JPH01169926A - アライメント方法 - Google Patents
アライメント方法Info
- Publication number
- JPH01169926A JPH01169926A JP62328250A JP32825087A JPH01169926A JP H01169926 A JPH01169926 A JP H01169926A JP 62328250 A JP62328250 A JP 62328250A JP 32825087 A JP32825087 A JP 32825087A JP H01169926 A JPH01169926 A JP H01169926A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- resist
- light
- reflected
- compound
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
半導体装置のリソグラフィ工程に用いられ、フォトレジ
ストが塗布された半導体装置上の位置決めマーク部にア
ライメント光を照射して走査し、フォトレジストの表面
およびフォトレジストとマーク部との境界面によってそ
れぞれ反射されたアライメント光の反射光の合成強度に
基づいて位置決めを行うアライメント方法に関する。
ストが塗布された半導体装置上の位置決めマーク部にア
ライメント光を照射して走査し、フォトレジストの表面
およびフォトレジストとマーク部との境界面によってそ
れぞれ反射されたアライメント光の反射光の合成強度に
基づいて位置決めを行うアライメント方法に関する。
（従来の技術）
従来、感光性樹脂組成物（フォトレジスト）は、露光過
程での下地基板からの反射光を抑えることを目的として
、露光波長に吸光特性を有する色素等を添加して使用す
ることがあるが、アライメント光の波長に対しては、む
しろ吸光特性を有しない透明性の良い樹脂組成物が選択
使用されている。
程での下地基板からの反射光を抑えることを目的として
、露光波長に吸光特性を有する色素等を添加して使用す
ることがあるが、アライメント光の波長に対しては、む
しろ吸光特性を有しない透明性の良い樹脂組成物が選択
使用されている。
（発明が解決しようとする問題点）
アルミニウム層２０上にレジスト層１０が積層された基
板にアライメント光を照射した場合のアライメント光の
反射の様子を第９図に示す。
板にアライメント光を照射した場合のアライメント光の
反射の様子を第９図に示す。
第９図において、アライメント光がレジスト層１０に照
射されるとレジスト層１０の表面で一部は反射されて反
射光ＬＡとなるが、残りはレジスト層１０を透過し、レ
ジスト層１０とアルミニウム層２０の境界面で反射され
てレジスト層１０を透過し、再び空中に出てくる。アラ
イメント光の強度を１゜、レジスト層１０の表面におけ
る反射率をａルジスト層１０の透過率をｔルジスト層１
０とアルミニウム層２０の境界面における反射率をｂと
すると、レジスト層１０の表面で反射される反射光ＬＡ
はａＩｏとなり、レジスト層１０を透過し、アルミニウ
ム層２０との境界面で反射されて再びレジスト層１０を
透過して空中に出てくる反射光Ｌ の強度Ｉ はｂｔ”
Ｉ となり Ｂ Ｏる
。したがって、レジスト層１０の表面において反射され
る反射光ＬＡと境界面で反射されて空中に出てくる反射
光ＬＢの合成強度Ｉは次の（１）式％式％ ここで、θ１は反射光ＬＡのレジスト層１ｏの表面にお
ける位相であり、θ２は反射光ＬＢのレジスト層１０の
表面における位相を示す。
射されるとレジスト層１０の表面で一部は反射されて反
射光ＬＡとなるが、残りはレジスト層１０を透過し、レ
ジスト層１０とアルミニウム層２０の境界面で反射され
てレジスト層１０を透過し、再び空中に出てくる。アラ
イメント光の強度を１゜、レジスト層１０の表面におけ
る反射率をａルジスト層１０の透過率をｔルジスト層１
０とアルミニウム層２０の境界面における反射率をｂと
すると、レジスト層１０の表面で反射される反射光ＬＡ
