JPH0341976B2 - - Google Patents

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ フオトレジストの第１層で基体をコーテイン
   グしかつそれを： 前記第１層をレチクルを通して光化学作用をも
   つ放射線に露出すること、 第１層を現像し次いで基体及び現像されたイメ
   ージパターン形成処理すること、 レジストを取り除くこと、及び 予定した数の層を形成するために上記の処理サ
   イクルを繰返すことを含む処理サイクルにかける
   ことからなる超大規模集積回路（VLSI）を作る
   ステツプ−アンド−レピート法において、 フオトレジスト系の少なくとも第２層中に、第
   ２層を構成するフオトレジスト系を活性化する波
   長の放射線は吸収せず前記フオトレジスト系を活
   性化しない波長の放射線を吸収する染料を混入す
   ること、そして第２の及びそれに引き続く層にお
   ける各イメージの生成に先立つて、前記染料が吸
   収する放射線に対して第１の層の前記イメージを
   露出し且つレチクルと前記第１層のあらかじめ選
   ばれたイメージとの相対的位置を、該イメージ中
   のマーカーが前記レチクル中のウインドウと正確
   に整合するように、調整することを特徴とする
   VLSI製作用ステツプ−アンド−レピート法。 ２ 前記染料が基体に後者の層を付与するに先立
   つて前記フオトレジスト系に混合される請求の範
   囲第１項記載の方法。 ３ 前記染料がフオトレジストが前記基体に付与
   された後フオトレジストの前記第２層の表面に塗
   被される請求の範囲第１項記載の方法。 ４ フオトレジストが約250乃至約450ナノメータ
   の範囲の波長を持つ光化学作用をもつ光で活性化
   され、また染料がフオトレジストが感応するもの
   より少なくとも約50ナノメータ高い波長の放射線
   を吸収する請求の範囲第１項記載の方法。 ５ 前記染料が約455ナノメータ以上の波長の放
   射線を吸収し、また前記フオトレジスト系が約
   350乃至約375ナノメータの範囲内の波長の放射線
   で活性化される請求の範囲第４項記載の方法。 ６ 使用される染料の量が前記第１層に少なくと
   も約0.05の光学密度を付与するのに十分である請
   求の範囲第１項記載の方法。 ７ 前記イメージ層のおのおのを作るために使用
   されるフオトレジスト系が陽性のフオトレジスト
   系である請求の範囲第１項記載の方法。 ８ フオトレジスト系がノボラツク樹脂と１−オ
   キソ−２−ジアザナフトキノン−５−スルホン酸
   エステル光増感剤を含んでいる請求の範囲第６項
   記載の方法。 ９ 前記染料がローダミンＢベースである請求の
   範囲第１項記載の方法。 １０ 前記染料が約455ナノメータ以上の最大吸
   収を持ち、前記フオトレジスト系に使用された溶
   媒と混和しやすく、前記フオトレジスト組成物の
   他の成分と相溶し、またフオトイメージング方法
   に使用した放射線の作用下に前記フオトレジスト
   に使用した光増感剤の分解速度に影響を与えない
   ものである請求の範囲第１項記載の方法。発明の背景 １ 発明の分野 本発明はフオトレジストプロセスに関し、詳細
   にはフオトレジスト系を用いるマイクロ電子回路
   構成の製作のための改良方法と組成物に関する。 ２ 先行技術の記述 マイクロ電子回路構成、特に金属酸化物半導体
   集積回路の製造は、チツプ当りのバイト数の巨大
   な増加だけでなく、回路構成の迅速に増大する複
   雑さを伴つて中規模集積から超大規模集積
   （VLSI）まで非常に迅速な成長を示した。VLSI
   に要求される微細線フオトグラフイを達成するた
   めに現在使用されている方法の一つはステツプ−
   オン−ウエハプロセス又はステツプ−アンド−レ
   ピートアライメント（alignment）プロセスとし
   て知られているものである。例えば、E.C.ダグラ
   ス、“Solid State Technology”1981年５月、65
   −72頁、及びE.W.レーバツク、ステツプ−アン
   ド−レピート「アライナースによるVLSIウエハ
   印刷」IGC会議、カルメル、1980年６月30日−７
   月２日参照。この手順において個々のイメージの
   パターンはフオトレジストの第一層で蔽われたウ
   エハ上に作られる。個々のイメージは、随意に再
