JPH0344054A - 検査システムおよび電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、製造途中の製品または部品の外観検査に係わ
り、特に、表面の異物、欠陥の検査及び、検査データの
解析を行う検査データ解析システム、１９ に関する。

［従来の技術］ 半導体装置等の製造において、加工ワーク表面上の異物
、欠陥は、製品不良の原因となる。その為、異物、欠陥
を定量的に検査し、製造装置及びその周辺環境に問題が
ないかどうか常に監視しなければならない。そして、異
物欠陥が歩留りに与える影響を把握し、歩留り向上に有
効な異物欠陥対策を打たなければならない。以下異物、
欠陥等を総称し外観不良と呼ぶ。

半導体製造において、自動外観検査装置を用い、データ
解析を行っている例が、ソリッド・ステイ１＼争テクノ
ロジ（ｓｏｌｉｄ　　５ｔａｔｅ　　ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ）　／日本語版７７月（↓９８８）の４４頁から４
８頁に「自動ウェーハ検査による歩留り向上」と題して
紹介されている。外観検査は複数の製造工程で複数のウ
ェハを対象に行われるので、検査データは、被検査ウェ
ハの品名、ロッ１へ番号、ウェハ番号及び検査した工程
、日付、時刻といったいわば、検査データ自身を管理す
るデータと併せて解析する必要がある。従来の外観検査
装置は外観不良のウェハ上の座標、サイズを測定する機
能やウェハ上の外観不良数を計測する機能、外観不良の
種類を作業者が判断する手段等を有しており、各ウェハ
上の外観不良の分布、ウェハ毎の外観不良数の変化、サ
イズ毎の頻度分布等を調べている。またウェハ上の外観
不良数（外観不良密度）と該ウェハの歩留りの相関を解
析することも行われている。

また、データ解析を行う上でウェハを複数の外観検査工
程で同定しなければならないが、従来、作業者が目視で
ウェハ番号を認識していた。この作業を軽減するためウ
ェハ番号を自動認識する手段を持つ自動異物検査装置が
特開昭６３−２１３３５２号公報に示されている。

公知の自動外観検査装置は大きく２種類に分類される。

一つは光散乱方式による検査装置で自動異物検査装置と
呼ばれており、主にウェハ上の異物を検査対象としてお
り、欠陥は必ずしも検出出来ない。それに対し画像認識
方式による検査装置があり、自動外観検査装置あるいは
自動欠陥検査装置と呼ばれており、異物の外に、欠陥も
認識する機能も有している。自動外観検査装置は自動異
物検査装置に比して、検査時間が約１０００倍かかるた
め、検査できるウェハ枚数が少ない。そこで量産ライン
で欠陥の発生状況をモニタリングするには、第一の方法
として外観検査の対象をある特定の工程に絞るか（前掲
ソリッド・ステイト・テクノロジ／日本語版／７（↓９
８８）４４頁から４８頁）、第二の方法としてあらかじ
め全工程、全装置に渡って異物検査データと外観検査デ
ータの整合をとり異物数と欠陥の相関を調べておき、異
物検査データをもとに欠陥の発生状況を推定する方法を
とっている（セミコンダクター・ワールドＳｅｍｊｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ　　Ｗｏｒｌｄ　　５　　　（１９８９
）１１８頁から１２５頁）。

また、データ解析を行う際、データ量が多いこと、デー
タ解析方法が多様であることなどの理由により、データ
解析を行うことを主な業務とする作業者が必要である。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の方７ムては、チップことの外観不良の発生状況を
把握てきむいので、ウェハ０４位における外観不良数と
歩留りの相関Ｍ折に留まり、チップ毎の外観不良と製品
特性の関係か把握てぎないという課題かある。また、現
状ては上ウェハ土品種であるか、将来的には１−ウェハ
複数品柾を加工する可能性があるので、データ処理の単
位をウェハ単位からチップ単位にする必要性があり、デ
ータ解析技術の確立が望まれている。

また、量産ラインで欠陥の発生量を調べるには。

前記の第一の方法では作業者の経験やプローブ検査の結
果から外観検査をすべき］二程を決定している。第二の
方法では全工程、全装置に渡って異物検査データと外観
検査データの整合をとるには大きな労力が必要である。

また、製造装置の維持管理を担当することを主な業務と
し、自分自身の担当装置にかかったウェハの検査データ
の解析をする時間のとれない作業者は、データ解析を主
な業務とする作業者にデータ解析を依頼している。しか
し、時間がかかる等３ の理由から誰でもすぐに出来、見やすい形で出力される
データ解析方法およびデータ解析手段の確立が望まれて
いる。

本発明の目的は、チップ単位のデータ解析を可能とし、
各チップの外観不良の発生状況と対応するチップの製品
特性の関係が分かるようにできる検査データ解析システ
ムを提供するにある。

また、本発明の目的は、容易に異常発生工程と、その異
常内容を知ることのできる検査データ解析システムを提
供するにある。

さらに他の本発明の目的は、製造ライン全体を監視し、
量産ラインで効率良く欠陥の発生量を調へることのでき
る検査データ解析システムを提伏するにある。

［課題を解決するための手段］ 上述の課題を解決する為に、本発明では、プローブ検査
装置と自動異物検査装置と自動外観検査装置に、それぞ
れデータ解析ステーションを持たせる。また、各データ
解析ステーションに、品種毎のチップ配列情報を持たせ
、チップの配列を記４ 述する座標と外観不良の位置を記述する座標を統一する
ようにしたものである。そして、各外観不良がどのチッ
プに属しているか判断する機能を設けるようにしたもの
である。また、各データ解析ステーションを、通信回線
で結ぶものである。

さらに、量産ラインで欠陥の発生量を調べるため、検査
速度の速い異物検査装置により、製造ライン全体を監視
し、異常が発生した箇所の前後を外観検査装置で検査し
、欠陥の発生量をモニタする方法を採用するようにした
ものである。

また誰でもすぐ使いこなせるようにデータ検索方法、操
作方法、解析結果出力形式を定形的なものとしたもので
ある。

［作用］ 各データ解析ステーションに品種毎に、チップ配列情報
を持たせ、チップの配列を記述する座標と外観不良の位
置を記述する座標を統一し、各外観不良がどのチップに
属しているか判断する機能を設けたことにより、個々の
チップ単位で異物の付着状況又は、外観不良の発生状況
を把握することがてきる。さらに、各データ解析ステー
ションを通信回線で結ふことにより、異物データ及び、
外観データのデータ解析ステーションにプローブ検査デ
ータのデータ解析ステーションからブローブデータを＋
？）’２み込ませて、個々のチップの外観不良の発生状
況とプローブ検査結果（製品特性）の関係を調へられる
ようになる。検査速度の速い異物検査装置により、製造
ライン全体を監視し、異常が発生した箇所の前後を外観
検査装置で検査し、欠陥の発生量を調へる方法を採用す
ることにより、量産ラインで効率良く欠陥の発生量が調
へられるようになる。

さらに、データ解析に際し、データ検索方法と操作方法
を定形化し、結果の表示形式も統一することにより、誰
でも容易にデータ解析が行え、見やすい出力が得られる
ようになる。

