JPH0341904B2 - - Google Patents
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- JPH0341904B2 JPH0341904B2 JP55124126A JP12412680A JPH0341904B2 JP H0341904 B2 JPH0341904 B2 JP H0341904B2 JP 55124126 A JP55124126 A JP 55124126A JP 12412680 A JP12412680 A JP 12412680A JP H0341904 B2 JPH0341904 B2 JP H0341904B2
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- recording layer
- recording
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は情報により変調された高いエネルギー
光に露光する際露光位置を融解し、孔（情報ビツ
ト）を形成する、少なくとも１側面にアモルフア
ス記録層を有するデイスク−型基体からなる情報
を光学的に書込みかつ読出す光学記録デイスクに
関する。
光に露光する際露光位置を融解し、孔（情報ビツ
ト）を形成する、少なくとも１側面にアモルフア
ス記録層を有するデイスク−型基体からなる情報
を光学的に書込みかつ読出す光学記録デイスクに
関する。
この種のデイスクについては、特にオランダ国
特許出願第7607997号明細書に記載されている。
このオランダ国特許出願明細書に記載されている
デイスクは少なくとも30原子％のSeおよび／ま
たはTeを含有する記録層を有する基板から構成
されている。変調レーザー光に露光する際に液体
区域を形成し、この場合かかる液体区域の液体が
収縮する（retracts）と共に液体区域から生ずる
材料の直立縁で囲まれた孔（情報ビツト）を形成
する。
特許出願第7607997号明細書に記載されている。
このオランダ国特許出願明細書に記載されている
デイスクは少なくとも30原子％のSeおよび／ま
たはTeを含有する記録層を有する基板から構成
されている。変調レーザー光に露光する際に液体
区域を形成し、この場合かかる液体区域の液体が
収縮する（retracts）と共に液体区域から生ずる
材料の直立縁で囲まれた孔（情報ビツト）を形成
する。
本発明は情報を書込む感受性を高めることを目
的とし、このために情報ビツトを比較的に多量の
レーザー光エネルギーによつてのみ書込むことの
できる予じめ不感受性であるアモルフアス記録材
料は使用することができる。アモルフアス記録材
料それ自体、特に興味深い材料である。この理由
は結晶性記録材料と比較して、かかるアモルフア
ス記録材料は著しく良好な安定性を有し、特に望
ましいSN比を有するためである。
的とし、このために情報ビツトを比較的に多量の
レーザー光エネルギーによつてのみ書込むことの
できる予じめ不感受性であるアモルフアス記録材
料は使用することができる。アモルフアス記録材
料それ自体、特に興味深い材料である。この理由
は結晶性記録材料と比較して、かかるアモルフア
ス記録材料は著しく良好な安定性を有し、特に望
ましいSN比を有するためである。
本発明の主目的は情報ビツトを少量のレーザー
光エネルギーにより形成できるアモルフアス記録
層を有する記録デイスクを提供する。
光エネルギーにより形成できるアモルフアス記録
層を有する記録デイスクを提供する。
本発明の他の目的は極めて小さい孔を変調レー
ザー光を用いることにより形成でき、これにより
著しく高められた情報密度を達成したアモルフア
ス記録層を有する光学記録デイスクを提供する。
ザー光を用いることにより形成でき、これにより
著しく高められた情報密度を達成したアモルフア
ス記録層を有する光学記録デイスクを提供する。
本発明の他の目的は異なる直径の小さい孔を
種々の量のレーザー光エネルギーにより形成で
き、このために情報のアナログ記録を可能にし、
大きい情報密度を達成したアモルフアス記録層を
有する光学情報デイスクを提供する。
種々の量のレーザー光エネルギーにより形成で
き、このために情報のアナログ記録を可能にし、
大きい情報密度を達成したアモルフアス記録層を
有する光学情報デイスクを提供する。
本発明の光学情報記録デイスクは、デイスクに
おいて、少なくとも１側に記録層を設けたデイス
ク型基体からなり、前記層を記録すべき情報によ
り変調される高いエネルギー光に露光する際に露
光位置で融解し、および孔を形成し、これにより
記録層の側の前記基体の表面を、孔形成の開始を
著しく刺激するために不連続にし、この表面不連
続は30〜300nｍの直径寸法および８〜80nｍの基
体表面によるレベル差を有するようにし、これに
より記録層を約50nｍの最大厚さを有するカルコ
ゲニド ガラスのアモルフアス層としたことを特
徴とする。
おいて、少なくとも１側に記録層を設けたデイス
ク型基体からなり、前記層を記録すべき情報によ
り変調される高いエネルギー光に露光する際に露
光位置で融解し、および孔を形成し、これにより
記録層の側の前記基体の表面を、孔形成の開始を
著しく刺激するために不連続にし、この表面不連
続は30〜300nｍの直径寸法および８〜80nｍの基
体表面によるレベル差を有するようにし、これに
より記録層を約50nｍの最大厚さを有するカルコ
ゲニド ガラスのアモルフアス層としたことを特
徴とする。