   生されるためのイメージの拡大された（通常約10
   倍までの）バージヨンを有し、また必要ならば適
   当な縮小レンズをもつた投影方式を用いて、網目
   （フオトマスク）を使用して投影されまた露光さ
   れる。多層イメージの製作において前の平面上に
   作られた相当するイメージ上に正確に二重焼付け
   されるように各々と新しいイメージの位置を調整
   することが必要である。イメージのそのようなア
   ライメントを容易にするためにアライメントマー
   カーのパターンがフオトレジストの最初の層の各
   イメージに組み込まれ、また第２及びどのような
   その後のレベルのイメージをも再生するために用
   いられたレクチルは第１のレベルのイメージのマ
   ーカーのパターンに相当する窓のパターンを与え
   られる。第１のレベルのイメージのマーカーとの
   正確なアライメントに窓を持つてくることによつ
   て第１のイメージ上に第２の及びどのその後のイ
   メージの正確な重ね合わせを達成することも可能
   である。 その最も広い面の一つにおいて、この後に一層
   完全に記述されるようにフオトレジストの層に、
   ある染料を混合することを用意する本発明の方法
   によつて、アライメンの方法が大きく促進され、
   またイメージのずれの可能性が大きく減少するこ
   とが今や判明した。ほかの目的のためにフオトレ
   ジスト組成中に染料を混合することは今までに記
   述されてきた。例証的に、高橋等の米国特許第
   4356254号は現像されたイメージの視覚的点検を
   容易にするために印刷板の製造に使用されるフオ
   トレジスト組成物中に塩基性のカルボニウム染料
   を組み込むことを教示している。染料は吸収しな
   ければならない特別の波長に関しては又はフオト
   レジストが感じやすい波長と染料が感じやすい波
   長との間の関係に関しては全く臨界性が報告され
   ていない。 並木等の米国特許第4268601号は、フオトマス
   クの製法を述べ、その中で感光樹脂の層が透明な
   支持体上のポリビニルアルコール層場合によりポ
   リビニルアルコール層から樹脂を分離するポリア
   ミドの接着層を有する、に塗布されている、フオ
   トイメージングの実施後に、結合された層が支持
   体からはがされる。ポリビニルアルコール層又は
   フオトレジスト層のいづれかは顔料又は染料を組
   み込むことができ、好ましい実施態様はポリビニ
   ルアルコール層に染料を、そしてフオトレジスト
   層に顔料を有する。もし着色剤及びフオトレジス
   トに対する最大吸収の波長が５ナノメータ以下し
   か違つていないならば、着色剤はポリビニルアル
   コール層にだけ存在しフオトレジスト層に存在し
   ないことが勧められるということを除いて、臨界
   性は染料又は顔料が吸収する波長に原因がない。
   差違がこの最小値を越える場合には着色剤は片方
   又は両方の層に存在することができる。 ピーター（Peters）等の米国特許第3615538号
   はフオトレジスト中にシラン化合物を混合するこ
   とによる印刷板上のフオトレジストイメージの物
   理的性質の改善を記述している。染料や顔料も混
   合することができるが染料の吸収特定は臨界性の
   原因とはならない。 ギルソン（Gilson）等は350−480nmで低い吸
   収を有しまたイメージング工程に使用される現像
   液溶液に溶解しない染料を使用して、フオトレジ
   ストイメージ、特にポリシンナマートから誘導さ
   れたフオトレジストイメージの着色を教示してい
   る。 クルツペル（Klupfel）等の米国特許第4241166
   号はイメージング工程中に使用された放射線に対
   する照射で一時的な脱色を示す染料をフオトレジ
   スト系に混合することを教示している。 シサク（Sysak）の米国特許第4341860号はロ
   イコ染料とイメージ形成放射線に照射する際にロ
   イコ染料を酸化するのに役立すシクロヘキサジエ
   ノン化合物とを含有しているフオトレジスト組成
   を教示している。 チエン（Chen）等の米国特許第4362809号は基
   体−フオトレジスト界面からの放射線の反射によ
   つてひき起こされるフオトイメージングにおける
   問題を減少するために染料を使用する。二層のフ
   オトレジストが基体上に用意され、底の層はトツ