［実施例コ 実施例１ 本発明の全体構成を第１図を用いて概説する。

ここでは、半導体装置製造ラインに本発明を適用した例
を示す。半導体装置の製造上程１２は通″１；Ｓ゛清浄
な環境が保たれているクリーンルーム１３内にある。ク
リーンル−ム１３１／９に、製品ウェハー上の外観不良
の数とその座標を計測する機能を持つ外観検査装置上（
以下異物検査製埴土と呼ぶ。異物検査装置］−の検査対
象は異物のみである。）と、製品ウェハ上の外観不良の
数とその座標を１１ｄｌ！ｌする機能と外観不良の種類
を認識する機能を持つ外観検査装置４　（以下単に外観
検査装置４と呻ぶものは本検査装置を指す。本外観検査
装置４の検査対象はパターン欠陥、異物、膜不良等外観
不良−般である。）と、チップの製品特性を検査するプ
ローブ検査装置７を設置する。なお、これらの検査装置
としては、例えは、日立評論、第７↓巻、第５診、５５
〜６２頁「異物・外観検査装置ｊ（窪田他）に記載のも
のなどが用いられる。異物検査装置１、外観検査装置４
、プローブ検査装置ｄ７にはそれぞれの検査データを解
析する異物データ解析ステーション２、外観不良データ
解析ステーション５、プローブ検査データ解析ステージ
７ ヨン８をクリーンルーム土３の外に設置し、各検査装ｙ
１，４．，７と解析ステーション２，５．８の間を通信
回線３，６．’９で結ふ。また、異物解析ステーション
２とプローブ検査データ解析ステジョン８、外観解析ス
テーション５とプローブ検査データ解析ステーション８
の間を通信回線１０、ｌｉ　　で糸古ぶ。

ウェハはロット単位で半導体装置”ｌｌｌシライン流れ
ている。これらのウェハに対し異物検査または外観検査
を行うには、あらかじめ異物検査または外観検査を行う
ことを決めである工程の処理が終了した後、ロツＩ−を
異物検査装置１あるいは外観検査装置４の設置してある
ところに運び、それぞれの装置においてロン１−内の一
部または全部のウェハを検査する。異物検査あるいは外
観検査を行う工程は作業名の経験で決定する方法や、後
衛する実施例に示す異物検査の結果に基づき外観検査を
行う工程を決める方法がある。異物、外観検査に際して
は各検査装置に苅してウェハのロノ１〜番珍とウェハ番
号と検査した日時と検査を行う直８ 前の製造工程名等を入力する。また全ての工程を終えた
ウェハは、ロノｌ−，４１位でプローブ検査装置７の設
置してある所に運ばれ、全ウェハをプローブ検査にかけ
る。ここではプローブ検査装置７に対してウェハの日ソ
１一番号とウェハ番号と検査した日時等を入力する。異
物データ解析ステーション２と外観不良データ解析ステ
ーション５はそれぞれウェハ上のチップの配列情報を品
種ごとに持っており、検出された外観不良の座標から、
該外観不良がどのチップに属するか判断し、各チップに
外観不良がいくつ発生しているか数える機能を備えてい
る。異物検査データ解析ステーション２および外観検査
データ解析ステーション５はウェハ上の外観不良の数、
座標、およびチップ内の外観不良数を基に実施例３，４
，５，６，７，８゜９．１０，１↓、１．５，１６，１
７．］−８，↓９゜２０．２１，２２，２３，２４．２
５の各項目で示す解析を行う。また異物検査データ解析
ステーション２および外観検査データ解析ステーション
５はウェハ上の外観不良の数、座標、およびチップ内の
外観不良数等とプローブ検査データ解析ステーション８
から読み込んだ各チップの製品特性データ等を基にして
実施例２８，２９，３０，３１．３２，３３，３４．３
Ｆ、３６．３７の各項目で示す解析を行う。

実施例２ 本突軸例においては実施例工において示した検査データ
解析システムにおける、異物検査装置１と異物検査デー
タ解析ステーション２からなる部分ついて第２図に示し
説明する。

本システムは半導体ウェハ上の異物検査装置↓と、異物
検査装置１のデータを解析する異物データ解析ステーシ
ョン２とからなる。異物検査装置１と異物データ解析ス
テーション２は通信回線３により接続されている。

第３図は異物検査装置↓の構成を示している。

該異物検査装置↑は異物検出部↓○０１と異物検出信号
処理部↓Ｏ○２と、メモリ１００３と、入力装置として
のキーボー１〜」００４とバーコードリーダー１．０　
Ｏ５と、出力装置としてのＣＲＴ　１Ｏ○６とプリンタ
土００７と、異物データ解析ステーション２との通信を
行なう外部通信部１００８からなり、ウェハ上の被検出
異物の２次元座標と、大きさと、被検査ウェハ上の異物
数を数える機能を有する。

第４図は異物データ解析ステーション２の構成を示す。

該異物データ解析ステーション２は異物データ処理部１
００９と、前記異物検査装置上の検査データを格納する
異物データベース１０圭０と、入力処理装置としてのキ
ーボード１ｙＯ１］、と、マウス↓○↓２と出力装置と
してＣＲＴ↓○上３とプリンタ１０１４と異物検査装置
と通信を行なう外部通信部１０１５と異物データ処理部
内のメモリ１０工６ど内部バー１くディスタ１．　Ｏ］
−７とＣＰＵ１０１８からなる。

異物検査装置１には、ウェハ検査時に被検査ウェハの品
名、検査工程名、ロノｌ−ＮＯ、ウェハＮＯ１検査日付
、検査時刻、作業者名か異物管理ブタとしてキーボード
↑００４またはバーコードリーダー↓００５により入力
される。該異物検査１ 装置１で測定する被検査ウェハ上の異物数と、各異物の
異物座標と、各異物の大きさを異物検査ブタとして、異
物管理データと（７１せてデータを保持する。この際、
各異物の大きさは大きい順にし、Ｍ、Ｓ等と分類してデ
ータを保持する。

異物データベースｌＯ１０の構成な第５図に示し、説明
する。該異物データヘース１０１０ではロノＩ・単位デ
ータチーフル（第５図（ａ））とウェハ単位データテ−
フル（第５図（ｂ））と異物単位データチーフル（第５
図（Ｃ））と称する３つのデータテーブルを持つ。ロッ
ト単位データテフルはウェハＮ○を除く異物管理データ
５００１．５００２，５００３，５００５．５００６と
ウェハサイズ５００４を格納する。ウェハ単位ブタテー
ブルはロットＮ○５００８とウェハＮ。

５００９と異物検査データ中の被検査ウェハ上の異物数
５０↓○を格納する。異物単位データテーブルは各異物
の大きさ５０１６と位置座標５ｏ↓４．５０１５を格納
する。異物データ処理部１００９は内部ハードディスク
１０↓７にマツプ情報ファイルと品種別ロット数管理フ
ァイルを有している。マツプ情報ファイルは品種ごとに
ウェハサイズと第６図に示すチップ縦幅１０上９とチッ
プ横中冨１０２０と７１〜リツクス縦申ＷＩ　Ｏ２２と
マトリックス横幅上０２３と未使用チップ位置１０２４
、．１０２５を登録する。品種別口ｙ１〜数管理ファイ
ルは品種ごとのロン１〜数５０２５を登録する。

