JPH034265B2 - - Google Patents
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- JPH034265B2 JPH034265B2 JP19928381A JP19928381A JPH034265B2 JP H034265 B2 JPH034265 B2 JP H034265B2 JP 19928381 A JP19928381 A JP 19928381A JP 19928381 A JP19928381 A JP 19928381A JP H034265 B2 JPH034265 B2 JP H034265B2
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は例えば金属薄膜磁気テープを製造する
のに用いる表面被膜形成装置に関する。 ここで金属薄膜磁気テープは、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド、ポリアミドアセテー
ト、セロフアン等のプラスチツクフイルム基板上
に、鉄、コバルト、ニツケルの単体、又は合金の
磁性薄膜を、蒸着、スパツタリング、メツキ等の
手段で形成させたものである。 このなかで特に蒸着による磁性薄膜の形成方法
についていうと、例えば、10-4〜10-6Torrの真
空中で、円筒状のキヤンにポリエチレンテレフタ
レート等のプラスチツク基板をそわせて搬送しな
がら、数10KVに加速された電子ビームにより加
熱されたルツボ中の、コバルト又はコバルトを主
成分とするニツケル合金等の磁性金属を微量な酸
素ガス雰囲気中で飛散させ、前記キヤン上のプラ
スチツク基板の表面に磁性膜を形成させるもので
ある。 金属薄膜磁気テープは、記録再生特性において
特に記録波長が数μ以下の短かい領域での出力特
性が優れており、短波長記録を利用している
VTR用テープ、マイクロカセツト用テープ、
PCM記録用テープとして適している。 ところで、磁性膜が金属磁性体で構成されてい
ることから、磁気テープとして使用する際、従来
の塗布形テープと違い、走行性にやや問題があ
る。このため、磁性膜の上に滑り性のよい有機物
層を設けて走行性を改良することがよく行われて
いる。 しかしながら上記のように有機物層を設ける
と、短波長領域で磁性膜とヘツド間での隙間損失
が大きく、したがつて磁性膜上の有機物層は厚く
できない。ここで隙間損失は次式で表わされる。 隙間損失（dB）＝54.6d／λ （なお、ｄ＝テープ・ヘツド間の隙間、λ＝記
録波長。） 上式により、例えば、記録波長λ＝1μ、隙間
ｄ＝0.1μである時の損失は5.46dBになり、出力は
隙間損失のない時の半分程度にまでなる。1μ以
下の記録波長を利用する磁気記録再生装置では、
磁性膜上の有機物層は200Å以下の厚さであるこ
とが望ましい、このようにした時の損失は、記録
波長λ＝1μで約1dB、0.5μで2dBである。 以上のことからわかるように磁性膜上には非常
に薄い有機物層を形成することが必要であるが、
従来技術ではきわめて困難である。 従来例えば、有機物質を均一に塗布する技術と
しては、グラビアロールで塗布する技術がある
が、その場合版ロールと塗布液の濃度を制御して
も0.5μ以上の塗布厚となり、厚さ0.02μ程度の塗
布に適する技術は現在のところ見当らない。 本発明は以上のような点に鑑みてなされたもの
で、以下に図面を用いその実施例を説明する。 第１図は本発明による被膜形成装置の構成を示
す。 図において、１は処理すべき金属薄膜テープ原
反２１の供給部、２は金属薄膜テープの原反２１
を搬送する１対の供給ローラーで、テープ原反２
１を挾持しながら回転し定速で送り出す。３は塗
布部において原反２１をを保持するローラでバツ
クアツプロールと呼ばれる。４，５，６，７は、
テープ原反２１を搬送するためのガイドローラで
ある。８は処理された原反の巻取り部である。
９，１０は加熱乾燥炉で、表面処理時の溶剤成分
を完全に飛散させるためのものである。 １１は付着させるべく成分を有する塗布液を塗
布する塗布部、１２は塗布液の供給ポンプ、１３
は塗布液のタンクである。 １４は上記塗布液を希釈する溶剤を塗布する希
釈溶剤塗布部である。 １５は希釈溶剤を供給するポンプ、１６は希釈
溶剤のタンクである。 １７は上記希釈剤により希釈された塗布液の不
要部分を飛散させるためのエアーナイフ、１８は
エアーナイフに送るガスの圧縮ポンプで、通常ガ
スは空気が使用されるが、目的によつてはN2，
Arガスが使用される。１９はフイルターで、金
属薄膜テープの製造時には、0.1μ以上の粉塵は除