ここに記載する「直径寸法」とは基体表面に設
けた、例えば引掻きの幅寸法を包含することを理
解すべきである。これは表面不連続の最小の水平
寸法に関する。
けた、例えば引掻きの幅寸法を包含することを理
解すべきである。これは表面不連続の最小の水平
寸法に関する。
記録層の厚さは40nｍ以下、特に20〜30nｍが
好ましい。
好ましい。
本発明はアモルフアス記録層に液体区域をレー
ザー光によつて最初に生成し、次いで孔を形成す
るのに比較に多量のレーザー光エネルギーを必要
とする本出願人によつてすでに達成した記録材料
に基因するものである。この比較的に大きいエネ
ルギー障壁は液体区域の熱的活性化によつては打
勝つことができない。
ザー光によつて最初に生成し、次いで孔を形成す
るのに比較に多量のレーザー光エネルギーを必要
とする本出願人によつてすでに達成した記録材料
に基因するものである。この比較的に大きいエネ
ルギー障壁は液体区域の熱的活性化によつては打
勝つことができない。
本出願人によりすでに出願されたオランダ国特
許出願第7902542号明細書（55年４月１日出願の
特願昭55−41272号）においては、所望の活性化
エネルギーおよび関連する最小孔直径について記
載されている。また、このオランダ国特許明細書
には表面エネルギーにおける勾配の結果として大
量輸送（mass transport）が最大表面エネルギ
ーを有する液体フイルムの部分に生ずるかかる液
体フイルムにおいて不安定プロセスであるマラン
ゴニ効果は所望穿孔開始エネルギー（hole
initiation energy）の減少に著しく貢献すること
について記載されている。このオランダ国特許明
細書によればマランゴニ効果を最適にすることを
暗示している。
許出願第7902542号明細書（55年４月１日出願の
特願昭55−41272号）においては、所望の活性化
エネルギーおよび関連する最小孔直径について記
載されている。また、このオランダ国特許明細書
には表面エネルギーにおける勾配の結果として大
量輸送（mass transport）が最大表面エネルギ
ーを有する液体フイルムの部分に生ずるかかる液
体フイルムにおいて不安定プロセスであるマラン
ゴニ効果は所望穿孔開始エネルギー（hole
initiation energy）の減少に著しく貢献すること
について記載されている。このオランダ国特許明
細書によればマランゴニ効果を最適にすることを
暗示している。
更に本発明によれば上述する特定寸法の表面不
連続を有する基板を上述する薄い厚さのアモルフ
アス記録層と組合せて用いることによつて穿孔開
始を著しく刺激できることを認識した。
連続を有する基板を上述する薄い厚さのアモルフ
アス記録層と組合せて用いることによつて穿孔開
始を著しく刺激できることを認識した。
更に、本発明においては既知の記録デイスクを
用いる場合に、レーザー光によつてアモルフアス
記録層に生ずる液体は、かかる区域の液体が収縮
してリツジを有する孔を形成する前に比較的に大
きい直径寸法を形成する必要のあることを実験的
に確めた。本発明における記録デイスクにおいて
は、孔はレーザー光に露光する際記録層に小さい
直径寸法の液体区域にすでに形成する。この事は
一層小さいレーザー光エネルギーの使用で足り、
かつ小さい孔が得られることを意味する。上述す
るように記録層における液体区域が後退して一層
小さい直径の孔を形成する穿孔開始において表面
不連続が生ずる強力な作用については更に後述す
る。発見された現象はレーザー光により生ずる液
体区域において高められた内部液体圧からある程
度説明することができる。不連続の区域におい
て、表面は平担面に比較して減少した曲率半径を
有するリツジを示す。内方に向う液体圧は曲率半
径に逆に比例し、不連続の区域において著しく増
大する。
用いる場合に、レーザー光によつてアモルフアス
記録層に生ずる液体は、かかる区域の液体が収縮
してリツジを有する孔を形成する前に比較的に大
きい直径寸法を形成する必要のあることを実験的
に確めた。本発明における記録デイスクにおいて
は、孔はレーザー光に露光する際記録層に小さい
直径寸法の液体区域にすでに形成する。この事は
一層小さいレーザー光エネルギーの使用で足り、
かつ小さい孔が得られることを意味する。上述す
るように記録層における液体区域が後退して一層
小さい直径の孔を形成する穿孔開始において表面
不連続が生ずる強力な作用については更に後述す
る。発見された現象はレーザー光により生ずる液
体区域において高められた内部液体圧からある程
度説明することができる。不連続の区域におい
て、表面は平担面に比較して減少した曲率半径を
有するリツジを示す。内方に向う液体圧は曲率半
径に逆に比例し、不連続の区域において著しく増
大する。
孔の形成に使用されるレーザー光エネルギーの
量を変えることによつて、異なる直径の孔をアモ
ルフアス記録層に得ることができる。30〜40nｍ
の厚さを有するテルル合金、例えばGe／Te合金
のアモルフアス記録層において、約0.3μｍの直径
の孔はレーザー光によつて形成することができ
る。孔（情報ビツト）当りのレーザー光エネルギ
ーの量は大体0.4nJであり、例えば647nｍの放射
波長、記録層上における5mWのパワーおよび
75nsのパルス時間を有するレーザーから生ずる。
同じパルスを用い、しかも100nsのパルス時間を
用いる場合には、液体区域が大きい直径寸法の記
録層に得られ、約1.0μｍの直径の孔が生ずる。レ
ーザー光エネルギーの使用量により種々の直径寸