マツプ情報上０２４，１０２５ファイルの形式を第７図
に、品種別ロット数管理ファイルの形式を第８図に示す
。

次に本システムにおけるデータの登録方法を第９図に説
明する。異物検査装置１において↓ロット検査が終る（
ステップ上０００１）と該ロツ１〜に関する異物管理デ
ータと異物検査データが異物データ解析ステーション２
に通信回線３を通して送信される（ステップ１０００２
）。↓ロン１分の異物管理データと異物検査データが異
物データベス１０１０に登録されるとき（ステップ↓０
００３）、異物データ処理部１００９の品種別ロット数
管理ファイルの品種別ロノＩへ数に王が加えられる（ス
テップ↓０００４）。次にデータ削除に伴う処理を第１
．０図に示す。解析作業者は定期的に光物データベース
１０１０を保守し、必要ないと判断したロットに関する
データを削除する（ステップ１０００５）。１０ッ１−
分データが異物ブタベース１０１０から削除されるとき
品種別ロット数管理ファイルの品種別ロット数から１が
減じられる（ステップ］−０００６）。該品種別ロット
数管理ファイルにおいて、品種別ロット数が○かどうか
判定しくステップ１．　ＯＯ○７）、該品種に関するマ
ツプ情報ファイルを削除し、品種別ロット数管理ファイ
ル内の該品種に関するフィールドも削除する（ステップ
１０００８）。ステップ↓０００９において品種別ロッ
ト数が○でなければ、そのまま処理を終了させる。

実施例３ 実施例２に示した異物データ解析ステーション２の使用
方法に関する実施例を示す。第１王図に示す初期画面に
おいて、解析機能アイコン（１−０２６から１０３４）
を設ける。解析機能アイコンは以下実施例４から実施例
］２までに示す解析機能を示すアイコンからなる。解析
作業者は所望の解析機能アイコンを選択したあと、第１
２図に示す検索画面にて検索条件を指定する。指定はル
ー−または複数の項目を第４図に示すマウス１０土２で
指定したあと終了アイコンＪ０５０を指定することで完
了する。画面左下部に基本データ表示欄１０３６を、左
上部にデータベース検索指示アイコン１０３５を、画面
中央部から右部にかけて品名−覧、工程名−覧、ロット
ＮＯ−覧、ウェハＮ〇−覧、検査日付カレンダー、作業
者名−覧を表示する表示部１０４７を設ける。基本デー
タ表示欄ｌ○３６は品名１０３７、工程名１０３８、口
ッｌ−Ｎ○↓０３９、ウェハＮ○１０４０、検査日付１
０４工、異物総数１０　／１．２、Ｌ異物数↓０４３、
Ｍ異物数１０４．４．Ｓ異物数王０４５、作業者名１０
４６からなる。検索条件を指定する際、品名１０３７は
必す指定しなければならず、ゴニ程名１０３８、ロッｌ
−Ｎ○土０３９、ウェハＮＯ」−０４０、検査日付１０
４　」−１作業者名１０４６は、３５ 必要に応じて指定すればよい。指定した結果は基本デー
タ表示欄１０３６に表示される。初期画面において品名
１０３７の欄をマウス１０］２で指定すると第１３図に
示す品名−覧を表示部↓０４７に表示する。この−・覧
にはデータベース１．０１０に登録されている全ての品
名５００１が表示される。なお、第１３図において、１
０４８下スクロールマイコン、１０４９は上スクロール
マイコン、１０５０は終了マイコンを示す。解析作業者
が品名−覧の中から所望の品名を唯一つマウス１０１２
で指定すると品名１０３７の欄に指定した品名が表示さ
れる。次に解析作業者は工程名１０３８の欄をマウス１
０１２て指定すると第１４図に示す工程名−覧が表示部
１０４７に表示される。

Ｊ亥」−程名−覧はデータベース１．．　Ｏ］○に登録
されているデータの中で既に指定した品名に関する工程
名５００２のみ表示する。解析作業者は工程名−覧の中
から所望の工程名をマウス１０１．２で指定する。次に
解析作業者はロットＮ○１０３９の欄をマウス１０１２
で指定すると第１５図に示すＧ ロットＮ〇−覧が表示される。該ロノｌ−ＮＯ−覧はデ
ータベース１０１０に登録されているデータの中で既に
指定した品名、工程名に関するロットＮ○５００３のみ
表示する。解析作業者はロソ１へＮＯ−覧の中から所望
のロノ１〜Ｎｏをマウス１０・１２で指定する。次に解
析作業者はウェハＮ○↓０４０の欄をマウス１０１２で
指定すると第１６図に示すウェハＮ〇−覧が表示される
。該ウェハＮ〇−覧はデータベースｌ　Ｏ］−０に登録
されているデータの中で既に指定した品名５００　’Ｏ
工、工程名５００２、ロットＮ○５００３に関するウェ
ハＮ０５００９のみ表示する。解析作業者はウェハＮ〇
−覧の中から所望のウェハＮ○をマウス１０１２で指定
する。次に解析作業者は検査日付１０４１の欄をマウス
１０１２で指定すると第１７図に示す検査日付カレンダ
ーが表示される。該検査日付カレンダーはデータベース
１０１０に登録されているデータの中で既に指定した品
名、」工程名、ロッ１−ＮＯ、ウェハＮ○に関して検査
を行なった日付５００５のうち最も古い月から最も新し
い月まで表示する。解析作業者は検査日付カレンダーの
中から最も古い日付と最も新しい日付をマウス１０１２
で指示することにより所望の期間を指定する。次に解析
作業者は作業者名１０４６の欄をマウス１０１２で指定
すると第工８図に示す作業者名−覧が表示される。該作
業者名−覧はブタベース１０１０に登録されているデー
タの中で既に指定した品名、工程名、ロソｌ−ＮＯ、ウ
ェハＮ○、検査口付に関する作！　８名のみ表示する。

解析作業者は作業者名−覧の中から所望の作業者名をマ
ウス１０１２で指定する。解析作業者は所望の項目を指
定した後、データベース検索指示アイコンを指定する。

異物データ解析ステーション２は品名、工程名、ロット
Ｎ○、ウェハＮ○、検査日付、作業者名について満足す
るデータを過不足なく異物データベース↓０王０から検
索し只物データ処理部工○０９に読み込ませる。指定さ
れない項目があるときは、他の指定された項目を満たす
データを全て異物データベース１０１０から検索し異物
データ処理部１００９に読み込ませる。

データの読み込みが終ると第１９図に示す解析画面が表
示される。解析画面は中央下部から右下部にかけて作業
指示アイコン１０５１，１０５２゜工０５３を設け、左
下部に基本データ表示欄↓０３６を設け、中央部１２０
３に解析結果を出力する。本画面の基本データ表示欄１
−０３６は第１２図に示す初期画面の基本データ表示欄
１０３６と同一である。作業指示アイコンはモード変更
上０５１、バー１〜コピー１０５２、終了」０５３を示
すアイコンからなる。モー１〜変更アイコン１０５１を
選択すると、解析モードの変更を行い、ハトコピーアイ
コン１−０５２を選択すると、ＣＲＴ１０↓３上の画面
をプリンタ］−〇」−４に出力し、終了アイコン４０５
３を選択すると、解析を終了させ初期画面に戻ることか
できる。

実施例４ 次に異物マツプと称する本発明における一解析例を第２
０図により説明する。

本実施例では異物検査装置１て測定された情報もとにウ
ェハ上の異物分布の様子を表示する。

９ 解析作業者は品名を必ず指定し、必要に応じて、」工程
名とロソＩ−ＮＯとウェハＮ○と検査日付と作業者名を
指定することにより、異物データベース１−０１、Ｏよ
り、異物座標、異物粒径の情報をメモリ１０１６に読み
込ませる。