去する様なフイルターが使用される。２０はエア
ーナイフで飛ばした溶剤と空気とを回収する装置
で、フアンで強制的に外部へ排気する様にしてあ
る。 第２図は塗布部を拡大して示す。 図において、２２は塗布液を示す。２３は原反
２１を支えるバツクアツプロール、２４は塗布ノ
ズル、２５は塗布液を送り出すノズルである。２
６は液溜で、ノズル全面から均一に液が出る様に
圧力の調整を行うためのものである。 ２７は塗布液の供給口、２８は塗布ノズルの後
方へこぼれた塗布液を回収する受け部、２９は塗
布液回収のための溝である。 第２図に示すように、塗布部は、塗布ノズル２
４の先端から塗布液２２を供給し、原反２１とノ
ズル２４の間隙に塗布液２２を溜めて、原反２１
が移動する時、表面張力で液２２が原反２１に付
着し塗布されるものである。 本装置による処理の例において、第１図の塗布
部１１で塗布する塗布液の組成は磁性体表面の走
行性の改良を目的とした場合でいうと、アセトン
を溶剤として、アセチルセルロース１０部、、ス
テアリン酸0.5部、シリコンオイル0.1部を溶かし
たものが使用される。 塗布部１１で塗布した液は塗布部１４のノズル
前を通過する時、アセトンが塗布部１４のノズル
で塗布されるため、塗布部１１で塗布した液のア
セチルセルロース、ステアリン酸の成分は希釈さ
れる。しかしながらテープ２１の磁性膜上には、
濃い塗布液で薄い膜がすでに形成されており、希
釈された塗布液は不用となる。この様な過程を経
ながら、エアナイフ１７で希釈された不用の塗布
液を飛散させると、磁性膜の表面には、薄い質の
良い被膜が形成される。しかしながら、上記被膜
はまだ溶剤成分を少し含んでいるので、乾燥炉
９，１０で完全に溶剤を飛ばすことにより被膜の
形成は完了する。 なおここで単に厚さの薄い被膜を形成する一例
として、始めから塗布液中の固形分濃度を下げて
おくことによつても厚さの薄い被膜を形成するこ
とはできるが、被膜の品質については保障されな
い。又不用な塗布液が残ると膜厚は厚くなり、走
行性の向上を目的とする被膜の品質は低下する。 次に走行性の向上と防錆効果を期待できる被膜
形成の一例について説明する。第１図の塗布部１
１のノズルで塗布する塗布液は、パーフルオロア
ルキルカルボン酸（CoF2o+1COOH）の金属塩を
使用する。この場合の金属塩の種類は、Co，Ni，
Cr，Cu等の金属塩が選ばれ、溶剤としては水が
使用される。濃度は0.1％〜0.01重量％の範囲で
選ばれる。塗布部１４のノズルで塗布される液
は、この場合水である。塗布部１１のノズルで塗
布された磁性膜上においては、パーフルオロアル
キルカルボン酸の金属塩の金属部と磁性膜表面が
化学的に反応し、単分子膜に近い膜が形成されて
いると考えられる。そのような膜形成直後に、水
で不用塗布液を希釈洗浄すると、所望の被膜が磁
性膜上に形成される。 なお余分な不用塗布液は、エアナイフ１７で飛
散させ、膜厚が厚くなることを防ぐ。その乾燥炉
９，１０間を通過せしめて水分を完全に飛ばすこ
とにより被膜形成は完了する。 次に、前述のようにして磁性膜上にアセチルセ
ルロースとステアリン酸よりなる被膜を形成して
完成した金属薄膜テープについての試験結果を下
の表に示す。
のに用いる表面被膜形成装置に関する。 ここで金属薄膜磁気テープは、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド、ポリアミドアセテー
ト、セロフアン等のプラスチツクフイルム基板上
に、鉄、コバルト、ニツケルの単体、又は合金の
磁性薄膜を、蒸着、スパツタリング、メツキ等の
手段で形成させたものである。 このなかで特に蒸着による磁性薄膜の形成方法
についていうと、例えば、10-4〜10-6Torrの真
空中で、円筒状のキヤンにポリエチレンテレフタ
レート等のプラスチツク基板をそわせて搬送しな
がら、数10KVに加速された電子ビームにより加
熱されたルツボ中の、コバルト又はコバルトを主
成分とするニツケル合金等の磁性金属を微量な酸
素ガス雰囲気中で飛散させ、前記キヤン上のプラ
スチツク基板の表面に磁性膜を形成させるもので
ある。 金属薄膜磁気テープは、記録再生特性において
特に記録波長が数μ以下の短かい領域での出力特
性が優れており、短波長記録を利用している
VTR用テープ、マイクロカセツト用テープ、
PCM記録用テープとして適している。 ところで、磁性膜が金属磁性体で構成されてい
ることから、磁気テープとして使用する際、従来
の塗布形テープと違い、走行性にやや問題があ
る。このため、磁性膜の上に滑り性のよい有機物