   プ層の画像形成に使用された波長で放射線を吸収
   する染料を混合している。 以後本文中で“ステツパー”方法と呼ばれる、
   ステツプ−アンド−リピート アラインメント方
   法におけるアラインメントの正確さが、大きく改
   善されまたある種の極めて特定の基準に合致する
   染料と組合せたフオトレジスト系を使用すること
   によつて大きく改善されかつ促進できることは従
   来示唆されていなかつた。また以下に記述される
   ある種のほかの利点が前記染料と組合せた前記フ
   オトレジスト系から発生することも今まで示唆さ
   れていなかつた。本発明の要約 本発明の目的はステツパー方法による多重レベ
   ルフオトレジストイメージの製造のための改善さ
   れた方法を提供することにある。 また本発明の目的はフオトレジストイメージの
   引続くレベルがVLSI回路構成の製作において一
   つの上に別のイメージを重ねる（二重焼付けす
   る）ことができることの容易さと正確さを改善す
   ることにある。 また本発明の目的はイメージを支持する基体の
   不規則もしくはゆがみに関係なく、おたがいに重
   ね合される、フオトレジストイメージ次に続くレ
   ベル（即ち層）を正確に合わせる方法を提供する
   ことにある。 本発明の別の目的は基体上のフオトレジスト層
   の平均厚さを前記層のイメージングに先立つて正
   確に測定する方法を提供することにある。 本発明のなお別の目的は露出されかつ現在され
   たイメージの臨界的な寸法を測定する時の正確さ
   を改善することである。 本発明のなお別の目的は新規なフオトレジスト
   組成物を提供することにある。 これらの目的、及びあとに続く記述から明らか
   になるほかの目的は、本発明の方法及び組成物に
   よつてなし遂げられる。それ故、一面において、
   本発明は、フオトレジストが感光しない光を用い
   て、ステツパー方法におけるシリコンウエハ又は
   同様な基体上の多重レベルVLSI回路構成の第一
   のレベルに、フオトレジスト系及びそれに続くエ
   ツチング、イオン注入法ドーピング及び同様な諸
   工程（以後“パターン・ジエネレーシヨン”と称
   する）を用いて、生成した個々のイメージの各々
   に組み込まれた合せマーカーをはつきり検出可能
   とする手段に関する。それで、この手段によつて
   イメージの第一のレベル上に正確に重ね合せ（二
   重焼付け）されるべきイメージの第二及び任意の
   それに続くレベルを製作するために適当なレチク
   ルを通じて投影されるべきイメージを正確に合わ
   せることが可能である。かくして、第一のレベル
   における合せマーカーのものに正確に該当するパ
   ターン中にウインドウ又は同様な手段を以て、第
   二の及び任意のあとに続くレベルのイメージ化に
   使用されたレチクルを用意することによつて、第
   二の又は任意のあとに続くレベルにおける各イメ
   ージの投影に先立つて、レチクルによつて投影さ
   れるべきイメージにおいてウインドウと前記マー
   カーを正確に整合させることが可能である。アラ
   インメント方法はフオトイメージング方法に用い
   た投影系統に使用したレンズを通じた観察によつ
   て手動で行なうことができ又は適当な自動光学検
   出装置を用いて行なうことができる。一般的にい
   うならば、後者の装置はレクチルの窓を経てそこ
   へ透過した後のマーカーから反射された光線のス
   ペクトル分析を含む。かねて分析に使用されたア
   ラインメントピークの鋭さの欠落と低い強度はイ
   メージのアラインメントの正確に合わせるために
   ピークを同定しまた集中することを困難にするこ
   とがわかつた。いまや本発明に従うフオトレジス
   ト層又は本発明の層への染料の添加はこれらの困
   難に打ち勝ち特有のアラインメントピークをその
   増大した鋭さと強度の理由で同定することを容易
   にすることが思いがけなく見出された。 上述しなような種々のレベルのフオトイメージ
   のアラインメントマーカーを検出可能にするため
   に使用される手段はさまざまの形を取りうる。好
   ましい実施態様において種々のレベルのイメージ
   を与えるために使用されたフオトレジストは以下
   に詳細に討議される多数の非常に特殊の基準を満
   足させる染料をその中に混合してきた。いつそう
   少ない好ましい実施態様においてフオトレジスト