法の孔が得られ、また最大において例えば1.5μｍ
の範囲の小さい直径を有する。この結果、二元情
報記録の外に、本発明においては、類似情報記
録、例えば著しく高い情報密度を有する三元記録
（大孔、小孔、無孔）を可能にする。例えば８ビ
ツトは200キヤラクターの二元記録（27＜200＜
28）に対して必要であるが、５ビツトは三元記録
（34＜200＜35）に対して必要である。
量を変えることによつて、異なる直径の孔をアモ
ルフアス記録層に得ることができる。30〜40nｍ
の厚さを有するテルル合金、例えばGe／Te合金
のアモルフアス記録層において、約0.3μｍの直径
の孔はレーザー光によつて形成することができ
る。孔（情報ビツト）当りのレーザー光エネルギ
ーの量は大体0.4nJであり、例えば647nｍの放射
波長、記録層上における5mWのパワーおよび
75nsのパルス時間を有するレーザーから生ずる。
同じパルスを用い、しかも100nsのパルス時間を
用いる場合には、液体区域が大きい直径寸法の記
録層に得られ、約1.0μｍの直径の孔が生ずる。レ
ーザー光エネルギーの使用量により種々の直径寸
法の孔が得られ、また最大において例えば1.5μｍ
の範囲の小さい直径を有する。この結果、二元情
報記録の外に、本発明においては、類似情報記
録、例えば著しく高い情報密度を有する三元記録
（大孔、小孔、無孔）を可能にする。例えば８ビ
ツトは200キヤラクターの二元記録（27＜200＜
28）に対して必要であるが、５ビツトは三元記録
（34＜200＜35）に対して必要である。
薄い記録層は下部基体表面に存在する表面不連
続の輪郭による。このために基体から離れた記録
層の表面は平担でないが、しかし実際上基体表面
と同じ不連続のパターンを示す。基体側および反
対側における記録層の表面不連続は、記録層の反
射力が影響しないか、または著しく影響しないよ
うな小さい寸法を有する。記録情報は弱いレーザ
ー光による反射において読出される。望ましくな
いビツトが読出しにおいて形成するために、例え
ば記録レーザー光のエネルギーの10分の１のエネ
ルギーを有する弱いレーザー光を用いるのが望ま
しい。読出しは孔からのおよび孔の周囲からの反
射光の量の差に起因する。この差が大きいほど、
コントラストがよい。孔の底部において、記録層
が除去され、このために読出しレーザー光は基体
により反射する。孔の周囲において、読出しレー
ザー光は記録層により反射する。コントラスト
は、従来の技術におけるように、表面連続
（surface continuites）が存在しない場合に得ら
れるコントラストとほぼ同じである。また、表面
不連続の存在によつて僅かな光の散乱が生ずるも
のと思われる。この散乱は孔におよび孔の周囲に
与えられる。このために、だいたい孔からおよび
孔の周囲から反射される光の比率（コントラスト
として評価される）が残る。
続の輪郭による。このために基体から離れた記録
層の表面は平担でないが、しかし実際上基体表面
と同じ不連続のパターンを示す。基体側および反
対側における記録層の表面不連続は、記録層の反
射力が影響しないか、または著しく影響しないよ
うな小さい寸法を有する。記録情報は弱いレーザ
ー光による反射において読出される。望ましくな
いビツトが読出しにおいて形成するために、例え
ば記録レーザー光のエネルギーの10分の１のエネ
ルギーを有する弱いレーザー光を用いるのが望ま
しい。読出しは孔からのおよび孔の周囲からの反
射光の量の差に起因する。この差が大きいほど、
コントラストがよい。孔の底部において、記録層
が除去され、このために読出しレーザー光は基体
により反射する。孔の周囲において、読出しレー
ザー光は記録層により反射する。コントラスト
は、従来の技術におけるように、表面連続
（surface continuites）が存在しない場合に得ら
れるコントラストとほぼ同じである。また、表面
不連続の存在によつて僅かな光の散乱が生ずるも
のと思われる。この散乱は孔におよび孔の周囲に
与えられる。このために、だいたい孔からおよび
孔の周囲から反射される光の比率（コントラスト
として評価される）が残る。
本発明のデイスクの好適例においては、ガラス
または合成樹脂の基体を用いるのが好ましく、記
録層に隣接するこれらの表面は化学的にまたは機
械的に粗くするかまたは引掻くことができ、また
記録層に隣接する表面は表面不連続からなるマト
リツクスの表面のコピーにする。
または合成樹脂の基体を用いるのが好ましく、記
録層に隣接するこれらの表面は化学的にまたは機
械的に粗くするかまたは引掻くことができ、また
記録層に隣接する表面は表面不連続からなるマト
リツクスの表面のコピーにする。
基体自体は孔の存在しない意味での固体であつ
て、記録層の露光の際最初形成した液体区域が少
なくとも部分的に孔構造に拡散し、このためにコ
ントラスト損失の生ずるのを避けるようにする。
て、記録層の露光の際最初形成した液体区域が少
なくとも部分的に孔構造に拡散し、このためにコ
ントラスト損失の生ずるのを避けるようにする。
化学的に粗くすることは基体表面を腐蝕剤で処
理することによつて達成できる。１例として、ポ
リメチルメタクリレートから作つた基体を粗くす
ることは、この基体表面を適当な腐蝕剤、特に過
塩素酸で５〜10秒間処理することにより達成す
る。
理することによつて達成できる。１例として、ポ
リメチルメタクリレートから作つた基体を粗くす
ることは、この基体表面を適当な腐蝕剤、特に過
塩素酸で５〜10秒間処理することにより達成す
る。