出力は、ウェハの外径線１０５４を描き、異物位置をマ
ークで表示する。この時チップの境界線］−〇５５を重
ね書きすることもできる。また、異物の粒径１０５９，
１０６０．↑０６１ごとに表示点の色を変えたり、マー
クの種類を変える。さらにモード変更アイコン１０５↓
を指定すると一回指定する毎に、Ｌ、Ｍ、Ｓの粒径の異
物を選んで表示１０５６，１０５７．↓０５８する。ま
た複数のウェハを一括して指定し、それらのウェハ上の
異物分布を重ね合せＣＲＴ１０１３に表示する。

実施例５ 次に異物付着チップマップと称する本発明における一解
析例を第２１図及び第２２図に基いて説明する。異物デ
ータ処理部１００９では、第２２４０　。

図に示す異物付着チップ判定アルゴリズムにより各チッ
プに付着している異物数を数える。解析作業者は品名を
必ず指定し、必要に応じて工程名とロッｈ　Ｎ　Ｏとウ
ェハＮｏと検査日付と作業者名を指定することにより、
異物データベース１０１０より、座標を検索し、メモリ
１０１６に読み込ませる（ステップ１０ｏ１０）。次に
読み込んだウェハ数１丁をカラン１−する（ステップ１
００１↓）。

次に内部ハードディスク↓０１７内のマツプ情報ファイ
ルから第６図に示すチップの横幅１０２０、縦申冨１０
１９（それぞれａ、ｂとする。）、７１〜リツクス横中
６１０２３．７トリノクス縦＋１’ｉ：ｌ　１０２２を
読み込む（ステップ↓００１２）。異物付着チップ判定
アルゴリズムを以下説明する。本実施例において（ｎ、
ｍ）番目のチップの領域を、（ｎ−↓）ａ＜ｘ＜ｎａ （ｍ　　−１）　　　ｂ　　＜　’ｙ　＜　ｍ　　ｂで
示す。ここではそれぞれＸ＋　ｙはそれぞれ異物のＸ座
標、Ｙ座標である。また（ｎ、ｍ）の最大値は（Ｎ、Ｍ
）である。各異物にたいし、ｎ＝［ｘ／ａ］＋１ ｍ−”　　［ｙ／ｂｌ　　＋１ と割算して該異物が属しているチップを探しだしくステ
ップ１００１４−）、各異物に２次元指数（ｎ、ＩＴＩ
）を付加する。ここで［ｚ］は実数Ｚを越えない最大の
整数を表す。そしてチップごとに付着異物数を数え（ス
テップ１００１５）、ウェハ１枚当りの各チップの異物
密度を計算する（ステップ１．０　Ｏ１６）。各チップ
の異物付着状況は、ＣＲＴ１０１３上で各チップごとに
異物数別に、チップ内の塗色を変えるか、メツシュを入
れ、第２１図のように表示する（ステップ１００１７）
。

なお、第２１図におイテ、１０６２−１０６５はチップ
ごとの異物数の区分を示すものである。

実施例６ 次にウェハ任意分割と称する本発明における解析を支援
する一例を説明する。

本実施例では異物データ解析ステーション２において、
解析の対象とするウェハをＣＲＴ１０１３上で分割する
。

解析作業者は品名を指定することにより、ＣＲＴＩＯ↓
３上に該品種のチップを配したウェハ像を第２３図の形
式で表示させる。さらに、解析作業者は画面」−の矢印
１０７０をマウス１０］２によりまず領域指定欄１．０
６６〜１０６９から一領域指定し、その後チップを指定
することにより、個々のチップを領域別にわける。−度
、領域指定欄↑０６６〜１０６９から一領域指定し、そ
の後チップ指定を続けて行った場合、それらのチップは
初めに指定された領域に指定される。各チップは領域ご
とに同一の塗色またはメツシュで区別される。この区分
された状態の上側を第２４図に示す。分割されたパター
ンは品種ことに異物データ解析ステーション２のハード
ディスク１０エフに第２５図に示す任意分割ファイルと
して記録される。

実施例７ 次にウェハ内分割と称する本発明における一解析例を第
２６図に示す。

本実施例では、ウェハ内を複数の領域に分け１．４３ 各領域ことに異物の密度を計算し出力する。

解析作業者は品名を必ず指定し、必要に応じて工程名、
ロノ１〜ＮＯ、ウェハＮ○、検査日付、作業者名を指定
することにより、異物データベース１０１０から、第５
図（ｃ）に示す異物座標５０１４．５０王５と異物粒径
５０１６を内部メモリ１０１６に読み込ませる。また、
解析作業者はウェハの分割パターンを指定する。分割パ
ターンは第２７図に示す二重円１０８３、三重円１０８
２、十字状１０８４の定形的な分割パターンと前述した
「実施例５」に示したウェハ任意分割指定により作成し
たパターンがある。二重円、三重円はウェハを円とみな
して、それぞれ半径を２等分割、３等分割して得られる
もので、十字状分割はオリフラに垂直二等分線をたて、
該垂直二等分線とウェハの中心で交わる垂線によりウェ
ハを分割するものである。

異物座標とウェハ領域分割情報から、各領域の異物密度
を計算しグラフ化して出力する。第２６図に示すグラフ
は縦軸１０７↓が異物密度（個／４ Ｃｎ′Ｉ）、横軸１０７２は三重円１０８２を指定した
ときの各領域↓０７３．１０７４．１０７５である。ま
た、定量的なデータを知るために、棒グラフ頂上に正確
な値（ｄ、）土０７９、（ｄ７）］−〇８０、（ｄ３）
１０８１を表示することもてきる。

マタ、異物粒径Ｓ、Ｍ、　Ｌｌ　０７６−上０７８こと
に棒グラフを分割し、塗色、メツシュを変えて表示する
。各分割パターンによる解析はモード変更アイコン１０
５１を指定することにより行うことが出来る。

実施例８ 次に異物数度数分布と称する本発明における一解析例を
第２８図に示す。

本実施例では、１ウェハに付着している異物数の度数分
布を表示する。

解析作業者は品名、工程名を必ず指定し、必要に応じて
検査日付、ロツ１〜ＮＯ、ウェハＮ○を指定し、異物デ
ータベース１０１０から、第５図（ｂ）に示す異物数５
０］−〇をメモリ１０１６に読み込ませる。

異物データ処理部１００９では、指定された異物数の範
囲ごとのウェハ数を計算し、これをヒストグラ１１とし
て画面に出力する。ここで、横軸１０８５は異物数であ
り、解析作業者により最大値および、異物の数の分割範
囲が指定される。縦軸１０８６はウェハ枚数を表す。

実施例９ 次に時系列異物推移と称する本発明における一解析例を
説明する。

本実施例では、解析作業者が指定した工程の、異物数の
時間的な変化をグラフ化して出力する。

解析作業者は、品名、工程名を必ず指定し、必要に応じ
てウェハＮ○、ロソ１へＮＯ１検査日付、作業者名を指
定し、異物データベース↓０１０より、第５図（ａ）、
（ｂ）、（Ｃ）に示す検査時刻５００６、異物数５０１
０、異物粒径５０１６をメモリ１０↓６に読み込ませる
。

異物データ処理部１００９ては、情報を時系列に並べ換
え、横軸１０８７に時間推移、縦軸１０８８に異物数を
とってグラフ化し、出力する。このとき、横軸」ｏ８７
の単位には、ウェハ単位、ロッ１へ単位、目ＵＪ３位、
週単位、月単位の中から仔意のものを選ぶことかできる
。出力の形としては、ウェハ単位の場合は、第２９図に
示すように、粒径別１０９０〜１−０９２に折線グラフ
を線や点の色あるいは種類を変えて出力する。なお、１
０８９は１−一タル数を示す。また、ロット単位、日単
位、週単位、月単位の場合は、各１１ｉ位における異物
の度数分布１２ｏ４を第３０図に示すように出力する。

