏ、 ｏｏｓ（Ｂａ（’、ｌｚ） ｏ、 ａｓ （
ＢａＢｒｚ） ｏ、 ｓｓ （ＲｂＢｒ） ｏ、 ｏ
＋ 。
ｓｓ （ＮａＣＩ） ０．００２（ＢａＣＩｚ） ｏ、
ｓｏ （ＢａＢｒｚ） ０．５ｏ （ＬｉＣＩ） ｏ
、 ｏｏｚ（ＢａＣ１ｚ） ｏ、 ｓｏ （ｒｌａＢｒ
ｚ） ｏ、 ｓｏ （Ｋ Ｃ１） ０．００２（ＢａＣ
１ｚ）ｏ、４５（ＢａＢｒｚ）ｏ、 ５ｓ（ＲｈＢｒ）
ｏ、 ００２（ＢａＣｌｚ） ｏ、 ｓｏ （ＢａＢｒ
ｚ） ｏ、 ｓｏ （ＣｓＣＩ）ｏ。００２（ＢａＣ１
ｚ） ｏ、 ４５ （ＢａＢｒｚ） ｏ、 ｓｓ （Ｃ
ｓＢｒ） ｏ、 ｏｏｚ（ＢａＣ１ｚ）ｏ、ａｓ（Ｂａ
Ｂｒｚ）ｏ、５ｓ（Ｃｓ Ｉ）ｏ、ｏｏｚ（ＢａＣ１□
） ０．４５（ＢａＢｒｚ） ｏ、 ｓｓ （ＲｂＢｒ
） ｏ、 ｏｏｓ（Ｂａ（’、ｌｚ） ｏ、 ａｓ （
ＢａＢｒｚ） ｏ、 ｓｓ （ＲｂＢｒ） ｏ、 ｏ
＋ 。
（ＢａＣＩｚ） ｏ、 ｓｏ （ＢａＢｒｚ） ｏ、
ｓｏ （ＣｓＣ１） ｏ、 ｏｏｚ：。、。。、Ｂｉ ・・・■ ：ｏ、。。Ｊｉ ・・・■ ：。、ｏｏｏｓＢｉ ・・・■ ’ ｏ、ｏｏＩＢｉ ・・・■ ： ｏ、ｏｏ＋８！ ・・・■ ’ ｏ、ｏｏＩＢｉ ・・・■ ：。、。。ＩＢｉ ・・・■ ：。、ｏｏＩＢｉ ・・・■ ；。、ｏｏＩＢｉ ・・・［相］ ｏ、ｏｏｓＲｉ ・・・■ （ＣａＣＩｚ）ｏ、 ５ｏ（ＳｒＢｒｚ）ｏ、 ５ｏ（
Ｃ３ＣＩ）ｏ、 ｏｏｚ ： ｏ、 ｏｏＪｉ・・・
＠ （ＭｇＣ１ｚ）ｏ、５ｏ（ＢａＢｒｚ）ｏ、５ｏ（Ｒｂ
Ｂｒ）ｏ、ｏｏｚ ：ｏ、ｏｏ＋Ｂｉ・・・＠ （ＢａＣＩｚ）ｏ、５ｏ（ＢａＢｒｚ）ｏ、５ｏ（Ｃｓ
ＣＩ）ｏ、ｏｚ ：ｏ、ｏｏ＋Ｂｉ・・・［相］ （ＢａＣ１ｚ）ｏ、４ｓ（ＢａＢｒｚ）ｏ、５ｓ（Ｒｂ
Ｂｒ）ｏ、ｏｚ ：Ｏ，ＧＯＩＩｌｔ・・・■ 以上の螢光体粉末にＸ線を照射し、これに波長が７８０
ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生する波
長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出した
。
ｓｏ （ＣｓＣ１） ｏ、 ｏｏｚ：。、。。、Ｂｉ ・・・■ ：ｏ、。。Ｊｉ ・・・■ ：。、ｏｏｏｓＢｉ ・・・■ ’ ｏ、ｏｏＩＢｉ ・・・■ ： ｏ、ｏｏ＋８！ ・・・■ ’ ｏ、ｏｏＩＢｉ ・・・■ ：。、。。ＩＢｉ ・・・■ ：。、ｏｏＩＢｉ ・・・■ ；。、ｏｏＩＢｉ ・・・［相］ ｏ、ｏｏｓＲｉ ・・・■ （ＣａＣＩｚ）ｏ、 ５ｏ（ＳｒＢｒｚ）ｏ、 ５ｏ（
Ｃ３ＣＩ）ｏ、 ｏｏｚ ： ｏ、 ｏｏＪｉ・・・
＠ （ＭｇＣ１ｚ）ｏ、５ｏ（ＢａＢｒｚ）ｏ、５ｏ（Ｒｂ
Ｂｒ）ｏ、ｏｏｚ ：ｏ、ｏｏ＋Ｂｉ・・・＠ （ＢａＣＩｚ）ｏ、５ｏ（ＢａＢｒｚ）ｏ、５ｏ（Ｃｓ
ＣＩ）ｏ、ｏｚ ：ｏ、ｏｏ＋Ｂｉ・・・［相］ （ＢａＣ１ｚ）ｏ、４ｓ（ＢａＢｒｚ）ｏ、５ｓ（Ｒｂ
Ｂｒ）ｏ、ｏｚ ：Ｏ，ＧＯＩＩｌｔ・・・■ 以上の螢光体粉末にＸ線を照射し、これに波長が７８０
ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生する波
長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出した
。
比較例： （（ＢａＣＩｚ）ｏ、５ｏ（ＢａＢｒｚ）
ｏ、ｓｏ ： ０．００１ｔ！Ｌｌ ）の製造例 実施例１と同様に目標値の組成比となるように原料を秤
量し、実施例１と同様し焼成した後に粉砕して従来の組
成比の螢光体を作った。
ｏ、ｓｏ ： ０．００１ｔ！Ｌｌ ）の製造例 実施例１と同様に目標値の組成比となるように原料を秤
量し、実施例１と同様し焼成した後に粉砕して従来の組
成比の螢光体を作った。
次に、この螢光体粉末にＸ線を照射し、これに波長が７
８０ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
し、この感度を標準感度とした。
８０ｎｍの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長４００ｎｍの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
し、この感度を標準感度とした。