機械的に粗くすることは既知の粗くする方法に
よつて実施することができる。
よつて実施することができる。
基体の表面は不連続からなるマトリツスク表面
のコピーである。これによつて記録デイスクの製
造方法を極めて簡単にすることができる。なぜな
らば各基体デイスクについてそれぞれ粗くする必
要がないためである。多くの適当な基体デイスク
は、マトリツクスの表面において基体表面に必要
とされる不連続のネガテイブからなるマトリツク
スによつて普通の技術に従つて作ることができ
る。適当な技術としては、例えば圧縮技術を挙げ
ることができ、この圧縮技術においては、例えば
ある分量のPVCの如きプラスチツク合成樹脂を
下部マトリツクスの中心に置き、所望の不連続を
有するダイにより高温および高圧で基体デイスク
上に圧縮する。ダイの代りに下部マトリツクスに
表面不連続を設けることができる。或いわまた、
両マトリツクスに表面不連続を設けることができ
る。他の技術としては射出成形技術を挙げること
ができ、この成形技術においては、特にポリメチ
ルメタアクリレートの液体組成物を表面不連続か
らなる成形用キヤビテイを有する１個または２個
のマトリツクスに圧縮する。
のコピーである。これによつて記録デイスクの製
造方法を極めて簡単にすることができる。なぜな
らば各基体デイスクについてそれぞれ粗くする必
要がないためである。多くの適当な基体デイスク
は、マトリツクスの表面において基体表面に必要
とされる不連続のネガテイブからなるマトリツク
スによつて普通の技術に従つて作ることができ
る。適当な技術としては、例えば圧縮技術を挙げ
ることができ、この圧縮技術においては、例えば
ある分量のPVCの如きプラスチツク合成樹脂を
下部マトリツクスの中心に置き、所望の不連続を
有するダイにより高温および高圧で基体デイスク
上に圧縮する。ダイの代りに下部マトリツクスに
表面不連続を設けることができる。或いわまた、
両マトリツクスに表面不連続を設けることができ
る。他の技術としては射出成形技術を挙げること
ができ、この成形技術においては、特にポリメチ
ルメタアクリレートの液体組成物を表面不連続か
らなる成形用キヤビテイを有する１個または２個
のマトリツクスに圧縮する。
マトリツクスは通常ニツケルの如き金属から作
ることができ、化学的または機械的処理によつて
所望の表面不連続を設けることができる。また、
考慮される所望の表面粗さをマトリツクスの製造
中に設けることができ、この場合には先づ所望形
状のフオトラツカーを有するガラス板であるマト
リツクス板を無電解手段で被覆し、次いで金属で
電気めつきし、しかる後に伸びた金属剥離
（grown metal peel）を原型板から除去する。こ
の方法においてはフオトラツカー現像液の選択に
よつてフオトラツカーの表面に所望の粗さを設け
ることができる。
ることができ、化学的または機械的処理によつて
所望の表面不連続を設けることができる。また、
考慮される所望の表面粗さをマトリツクスの製造
中に設けることができ、この場合には先づ所望形
状のフオトラツカーを有するガラス板であるマト
リツクス板を無電解手段で被覆し、次いで金属で
電気めつきし、しかる後に伸びた金属剥離
（grown metal peel）を原型板から除去する。こ
の方法においてはフオトラツカー現像液の選択に
よつてフオトラツカーの表面に所望の粗さを設け
ることができる。
他の好適な例においては、記録層の側の基体は
表面不連続からなる被覆層からなる。また、この
場合において被覆層は無孔構造にすることができ
る。島ステージ（island stage）における蒸着層
を被覆層として用いることができる。この１例と
しては島ステージにおけるAuの蒸着層を挙げる
ことができる。
表面不連続からなる被覆層からなる。また、この
場合において被覆層は無孔構造にすることができ
る。島ステージ（island stage）における蒸着層
を被覆層として用いることができる。この１例と
しては島ステージにおけるAuの蒸着層を挙げる
ことができる。
他の適当な被覆層としては染料の粗い粒状の蒸
着層である。その代表的な例としては蒸着バナジ
ルフタロシアニンの層を挙げることができ、この
場合には蒸着中被覆すべき基体の温度を約60〜80
℃の最低値に維持する。この結果、被覆層として
使用できるバナジルフタロシアニンの粗に粒状層
を得ることができる。
着層である。その代表的な例としては蒸着バナジ
ルフタロシアニンの層を挙げることができ、この
場合には蒸着中被覆すべき基体の温度を約60〜80
℃の最低値に維持する。この結果、被覆層として
使用できるバナジルフタロシアニンの粗に粒状層
を得ることができる。
本発明のデイスクの好適な形においては、被覆
層はラツカーの光硬化層であり、記録層に隣接す
るその表面は機械的にまたは化学的に粗くするか
または引掻きを形成するか、または記録層に隣接
するその表面を表面不連続からなるマトリツクス
の表面のコピーにする。
層はラツカーの光硬化層であり、記録層に隣接す
るその表面は機械的にまたは化学的に粗くするか
または引掻きを形成するか、または記録層に隣接
するその表面を表面不連続からなるマトリツクス
の表面のコピーにする。
光硬化ラツカー層としては、例えばアクリル酸
エステルに基づく紫外線光硬化ラツカーの層であ
る。ラツカー層は所望の表面不連続を有するマト
リツクスにより基体に設けるのが好ましい。この
目的のために、液体光硬化性ラツカー層を不連続
を有するマトリツクス表面に設け、次いで基板を
ラツカー層に配置する。ラツカー層は基体を介し
