JPH0341716A

JPH0341716A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0341716A
Application number: JP1176814A
Authority: JP
Inventors: Koji Tanaka; 康治田中
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1989-07-07
Filing date: 1989-07-07
Publication date: 1991-02-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔概　要〕半導体装置の製造方法に関し、更に訂しく５えば、ウニ
へ上にレジスト膜を形成する方法に関し、ウェハ周辺部
及びウェハ裏面にレジス）ＩＦＪが形成されるのを防止
することができるレジスト膜の形成方法を提供すること
を目的とし、ウェハ園辺部に疎油性の樹脂からなる１９部を形成する
工程と、前記枠部の形成されたウェハ表面にレジストを
塗布する工程とを含み構成する。

（産業上の利用分野Ｊ本発明は、半導体装置の！！！遣方法に関し、更に詳し
く言えば、ウェハ上にレジスト１１Δを形成する方法に
関する。

〔従来の技術）第５図（ａ）、（ｂ）は、従来例の回転塗布装置を用い
たレジスｌ布方法を説ｆ９（する斜視図である。

同図（ａ）はレジスｔ４布前の状態を示し、図中符号Ｉ
はウェハ吸引管、２はウェハ、３はレジストである。

まず、ウェハを吸引管ｌに載置・吸引して固定した後、
ウェハ吸引管１を回転させると、レジスト３はウェハ２
上に均一に広がっていく。

その後、所定時間の経過の後回転を止めると、同図（ｂ
）に示すように、ウェハ２表面には薄いレジスト膜３ａ
が形成される。

（発明が解決しようとする！！！ｆｌ）しかし上述の従
来方法によると、第６図（ａ）に示すように、ウェハ２
の周辺部では形状効果によりレジスト膜３ａの膜厚が厚
くなる。そして、この膜厚の変動がウェハの内部まで影
響するため、レジス）ｌＩ９３ａのバターニングの際、
露光不足によるバターニング不良が発生し歩留り低下を
招くという問題がある。

また、レジスト３の塗布中、レジスト３はウェハ２表面
に密着して広がっていき、ウェハ２周辺部を伝ってウェ
ハ端部から裏面にかけてレジスト３が回り込む、このた
め、レジスト１２３ａのバターニング後、次の工程に移
るための搬送中や処理中にこの部分に残存したレジスト
膜３ａがウェハ保持具などと接触して剥がれ、ウェハ２
上に塵となって付着し、歩留り低下の原因となるという
問題がある。

この問題を解決するため、ウェハ周辺部のレジスト膜を
除去している。即ち、同図（ｂ）、（ｃ）に示すように
、レジスト剥離液Ｉをウェハ周辺部や裏面に散布してレ
ジストを除去している。

また、同図（ｄ）に示すように、周辺部や裏面のレジス
ト１模３ａにのみ露光して現像ｆｉ５に浸漬することに
より、この部分のレジスト膜３ａを除去している。

しかし、レジスト膜のパクーニング毎にこの作業を行う
必要があるので、多大な工数を要し、スループ７トの低
下を招くという問題がある。

そこで本発明は、かかる従来例の間刷点に鑑みて創作さ
れたものであり、ウェハ周辺部及びウェハ裏面にレジス
ト膜が形成されるのを防とすることができるレジストＩ
＆ｆの形成方法を提（」（することを目的とするもので
ある。

（Ｌｌ！題を解決するための手段〕上記課題は、ウェハ周辺部に疎油性の樹脂からなる枠部
を形成する工程と、前記枠部の形成されたウェハ表面に
レジストを塗布する工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法によって達成される。

〔作　用〕

本発明の半導体装置の製造方法によれば、ウェハ周辺部
に疎油性の樹脂からなる枠部を形成しているので、例え
ば、回転塗布装置によってレジストを塗布する際、遠心
力により広がりつつある下層のレジストは樹脂枠部でと
まり、レジスト膜はウェハ周辺部には形成されない、一
方、上層のレジストは４６１脂枠部の表面にも広がるが
、この部分は疎油性の樹脂で形成されているので、レジ
ストは枠部に密着せずにはじかれてウェハ端部から飛散
する。

このように、第１に、形状効果によりレジスト膜厚が淳
くなるウェハ周辺部にレジスト膜が形成されないように
しているので、レジスト膜厚はウェハ全体に均一に形成
される。このため、ウェハ全体にわたり必要にして十分
に露光が行われるので、バターニング不良が減少し、歩
留り向上を図ることが出来る。

第２に、レジストは枠部に’ＰＧＨせずにはじかれてウ
ェハ端部から飛散するので、ウェハ周辺部を伝ってウェ
ハ裏面にレジストが回り込むことはない。

また、高温での熱処理や枠部の樹脂をおかす薬液処理を
行う工程以降に適用すれば、この枠部を形成抜取り除く
ことなく、そのままの状態で、レジスト膜のバターニン
グの際に何度でも使用できる。これにより、従来のよう
にレジスト膜のパターユング工程毎にウェハ周辺部や裏
面のレジスト膜を除去する必要がなくなり、スループッ
トの向上を図ることができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について図を参照しながら説明す
る。

第１図（ａ）〜（ｒ）は、本発明の実施例のレジストｎ
２の形成方法を説明する図である。

同図（ａ）は、不図示の治間絶縁１１Δを堆積後、層間
絶縁膜をバターニングするため、レジストを塗布する曲
のウェハの断面図で、同図（ｂ）は同じく上面図である
。同図において、６はレジストの塗布されるウェハであ
る。