はａＩｏとなり、レジスト層１０を透過し、アルミニウ
ム層２０との境界面で反射されて再びレジスト層１０を
透過して空中に出てくる反射光Ｌ の強度Ｉ はｂｔ”
Ｉ となり Ｂ Ｏる
。したがって、レジスト層１０の表面において反射され
る反射光ＬＡと境界面で反射されて空中に出てくる反射
光ＬＢの合成強度Ｉは次の（１）式％式％ ここで、θ１は反射光ＬＡのレジスト層１ｏの表面にお
ける位相であり、θ２は反射光ＬＢのレジスト層１０の
表面における位相を示す。
そして、これらの反射光ＬＡおよびＬ８の合成強度Ｉに
基づいて位置決めが行われる。一方、レジスト層１０の
膜厚は位相差θ１−θ２とリニアの関係にあるから、レ
ジスト層１０の膜厚に対する反射光ＬＡおよびＬＢの合
成強度Ｉは第１０図に示す正弦曲線で与えられる。すな
わち、平均値がＩ （ａ＋ｂｔ２）で片振幅が２ｔ、
Ｊａｂの正弦曲線となる。そして合成強度Ｉの最大値ｌ
１Ｉｌａｘおよび最少値’ ｌ１ｌｉｎはそれぞれ次の
（２）式および（３）式で与えられる。
基づいて位置決めが行われる。一方、レジスト層１０の
膜厚は位相差θ１−θ２とリニアの関係にあるから、レ
ジスト層１０の膜厚に対する反射光ＬＡおよびＬＢの合
成強度Ｉは第１０図に示す正弦曲線で与えられる。すな
わち、平均値がＩ （ａ＋ｂｔ２）で片振幅が２ｔ、
Ｊａｂの正弦曲線となる。そして合成強度Ｉの最大値ｌ
１Ｉｌａｘおよび最少値’ ｌ１ｌｉｎはそれぞれ次の
（２）式および（３）式で与えられる。
ｒ −１（Ｊａ＋ｔＪｂ）” −−−−・・（
２）ｌ１ａｘ０ １ −Ｉ （Ｊａ−ｔｕｂ）２ 町・（３）ｍｉｎ
Ｏ したがって、アライメントのマーク部がアルミニウムの
ような反射率の大きな材料によって形成されている場合
の方が反射率の小さな材料によって形成されている場合
に比べて、反射光ＬＡおよびＬＢの合成強度ｌの全振幅
４ｔＪａ−ｂが大きくなり、これによりレジスト層１ｏ
の膜厚の微小変化に対して合成強度が大き、く変化する
ことになる。例えば、第６図（ａ）に示すようにアルミ
ニウム層２０に形成されたマーク３ｏの形状が一部フラ
ットで正常に見えても、その上に形成されたレジスト層
１０の膜厚は微小に変化している。このため、第６図（
ａ）に示す幅寸法Ｗが４μｍのマーク３０にビーム幅が
例えば２．５μｍのアライメント光を照射して左から右
にスキャニングを行うと、レジスト層１ｏの膜厚は第７
図（ａ）に示す形状を有しており、レジスト層１０の表
面、およびレジスト層１０とアルミニウム層２０との境
界面によってそれぞれ反射された反射光の合成強度は、
第８図（ａ）に示すような歪を有するアライメント波形
となる。第６図（ｂ）に片側に傾斜が生じた場合のマー
ク３１の断面形状を示し、第６図（Ｃ）に一部に欠陥が
ある場合のマーク３２の断面形状を示す。
２）ｌ１ａｘ０ １ −Ｉ （Ｊａ−ｔｕｂ）２ 町・（３）ｍｉｎ
Ｏ したがって、アライメントのマーク部がアルミニウムの
ような反射率の大きな材料によって形成されている場合
の方が反射率の小さな材料によって形成されている場合
に比べて、反射光ＬＡおよびＬＢの合成強度ｌの全振幅
４ｔＪａ−ｂが大きくなり、これによりレジスト層１ｏ
の膜厚の微小変化に対して合成強度が大き、く変化する
ことになる。例えば、第６図（ａ）に示すようにアルミ
ニウム層２０に形成されたマーク３ｏの形状が一部フラ
ットで正常に見えても、その上に形成されたレジスト層
１０の膜厚は微小に変化している。このため、第６図（
ａ）に示す幅寸法Ｗが４μｍのマーク３０にビーム幅が
例えば２．５μｍのアライメント光を照射して左から右
にスキャニングを行うと、レジスト層１ｏの膜厚は第７
図（ａ）に示す形状を有しており、レジスト層１０の表
面、およびレジスト層１０とアルミニウム層２０との境
界面によってそれぞれ反射された反射光の合成強度は、
第８図（ａ）に示すような歪を有するアライメント波形
となる。第６図（ｂ）に片側に傾斜が生じた場合のマー
ク３１の断面形状を示し、第６図（Ｃ）に一部に欠陥が
ある場合のマーク３２の断面形状を示す。