てまたはマトリツクスを介して紫外線に曝らし、
しかる後にマトリツクス表面の組織（texture）
をコピーする基体およびこれに結合した硬化ラツ
カー層をマトリツクスから除去する。最後に、ラ
ツカー層にアモルフアス記録層、例えば30〜40n
ｍの厚さのテルル−ゲルマニウムの蒸着層を設け
る。ラツカーを基体を介してまたはマトリツクス
を介して露光する際、基体およびマトリツクスの
それぞれは使用する紫外線に対して透明にする必
要がある。ガラスから作つた透明基体または透明
合成樹脂、例えばポリメチルメタクリレート、ポ
リスルホン、ポリカルボネートまたはPVCが好
ましい。
エステルに基づく紫外線光硬化ラツカーの層であ
る。ラツカー層は所望の表面不連続を有するマト
リツクスにより基体に設けるのが好ましい。この
目的のために、液体光硬化性ラツカー層を不連続
を有するマトリツクス表面に設け、次いで基板を
ラツカー層に配置する。ラツカー層は基体を介し
てまたはマトリツクスを介して紫外線に曝らし、
しかる後にマトリツクス表面の組織（texture）
をコピーする基体およびこれに結合した硬化ラツ
カー層をマトリツクスから除去する。最後に、ラ
ツカー層にアモルフアス記録層、例えば30〜40n
ｍの厚さのテルル−ゲルマニウムの蒸着層を設け
る。ラツカーを基体を介してまたはマトリツクス
を介して露光する際、基体およびマトリツクスの
それぞれは使用する紫外線に対して透明にする必
要がある。ガラスから作つた透明基体または透明
合成樹脂、例えばポリメチルメタクリレート、ポ
リスルホン、ポリカルボネートまたはPVCが好
ましい。
また、他の好適例において、記録層側の硬化ラ
ツカー層には高低レベルを交互に位置したサーボ
区域のレリーフ構造を部分的に有する光学的に読
出可能なサーボトラツクを設ける。
ツカー層には高低レベルを交互に位置したサーボ
区域のレリーフ構造を部分的に有する光学的に読
出可能なサーボトラツクを設ける。
一般にサーボトラツクは螺旋状または同心円に
より構成され、高低レベルに交互に位置するサー
ボ区域はトラツクに銃眼状輪郭を与える。ブロツ
クおよびビツトの形を示すサーボ区域の縦寸法の
変化は蓄積サーボデータを構成し、大体0.3〜3μ
ｍの範囲である。ブロツクとビツトとの間の高の
差は大体0.1μｍである。
より構成され、高低レベルに交互に位置するサー
ボ区域はトラツクに銃眼状輪郭を与える。ブロツ
クおよびビツトの形を示すサーボ区域の縦寸法の
変化は蓄積サーボデータを構成し、大体0.3〜3μ
ｍの範囲である。ブロツクとビツトとの間の高の
差は大体0.1μｍである。
サーボトラツクを有する本発明のデイスクは、
記録層における情報の記録を例えば情報記録の速
度と記録位置に関するオーダーからなるサーボト
ラツクに存在するサーボデータによつて正確に制
御するのが極めて有利である。透明基体を介して
サーボトラツクを走査するレーザー光ビームはサ
ーボデータを制御機構に伝達する。この制御機構
は著しく高いエネルギー量においてレーザー光ビ
ームを切替え、これにより所望情報を記録層に書
込むことができる。
記録層における情報の記録を例えば情報記録の速
度と記録位置に関するオーダーからなるサーボト
ラツクに存在するサーボデータによつて正確に制
御するのが極めて有利である。透明基体を介して
サーボトラツクを走査するレーザー光ビームはサ
ーボデータを制御機構に伝達する。この制御機構
は著しく高いエネルギー量においてレーザー光ビ
ームを切替え、これにより所望情報を記録層に書
込むことができる。
情報の記録はサーボデータ間のサーボトラツク
に位置する記録層の部分に行う。
に位置する記録層の部分に行う。
サーボトラツクからなる本発明の記録デイスク
を作るにはサーボトラツクからなるマトリツクス
の表面に光硬化性液体ラツカーを有するラツカー
層を設け、これに基板を配置し、ラツカー層を基
板またはマトリツクスを介して光によつて硬化
し、サーボトラツクをコピーする基板およびこれ
に結合した硬化ラツカー層をマトリツクス表面か
ら除去し、硬化ラツカー層に記録層を設けるよう
にする。
を作るにはサーボトラツクからなるマトリツクス
の表面に光硬化性液体ラツカーを有するラツカー
層を設け、これに基板を配置し、ラツカー層を基
板またはマトリツクスを介して光によつて硬化
し、サーボトラツクをコピーする基板およびこれ
に結合した硬化ラツカー層をマトリツクス表面か
ら除去し、硬化ラツカー層に記録層を設けるよう
にする。
また、サーボトラツク以外に所望の表面不連続
を有するマトリツクスの使用を推薦する。しかし
ながら、この事はサーボトラツクを有する硬化ラ
ツカー層は記録層を設ける前に機械的にまたは化
学的に粗くできまたは引掻きでき、または表面不
連続からなる被覆層、例えば島ステージにおける
Auの蒸着層またはバナジルフタロシアニンの粗
い粒状層を与えることができるから必要ではな
い。しかしながら、後述した方法は余分のプロセ
ス工程を必要とする。
を有するマトリツクスの使用を推薦する。しかし
ながら、この事はサーボトラツクを有する硬化ラ
ツカー層は記録層を設ける前に機械的にまたは化
学的に粗くできまたは引掻きでき、または表面不
連続からなる被覆層、例えば島ステージにおける
Auの蒸着層またはバナジルフタロシアニンの粗
い粒状層を与えることができるから必要ではな
い。しかしながら、後述した方法は余分のプロセ
ス工程を必要とする。
サーボトラツクを有するマトリツクスは原型板
のフオトラツカーにサーボトラツクを露光および