このとき、各単位ごとの平均値１２０５を計算し、これ
を折線夕°ラフとして度数分イｊｊ１２ｏ４に重ねて出
力する。＋ｌｉ　ｄｉｍは、処理した全情報が表示し切
れない場合は、マウス１０１２により、グラフの左右半
分を指定することにより、対応する左右方向にスクロー
ルする。また縦軸は、モ１へ変更アイコン１０５１゜に
よりその表示範囲を選択、指定する。

実施例１０ 次に工程間異物数推移と称する本発明の一実施例を第３
１図に示す。

、４７ 本実施例では、同一ウェハについて異物検査装置１によ
り各工程で測定された情報をもとに、工程の推移にとも
なうウェハ上の異物数の推移を折線グラフとして出力す
る。

解析作業者は品種名と複数の」二程名を指定することに
より、異物データヘース１０１０から、第５国に示すウ
ェハごとの全異物数５０↓０、各異物の粒径５０１６、
検査日時５００５．５００６の情報を検索し内部メモリ
王０１．６に読み込ませる。

異物データ処理部１００９ては、粒径別の異物数を数え
、工程名指定時に検査された順に工程名を並べ、ＣＲＴ
　］０１３に異物数を折線グラフで出力する。この■、
４グラフを描く線、および点を異物の粒径（ｌ○９２〜
１０９４）ごとに変え、全異物数（１０９↓）と併せ、
同時にまたは別個に表示することができる。グラフの横
軸１０８９は、工程順（検査時系列）で表示の間隔は固
定である。

また縦軸↓０９０は、１ウェハあたりの異物数の平均値
を表示する。工程数が多く、↓画面に入らない場合は、
実施例９に示した方法で、横方向にスクロールする。

実施例１」− 次に異物付着履歴と称する本発明の一実施例を第３２図
に基いて説明する。

本実施例では、工程ごとの異物の付着、除虫の様子をグ
ラフ化し、出力する。

解析作業者は品名と複数の工程名とロットＮ○を必ず指
定し、必要に応じてウェハＮ○を指定することにより、
異物データヘース１０１０から、第５図に示すような指
定されたウェハ上の各異物の座標５０１４．５０１５と
検査８５００５及び検査時刻５００６をメモリ１０上６
に読み込ませる。

異物データ処理部１００９においては次に説明する工程
追跡アルゴリズムにより、工程ごとの異物の付着、除去
の様子を明らかにする。工程追跡アルゴリズムを第３３
図に示す。指定された工程名を検査日５００５及び検査
時刻５００６を参照して古い順に並べる（ステップ王○
０１８）。次に各工程ごとに検出異物リストを作成する
（ステップ１００１９）。次に初工程の発生異物リスト
を、初工程検出異物リストと同しにする（ステップ１０
０２０）。検出異物リス１〜と発生異物リストの形式は
同して第３４図に示す。次に初工程におけるウェハ上の
異物の座標と、次の工程の同一のウェハ上の異物の座標
との距離を、座標データが記録されている順に計算する
。該距離が予め設定してある一定値Ｒよりも小さいもの
が存在した場合、二つの異物は同一のものと特定し、次
の異物に関して同様に計算を行う。初工程で検出された
異物のうち二番目の工程に同一であると特定できる異物
が無い場合は該異物は除去されたと判断する。二番目の
工程で検出された異物のうち前の工程の異物と同一の異
物と特定される異物が無い場合、該異物は二番目の工程
で新規に付着したと判断する。二番目の上程で新規に付
着したと判断された異物を二番目の工程の異物発生リス
トに登録する（ステップ１００２土）。同様な計算を古
い工程順に行う。

表示方法として、第３２図に示すごとく、異物数を縦軸
１０９Ｇに、工程名を横軸Ｌ　Ｏ９５にしてＣＲＴ１０
１３上に棒グラフを描く。工程名は左から占い順に並べ
る。棒グラフは付着した工程Ａ、Ｂ、Ｃごとに層別して
（第３２図では１−１００．１１０１．１１０２の３層
）、工程ごトニ同し塗色またはメツシュで表示し、該部
分の上下線同士を線で結ぶ。ウェハを複数枚１１１定し
た場合は、各ウェハについてそれぞれ１′、程追跡を行
い、ウェハについて平均して結果を表示する。

実施例↓２ 次に、工程別異物付着マツプと称する本発明の一実施例
について説明する 本実施例では、同一ウェハについて異物検査装置１によ
り各工程で測定された情報により、ある工程で付着した
異物のみを抽出して、第２０図に示した異物付着マツプ
として出力する。

解析作業者は品名と複数の工程名とロットＮ。

を必す指定し、必要に応じてウェハＮ○を指定すること
により、データベース上Ｏ上Ｏより異物の１ 位置座標５０１４．．５０１５、検査日時５００５゜５
００６、工程名を内部メモリ１０」６に読み込ませる。

異物データ処理部Ｌ　ＯＯ９ては前記「実施例↓１」で
示した工程追跡アルゴリズムを用いて、各工程ことに発
生異物リス１へを作成する。処理終了後、検査工程順に
工程別異物イ（着マツプを表示する。次の工程を表示さ
せるには、モー１−変更アイコン１−０５１を指定する
。

実施例１３ 本実施例においては前述の「実施例］」において示した
検査データ解析システムにおける、外観検査装置４とタ
Ｉ観不良データ解析ステーション５からなる部分につい
て第３５図に従って説明する。

本システムは外観検査装置４と、外観検査装置４のデー
タを解析する外観不良データ解析ステーション５とから
なる。外観検査装置４と外観不良ブタ解析ステーション
５は通イ書［四線６により接続されている。

第３６図は外観検査装置４の構成を示す。外観Ａ５２゛ 不良と総称する異物とパターン欠陥を検出する外観不良
検出部↓１０３と、外観不良検出信号処理部」−↓０４
とメモリＬ　２０６、人力装置としてキボード１１０５
とバーコードリータ゛−土上０６と、出力装置としてＣ
ＲＴ」ｌ−０７とプリンタ１上０８と外観不良データ解
析ステーション５との通信を行なう外部通信部上上０９
からなり、ウェハ上の被検出外観不良の２次元座標と、
大きさと、種類を認識し、被検査ウェハ上の外観不良数
と、致命外観不良数と、該当工程致命外観不良数と、外
観不良チップ数と、致命外観不良チップ数と、該当工程
致命外観不良チップ数と、検査チップ数とを数える機能
を有する。外観不良の種類及び致命性はＣＲＴｌｌ○７
に表示された外観不良像を検査作業者が観察し判断する
。また検査作業者は観察している外観不良が致命性を有
しかつ検査した工程で発生したものと判断したとき、該
当」：＋：ａ致命外観不良と分類する。外観不良チップ
数、致命外観不良チップ数、該当工程致命外観不良チッ
プ数は、それぞれの外観不良を有するチップの数である
。

第３７図は外観不良データ解析ステーション５の構成を
示す。該外観不良データ解析ステーション５は外観不良
データ処理部］１１０と外観不良データベース↓１１１
と、入力装置としてのキポート１−１１２と、マウス１
１上３と、出力装置としてのＣＲＴｌｌｉ、４と、プリ
ンタ上↓１５と、外観検査装置４と通信を行う外部通信
部１１１６と、フロッピーディスクドライブ］−１１７
と外観不良データ処理部内のメモリ上上土８とハードデ
ィスク１１↓９とＣＰＵ１ｉ２０からなる。