このようなマーク３１および３２に対してアライメント
を行うと、マーク３１および３２上に形成されたレジス
ト膜の膜厚の形状は、それぞれ第７図（ｂ）および（ｃ
）に示す形状を有しており前述したと同様の理由から、
マーク３１および３２のアライメント波形は第８図（ｂ
）および（Ｃ）に示すような歪を有するアライメント波
形となる。
を行うと、マーク３１および３２上に形成されたレジス
ト膜の膜厚の形状は、それぞれ第７図（ｂ）および（ｃ
）に示す形状を有しており前述したと同様の理由から、
マーク３１および３２のアライメント波形は第８図（ｂ
）および（Ｃ）に示すような歪を有するアライメント波
形となる。
このような歪を有するアライメント波形を処理すること
によって得られるアライメント位置は、マークの真の中
心に対してずれを生じゃすく、またマークの検出再現性
も悪くなるという問題があった。
によって得られるアライメント位置は、マークの真の中
心に対してずれを生じゃすく、またマークの検出再現性
も悪くなるという問題があった。
本発明は、アライメント精度の向上を計ることのできる
アライメント方法を提供することを目的とする。
アライメント方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、半導体装置のリソグラフィ工程に用いられ、
レジストが塗布された半導体装置上の位置決めマーク部
にアライメント光を照射して、レジストの表面およびレ
ジストとマーク部との境界面によってそれぞれ反射され
たアライメント光の反射光の合成強度に基づいて位置決
めを行うアライメント方法において、レジストとして、
アライメント光の波長帯域に顕著な吸光特性を有する化
学物質が添加されているものを用いることを特徴とする
。
レジストが塗布された半導体装置上の位置決めマーク部
にアライメント光を照射して、レジストの表面およびレ
ジストとマーク部との境界面によってそれぞれ反射され
たアライメント光の反射光の合成強度に基づいて位置決
めを行うアライメント方法において、レジストとして、
アライメント光の波長帯域に顕著な吸光特性を有する化
学物質が添加されているものを用いることを特徴とする
。
（作 用）
このように構成された本発明によるアライメント方法に
よれば、レジストにアライメント光の波長帯域に顕著な
吸光特性を有する化学物質が添加されることにより、レ
ジストとマーク部との境界面によって反射されるアライ
メント光の反射光の強度が低下する。これにより反射光
の合成強度の最大値と最小値との差が従来の場合に比べ
て減少し、レジストの膜厚の微小変化に対して反射光の
合成強度は大きく変化せず、歪のない安定したアライメ
ント波形を得ることができる。
よれば、レジストにアライメント光の波長帯域に顕著な
吸光特性を有する化学物質が添加されることにより、レ
ジストとマーク部との境界面によって反射されるアライ
メント光の反射光の強度が低下する。これにより反射光
の合成強度の最大値と最小値との差が従来の場合に比べ
て減少し、レジストの膜厚の微小変化に対して反射光の
合成強度は大きく変化せず、歪のない安定したアライメ
ント波形を得ることができる。
以上により本発明のアライメント方法によればアライメ
ント精度の向上を計ることができる。
ント精度の向上を計ることができる。
（実施例）
本発明の一実施例をアライメント光にＨｅ−Ｎｅレーザ
（λ−６３３ｎｍ）を使用し、商品名が０ＦＰＲ８００
（製造者；東京応化工業Ｈ） （７）レジストに商品名
がＭａｌａｃｈｌｌｅ ｇｒｅｅｎ （製造者；保止
ケ谷化学工業）の吸光剤を添加した場合について説明す
る。Ｍａｌａｃｈｉｌｅ ｇｒｅｅｎが添加されたレジ
スト（ＯＦＰＲ８００）の吸光特性を第３図に示す。第
３図から波長λが６３３ｎｍの近辺に吸光度のピークが
あり、Ｈｅ−Ｎｅレーザ（λ−６３３ｎｍ）を良く吸光
することがわかる。なお、Ｍａｌａｅｈｉｌｅ ｇｒｅ
ｅｎの分子構造式を参考までに第４図に示す。
（λ−６３３ｎｍ）を使用し、商品名が０ＦＰＲ８００
（製造者；東京応化工業Ｈ） （７）レジストに商品名
