JPH0342658B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0342658B2 JPH0342658B2 JP60000136A JP13685A JPH0342658B2 JP H0342658 B2 JPH0342658 B2 JP H0342658B2 JP 60000136 A JP60000136 A JP 60000136A JP 13685 A JP13685 A JP 13685A JP H0342658 B2 JPH0342658 B2 JP H0342658B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- lmr
- resist
- monochlorobenzene
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体装置等の製造に際してのネ
ガ型レジストパターンの形成方法に関するもので
ある。
ガ型レジストパターンの形成方法に関するもので
ある。
（従来の技術）
半導体デバイスの高集積化に関する要求には近
年著しく厳しいものがあり、かかる要請に対して
特に微細加工としては電子線（EB）等によりレ
ジストパターンを形成し、イオン、プラズマ等を
用いたドライエツチングによりこれらを精度よく
基板に転写する方法が必要とされている。
年著しく厳しいものがあり、かかる要請に対して
特に微細加工としては電子線（EB）等によりレ
ジストパターンを形成し、イオン、プラズマ等を
用いたドライエツチングによりこれらを精度よく
基板に転写する方法が必要とされている。
ところでこのような微細加工用に用いられるレ
ジスト材料としては、当然高解像性及び高いドラ
イエツチング耐性が要求される。
ジスト材料としては、当然高解像性及び高いドラ
イエツチング耐性が要求される。
発明者等は、先にノボラツク樹脂のナフトキノ
ンジアジドスルホン酸エステル（以下LMRと云
う）をレジスト材料としその皮膜に高エネルギー
ビームを照射し、酢酸エステル又はアルキルケト
ンを含有する溶液で現像することによつて高解像
性で且つドライエツチング耐性の優れた微細レジ
ストパターンを形成し得る方法を提案し多大の成
果を収めた（特願昭58−19582号、特開昭59−
146047号公報参照）。
ンジアジドスルホン酸エステル（以下LMRと云
う）をレジスト材料としその皮膜に高エネルギー
ビームを照射し、酢酸エステル又はアルキルケト
ンを含有する溶液で現像することによつて高解像
性で且つドライエツチング耐性の優れた微細レジ
ストパターンを形成し得る方法を提案し多大の成
果を収めた（特願昭58−19582号、特開昭59−
146047号公報参照）。
即ちこの方法においては、電子線（EB）等の
高エネルギービームを用いれば矩形の良好な微細
パターンが得られ、又DeepUV光を用いればリフ
トオフに最適のオーバーハングを有する高解像性
のパターンを形成することができたのである。そ
してこの方法で用いる現像液は上述の如く酢酸エ
ステル、アルキルケトン及びシクロヘキサノンを
主体とする溶液であつた。
高エネルギービームを用いれば矩形の良好な微細
パターンが得られ、又DeepUV光を用いればリフ
トオフに最適のオーバーハングを有する高解像性
のパターンを形成することができたのである。そ
してこの方法で用いる現像液は上述の如く酢酸エ
ステル、アルキルケトン及びシクロヘキサノンを
主体とする溶液であつた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上記の現像液では、仮りに多層構
成における下地をレジストとする多層レジストに
あつては現像時に該下地レジストが溶解し、良好
なパターニング形成を妨げる他の問題が免がれな
かつた。
成における下地をレジストとする多層レジストに
あつては現像時に該下地レジストが溶解し、良好
なパターニング形成を妨げる他の問題が免がれな
かつた。
（問題点を解決するための手段）
ここに本発明者等はかかる問題を解決すべく鋭
意研究を行つた結果、上述のLMRをレジストと
するパターニングにおいて、特に該LMRを上層
としその他のフオトレジスト等を下層とする多層
レジストにおける該下層レジストを何等損なうこ
となくLMRの良好なパターニングを可能ならし
める感度の高い現像液を見出したのである。
意研究を行つた結果、上述のLMRをレジストと
するパターニングにおいて、特に該LMRを上層
としその他のフオトレジスト等を下層とする多層
レジストにおける該下層レジストを何等損なうこ
となくLMRの良好なパターニングを可能ならし
める感度の高い現像液を見出したのである。
即ち本発明は、基板上に、ノボラツク樹脂のナ
フトキノンジアジドスルフオン酸エステルによる
皮膜を形成し、電離放射線の選択的照射によりパ
ターンを露光し、未露光部をモノクロルベンゼン
を50％以上含む溶液で現像することを特徴とする
ネガ型レジストパターンの形成方法である。
フトキノンジアジドスルフオン酸エステルによる
皮膜を形成し、電離放射線の選択的照射によりパ
ターンを露光し、未露光部をモノクロルベンゼン
を50％以上含む溶液で現像することを特徴とする
ネガ型レジストパターンの形成方法である。
本発明は上述のように現像液としてモノクロル
ベンゼン溶液を用いたことに特徴があるが、他に
イソプロピルアルコール、シクロヘキサン等との
混合溶液であつても良い。この場合に上記モノク
ロルベンゼンが少なくとも50℃以上含有されてい
ることが必要であり、この量以下ではこの発明の
目的が充分に得られない。
ベンゼン溶液を用いたことに特徴があるが、他に
イソプロピルアルコール、シクロヘキサン等との
混合溶液であつても良い。この場合に上記モノク
ロルベンゼンが少なくとも50℃以上含有されてい