まず、このウェハ６の周辺部に樹脂枠部を形成するため
、ウェハをモールディング装置にセットする。

第２図は、このようなモールディング装置の断面図で、
図中符号９は上型、ｌＯは下型、１１は樹脂注入口で、
エア抜きの働きもしている。また、１２は注入された疎
泊性の樹脂で、フッ素系の熱重合モノマー、例えば２．
２．２−）リフルオロエチルメタクリレートやトリフル
オロメチルメタクリレート等のアクリル樹脂モノマーが
用いられる。更に、１３はウェハ６を吸引・固定するた
めの吸引口である。

同図に示すように、上型９の樹脂注入口１１より樹脂！
２を注入して、ウェハ６周辺部を被償するようにドーナ
ツ状に、厚さ約５μｍ、幅３０程度の樹脂からなる枠部
７を形成する（第１図（ｃ）、（ｄ））。

その後、温度１５０℃で樹ｊ１１２を硬化する。

次に、第３図に示す回転塗布装置により、枠部７の形成
されたウェハ６表面上にレジスト８を塗布する。

即ち、第３図（ａ）に示すように、中央部に滴下された
レジスト８は、ウェハ吸引管ｌが回転すると、遠心力に
より周辺部に同心円状に広がる。

そして、下層のレジスト８は枠部７の側壁でとまるため
、ウェハ周辺部にはレジスト膜は形成されない、一方、
土間のレジスト８は枠部７の表面にも広がるが、この部
分は疎抽性の樹脂１２で形成されているので、レジスト
８は枠部７に密着せずにはじかれて飛開する。このため
、ウェハ周辺８！１の形状効果による１Ｉ２Ｉｖの変動
を抑制してウェハ全体に均一なレジスト１漠桑８ａを形
成することができ、かつ従来のようにウニへ６端部や裏
面にレジスト８が回り込むこともない。

その後、所定晴間回転させた後、回転を停止する（第３
図（ｂ））。

次に、ベーキングしてレジストを硬化させ、レジスト膜
８ａを形成する（第１図（ｅ）、Ｈ））。

次いで、縮小投影露光装置などにより露光した後、現像
してレジストＩＩ！！！８ａのバターニングを行う、こ
のとき、ウェハ全体に均一なＷ／ｉ厚のレジス）１！８
ａが形成されているので、ウェハ全体に必要にして十分
に露光が行われる。これにより、バターニング不良を低
減でき、歩留りの向上を図ることが出来る。

続いて、スパッタエツチング装置の反応室にウェハ６を
入れてＣＦ４ガスにより眉間ｍａｌｌｌのエンチングを
行う。

このとき、ウェハ６＠部や裏面にレジスト膜８ａが形成
されていないので、ウェハ６の搬送中や処理中、ウェハ
６とウェハ保持具などとの接触によるレジスト膜８ａの
剥離などに起因する塵の発生を防止できる。また、樹脂
枠部７はＣＦ、ガスによりエツチングされない。

その後、キシレンやオルトジクロルベンゼンなどのレジ
スト剥離液によりレジスト膜８ａを除去する。このとき
も樹脂枠部７はレジスト剥離液にはおかされない、従っ
て、次のレジスト膜のパタニングの際、枠部７をそのま
まの状態で使用できる。

このように、枠部７を形成したそのままの状態で何度も
レジスト１漠のバターニングを行うことができるので、
従来と異なり、スルーブツトの低下を招くことはない。

最後に、酸素を反応ガスとしたドライエンチングにより
枠部７を除去する。

次に、第４図を参照しながら本発明の他の実施例につい
て筒車に説明する。

同図は、本発明の他の実施例に係る疎抽１１１−の樹脂
からなる枠部の形状を示すウェハ上面図で、枠部７ａを
チップの形状に合わせて形成している。

この場合でも、上述の実施例の作用効果と同し作用効果
を奏することはいうまでもない、なお、図中符号６ａは
ウェハを示す。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明の製造方法によれば、ウェハ周辺
部に疎油杜の樹脂からなる枠部を形成しているので、ウ
ェハ周辺部及びウェハ裏面にレジス）１１９が形成され
るのを防止できる。

このため、ウェハ保持共とウェハとの接触によるレジス
ト剥離に起因する塵の発生を防止できる。

これにより、半導体装置の歩留り向上を図ることが出来
る。

また、枠部の形成後、枠部を形成したそのままの状態で
後のレジスト膜のバターニングの際、何度でも使用する
ことができる。このため、従来のようにスルーブツトが
低下することはない。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施例の製造方法を
説明する図、第２図は、本発明の実施例の枠部の形成に用いるモール
ディング装置の断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施例のレジスｌ布
を説明する斜視図、第４図は、本発明の他の実施例に係る枠部の形状を示す
ウェハ上面図、第５図（ａ）、（ｂ）は、従来例のレジスト塗布を説明
する斜視図、第６図は、ある。（符号の説明）ｌ・・・ウェハ吸引管、２．６．６ａ・・・ウェハ、３．８・・・レジスト、３ａ、８ａ・・・レジスト膜、７．７ａ・・・枠部、９・・・上型、１０・・・下型、１１・・・樹脂注入口、１２・・・樹脂、１３・・・吸引口。従来例の問題点を説明する断面図で

Claims

【特許請求の範囲】ウェハ周辺部に疎油性の樹脂からなる枠部を形成する工
程と、前記枠部の形成されたウェハ表面にレジストを塗布する
工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法
。