がＭａｌａｃｈｌｌｅ ｇｒｅｅｎ （製造者；保止
ケ谷化学工業）の吸光剤を添加した場合について説明す
る。Ｍａｌａｃｈｉｌｅ ｇｒｅｅｎが添加されたレジ
スト（ＯＦＰＲ８００）の吸光特性を第３図に示す。第
３図から波長λが６３３ｎｍの近辺に吸光度のピークが
あり、Ｈｅ−Ｎｅレーザ（λ−６３３ｎｍ）を良く吸光
することがわかる。なお、Ｍａｌａｅｈｉｌｅ ｇｒｅ
ｅｎの分子構造式を参考までに第４図に示す。
このようにアライメント光の波長帯域に顕著な吸光特性
を有する化学物質が添加されたレジストを用いて、第６
図（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）に示すマーク３０．３
１および３２に対してアライメントを行ったときのアラ
イメント波形をそれぞれ第５図（ａ）、（ｂ）、および
（ｃ）に示す。
を有する化学物質が添加されたレジストを用いて、第６
図（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）に示すマーク３０．３
１および３２に対してアライメントを行ったときのアラ
イメント波形をそれぞれ第５図（ａ）、（ｂ）、および
（ｃ）に示す。
第５図（ａ）、（ｂ）および（ｃ）かられかるように安
定したアライメント波長を得ることができる。これは、
アライメント光がレジストに添加された化学物質にか、
なり吸光されることによって、マーク部とレジストとの
境界面で反射される反射光の強度が低下し、レジストの
膜厚の微小変化に対する反射光の合成強度の急激な変化
が押えられることに起因しているものと考えられる。
定したアライメント波長を得ることができる。これは、
アライメント光がレジストに添加された化学物質にか、
なり吸光されることによって、マーク部とレジストとの
境界面で反射される反射光の強度が低下し、レジストの
膜厚の微小変化に対する反射光の合成強度の急激な変化
が押えられることに起因しているものと考えられる。
このようにして得られたアライメント波形を処理して得
られるアライメント位置の計１１結果の真の位置からの
ずれを第２図（ａ）のヒストグラムに示す。
られるアライメント位置の計１１結果の真の位置からの
ずれを第２図（ａ）のヒストグラムに示す。
このヒストグラムでは、計測されたアライメント位置の
個数ｎは４８個であって、横軸の階級区間幅を０．０５
μｍに取っである。このヒストグラムから、計７１１ｊ
されたアライメント位置のずれは、階級が、−０，０７
５〜−０，０２５μｍの区間に大部分が分布しているこ
とが分かる。なお、この時の計測結果の真の位置からの
ずれの平均値Ｘは−０，０５２μｍであって、バラツキ
の具合を示す値３σ（σは標準偏差を表す）は０．１１
１μｍであった。
個数ｎは４８個であって、横軸の階級区間幅を０．０５
μｍに取っである。このヒストグラムから、計７１１ｊ
されたアライメント位置のずれは、階級が、−０，０７
５〜−０，０２５μｍの区間に大部分が分布しているこ
とが分かる。なお、この時の計測結果の真の位置からの
ずれの平均値Ｘは−０，０５２μｍであって、バラツキ
の具合を示す値３σ（σは標準偏差を表す）は０．１１
１μｍであった。
レジスト（ＯＲＰＲ８００）に吸光剤Ｍａｌａｃｈｉ−
ｌｅ ｇｒｅｅｎを添加しないでアライメントを行った
ときのアライメント位置の計測結果の真の位置からのず
れを第２図（ｂ）のヒストグラムに示す。第２図（ｂ）
のヒストグラムにおいて、計測されたアライメント位置
の個数ｎは第２図（ａ）のヒストグラムと同様に４８個
であり、横軸の階級区間幅を０．０５μｍに取っである
。このヒストグラムから、計測されたアライメント位置
のずれは、かなり広範囲の階級に分布していることが分
かる。
ｌｅ ｇｒｅｅｎを添加しないでアライメントを行った
ときのアライメント位置の計測結果の真の位置からのず
れを第２図（ｂ）のヒストグラムに示す。第２図（ｂ）
のヒストグラムにおいて、計測されたアライメント位置
の個数ｎは第２図（ａ）のヒストグラムと同様に４８個