ることが必要であり、この量以下ではこの発明の
目的が充分に得られない。
（作用）
この発明においては、上記現像液のモノクロル
ベンゼンが、高感度及高解像性を有し、しかも下
地レジストの無用の損傷を防止する作用をするの
である。
ベンゼンが、高感度及高解像性を有し、しかも下
地レジストの無用の損傷を防止する作用をするの
である。
（実施例）
以下実施例によりこの発明を具体的に説明す
る。
る。
実施例 １
LMRをSi基板上に0.5μm厚にてコーテイング
し、これを80℃で20分ベーキングを行つた。然る
後、20KVの電子線を用い30μc／cm2のドーズ量で
パターンを描画し、次に体積比10／２のモノクロ
ルベンゼン及びシクロヘキサンの溶液を用い23℃
で30秒間現像したところ0.3μmのラインアンドス
ペースのネガのパターンが解像された。
し、これを80℃で20分ベーキングを行つた。然る
後、20KVの電子線を用い30μc／cm2のドーズ量で
パターンを描画し、次に体積比10／２のモノクロ
ルベンゼン及びシクロヘキサンの溶液を用い23℃
で30秒間現像したところ0.3μmのラインアンドス
ペースのネガのパターンが解像された。
実施例 ２
実施例１と同様にSi基板上にLMRの皮膜形成
を行ない、遠紫外線にて40mJ／cm2のドーズ量で
コンタクト露光を行つた。然る後、実施例１と同
様に現像を行つたところ0.5μmのラインアンドス
ペースのネガパターンが得られた。走査型電子顕
微鏡にて形成されたレジスト断面を観察したとこ
ろその断面には良好なオーバーハングが形成され
ていた。
を行ない、遠紫外線にて40mJ／cm2のドーズ量で
コンタクト露光を行つた。然る後、実施例１と同
様に現像を行つたところ0.5μmのラインアンドス
ペースのネガパターンが得られた。走査型電子顕
微鏡にて形成されたレジスト断面を観察したとこ
ろその断面には良好なオーバーハングが形成され
ていた。
上記LMRの遠紫外線での上記現像液による感
度特性を図に示した。同図によれば100％の残膜
率を与えるDose量は30mJ／cm2であつたが比較の
ために示した従来の例えば体積比10／２の酢酸イ
ソアミル及びシクロヘキサンの現像液に比べで著
しく高感度であることが判る。
度特性を図に示した。同図によれば100％の残膜
率を与えるDose量は30mJ／cm2であつたが比較の
ために示した従来の例えば体積比10／２の酢酸イ
ソアミル及びシクロヘキサンの現像液に比べで著
しく高感度であることが判る。
実施例 ３
Si基板上に、ポジ型フオトレジストであるAZ
−1350J（シツプレー社製）を1.0μm厚コーテイン
グし、80℃で20分ベーキングを行つた。このレジ
スト上に、モノクロルベンゼンに溶解したLMR
を0.5μm厚にコーテイングを行ない、80℃で20分
ベーキングした後、遠紫外線にて40mJ／cm2のド
ーズ量でコンタクト露光を行つた。然る後、体積
比10／３のモノクロルベンゼン及びイソプロピル
アルコールの混合溶液で23℃で20秒間現像した。
その結果0.5μmのラインアンドスペースでパター
ンが解像されており、しかも下層の上記AZ−
1350Jには全く損傷が生じていなかつた。
−1350J（シツプレー社製）を1.0μm厚コーテイン
グし、80℃で20分ベーキングを行つた。このレジ
スト上に、モノクロルベンゼンに溶解したLMR
を0.5μm厚にコーテイングを行ない、80℃で20分
ベーキングした後、遠紫外線にて40mJ／cm2のド
ーズ量でコンタクト露光を行つた。然る後、体積
比10／３のモノクロルベンゼン及びイソプロピル
アルコールの混合溶液で23℃で20秒間現像した。
その結果0.5μmのラインアンドスペースでパター
ンが解像されており、しかも下層の上記AZ−
1350Jには全く損傷が生じていなかつた。
実施例 ４
Si基板上に、DeepUVレジストであるODUR−
1014（東京応化社製）を0.7μm厚でコーテイング
し120℃で20分ベーキングを行つた。このレジス
ト上にLMRを0.4μm厚にコーテイングし80℃で
20分ベーキングした後、遠紫外線にて30mJ／cm2
のドーズ量でコンタクト露光を行つた。然る後、
実施例１と同様の現像液で23℃で20秒間現像した
ところ、0.5μmのラインアンドスペースのLMR
のパターンが解像された。下層の上記ODUR−
1014層には現像による影響は全く発生していなか
つた。
1014（東京応化社製）を0.7μm厚でコーテイング
し120℃で20分ベーキングを行つた。このレジス
ト上にLMRを0.4μm厚にコーテイングし80℃で
20分ベーキングした後、遠紫外線にて30mJ／cm2
のドーズ量でコンタクト露光を行つた。然る後、
実施例１と同様の現像液で23℃で20秒間現像した
ところ、0.5μmのラインアンドスペースのLMR
のパターンが解像された。下層の上記ODUR−
1014層には現像による影響は全く発生していなか
つた。
比較例
実施例３と全く同様にしてSi基板上のAZ−
1350J上に更にLMRをコーテイングし、同様に露
光を行つた。そして体積比10／２の酢酸イソアミ
ル及びシクロヘキサンの混合液で23℃で20秒間現
像したところ、下層のAZ−1350Jが溶解しそして
LMRのパターンが良好に形成できなかつた。
1350J上に更にLMRをコーテイングし、同様に露
光を行つた。そして体積比10／２の酢酸イソアミ
ル及びシクロヘキサンの混合液で23℃で20秒間現
像したところ、下層のAZ−1350Jが溶解しそして
LMRのパターンが良好に形成できなかつた。
（発明の効果）
以上説明した様に本発明は、Si基板上のLMR
の電離放射線によるパターン露光及び現像により
ネガレジストパターンを得るに際し、現像液とし
てモノクロルベンゼンを50％以上含む混合液を用
いたことにより著しい高感度及び高解像力を示
し、しかも該LMRの下地が他のレジストでもパ
ターニングできる利点があり、特に高集積化半導