   の層はその上に、イメージ形成に先立つて、染料
   の適当な溶媒の溶液をコーテイングすることによ
   つて有利に染料の層を塗皮した。さらに別の、然
   しいつそう少ない好ましい実施態様において、染
   料は現像液の溶液中に染料を混合することによつ
   て後者の現像中にイメージに適用される。 上述の工程を実行することにおいて先行技術で
   知られておりまた利用できるなどのフオトレジス
   ト系も陰性及び陽性の両方の作用を含むフオトレ
   ジストを使用することができる。然しながら、本
   発明の工程は陽性のフオトレジストと共に用いら
   れるとき特に有利である。 ステツパー方法によるVLSI回路構成を形成す
   ることの技術に使用される操作工程及び装置は先
   行技術（前記ダグラス、及び前記レーバツク参
   照）においてよく知られており、簡略化の意味で
   ここでは詳しく述べない。新規な手段又は、ここ
   に記述された大いに望ましい結果を達成するため
   に、これらの既知の工程に導入された手段は、フ
   オトレジスト組成物が感光しない光を用いて、第
   一のレベルに作られたフオトレジストイメージの
   各々の部分を形成するアラインメントマーカーを
   はつきりと検出可能にする手段を含む。先行技術
   に現在用いられている手順に通常使用されている
   ほかの中に変形も、例えば単一レベルの全体のパ
   ターン中に異なる個々のイメージを作るための２
   個又はそれ以上の異なる網目の使用は、本発明の
   方法を実施するめに使用することができる。
   VLSI回路構成を作ることに前に使用されたどの
   基体も本発明の改善されたステツパー工程に使用
   することができる。実例となる基体はその表面が
   酸化物、窒化物、リン化物、金属フイルムなどを
   形成するように処理されたシリコンウエハであ
   る。本発明の詳細な記述 本発明の修正ステツパー工程に使用される染料
   は所望の結果を達成するために適当に作用するた
   めに多数の基準を満足させなければならない。お
   もなかつ臨界的な必要条件は染料そフオトレジス
   ト系の最大吸収ピークの間に本質的に重なりが全
   くないということである。たいていのフオトレジ
   スト系は約250乃至450ナノメータの範囲の波長を
   有する光化学光線によつて活性化されるように処
   方たれているから、これらの系と共に使用される
   染料は後者の範囲の放射線を吸収してはならな
   く、また好ましくはフオトレジストが感光する波
   長より少なくとも約50ナノメータ高い波長の放射
   線のみを吸収すべきである。そのような染料はそ
   の時フオトレジスト自身が感光しないで光の目で
   見えるようにされうる。 本発明に使用される染料に対するその上の必要
   条件は、少なくとも未露光のフオトレジストに混
   合、又はその上に塗被されるとき、フオトレジス
   トを活性化するために使用された放射線に対し透
   明であるということである。すぬわち、染料はフ
   オトレジストのイメージ形成に用いられる放射線
   は実質上吸収してはならない。 特に染料がフオトレジスト系に直接に混合され
   るか又はコーテイングとしてその上に適用される
   場合のまだ別の必要条件は、染料はフオトレジス
   トに使用される溶媒系にほどよく溶解するか混和
   できなければならなく、またフオトレジストのほ
   かの成分と相溶されなければならない、すなわち
   フオトレジストのその後の性能の質に影響する固
   体分離物等を生じてはならないことである。この
   考慮すべき事柄は染料がフオトレジスト系に添加
   され、それから最終の使用の前に長期間貯蔵され
   る場合に特に重要である。 フオトレジストとともに使用された染料がフオ
   トレジスト系に使用された光増感剤の分解速度に
   影響しないことは大いに望ましい。分解速度のど
   んな実質的な変化もフオトレジスト系の望ましい
   性能に重大に影響する。 染料は基体に対するフオトレジストイメージの
   密着性を妨害してはならない。最後に感知される
   ほどの程度まで又はイメージの現像中に有害な影
   響するまで染料はフオトレジストイメージから浸
   み出ないことは明らかに望ましい。 上記の基準を満足させる制限はされない染料の
   例示は ローダミンＢベース及び溶媒に可溶な塩 ベーシツクフクシン サンドアセトソルフアイアレツド3G1 スルホローダミンB6 スルホローダミンＢである。 本発明の改良方法を実施するのに必要な程度ま