であり、横軸の階級区間幅を０．０５μｍに取っである
。このヒストグラムから、計測されたアライメント位置
のずれは、かなり広範囲の階級に分布していることが分
かる。
なお、この時の計測結果の真の位置からのずれの平均値
Ｘは−０，０４７μｍであって、バラツキの具合を示す
値３ｏは０．２７２μｍであった。
Ｘは−０，０４７μｍであって、バラツキの具合を示す
値３ｏは０．２７２μｍであった。
第２図（ａ）および（ｂ）に示す計測結果から、アライ
メント光（Ｈｅ−Ｎｅレーザ）の波長に対して優れた吸
光特性を有する吸光剤（Ｍａｌａｃｈｌｌｅｇｒｅｅｎ
）をレジスト（ＯＦＰＲ８００）に添加した場合の方
がバラツキの具合を示す値３σが小さくなり、精度の良
い位置決めを行うことができる。
メント光（Ｈｅ−Ｎｅレーザ）の波長に対して優れた吸
光特性を有する吸光剤（Ｍａｌａｃｈｌｌｅｇｒｅｅｎ
）をレジスト（ＯＦＰＲ８００）に添加した場合の方
がバラツキの具合を示す値３σが小さくなり、精度の良
い位置決めを行うことができる。
レジスト（ＯＦＰＲ８００）に添加する吸光剤（Ｍａｌ
ａｃｈｉｌｅ ｇｒｅｅｎ ）の濃度を０％、４％、６
％、８％、および１０％と変えたときの、計測されたア
ライメント位置の真の位置からのずれのバラツキの具合
を示す値３σの変化を第１図に示す。第１図から吸光剤
の濃度が増すにつれて３σの値が小さくなっていること
が分かる。なお、第２図（ａ）の計測結果は、添加され
た吸光剤（Ｈａ ｌ ａ−ｃｈｉｌｅ ｇｒｅｅｎ ）
の濃度が１０％の場合である。
ａｃｈｉｌｅ ｇｒｅｅｎ ）の濃度を０％、４％、６
％、８％、および１０％と変えたときの、計測されたア
ライメント位置の真の位置からのずれのバラツキの具合
を示す値３σの変化を第１図に示す。第１図から吸光剤
の濃度が増すにつれて３σの値が小さくなっていること
が分かる。なお、第２図（ａ）の計測結果は、添加され
た吸光剤（Ｈａ ｌ ａ−ｃｈｉｌｅ ｇｒｅｅｎ ）
の濃度が１０％の場合である。
以上により、本実施例によれば、アライメント光の波長
に対して優れた吸光特性を有する添加剤（Ｍａｌａｃｈ
ｌｌｅ ｇｒｅｅｎ ）をレジスト（ＯＦＰＲ８００）
に添加することによりアライメント度の向上を計ること
ができる。
に対して優れた吸光特性を有する添加剤（Ｍａｌａｃｈ
ｌｌｅ ｇｒｅｅｎ ）をレジスト（ＯＦＰＲ８００）
に添加することによりアライメント度の向上を計ること
ができる。
なお、上記実施例においては、アライメント光がＨｅ−
Ｎｅレーザ（λ−６３３ｎｍ）を用いたため添加剤とし
てＭａｌａｃｈｉｌｅ ｇｒｅｅｎを使用したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、使用するアライメ
ント光の波長に応じた添加剤を使用すれば同様の効果を
得ることができる。また、Ｈｅ−Ｎｅレーザをアライメ
ント光に用いた場合、添加剤としてＭａｌａｃｈｉｌｅ
ｇｒｅｅｎの代りにスピロ化合物、ニトロ化合物、ア
ゾ化合物、キノン化合物、トリフェニルメタン化合物、
ジフェニルメタン化合物、ポリメチン化合物、またはア
クリジン化合物等を使用しても同様の効果を得ることが
できる。
Ｎｅレーザ（λ−６３３ｎｍ）を用いたため添加剤とし
てＭａｌａｃｈｉｌｅ ｇｒｅｅｎを使用したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、使用するアライメ
ント光の波長に応じた添加剤を使用すれば同様の効果を
得ることができる。また、Ｈｅ−Ｎｅレーザをアライメ
ント光に用いた場合、添加剤としてＭａｌａｃｈｉｌｅ
ｇｒｅｅｎの代りにスピロ化合物、ニトロ化合物、ア
ゾ化合物、キノン化合物、トリフェニルメタン化合物、
ジフェニルメタン化合物、ポリメチン化合物、またはア
クリジン化合物等を使用しても同様の効果を得ることが
できる。
本発明によればアライメント精度の向上を計ることがで
きる。
きる。
第１図はレジストに添加する吸光剤の濃度を変化させた
場合のアライメント位置の計測結果の真の位置からのず