層を設けて走行性を改良することがよく行われて
いる。 しかしながら上記のように有機物層を設ける
と、短波長領域で磁性膜とヘツド間での隙間損失
が大きく、したがつて磁性膜上の有機物層は厚く
できない。ここで隙間損失は次式で表わされる。 隙間損失（dB）＝54.6d／λ （なお、ｄ＝テープ・ヘツド間の隙間、λ＝記
録波長。） 上式により、例えば、記録波長λ＝1μ、隙間
ｄ＝0.1μである時の損失は5.46dBになり、出力は
隙間損失のない時の半分程度にまでなる。1μ以
下の記録波長を利用する磁気記録再生装置では、
磁性膜上の有機物層は200Å以下の厚さであるこ
とが望ましい、このようにした時の損失は、記録
波長λ＝1μで約1dB、0.5μで2dBである。 以上のことからわかるように磁性膜上には非常
に薄い有機物層を形成することが必要であるが、
従来技術ではきわめて困難である。 従来例えば、有機物質を均一に塗布する技術と
しては、グラビアロールで塗布する技術がある
が、その場合版ロールと塗布液の濃度を制御して
も0.5μ以上の塗布厚となり、厚さ0.02μ程度の塗
布に適する技術は現在のところ見当らない。 本発明は以上のような点に鑑みてなされたもの
で、以下に図面を用いその実施例を説明する。 第１図は本発明による被膜形成装置の構成を示
す。 図において、１は処理すべき金属薄膜テープ原
反２１の供給部、２は金属薄膜テープの原反２１
を搬送する１対の供給ローラーで、テープ原反２
１を挾持しながら回転し定速で送り出す。３は塗
布部において原反２１をを保持するローラでバツ
クアツプロールと呼ばれる。４，５，６，７は、
テープ原反２１を搬送するためのガイドローラで
ある。８は処理された原反の巻取り部である。
９，１０は加熱乾燥炉で、表面処理時の溶剤成分
を完全に飛散させるためのものである。 １１は付着させるべく成分を有する塗布液を塗
布する塗布部、１２は塗布液の供給ポンプ、１３
は塗布液のタンクである。 １４は上記塗布液を希釈する溶剤を塗布する希
釈溶剤塗布部である。 １５は希釈溶剤を供給するポンプ、１６は希釈
溶剤のタンクである。 １７は上記希釈剤により希釈された塗布液の不
要部分を飛散させるためのエアーナイフ、１８は
エアーナイフに送るガスの圧縮ポンプで、通常ガ
スは空気が使用されるが、目的によつてはN2，
Arガスが使用される。１９はフイルターで、金
属薄膜テープの製造時には、0.1μ以上の粉塵は除
去する様なフイルターが使用される。２０はエア
ーナイフで飛ばした溶剤と空気とを回収する装置
で、フアンで強制的に外部へ排気する様にしてあ
る。 第２図は塗布部を拡大して示す。 図において、２２は塗布液を示す。２３は原反
２１を支えるバツクアツプロール、２４は塗布ノ
ズル、２５は塗布液を送り出すノズルである。２
６は液溜で、ノズル全面から均一に液が出る様に
圧力の調整を行うためのものである。 ２７は塗布液の供給口、２８は塗布ノズルの後
方へこぼれた塗布液を回収する受け部、２９は塗
布液回収のための溝である。 第２図に示すように、塗布部は、塗布ノズル２
４の先端から塗布液２２を供給し、原反２１とノ
ズル２４の間隙に塗布液２２を溜めて、原反２１
が移動する時、表面張力で液２２が原反２１に付
着し塗布されるものである。 本装置による処理の例において、第１図の塗布
部１１で塗布する塗布液の組成は磁性体表面の走
行性の改良を目的とした場合でいうと、アセトン
を溶剤として、アセチルセルロース１０部、、ス
テアリン酸0.5部、シリコンオイル0.1部を溶かし
たものが使用される。 塗布部１１で塗布した液は塗布部１４のノズル
前を通過する時、アセトンが塗布部１４のノズル
で塗布されるため、塗布部１１で塗布した液のア
セチルセルロース、ステアリン酸の成分は希釈さ
れる。しかしながらテープ２１の磁性膜上には、
濃い塗布液で薄い膜がすでに形成されており、希
釈された塗布液は不用となる。この様な過程を経
ながら、エアナイフ１７で希釈された不用の塗布
液を飛散させると、磁性膜の表面には、薄い質の
良い被膜が形成される。しかしながら、上記被膜
はまだ溶剤成分を少し含んでいるので、乾燥炉
９，１０で完全に溶剤を飛ばすことにより被膜の
形成は完了する。 なおここで単に厚さの薄い被膜を形成する一例
として、始めから塗布液中の固形分濃度を下げて
おくことによつても厚さの薄い被膜を形成するこ
とはできるが、被膜の品質については保障されな
い。又不用な塗布液が残ると膜厚は厚くなり、走
行性の向上を目的とする被膜の品質は低下する。 次に走行性の向上と防錆効果を期待できる被膜
形成の一例について説明する。第１図の塗布部１
１のノズルで塗布する塗布液は、パーフルオロア