   でアラインメントマーカーを目に見えるようにす
   るためにフオトレジストイメージ中に添加するの
   に必要な、染料の量、すなわち重量部で表示する
   濃度は用いる染料に依存して明らかに変わる。一
   般に、所定のどんな場合にも必要な染料の最低量
   は約0.05より小さくないフオトレジストイメージ
   の光学密度を作るであろう量であることが見出さ
   れた。使用される染料の好ましい量は約0.10より
   小さくない、特に好ましくは約0.11より小さくな
   い光学密度を与えるようなん量である。光学密度
   （Ｅ）は 式 Ｅ＝logI₀／Ｉによつて定義され、式中I₀は入射 光の強度でＩは透過（又は反射）光の強度である
   〔例えば、Venkataraman（ベンカタラマン）、合
   成染料の化学、１−巻、310頁、アカデミツクプ
   レス、ニユーヨーク、1952参照〕。フオトレジス
   ト系中の重量割合で表現された上記オーダーの光
   学密度を達成するために必要な染料の量は0.01重
   量％の小量から、約１重量％あるいはそれ以上の
   多量まで又は考慮下の特定の染料に大いに依存し
   て変りうる。 上述の修正ステツパー方法に加えて、本発明は
   またフオトレジスト組成物を提供する。その多く
   は新規であると信じられるが、それらは上述の基
   準のすべてを満足させ、かつ組成物から作られた
   イメージ中に少なくとも約0.05、好ましくは少な
   くとも約0.10の光学密度Ｅを与えるのに十分な量
   で染料を存在させることを特徴とする。 上述の修正ステツパー方法における使用に加え
   て、これらの組成物は品質管理及びそれが感光す
   る放射線に後者を照射することなしにフオトレジ
   スト層についてほかの手順を実行することが望ま
   しい事態において使用されうる。さまざまのその
   ような事態は当技術に精通している者にとつて明
   白であろう。実施的に、フオトレジスト組成物中
   の染料の存在はフオトイメージング方法が実施さ
   れる前又は照射及び現像後基体に適用後組成物の
   層の厚さに対する日常の検査を可能にする。だか
   ら、染料の最大吸収の近くフオトレジストが感光
   する波長の範囲外で放射線にフイルムを照射する
   ことによつて、損傷又はフオトレジストの最終性
   能に別なふうに影響することなしに標準手順を用
   いて論議中の層の正確な厚さを正確に測定するこ
   と及び平均の厚さを測定することが可能である。
   その中に染料が混合されたフオトレジスト層の厚
   さを測定するために使用されうる実施となる測定
   システムは、ナノメリツクス社から商品名
   NANOSPEC／AFTモデル010−0180のもとに入
   手することができる。ナノメトリツクス社から入
   社できるNanolineもCD（臨界寸法）測定によ
   つてフオトレジスト層の現像後感光速度を測定す
   るために使用できる。これらのCD測定は本発明
   の染色されたフオトレジストを用いることによつ
   て強められる。本発明に従つてフオトレジスト系
   内の染料の存在はまた水又は同様の基質の表面が
   フオトレジストの層で被覆されたことを検査する
   ための容易な手段を提供する。被覆された水又は
   ほかの基質の染料は吸収するがフオトレジストは
   感光されない波長の放射線に対する瞬間の照射は
   被覆された側を確認するのに役立つ。 当技術に精通している者に明らかであるよう
   に、本発明の方法によつて作られる混合された染
   料をもつたフオトレジストは線の鮮明度、像の完
   全及びほかの特徴を検査するために目に見える手
   段によつて容易に検査することができるという付
   加的な利点を持つている。 それゆえそのさまざまの面において、本発明は
   VLSI回路構成の製作に現在使用されているフオ
   トレジストイメージング工程に意義のある進歩を
   表わし、また上記の技術に使用された多重レベル
   フオイトメージング方法はイメージのミスアレン
   ジメントによる厄介な問題の除去又は実質的な減
   少に寄与することがわかるであろう。 以下の実施例は本発明の方法と組成物及びその
   ことを実施するために発明者に現在知られている
   最善の知られている態様を説明するが限定するも