外観検査装置４には、ウェハ検査時に被検査ウェハの品
種、検査工程名、ロットＮ○、ウェハＮＯ１検査日時、
作業者名が外観不良管理データとしてキーボード１１０
５またはバーコードリーダ１↓０６により入力される。

外観検査装置４の検出部１１０３て測定する被検査ウェ
ハ上の外観不良数と、致命外観不良数と、該当工８致命
外観不良数と、外観不良チップ数と、致命外観不良チッ
プ数と、該当」工程致命外観不良チップ数と、検査チッ
プ数各外観不良の座標と、種類と致命性を外観不良検査
データとして外観不良管理データと併せて、メモリ１２
０６において、データを保持する。

外観不良データベース１１　］−１の構成を第３８図に
示す。基本的な構成は前記「実施例２Ｊで示した異物デ
ータヘース１０１０の構成と同じである。

外観不良データ処理部上１↓Ｏは第３９図に示す品種別
ウェハ数管理ファイルと、「実施例２」で示したマツプ
情報ファイルとをハートティスク↓↓１９内に有する。

次に本システムにおけるデータの流れを説明する。外観
検査装置４に於いて１ウェハ検査が終ると該ウェハに関
する外観不良管理データと外観不良検査データが外観不
良データ解析ステーション５に通信回線６を通じて送信
される。以下「実施例２」に示したデータの流れと概略
同じであるが、扱うデータが外観不良管理データと外観
不良検査データであること、データがウェハ単位である
こ１・５５　。

とが異なる。

実施例↓４ 外観不良データ解析ステーション５の使用法に関する実
施例を示す。概略は前記「実施例３」に示した異物デー
タ解析ステーション２の使用方法と同じである。Ｊ、１
：本データ表示欄１０３６において、Ｌ異物数２Ｍ異物
数、Ｓ異物数の代りに致命欠陥数、不良率、欠陥密度を
表示することと、解析機能アイコンの示す内容が後述す
る「実施例１５」から「実施例２５」まてに示す解析機
能である点が異なる。

実施例１．５ 以下欠陥マツプと称する本発明における一解析例を説明
する。

本実施例は前記「実施例４」と概略同してある。

前記「実施例４」では前記「実施例２」及び「実施例３
」で示した異物検査システムを用いて、解析対象を異物
としていたが、本実施例では前記「実施例］−３」及び
「実施例」４」で示した外観検査システムを用いて、解
析苅象を外観不良とす５６　。

る点が異なる。出力に際しては、表示点の色又はマーク
は「実施例４」では異物の粒径を表していたが、本実施
例では外観不良のカテゴリを表す。

実施例↑６ 次に欠陥チップマツプと称する本発明における一解析例
を説明する。

本実施例は前記「実施例５」と概略同してある。

前記「実施例５」ては前記「実施例２」及び「実施例３
」で示した異物検査システムを用いて、解析対象を異物
としていたが、本実施例では前記「実施例１３Ｊ及び「
実施例１４．ｌで示した外観検査システムを用いて、解
析対象を外観不良とする点が異なる。

実施例１７ 次にウェハ分割と称する本発明における一解析例を説明
する。

本実施例は［）ｄ記「実施例７」と概略同じである。

前記「実施例７」では前記「実施例２」及び「実施例３
」て示した異物検査システムを用いて、解析対象を異物
としていたが、本実施例では前記「実施例１３」及び「
実施例１４」で示した外観検査システムにおいて行い、
解析対象を外観不良とする点が異なる。

実施例１８ 次に欠陥数度数分布と称する本発明における一解析例を
説明、する。

本実施例は前記「実施例８」と概略同してある。

前記「実施例８」では前記「実施例２」及び「実施例３
」で示した異物検査システムを用いて、解析対象を異物
としていたが、本実施例では前記「実施例↓３」及び「
実施例上４」て示した外観検査システムを用いて、解析
対象を外観不良とする点が異なる。

実施例１９ 次に欠陥時系列推移と称する本発明における一解析例を
説明する。

本実施例は前記「実施例９」と概略同してある前記「実
施例９」では前記「実施例２ｊ及び「実施例３」で示し
た異物検査システムを用いて、解析対象を異物としてい
たが、本実施例では前記「実施例１３」及び「実施例１
４」で示した外観検査システムを用いて、解析対象を外
観不良とする点が異なる。出力に際しては、折線および
点の色又はマークは「実施例９」では異物の粒径を表し
ていたが、本実施例では外観不良のカテゴリを表す。

実施例２０ 次に工程間欠陥推移と称する本発明における一解析例を
説明する。

本実施例は前記「実施例１０Ｊと概略間してある。前記
「実施例１０」では前記「実施例２」及び「実施例３」
で示した異物検査システムを用いて、解析対象を異物と
していたが、本実施例では前記「実施例１３Ｊ及び「実
施例１４」で示した外観検査システムを用いて、解析対
象を外観不良とする点が異なる。出力に際しては、折線
および点の色又はマークは「実施例９」では異物の粒径
表していたが、本実施例では外観不良のカテゴリを表す
。

実施例２１ ・５．９・ 次に欠陥発生履歴と称する本発明における一解祈例を説
明する。

本実施例は前記「実施例１１Ｊと概酩同じである。＋”
ｒＳｉ記ｒ大飽例１１ＪてはＩ）もｊｄ　「実施例２」
及び「実施例３」て示した異物検査システムを用いて、
解析対象を異物としていたが、本実施例では前記「実施
例１３」及び「実施例１４」で示した外観検査システム
を用いて、解析対象を外観不良とする点が異なる。

実施例２２ 次にチップ不良率推移と称する本発明における一解析例
を第４０図に示し説明する。解析作業者は品名、工程名
、検査日付を必ず指定し、必要に応じてロットＮ○を指
定することにより、外観不良データベース１１１１から
、第３８図に示す該当するロット内のロッｌ−ＮＯとウ
ェハＮＯと外観不良チップ数５０４５、致命外観不良チ
ップ数５０４４、検査チップ数、検査時刻５０３９をメ
モリ１１工８に読み込ませ、チップ不良率、致命チップ
不良率を算出させる。チップ不良率、致命チ・−６−Ｏ
。

ツブ不良率は次式に従う。

チップ不良率＝外観不良チップ数÷検査チップ数Ｘ１０
０ 致命チップ不良率＝致命外観不良チップ数：検査チップ
数×１００ また各ウェハに関するデータは検査日刊５０’３８及び
検査■、シ刻５０３９により古い順に皿へられる。

表示はＣＲＴｌｌ１４上にチップ不良率１１２１、致命
チップ不良率１１２２の推移を折線グラフで行い、二本
の折線の色又は線の種類を変える。

左縦軸１１２４はチップ゛不良率、右縦軸１１２５は致
命チップ不良率で、横軸はロットＮｏ及びウェハＮ○で
あり、左から古い順番に表示する。

実施例２３ 次にチップ欠陥密度推移と称する本発明における一実施
例を第４１図に基いて説明する。解析作業者は品名、工
程名、検査日付を必ず指定し、必要に応じてロットＮ○
を指定することにより、外観不良データベースｌｌｌ’
ｌから該当するロット内のロッｌ−Ｎ　ＯとウェハＮ○
と外観不良数５０４３、致命外観不良数５０４４、検査
チップ数、検査時刻５０３９を内部メモリ↓１１８に読
み込ませ、チップ外観不良密度、致命チップ外観不良密
度を算出させる。チップ外観不良密度、致命チップ外観
不良密度は次式によって計算する。