ルキルカルボン酸（CoF2o+1COOH）の金属塩を
使用する。この場合の金属塩の種類は、Co，Ni，
Cr，Cu等の金属塩が選ばれ、溶剤としては水が
使用される。濃度は0.1％〜0.01重量％の範囲で
選ばれる。塗布部１４のノズルで塗布される液
は、この場合水である。塗布部１１のノズルで塗
布された磁性膜上においては、パーフルオロアル
キルカルボン酸の金属塩の金属部と磁性膜表面が
化学的に反応し、単分子膜に近い膜が形成されて
いると考えられる。そのような膜形成直後に、水
で不用塗布液を希釈洗浄すると、所望の被膜が磁
性膜上に形成される。 なお余分な不用塗布液は、エアナイフ１７で飛
散させ、膜厚が厚くなることを防ぐ。その乾燥炉
９，１０間を通過せしめて水分を完全に飛ばすこ
とにより被膜形成は完了する。 次に、前述のようにして磁性膜上にアセチルセ
ルロースとステアリン酸よりなる被膜を形成して
完成した金属薄膜テープについての試験結果を下
の表に示す。
【表】
表中記録波長1μの出力は、金属薄膜テープを
1μの記録波長で飽和記録したものを再生した時
の出力値を比較したものである。比較の基準とし
て、磁性膜上に被膜が設けられていないテープの
出力をOdBとした。上記テープでは、測定の際、
走行性が悪く測定条件は悪かつたが出力の最大値
を基準の値とした。磁性面の摩擦係数は、材質が
SUSの直径10mmの丸棒で表面をバフ仕上げした
ものを使用し、テープの磁性面をπ／２〔ラジア
ン〕の角度分だけ上記丸棒に接触させ50mm／秒の
速度で移動した時の摩擦力を測定し求めたもので
ある。また表中、Ａ法とは本発明による装置を用
いた方法をいい、Ｂ法とは本発明による装置のな
かで希釈溶剤塗布部１４を使用しないで被膜形成
を行つた方法をいう。 さて表に示した被膜なしのものは、当然のこと
ながら磁性面とヘツドの間の隙間が一番小さく、
したがつてスペーシングロスは少なくなるが、走
行性が悪いことに起因して変動は大きいものの最
大出力が得られる状態にあり、そこでその最大出
力を基準出力としてある。そして被膜なしのもの
の摩擦係数は、0.4と大きい値になつている。 一方Ａ法による被膜形成のものでは、出力の変
動が少なくなり、しかも最大値の出力が得られ
る。このことは、磁性面とヘツドの間の隙間が問
題にならない程度の厚さに被膜が形成され、かつ
摩擦係数が下がつて走行性が改善されたことを示
す。 Ｂ法による被膜形成のものでは、出力特性の劣
化が目立ち、初期値より6dBも悪くなつている。
これは磁性膜表面に形成された被膜が厚いことに
よるものであることが確認された。このＢ法によ
る被膜形成のものでは、摩擦係数は別に大きくな
いが前述のような問題により磁気テープとしては
使用できない。 なおパーフルオロアルキルカルボン酸の金属塩
を使用したものでは、走行性改善以外に、防錆効
果の向上も認められた。これは上記金属塩の作用
が加わつているためと思われる。 以上のように、本発明による装置を用いること
により、厚さが非常に薄く品質のすぐれた被膜を
容易に形成することができる。 なお前記実施例の説明では、金属薄膜テープ製
造に本発明による装置を用いた場合について説明
したが、本発明による装置は他の分野にも用いる
ことができ、その産業上の価値は大である。
1μの記録波長で飽和記録したものを再生した時
の出力値を比較したものである。比較の基準とし
て、磁性膜上に被膜が設けられていないテープの
出力をOdBとした。上記テープでは、測定の際、
走行性が悪く測定条件は悪かつたが出力の最大値
を基準の値とした。磁性面の摩擦係数は、材質が
SUSの直径10mmの丸棒で表面をバフ仕上げした
ものを使用し、テープの磁性面をπ／２〔ラジア
ン〕の角度分だけ上記丸棒に接触させ50mm／秒の
速度で移動した時の摩擦力を測定し求めたもので
ある。また表中、Ａ法とは本発明による装置を用
いた方法をいい、Ｂ法とは本発明による装置のな
かで希釈溶剤塗布部１４を使用しないで被膜形成
を行つた方法をいう。 さて表に示した被膜なしのものは、当然のこと
ながら磁性面とヘツドの間の隙間が一番小さく、
したがつてスペーシングロスは少なくなるが、走
行性が悪いことに起因して変動は大きいものの最
大出力が得られる状態にあり、そこでその最大出
力を基準出力としてある。そして被膜なしのもの
の摩擦係数は、0.4と大きい値になつている。 一方Ａ法による被膜形成のものでは、出力の変
動が少なくなり、しかも最大値の出力が得られ
る。このことは、磁性面とヘツドの間の隙間が問
題にならない程度の厚さに被膜が形成され、かつ
摩擦係数が下がつて走行性が改善されたことを示