第１表はこの比較例の感度と実施例■〜■の感度とを比
較したものである。
較したものである。
第１表
この結果から判るように、組成によって従来よりも優れ
た感度のものを得ることができ、半導体レーザによる読
み出しに有利であることが判る。
た感度のものを得ることができ、半導体レーザによる読
み出しに有利であることが判る。
〔発明の効果〕
本発明の実施により、半導体レーザによる読み出しに有
利な波長７８０ｎｍでの輝尽発光が向上したため、診断
用のＸ線照射量を減少させることができる。
利な波長７８０ｎｍでの輝尽発光が向上したため、診断
用のＸ線照射量を減少させることができる。
Claims (2)
- （１）次の組成式で表わされる結晶よりなり、放射線の
照射により該結晶中にエネルギーを蓄積し、光励起によ
り輝尽性の発光をすることを特徴とする輝尽性螢光休。 （Ｍ＾ＡＸ＾Ａ＿２）（１−ｘ）（Ｍ＾ＢＸ＾Ｂ＿２）
ｘ（Ｍ＾ＣＸ＾Ｃ）ｙ：ｚＢｉ・・・（１） 但し、 Ｍ＾ＡとＭ＾Ｂはマグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（
Ｃａ），ストロンチウム（Ｓｒ）或いはバリウム（Ｂａ
）のうちの何れかゝらなる元素、 Ｍ＾Ｃはリチウム（Ｌｉ），ナトリウム（Ｎａ），カリ
ウム（Ｋ），ルビジウム（Ｒｂ），セシウム（Ｃｓ）の
うちの何れかゝらなる元素、 Ｘ＾Ａ，Ｘ＾Ｂ，Ｘ＾Ｃは塩素（Ｃｌ），臭素（Ｂｒ）
或いは沃素（Ｉ）の何れかゝらなるハロゲン元素であっ
て、Ｘ＾ＡとＸ＾Ｂが同じの場合はない。 ｘは０．４＜ｘ＜０．６の範囲、 ｙは０＜ｙ＜０．１の範囲、 ｚは０．０００１＜ｚ＜０．０２の範囲、 の値である。 - （２）請求項（１）記載の組成式（１）に対応する組成
比となるように螢光体原料を混合した後、該混合物を還
元性雰囲気中で焼結し、輝尽性の発光を示す螢光体を得
ることを特徴とする螢光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17617189A JPH0341187A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 輝尽性螢光体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17617189A JPH0341187A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 輝尽性螢光体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341187A true JPH0341187A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=16008906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17617189A Pending JPH0341187A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 輝尽性螢光体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341187A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5641278A (en) * | 1994-05-12 | 1997-06-24 | Nippondenso Co., Ltd. | Scroll compressor |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP17617189A patent/JPH0341187A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5641278A (en) * | 1994-05-12 | 1997-06-24 | Nippondenso Co., Ltd. | Scroll compressor |
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