現像により設けることによつて作ることができ、
次いでこのトラツクを伸びた金属剥離にコピー
し、しかる後に更にコピー、例えば中間コピー板
を首尾よく電鋳し、マトリツクスを作る。所望の
表面不連続はフオトラツカー層の表面にすでに形
成され、次いで種々の金属コピーにコピーする。
また、サーボトラツクからなるマトリツクスは後
処理において化学的にまたは機械的に粗くでき、
引掻きを設けるかまたは例えば30nｍの厚さの不
連続からなる被覆層、例えば島ステージにおける
Auの蒸着層またはバナジルフタロシアニンの粗
い粒状層で被覆することができる。
のフオトラツカーにサーボトラツクを露光および
現像により設けることによつて作ることができ、
次いでこのトラツクを伸びた金属剥離にコピー
し、しかる後に更にコピー、例えば中間コピー板
を首尾よく電鋳し、マトリツクスを作る。所望の
表面不連続はフオトラツカー層の表面にすでに形
成され、次いで種々の金属コピーにコピーする。
また、サーボトラツクからなるマトリツクスは後
処理において化学的にまたは機械的に粗くでき、
引掻きを設けるかまたは例えば30nｍの厚さの不
連続からなる被覆層、例えば島ステージにおける
Auの蒸着層またはバナジルフタロシアニンの粗
い粒状層で被覆することができる。
本発明の記録デイスクに用いるアモルフアス記
録層は、例えば蒸着によつて設けることができる
カルコゲニド（chalcogenide）ガラスの層であ
り、かつ約30〜40nｍの厚さを有する。極めて適
当な記録層はテルルとAs、Sb、Bi、Ge、Sn、
Si、Ga、In、Tl、SeおよびＳの群から選択する
１種または数種の元素との混合物のアモルフアス
層である。
録層は、例えば蒸着によつて設けることができる
カルコゲニド（chalcogenide）ガラスの層であ
り、かつ約30〜40nｍの厚さを有する。極めて適
当な記録層はテルルとAs、Sb、Bi、Ge、Sn、
Si、Ga、In、Tl、SeおよびＳの群から選択する
１種または数種の元素との混合物のアモルフアス
層である。
本発明の記録デイスクに用いる基体は透明に
し、かつガラスまたは上述する透明合成樹脂から
製造するのが好ましい。かかるデイスクにおい
て、情報は基体を介してレーザー光で書込みまた
は読出しすることができ、このためにデイスクの
表面に存在するちり粒子の如き汚染物がレーザー
光を記録層上に集中する物体の焦点の深さを越え
て降下する。
し、かつガラスまたは上述する透明合成樹脂から
製造するのが好ましい。かかるデイスクにおい
て、情報は基体を介してレーザー光で書込みまた
は読出しすることができ、このためにデイスクの
表面に存在するちり粒子の如き汚染物がレーザー
光を記録層上に集中する物体の焦点の深さを越え
て降下する。
次に本発明を添付図面について説明する。
第１図において１は１側面を機械的に粗くした
ポリメチルメタクリレートの1μｍ厚さの基板を
示す。引掻きの形成した輪郭を線図的に示し、こ
れを２で示す。引掻は約50nｍの幅および約20n
ｍの深さを有する。かかる表面不連続を設けた表
面は厚さ30nｍのTe1Se1Sb1の蒸着記録層３から
なる。基板から遠く離れた記録層３の表面は引掻
き輪郭２に相当する引掻き輪郭４を示している。
ポリメチルメタクリレートの1μｍ厚さの基板を
示す。引掻きの形成した輪郭を線図的に示し、こ
れを２で示す。引掻は約50nｍの幅および約20n
ｍの深さを有する。かかる表面不連続を設けた表
面は厚さ30nｍのTe1Se1Sb1の蒸着記録層３から
なる。基板から遠く離れた記録層３の表面は引掻
き輪郭２に相当する引掻き輪郭４を示している。
情報の書込みにおいて、第１図に示す光学記録
デイスクを基板１を介して記録層上において
2.3mWのパワー、800nｍの放射波長および500ns
のパルス時間を有するレーザーから生ぞるパルス
状レーザー光に曝す。500nsにわたる露光の結果、
孔５を記録層３に形成する。形成した孔は0.2μｍ
の直径を有し、かつ液体状態で孔を生ずる記録材
料を含有するリツジ部分６からなり、次いで固化
してリツジ部分６を形成する。
デイスクを基板１を介して記録層上において
2.3mWのパワー、800nｍの放射波長および500ns
のパルス時間を有するレーザーから生ぞるパルス
状レーザー光に曝す。500nsにわたる露光の結果、
孔５を記録層３に形成する。形成した孔は0.2μｍ
の直径を有し、かつ液体状態で孔を生ずる記録材
料を含有するリツジ部分６からなり、次いで固化
してリツジ部分６を形成する。
第２図において、７は１mmの厚さのポリメチル
メタクリレートの基板を示し、この基板はその１
側面にバナジルフタロシアニドの蒸着被覆層８を
設け、基板７から離れた表面は粗い粒状構造９を
示す。粗い粒状表面の構造は約70〜100nｍの直
径寸法を有する。粗い粒状層は常温でバナジルフ
タロシアニドを蒸着して作り、次いで蒸着被覆層
を80℃の温度で数時間にわたり維持する。また、
バナジルフタロシアニドの蒸着中に基板を80℃に
維持することができる。蒸着被覆層８は26.5nｍ
の厚さを有し、30nｍ厚さのTe1Se1Sb1の蒸着記
録層１０を支持する。また、この記録層１０は層
８の粗い粒状構造に相当する粗に粒状構造１１を
有する。
メタクリレートの基板を示し、この基板はその１
側面にバナジルフタロシアニドの蒸着被覆層８を
設け、基板７から離れた表面は粗い粒状構造９を
示す。粗い粒状表面の構造は約70〜100nｍの直
径寸法を有する。粗い粒状層は常温でバナジルフ
タロシアニドを蒸着して作り、次いで蒸着被覆層