体装置のレジストのパターニングに利用して好適
であり工業的価値は極めて大きい。
の電離放射線によるパターン露光及び現像により
ネガレジストパターンを得るに際し、現像液とし
てモノクロルベンゼンを50％以上含む混合液を用
いたことにより著しい高感度及び高解像力を示
し、しかも該LMRの下地が他のレジストでもパ
ターニングできる利点があり、特に高集積化半導
体装置のレジストのパターニングに利用して好適
であり工業的価値は極めて大きい。
図はLMRの感度曲線である。
Claims (1)
- １ 基板上に、ノボラツク樹脂のナフトキノンジ
アジドスルフオン酸エステルによる皮膜を形成
し、電離放射線の選択的照射によりパターンを露
光し、未露光部をモノクロルベンゼンを50％以上
含む溶液で現像することを特徴とするネガ型レジ
ストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60000136A JPS61159638A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60000136A JPS61159638A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159638A JPS61159638A (ja) | 1986-07-19 |
| JPH0342658B2 true JPH0342658B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=11465613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60000136A Granted JPS61159638A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61159638A (ja) |
-
1985
- 1985-01-07 JP JP60000136A patent/JPS61159638A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61159638A (ja) | 1986-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4165395A (en) | Process for forming a high aspect ratio structure by successive exposures with electron beam and actinic radiation | |
| KR20040026105A (ko) | 미세 패턴 형성 재료, 미세 패턴 형성 방법 및 반도체장치의 제조 방법 | |
| JPS6313035A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| EP0199303B1 (en) | Method of forming a photoresist pattern | |
| JPS6239817B2 (ja) | ||
| JPH05326358A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| KR0160921B1 (ko) | 레지스트 패턴의 형성방법 | |
| JP3118887B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0342658B2 (ja) | ||
| JPH04249311A (ja) | 光リソグラフィーの限界解像度以下の微細パターン形成方法 | |
| WO1983003485A1 (en) | Electron beam-optical hybrid lithographic resist process | |
| JPS63254729A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS6169130A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH03283418A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH02156244A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2712407B2 (ja) | ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 | |
| JPH0342659B2 (ja) | ||
| JPS61241745A (ja) | ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH04269756A (ja) | リフトオフ加工に適したレジスト膜 | |
| JPS646448B2 (ja) | ||
| JPS61131446A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH05291130A (ja) | 多層レジスト法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS63157421A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH01296620A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS61121332A (ja) | パタ−ン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |