JPH06168872A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06168872A JPH06168872A JP4321735A JP32173592A JPH06168872A JP H06168872 A JPH06168872 A JP H06168872A JP 4321735 A JP4321735 A JP 4321735A JP 32173592 A JP32173592 A JP 32173592A JP H06168872 A JPH06168872 A JP H06168872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor substrate
- semiconductor device
- chemical solution
- coating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】塗布膜を形成する時、半導体基板の外周部の膜
をエッチング液を当てて除去しているが、膜の端部に盛
り上りが形成される。この盛り上りをなくす。 【構成】薬剤溶液２を滴下してＳＯＧ膜３を形成する前
に、膜形成が不要である半導体基板１の外周部に該薬剤
溶液の溶媒と溶媒和をしない有機系溶剤６を当てて表面
状態を疎水性に変える。
をエッチング液を当てて除去しているが、膜の端部に盛
り上りが形成される。この盛り上りをなくす。 【構成】薬剤溶液２を滴下してＳＯＧ膜３を形成する前
に、膜形成が不要である半導体基板１の外周部に該薬剤
溶液の溶媒と溶媒和をしない有機系溶剤６を当てて表面
状態を疎水性に変える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に塗布膜の形成方法に関する。
関し、特に塗布膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においてフォトレ
ジスト膜やＳＯＧ膜の形成に回転塗布法が用いられてい
る。従来の塗布膜の形成方法は、まず図２（Ａ）に示す
様に、半導体基板１の表面に所要の薬剤溶液２Ａを滴下
し、次で図２（Ｂ）に示す様に、半導体基板１を高速回
転させその遠心力により薬剤溶液２Ａを一様に伸ばして
所要の塗布膜３Ａを形成する。
ジスト膜やＳＯＧ膜の形成に回転塗布法が用いられてい
る。従来の塗布膜の形成方法は、まず図２（Ａ）に示す
様に、半導体基板１の表面に所要の薬剤溶液２Ａを滴下
し、次で図２（Ｂ）に示す様に、半導体基板１を高速回
転させその遠心力により薬剤溶液２Ａを一様に伸ばして
所要の塗布膜３Ａを形成する。
【０００３】次で図２（Ｃ）に示す様に、膜形成が不要
である半導体基板１の外周１〜５ｍｍに膜エッチング液
４を当て、図２（Ｄ）のように化学反応により半導体基
板１外周部の膜を除去していた。ここで外周部の膜を除
去するのは、後工程でのキャリア体とのこすれあるいは
ハンドリングの際のピンセットの影響による発塵を防ぐ
為である。
である半導体基板１の外周１〜５ｍｍに膜エッチング液
４を当て、図２（Ｄ）のように化学反応により半導体基
板１外周部の膜を除去していた。ここで外周部の膜を除
去するのは、後工程でのキャリア体とのこすれあるいは
ハンドリングの際のピンセットの影響による発塵を防ぐ
為である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の塗布膜の形
成方法は、半導体基板全面に所要の膜を形成した後、膜
形成が不要である半導体基板の外周部に膜エッチング液
を当て、化学反応により不要の膜を除去している為、物
理的あるいは化学的要因の影響で塗布膜の端は図２
（Ｄ）に示した様に、数μｍ程度顕著に盛り上り５が形
成される。この盛り上りの部分は後工程の熱処理等でク
ラックが入り、パーティクルの発塵源となり、半導体装
置の信頼性及び歩留りを低下させるという問題点があ
る。
成方法は、半導体基板全面に所要の膜を形成した後、膜
形成が不要である半導体基板の外周部に膜エッチング液
を当て、化学反応により不要の膜を除去している為、物
理的あるいは化学的要因の影響で塗布膜の端は図２
（Ｄ）に示した様に、数μｍ程度顕著に盛り上り５が形
成される。この盛り上りの部分は後工程の熱処理等でク
ラックが入り、パーティクルの発塵源となり、半導体装
置の信頼性及び歩留りを低下させるという問題点があ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発の半導体装置の製造
方法は、高速回転している半導体基板表面に所定の薬剤
溶液を滴下し該薬剤溶液を一様に伸ばして所望の塗布膜
を形成する半導体装置の製造方法に於いて、前記薬剤溶
液を滴下して所望の塗布膜を形成する前に前記半導体基
板の周辺領域に該薬剤溶液の溶媒と溶媒和をしない有機
系溶剤を付着させるものである。
方法は、高速回転している半導体基板表面に所定の薬剤
溶液を滴下し該薬剤溶液を一様に伸ばして所望の塗布膜
を形成する半導体装置の製造方法に於いて、前記薬剤溶
液を滴下して所望の塗布膜を形成する前に前記半導体基
板の周辺領域に該薬剤溶液の溶媒と溶媒和をしない有機
系溶剤を付着させるものである。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を説明する
ための半導体基板の断面図である。ここでは塗布膜とし
てＳＯＧ膜の形成について説明する。
る。図１（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を説明する
ための半導体基板の断面図である。ここでは塗布膜とし
てＳＯＧ膜の形成について説明する。
【０００７】まず、図１（Ａ）に示す様に、高速回転中
の半導体基板１の表面外周１〜５ｍｍにＳＯＧ膜を形成
する為の薬剤溶液の溶媒であるアルコール類と溶媒和し
ない有機系溶剤６、例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシ
ラザン）を数秒間滴下し外周部を疎水性に変える。
の半導体基板１の表面外周１〜５ｍｍにＳＯＧ膜を形成
する為の薬剤溶液の溶媒であるアルコール類と溶媒和し
ない有機系溶剤６、例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシ
ラザン）を数秒間滴下し外周部を疎水性に変える。
【０００８】次に図１（Ｂ）に示す様に、ＳＯＧ膜を形
成する為の薬剤溶液２を半導体基板１の中央部に滴下
し、次で図１（Ｃ）に示す様に、高速回転による遠心力
により該薬剤溶液２を一様に伸ばし、ＳＯＧ膜３を形成
する。
成する為の薬剤溶液２を半導体基板１の中央部に滴下
し、次で図１（Ｃ）に示す様に、高速回転による遠心力
により該薬剤溶液２を一様に伸ばし、ＳＯＧ膜３を形成
する。
【０００９】ＳＯＧ膜を形成する薬剤の溶媒はアルコー
ル類であり、水と非常に類似した構造をしており、濡れ
性の指標として下地表面状態が親水性であるか疎水性で
あるかは重要な鍵である為、疎水性を示す半導体基板外
周部１〜５ｍｍはＳＯＧの薬剤溶液をはじき、ＳＯＧ膜
は形成されない。従って半導体基板表面にＳＯＧ膜を形
成する際に、形成不要である外周１〜５ｍｍの部分をの
ぞいて半導体基板上にＳＯＧ膜を形成することができ
る。
ル類であり、水と非常に類似した構造をしており、濡れ
性の指標として下地表面状態が親水性であるか疎水性で
あるかは重要な鍵である為、疎水性を示す半導体基板外
周部１〜５ｍｍはＳＯＧの薬剤溶液をはじき、ＳＯＧ膜
は形成されない。従って半導体基板表面にＳＯＧ膜を形
成する際に、形成不要である外周１〜５ｍｍの部分をの
ぞいて半導体基板上にＳＯＧ膜を形成することができ
る。
【００１０】尚、上記実施例ではＳＯＧ膜形成の場合に
ついて説明したが、フォトレジスト膜の場合は、溶媒が
乳酸エチル等であるため、半導体基板の外周部には、例
えば流動パラフィンを付着させればよい。
ついて説明したが、フォトレジスト膜の場合は、溶媒が
乳酸エチル等であるため、半導体基板の外周部には、例
えば流動パラフィンを付着させればよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、所要の塗
布膜を形成する前に、半導体基板の膜形成不要部分にあ
らかじめ塗布膜を形成する薬剤溶液の溶媒と溶媒和しな
い有機系溶剤を付着させることにより、必要な部分にの
み膜を形成することができる。従って従来のように基板
の端部に膜の盛り上りが形成されることがなくなるため
パーティクルの発塵源となる不具合を解消でき半導体装
置の信頼性及び歩留りを向上させることができる。
布膜を形成する前に、半導体基板の膜形成不要部分にあ
らかじめ塗布膜を形成する薬剤溶液の溶媒と溶媒和しな
い有機系溶剤を付着させることにより、必要な部分にの
み膜を形成することができる。従って従来のように基板
の端部に膜の盛り上りが形成されることがなくなるため
パーティクルの発塵源となる不具合を解消でき半導体装
置の信頼性及び歩留りを向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための半導体基板
の断面図。
の断面図。
【図２】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
半導体基板の断面図。
半導体基板の断面図。
１ 半導体基板 ２，２Ａ 薬剤溶液 ３ ＳＯＧ膜 ３Ａ 塗布膜 ４ 膜エッチング液 ５ 盛り上り ６ 有機系溶剤
Claims (1)
- 【請求項１】 高速回転している半導体基板表面に所定
の薬剤溶液を滴下し該薬剤溶液を一様に伸ばして所望の
塗布膜を形成する半導体装置の製造方法に於いて、前記
薬剤溶液を滴下して所望の塗布膜を形成する前に前記半
導体基板の周辺領域に該薬剤溶液の溶媒と溶媒和をしな
い有機系溶剤を付着させることを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4321735A JPH06168872A (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4321735A JPH06168872A (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168872A true JPH06168872A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18135865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4321735A Pending JPH06168872A (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06168872A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6005586A (en) * | 1996-02-17 | 1999-12-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Drawing processing apparatus |
| US6033988A (en) * | 1997-01-31 | 2000-03-07 | Kawasaki Steel Corporation | Film forming methods |
-
1992
- 1992-12-01 JP JP4321735A patent/JPH06168872A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6005586A (en) * | 1996-02-17 | 1999-12-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Drawing processing apparatus |
| US6033988A (en) * | 1997-01-31 | 2000-03-07 | Kawasaki Steel Corporation | Film forming methods |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03502255A (ja) | ホトレジストを塗布した基体から望ましくない周辺部の材料（例えばエツジビーズ）を除去するための乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定混合物の使用 | |
| US20240295817A1 (en) | Photolithography method based on bilayer photoresist | |
| US11033929B2 (en) | Application method | |
| JP6762378B2 (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 | |
| JPH0745510A (ja) | パタン形成方法 | |
| EP2568495A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| US20120034789A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US6440638B2 (en) | Method and apparatus for resist planarization | |
| US6864182B2 (en) | Method of producing large-area membrane masks by dry etching | |
| JP7853127B2 (ja) | チップの製造方法 | |
| US20080020576A1 (en) | Method of forming polysilicon pattern | |
| EP1295635A1 (en) | Pin plate for use in array printing and method for making the pin plate | |
| CN113495430A (zh) | 一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法 | |
| JP2019212697A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH0341716A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2752643B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0219852A (ja) | レジスト処理方法 | |
| JP3109800B2 (ja) | 高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗布方法 | |
| JP4296779B2 (ja) | 光学素子の製造方法 | |
| US20250298319A1 (en) | Photoresist patterning using planar trim layer | |
| JPH0376109A (ja) | レジストのコーティング方法 | |
| JPS6386434A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH03214722A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JP2003142369A (ja) | レジストパターンの寸法制御方法 | |
| JPH05228413A (ja) | 塗布装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990928 |