を80℃の温度で数時間にわたり維持する。また、
バナジルフタロシアニドの蒸着中に基板を80℃に
維持することができる。蒸着被覆層８は26.5nｍ
の厚さを有し、30nｍ厚さのTe1Se1Sb1の蒸着記
録層１０を支持する。また、この記録層１０は層
８の粗い粒状構造に相当する粗に粒状構造１１を
有する。
情報の書込みにおいて、記録層１０を記録層上
において3mWのパワー、647nｍの放射波長およ
び1μsのパルス時間を有するレーザーから生ずる
パルス状レーザー光に曝す。1μsにわたる露光の
結果、孔１２を記録層に形成する。形成した孔１
２は孔から生ずる記録材料のリツジ部分１３によ
つて包囲される。孔１２は0.75μｍの直径寸法を
有する。基板７に直接に設けたTe1Se1Sb1の記録
層が粗い粒状表面構造を示さない被覆層８が存在
しない場合には、最大孔寸法は少なくとも1.3μｍ
である。
において3mWのパワー、647nｍの放射波長およ
び1μsのパルス時間を有するレーザーから生ずる
パルス状レーザー光に曝す。1μsにわたる露光の
結果、孔１２を記録層に形成する。形成した孔１
２は孔から生ずる記録材料のリツジ部分１３によ
つて包囲される。孔１２は0.75μｍの直径寸法を
有する。基板７に直接に設けたTe1Se1Sb1の記録
層が粗い粒状表面構造を示さない被覆層８が存在
しない場合には、最大孔寸法は少なくとも1.3μｍ
である。
第３図において１４はポリメチルメタクリレー
トの１mm厚さの基板を示し、この１側面には紫外
線硬化ラツカー層１５を設け、この層１５にはサ
ーボトラツク１６を設ける。ラツカー層１５は、
サーボトラツクからなるマトリツクス表面にアク
リル酸エステルに基づく液体光硬化性ラツカー層
を設け、このラツカー層上に基板を配置し、次い
でラツカー層を基板を介して紫外線で硬化し、最
後にサーボトラツクをコピーした基板およびこれ
に結合した硬化ラツカー層のアツセンブリをマト
リツクス表面から除去することによつて形成す
る。サーボトラツクは約06μｍの幅および0.2μｍ
の深さを有する。ラツカー層１５はバナジルフタ
ロシアンを常温で蒸着し、次いで生成した層を80
℃に10時間維持することによつて得た66nｍ厚さ
のバナジルフタロシアニンの粗い粒状層１７を有
する。更に、層１７には30nｍ厚さのGe15Te85の
記録層１８を設ける。層１８の表面は層１７の構
造に相当する構造１９を有する。
トの１mm厚さの基板を示し、この１側面には紫外
線硬化ラツカー層１５を設け、この層１５にはサ
ーボトラツク１６を設ける。ラツカー層１５は、
サーボトラツクからなるマトリツクス表面にアク
リル酸エステルに基づく液体光硬化性ラツカー層
を設け、このラツカー層上に基板を配置し、次い
でラツカー層を基板を介して紫外線で硬化し、最
後にサーボトラツクをコピーした基板およびこれ
に結合した硬化ラツカー層のアツセンブリをマト
リツクス表面から除去することによつて形成す
る。サーボトラツクは約06μｍの幅および0.2μｍ
の深さを有する。ラツカー層１５はバナジルフタ
ロシアンを常温で蒸着し、次いで生成した層を80
℃に10時間維持することによつて得た66nｍ厚さ
のバナジルフタロシアニンの粗い粒状層１７を有
する。更に、層１７には30nｍ厚さのGe15Te85の
記録層１８を設ける。層１８の表面は層１７の構
造に相当する構造１９を有する。
情報の書込みにおいて、サーボトラツク１６の
区域における記録層１８は基板１４を介して記録
層上において2mWのパワー、800nｍの放射波長
および500nsのパルス時間を有するレーザーから
生ずるパルス状レーザー光に曝す。
区域における記録層１８は基板１４を介して記録
層上において2mWのパワー、800nｍの放射波長
および500nsのパルス時間を有するレーザーから
生ずるパルス状レーザー光に曝す。
500nsにわたる露光の結果、1.0μｍの直径を有
する孔２０を記録層１８に形成し、孔２０から生
ずる記録材料のリツジ部分２１により包囲され
る。バナジルフタロシアニンの粗い粒状被覆層１
７を用いず、かつこの結果として記録層１８が粗
い粒状表面組織を示さない場合には、孔を記録層
のみに4.6mWのレーザー光パワーおよび500nsの
パルス時間によつて形成し、この孔は1.5μｍの直
径を有する。
する孔２０を記録層１８に形成し、孔２０から生
ずる記録材料のリツジ部分２１により包囲され
る。バナジルフタロシアニンの粗い粒状被覆層１
７を用いず、かつこの結果として記録層１８が粗
い粒状表面組織を示さない場合には、孔を記録層
のみに4.6mWのレーザー光パワーおよび500nsの
パルス時間によつて形成し、この孔は1.5μｍの直
径を有する。
第４図において、２２はポリメチルメタクリレ
ートの１mm厚さの基板を示しており、その１側面
にサーボトラツク２４および粗い粒状（粗くし
た）表面２５を有する紫外線硬化ラツカー層２３
を設ける。サーボトラツク２４および粗い表面２
５を具えたラツカー層２３は、サーボトラツクか
らなる粗い粒状マトリツクス表面に例えばアクリ
ル酸エステルに基づく光硬化性ラツカーを被着
し、この上に基板を配置し、次いでラツカー層を
基板を介して紫外線で硬化し、サーボトラツクお
よびマトリツクスの表面組織をコピーした基板お
よびこれに結合した硬化ラツカー層の形成アツセ
ンブリをマトリツクスから除去することによつて
形成する。サーボトラツクおよび粗い粒状表面を
有するマトリツクスは、例えばバナジルフタロシ
アニン層を平滑面を有し、かつサーボトラツクか