れのバラツキの変化を示すグラフ、第２図はレジストに
吸光剤を添加した場合と添加しない場合のアライメント
位置の計測結果の真の位置からのずれを示すヒストグラ
ム、第３図は吸光剤（Ｍａｌａｃｈｌｌｃ ｇｒｅｅｎ
）の吸光特性を示すグラフ、第４図は吸光剤（Ｍａｌ
ａｅｈｆｌｅ ｇｒｅｅｎ ）の分子構造を示す模式図
、第５図は本発明によるアライメント方法を使用した場
合のアライメント波形を示すグラフ、第６図は、位置決
めマークの形状を示す断面図、第７図は、第６図に示す
マークのレジスト膜厚を示すグラフ、第８図は従来の方
法を用いた場合のアライメント波形を示すグラフ、第９
図はアルミニウムの膜上にレジスト層が形成された基板
にアライメント光を照射したときの反射の様子を示す図
、第１０図はレジスト膜厚に対するアライメント光の反
射光の合成強度の変化を示すグラフである。 １０・・・レジスト層、２０・・・アルミニウム層、３
０．３１．３２・・・マーク。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第１図 Ｍｏ１ｏｃｈｉｌｅ ｇｒｅｅｎ （製造者：保ｔ
ｈ８（ｅ’！工累Ｊ ’ｉ ４ Ｆｌｄ（アライメ
ン防向） （アライメントδ向） （アライメント５向） （アう
イ矛ント方向）第７図 （ｂ） （ｃ
）第８図
場合のアライメント位置の計測結果の真の位置からのず
れのバラツキの変化を示すグラフ、第２図はレジストに
吸光剤を添加した場合と添加しない場合のアライメント
位置の計測結果の真の位置からのずれを示すヒストグラ
ム、第３図は吸光剤（Ｍａｌａｃｈｌｌｃ ｇｒｅｅｎ
）の吸光特性を示すグラフ、第４図は吸光剤（Ｍａｌ
ａｅｈｆｌｅ ｇｒｅｅｎ ）の分子構造を示す模式図
、第５図は本発明によるアライメント方法を使用した場
合のアライメント波形を示すグラフ、第６図は、位置決
めマークの形状を示す断面図、第７図は、第６図に示す
マークのレジスト膜厚を示すグラフ、第８図は従来の方
法を用いた場合のアライメント波形を示すグラフ、第９
図はアルミニウムの膜上にレジスト層が形成された基板
にアライメント光を照射したときの反射の様子を示す図
、第１０図はレジスト膜厚に対するアライメント光の反
射光の合成強度の変化を示すグラフである。 １０・・・レジスト層、２０・・・アルミニウム層、３
０．３１．３２・・・マーク。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第１図 Ｍｏ１ｏｃｈｉｌｅ ｇｒｅｅｎ （製造者：保ｔ
ｈ８（ｅ’！工累Ｊ ’ｉ ４ Ｆｌｄ（アライメ
ン防向） （アライメントδ向） （アライメント５向） （アう
イ矛ント方向）第７図 （ｂ） （ｃ
）第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体装置のリソグラフィ工程に用いられ、レジス
トが塗布された前記半導体装置上の位置決めマーク部に
アライメント光を照射して、前記レジストの表面および
前記レジストと前記マーク部との境界面によってそれぞ
れ反射された前記アライメント光の反射光の合成強度に
基づいて位置決めを行うアライメント方法において、 前記レジストとして、前記アライメント光の波長帯域に
顕著な吸光特性を有する化学物質が添加されているもの
を用いることを特徴とするアライメント方法。 ２、前記アライメント光は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアライメ
ント方法。 ３、前記化学物質がスピロ化合物、アゾ化合物、トリフ
ェニルメタン化合物、キノン化合物、ジフェニルメタン
化合物、ポリメチン化合物、またはアクリジン化合物で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２
項記載のアライメント方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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