チップ外観不良密度＝外観不良数÷検査チップ数ＸＩＣ
）０ 致命チップ外観不良密度＝致命外観不良数÷検査チップ
数×１００ また各ウェハに関するデータは検査日付５０３８及び検
査時刻５０３９により古い順に並べられる。

表示はＣＲＴ１１１４上にチップ外観不良密度、致命チ
ップ外観不良密度の推移を折線グラフ１１２６．１１２
７で行い、二本の折線の色又は線の種類を変える。左縦
軸１１２８はチップ外観不良密度、右縦軸１１２９は致
命チップ外観不良密度で、横軸１１３０はロットＮ○及
びウェハＮｏであり、左から古い順番に表示する。

実施例２４ 次に１程別不良率と称する本発明における一解析例を第
４２図に示し、説ｒｙｅする。

解析作業者は品名と複数の」−程名を必ず指定し、必要
に応じてロツｌ−ＮＯ、ウェハＮ○、検査日付を指定す
ることにより、外Ｎ１不良データヘース１１１１から該
当するロツｌ−ＮＯとウェハと外観不良チップ総数、致
命外観不良チップ総数、該当工程致命外観不良チップ総
数及び検査チップ数と検査口付と検査時刻を内部メモリ
土工１．８に読み込ませ、総不良率１王３↓、致命欠陥
不良率１↓３２、該当工程致命欠陥不良率１　ｉ−３３
を算出させる。総不良率、致命不良率、該当工程致命不
良率は次式によって、ｉｌ算する。

総不良率＝外観不良チップ総数÷検査チップ総数×土Ｏ
Ｏ 致命不良率二致命外観不良チップ総数÷検査チップ総数
Ｘ１００ 該当工程致命不良率＝該当上程致命外観不良チップ総数
÷検査チップ総数×↓０Ｏ ６３。

但し、同一工程に複数ウェハ分のデータがあった場合は
、工程別にウェハに関し平均する。また工程名を検査目
付５０３８、検査時刻５０３９を用いて古い順に並べる
。

出力はＣＲＴｌｌ１４上に行い」工程ごとに総不良率１
↓３」−１致命欠陥不良率↓１−３２、該当工程致命欠
陥不良率１↓３３を棒グラフ表示する。

横軸１．１３９は工程で、左から古い順に並べ、縦軸Ｊ
１４０は不良率である。各不良率を示す部分はそれぞれ
塗色またはメソシュを変える。

実施例２５ 次に工程別不良率の別の解析例を第４３図に示し、説明
する。

解析作業者は品名と複数の工程名を必ず指定し、必要に
応じてロッｌ−ＮＯ、ウェハＮｏ、検査日付を指定する
ことにより、外観不良データベース」−１１１から該当
するロツ１−ＮＯとウェハＮ○とパターン欠陥チップ数
、異物欠陥チップ数、その他欠陥チップ数及び検査チッ
プ数と検査日付と検査［１、）刻を内部メモリ土工１８
に読み込ませ、パター６４、 ン欠陥チップ数、異物欠陥チップ数、その他欠陥チップ
数を算出させる。パターン欠陥チップ数、異物欠陥チッ
プ数、その他欠陥チップ数は次式によって計算する。

パターン欠陥不良率＝パターン欠陥不良率二検査チップ
数Ｘ　ｉ　ＯＯ 異物欠陥不良率＝異物欠陥チップ数÷検査チップ数ｘｌ
ＯＯ その他欠陥不良率＝その他欠陥チップ数÷検査チップ数
ｘ　ｉ、　ｏ　。

但し、同一工程に複数ウェハ分のデータがあった場合は
、工程別にウェハに関し平均する。　また工程名を検査
日付、検査時刻を用いて占い順に数人る。

出力はＣＲＴ１１１４上に行い工程ごとにパターン欠陥
不良率１１４３、異物欠陥不良率］土４２、その他欠陥
不良率１↓４土を棒グラフ表示１１４−８，１１４７，
１工４６する。横軸↓１−４４は工程で、左から古い順
に兼へ、縦軸］↓４５は不良率である。各不良率を示す
部分はそれぞれ塗色またはメツシュを変える。

実施例２６ 本実施例においては「実施例ｊコにおいて示した検査デ
ータ解析システムにおける、異物検査装置１と異物デー
タ解析ステーション２とプローブ検査装置７とプローブ
検査データ解析ステーション８とからなる部分について
第４４図に示し、説明する。

第４５図はプローブ検査装置７の構成を示す。

該プローブ検査装置７はプローブ検査部上↑４Ｇとプロ
ーブデータ検査処理部１↓４７と入力装置としてのキー
ボード１１４８とバーコードリーダ工土４９と出力装置
としてのＣＲＴ　ｌ上５０とプリンタエ１５１とプロー
ブ検査データ解析ステーション８との通信を行なう外部
通（ｒｊ部１１５２と、データ処理部上↓４７内のメモ
リ１２ｏ７からなり、ウェハ上の半導体装置の製品特性
を検査する装置である。

第４６図はプローブ検査データ解析ステーショ８ンの構
成を示す。該プロ〜ブ検査テータ解析スチージョン８は
プローブデータ処理部１１５３と、プローブデータ処理
部１１５３によって処理された結果を格納するプローブ
データベース１１５４と、入力装置としてのキーボード
１１５５とマウス１１５６と、出力装置としてのＣＲＴ
１１５７とプリンタ１１５８、プローブ検査装置７との
通信を行なう外部通信部１１５９と、異物データ解析ス
テーション２と通信を行う外部通信部↓１６０と、メモ
リ１１６１とハードディスク１１６２とＣＰＵ１１６３
とからなる。第４４図に示す異物解析ステーション２の
構成は「実施例２」゛で示した第４図の異物解析ステー
ション２の構成と概略同じである。本異物解析ステーシ
ョンは第４図で示した構成以外にプローブデータ検査解
析ステーション８との通信を行なう外部通信部上１６４
を有している（第４７図）。

プローブ検査装置７には、ウェハ検査時に被検査ウェハ
の品種、ロット番号、ウェハ番号、検査日時、作業者名
がプローブ管理データとしてキーボード１１４８または
バーコードリーダー１１４９により入力される。該プロ
ーブ検査装置７は検査ウェハ上のチップの電気的特性を
検査し、検査結果と該チップの位置をプローブ検査デー
タとして前記プローブ管理データと併せてデータを保持
する。チップの位置の示し方は「実施例２」の第６図に
示した座標系を用いる。プローブ検査ブタ解析ステーシ
ョン８はプローブ検査装置７において１０ツト検査が終
ると、該ロットのプローブ管理データとプローブ検査デ
ータを該プローブ検査装置７から読み込み、プローブ検
査データをもとに製品の良品、不良品を判断して第４８
図に示すようにプローブデータベース１１５４に登録す
る。プローブデータベース１１５４ではウェハ番号以外
のプローブ管理データ１１４６〜１１５０をプローブ検
査ロットデータテーブル（第４８図（ａ））として、ロ
ットＮ０１１５１とウェハＮ０１１５２とプローブ検査
データ１工５３〜工１５６をプローブ検査ウェハデータ
テーブル（第４８図（ｂ））として、２つのデータテー
ブルを持つ。