   のとして解釈されるべきではない。例 １（実施例） フオトレジスト組成物(A)は0.1重量部のローダ
   ミンＢ塩基を１−メトキシ−２−アセトキシプロ
   パン、酢酸塩及びキシレンの混合物71.45重量部
   中に溶解して調整した。この溶液に22.5重量部の
   ノボラツク樹脂と5.8重量部のトリヒドロキシベ
   ンゾフエノンの２−ジアザ−１−オキシ−ナフト
   キノン−５−スルホン酸エステルを添加した。生
   成した溶液は559ナノメータで0.110の光学密度Ｅ
   を示した。 第二のフオトレジスト組成物(B)はローダミンＢ
   塩基の割合が0.2重量部に増大されたことを除い
   て正確に同じ成分と割合を用いて調製した。その
   結果生成した溶液は559ナノメータで0.236の光学
   密度Ｅを示した。 第三のフオトレジスト組成物(C)はローダミンＢ
   塩基の割合が0.5重量部に増大されたことを除い
   て正確に同じ成分と割合を使用して調製した。そ
   の結果生じた溶液は559ナノメータで0.992の光学
   密度Ｅを示した。 第四のフオトレジスト組成物(D)はローダミンＢ
   塩基の割合が1.0重量部に増大されたことを除い
   て正確に同じ成分と割合を使用して調製した。そ
   の結果生成した溶液は559ナノメータで0.431の光
   学密度Ｅを示した。例 ２（実施例） 実施例１に記述したように調製した組成物Ｂは
   ウルトラテコ（Ultratecko）1000ステツパーを
   使用してシリンコンウエハ上にコンプリメンタリ
   金属酸化物半導体（CMOS）デバイスを組み立
   てることにおいてフオトレジスト組成物として使
   用した。第一レベルのフオトレジストイメージが
   フオトマスクに組み込まれたアラインメントマー
   カーの対称パターンを有する網目を使用してウエ
   ハ上に作られる。このレベルの陽性イメージはア
   ルカリ性の現像液を用いて現像され次いでプラズ
   マ蝕刻されそしてフオトレジストイメージは有機
   溶媒を使用して取り除いた。その結果生じるウエ
   ハは基体上に組成物Ｂの層で被覆され、続いて蝕
   刻されたレベルのイメージのアラインメントマー
   カーに相当するウインドウの対称パターンのその
   中に組み込んだレチクルを用いることによつて蝕
   刻されたレベルで対応するイメージ上に正確に重
   ね合せ（二重焼付け）される個々のイメージのお
   のおの後続のパターンのイメージが、ステツパー
   工程を用いて、続行された。投影されるべき各イ
   メージのアラインメントは、光化学作用をもつ放
   射線に対するフオトレジストの照射に先立つて、
   レチクルの窓を通して約544ナノメータの波長の
   光を投影しそして蝕刻されたウエハのアラインメ
   ントマーカーから反射された放射線からの信号の
   ピークがレクチルから投影されたイメージの窓が
   相当するアラインメントマーカーによつて正確に
   記入されることを示すまでウエハの位置を調整す
   ることによつて成し遂げられる。基体上に組成物
   Ｂのさらなるコーテイングを適用すること及びイ
   メージのさらなるパターンを作るためにアライン
   メントとイメージ形成手順を繰返すことという工
   程は最終ウエハを得るまで多数回繰返される。 “ノイズ”すぬわち所望のアラインメント信号
   による干渉の減少は比較実施例３と比較して観察
   された。一つの鋭いアラインメントピークは容易
   に検出されることが観察された。例 ３（比較例） いかなる染料もなしに実施例１のフオトレジス
   ト組成物が実施例２の方法に従つて使用された。
   ステツパーのセンシングデバイスは所望のアライ
   ンメントピークを見つけることを困難にさせる二
   本の不十分に限界を決められたピークを示した。
   また、かなりの干渉すなわち“ノイズ”はアライ
   ンメントの示度も一層困難にすることが観察され
   た。例 ４（実施例） 実施例１に記述したように調製した組成物Ｃは
   実施２の方法に従つて使用された。“ノイズ”の
   減少が再び観察された。単一の、よく限界か決め
   られたアラインメントピークが容易に観察され
   た。例 ５（実施例） 実施例１の組成物ＡがNanolineを用いて
   CD／測定（臨界寸法）によつて感光速度を測定
   するために使用された。示度はその中に染料を混
   合してない全く同じフオトレジストを用いる手順
   に比べて検出容易であつた。