らなるニツケルマトリツクス上に80℃の温度で蒸
着することによつて作ることができる。
ートの１mm厚さの基板を示しており、その１側面
にサーボトラツク２４および粗い粒状（粗くし
た）表面２５を有する紫外線硬化ラツカー層２３
を設ける。サーボトラツク２４および粗い表面２
５を具えたラツカー層２３は、サーボトラツクか
らなる粗い粒状マトリツクス表面に例えばアクリ
ル酸エステルに基づく光硬化性ラツカーを被着
し、この上に基板を配置し、次いでラツカー層を
基板を介して紫外線で硬化し、サーボトラツクお
よびマトリツクスの表面組織をコピーした基板お
よびこれに結合した硬化ラツカー層の形成アツセ
ンブリをマトリツクスから除去することによつて
形成する。サーボトラツクおよび粗い粒状表面を
有するマトリツクスは、例えばバナジルフタロシ
アニン層を平滑面を有し、かつサーボトラツクか
らなるニツケルマトリツクス上に80℃の温度で蒸
着することによつて作ることができる。
ラツカー層２３は30mm厚さのIn50Bi50の蒸着記
録層２６を有する。記録層２６は層２３の表面組
織に相当する表面組織２７を有する。
録層２６を有する。記録層２６は層２３の表面組
織に相当する表面組織２７を有する。
情報の書込みにおいて、記録層２６を基板２２
を介して記録層において2.5mWのパワー、676n
ｍの放射波長および100nsのパルス時間を有する
レーザーから生ずるパルス状レーザー光に曝す。
100nsの露光の結果、記録層２６に直径0.2μｍを
有しかつリツジ部分２９からなる孔２８を形成す
る。8.5mWのレーザー光パワーおよび100nsのパ
ルス時間を用いる場合には、0.75μｍの直径を有
する孔が得られ、このために情報のアナログ記録
ができる。
を介して記録層において2.5mWのパワー、676n
ｍの放射波長および100nsのパルス時間を有する
レーザーから生ずるパルス状レーザー光に曝す。
100nsの露光の結果、記録層２６に直径0.2μｍを
有しかつリツジ部分２９からなる孔２８を形成す
る。8.5mWのレーザー光パワーおよび100nsのパ
ルス時間を用いる場合には、0.75μｍの直径を有
する孔が得られ、このために情報のアナログ記録
ができる。
第１図は本発明の記録デイスクを断面として示
した説明用線図、第２図は他の変形の情報デイス
クを断面として示した説明用線図、第３図は更に
他の変形の情報デイスクを断面として示した説明
用線図、および第４図は更に他の変形の情報デイ
スクを断面として示した説明用線図である。 １，７，１４，２２……基板、２，４……引掻
き輪郭、３，１０，１８，２６……記録層、５，
１２，２０，２８……孔、６，１３，２１，２９
……リツジ部分、８……蒸着被覆層、９，１１，
１９……粗い粒状構造、１５，２３……ラツカー
層、１６，２４……サーボトラツク、１７……粗
い粒状表面、２７……層２３の表面組織に相当す
る表面組織。
した説明用線図、第２図は他の変形の情報デイス
クを断面として示した説明用線図、第３図は更に
他の変形の情報デイスクを断面として示した説明
用線図、および第４図は更に他の変形の情報デイ
スクを断面として示した説明用線図である。 １，７，１４，２２……基板、２，４……引掻
き輪郭、３，１０，１８，２６……記録層、５，
１２，２０，２８……孔、６，１３，２１，２９
……リツジ部分、８……蒸着被覆層、９，１１，
１９……粗い粒状構造、１５，２３……ラツカー
層、１６，２４……サーボトラツク、１７……粗
い粒状表面、２７……層２３の表面組織に相当す
る表面組織。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 情報を実質的に改良された情報密度によつて
光学的に書込みかつ読出すことのできる光学記録
デイスクにおいて、少なくとも１側に記録層を設
けたデイスク型基体からなり、前記層を記録すべ
き情報により変調される高いエネルギー光に露光
する際に露光位置で融解し、および孔を形成し、
これにより記録層の側の前記基体の表面を、孔形
成の開始を著しく刺激するために不連続にし、こ
の表面不連続は30〜300nｍの直径寸法および８
〜80nｍの基体表面によるレベル差を有するよう
にし、これにより記録層を約50nｍの最大厚さを
有するカルコゲニド ガラスのアモルフアス層と
したことを特徴とする光学記録デイスク。 ２ 基体は合成樹脂またはガラスから作つた基体
とし、記録層に隣接する基体表面を化学的にまた
は機械的に粗くするかまたはかかる表面に引掻き
を設け、または記録層に隣接する基体表面を表面
不連続からなるマトリツクスの表面のコピーとす
る特許請求の範囲第１項記載の光学記録デイス
ク。 ３ 基体の記録層側に表面不連続からなる被覆層
を設ける特許請求の範囲第１項記載の光学記録デ
イスク。 ４ 被覆層を不均質または粗い粒状蒸着層とする
特許請求の範囲第３項記載の光学記録デイスク。 ５ 被覆層を光硬化ラツカー層とし、記録層に隣
接するかかるラツカー層の表面を機械的にまたは
化学的に粗くしまたは表面に引掻きを設け、また
は記録層に隣接する表面を表面不連続からなるマ
トリツクスの表面のコピーとする特許請求の範囲
第３項記載の光学記録デイスク。 ６ 光硬化ラツカー層は高低レベルで交互に位置
するサーボ区域のレリーフ構造を部分的に有する
光学的に読出可能なサーボトラツクからなる特許
請求の範囲第５項記載の光学記録デイスク。
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