す。 Ｂ法による被膜形成のものでは、出力特性の劣
化が目立ち、初期値より6dBも悪くなつている。
これは磁性膜表面に形成された被膜が厚いことに
よるものであることが確認された。このＢ法によ
る被膜形成のものでは、摩擦係数は別に大きくな
いが前述のような問題により磁気テープとしては
使用できない。 なおパーフルオロアルキルカルボン酸の金属塩
を使用したものでは、走行性改善以外に、防錆効
果の向上も認められた。これは上記金属塩の作用
が加わつているためと思われる。 以上のように、本発明による装置を用いること
により、厚さが非常に薄く品質のすぐれた被膜を
容易に形成することができる。 なお前記実施例の説明では、金属薄膜テープ製
造に本発明による装置を用いた場合について説明
したが、本発明による装置は他の分野にも用いる
ことができ、その産業上の価値は大である。
第１図は本発明による被膜形成装置の構成を示
す図、第２図は上記装置の要部の断面図である。 １……供給部、３，４，５，６，７……ロー
ラ、８……巻取り部、９，１０……乾燥炉、１
１，１４……塗布部、１７……エアナイフ、２１
……テープ原反、２２……塗布液、２５……ノズ
ル、２６……液溜め。
す図、第２図は上記装置の要部の断面図である。 １……供給部、３，４，５，６，７……ロー
ラ、８……巻取り部、９，１０……乾燥炉、１
１，１４……塗布部、１７……エアナイフ、２１
……テープ原反、２２……塗布液、２５……ノズ
ル、２６……液溜め。
Claims (1)
- １ 表面に被膜を形成すべき原反を供給する供給
手段と、上記供給手段から供給された上記原反の
表面に塗布液を付着させる塗布部と、上記原反の
表面に付着した塗布液に希釈液を加え上記塗布液
を希釈する希釈部と、上記希釈液により希釈され
た塗布液の不要部分を飛散させるエアナイフ発生
手段と、上記エアナイフ発生手段により上記塗布
液の不要部分が飛散された原反を加熱乾燥する手
段とよりなることを特徴とする被膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199283A JPS58101752A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 被膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199283A JPS58101752A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 被膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101752A JPS58101752A (ja) | 1983-06-17 |
| JPH034265B2 true JPH034265B2 (ja) | 1991-01-22 |
Family
ID=16405214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56199283A Granted JPS58101752A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 被膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58101752A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2593763B2 (ja) * | 1992-02-21 | 1997-03-26 | 株式会社巴川製紙所 | 塗工装置における隠蔽塗料の塗膜ムラ防止方法及び装置 |
| JP4826182B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2011-11-30 | 日本ゼオン株式会社 | 塗膜形成装置 |
| CN103691629B (zh) * | 2013-12-26 | 2017-02-15 | 山东泰宝包装制品有限公司 | 一种涂布机网纹辊除胶的方法及其装置 |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56199283A patent/JPS58101752A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58101752A (ja) | 1983-06-17 |
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