６８＼ 異物データベース１０１０の構成は「実施例２」に示し
た異物データベース１０１０と同してある。。

異物データ処理部１００９は第４９図に示す解析データ
補助ファイルと「実施例２ノで示したマツプ情報ファイ
ルと品種別ロン１〜数管理ファイルを有している。解析
データ補助ファイルは品種別に、ウェハー枚当りの予定
取得数１１５８を登録する。品種別ロット数管理ファイ
ルの機能は「実施例２」に示したものと概略同してある
。品種別ロット数がＯになったとき該品種に関する解析
データ補助ファイルのデータも削除する点が異なる。

実施例２７ 前記「実施例２６」記載のシステムにおける異物データ
解析ステーション２の使用方法に関する実施例を示す。

本使用方法は「実施例３」記載の異物データ解析ステー
ション２の使用方法と概略同じである。解析機能アイコ
ンの示す内容が「実施例２８」から「実施例３１」に示
す解析機能が加わっている点が異なる。

実施例２８ 以下異物歩留り相関解析と称する本発明の実施例を第５
０図に基いて説１’ＪＪする。

本実施例では処理途中のウェハの異物数と、ウェハ処理
工程終了後のプローブ検査の歩留との関係を相関図の形
で出力する。データ解析のアルゴリズムを第５１図に示
す。

解析作業者は、品名とロフトＮ○を指定しくステップ１
００２２）、異物データベース↓０１０から、該ロット
のウェハＮｏと各ウェハの異物数を読み込ませ（ステッ
プ１００２３）、ブ、ローブデータ検査ステーション８
から該ロット内のウェハのウェハ歩留りを読み込ませる
（ステップ１゜０２４）。異物データ処理部１００９で
はウェハＮｏにより異物数とウェハ歩留はつき合され（
ステップ１００２５）、相関図を作成する。（ステップ
１００２６）。出力の形式は、横軸１１６５に異物数、
縦軸上１６６に歩留りをとっており、百分率で表す。複
数点打点１１６７させ１次回帰直線１１６８を計算し、
グラフ上に描く。

実施例２９ 次に異物歩留りオーバーレイ推移と称する本発明におけ
る一解析例を第５２図に基いて説明する１゜本実施例で
は製造途中のウェハの異物数の推移と、ウェハ製造処理
終了後のプローブ検査の歩留りの推移を、それぞれ折線
グラフにして出力する。

解析作業者は、品名と検査期間を必ず指定し、必要なら
ばロツｌ−ＮＯを指定することにより、異物データベー
ス１０１０から、第５図に示す検索条件に合致するロッ
トの検査日付５００５及び検査時刻５００６と該ロア１
−内のウェハＮ○５００９と異物数５０１０を読み込ま
せ、プローブ検査データ解析ステーション８から該ウエ
ノ＼のプロブデータを読み込ませる。処理部１００９で
はウェハを検査した日付及び時刻により古い順に並べ替
える。出力の形式は横軸］−↓７５はウェハＮＯで左か
ら古い順に並んでいる。右側縦軸↓１６９は異物数で、
左側縦軸１１７０はウェハ歩留りである。同一のウェハ
に関する異物数を示す点］、　１７エと歩留りを示す点
１エフ２を同一垂直軸上に打点し、異物数及びウェハ歩
留りに関する点をそ１ れぞれ結び、２本の折線クララ１１フ３，１エフ４を作
成する。２本の折線は色または線の種類を変える。

実施例３０ 次に異物粒径別歩留りと称する本発明における一解析例
を第５３図に示し説明する。

本実施例では製造途中のウェハ上の異物粒径と、ウェハ
製造処理終了後のプローブ検査の歩留りの関係を棒グラ
フの形で出力する。

解析作業者は、品名と工程名とロフトＮｏを必ず指定す
ることにより、異物データベース］、　ＯＩＯから、該
ロツ１へ内のウェハＮ○と各ウェハ上の異物の座標５０
１４．５０１５と粒径５０１６を読み込ませ、プローブ
データ検査ステーション８から該ロット内のウェハＮｏ
と該ウェハ内の各チップの良品、不良品の判定結果を読
み込ませる。

ここで異物の粒径は「実施例１」に示したように大きい
順にり、Ｍ、Ｓの３段階にクラス分けがなされている。

異物データ処理部１００９では、チップ配列情２ 報と異物の座標から、「実施例５」に示した異物付着チ
ップ判定アルゴリスムを用いて、各ウェハごとに異物が
付着しているチップを判定し、その粒径をｉ８録する。

一つのチップに複数の異物が付着している場合は一番大
きな粒径で代表する。

各チップをり、Ｍ、Ｓの異物が付着しているもの、異物
が付着していないものの４つに分類し、それぞれ歩留り
を計算する。本実施例で定義する歩留りは、各粒径別に
次式で定義する。

出力はＣＲＴ１０１３上に横軸１１７６は異物粒径て、
左から異物付着魚し、Ｓ異物２Ｍ異物、Ｌ異物で、縦軸
１１７７は粒径側歩留りである。粒径側歩留は横軸の各
粒径上に棒グラフで表示する。

実施例３１ 次に異物付着工程別良品率と称する本発明における一解
析例を第５４図に示し説明する。　本実施例では、ウェ
ハに異物が付着した製造工程別に、ウェハ製造処理終了
後のプローブ検査の歩留りを棒グラフの形で出力する。

解析作業者は、品名と複数の工程名とロットＮ○を必ず
指定することにより、異物データベース１０１０から、
第５図に示す検査日付５００５及び検査時刻５００６と
該ロット内のウェハＮ、０５０１３と各ウェハ上の異物
の座標５０１４，５０１５を読み込ませ、プローブデー
タ検査ステーション８から該ロット内のウェハＮ○と該
ウェハ内の各チップの良品、不良品の判定結果を読み込
ませる。

異物データ処理部↓００９ては、「実施例１２」で示し
た工程別異物抽出マツプを作成する。該工程別異物抽出
マツプに対し、「実施例５」に示した異物付着チップ判
定アルゴリズムを用いて各チップごとに異物付着の有無
を判定する。工程別に、異物付着チップを数え、異物付
着チップ内良品数も数える。出力はＣＲＴ１０↓３上に
行い、横軸↓↓８４は」二程名で左から古い順に並んで
おり、縦軸上１８５はチップ数である。各工程Ａ、Ｂ。

Ｃごとに異物付着チップ数の棒グラフを作成し、４ 該棒グラフを層別して異物付着チップ内良品数１１８３
を下層に、不良数工１８２を上層に表す。

上下の層は塗色又はメツシュを変えて表示する。

実施例３２ 本実施例においては「実施例１」において示した検査デ
ータ解析システムにおける、外観検査装置４と外観不良
データ解析ステーション５とプロブ検査装置７とプロー
ブデータ解析ステーション８からなる部分についてを第
５５図に基いて説明する。「実施例２６」に示したシス
テム構成において異物検査装置１、異物データ解析ステ
ーション２の代りに外観検査装置４と外観不良データ解
析ステーション５を用いる。外観検査装置４は「実施例
１３」で示した外観検査装置４と全く同じ構成である。

外観不良データ解析ステーション５は第３７図で示した
外観不良データ解析ステーション５の構成にくわえプロ
ーブデータ解析ステーション８と通信を行う外部通信部
１１８９を有している（第５６図）。

プローブ検査装置７において入出力されるデー５４ 夕は実施例２６に示したものと間−である。外観不良デ
ータヘース１１１１の構成は第３８図に示したものと同
してある。

外観不良データ処理部１１１０は第３９図に示した解析
データ補助ファイルと第７図に示したマツプ情報ファイ
ルと品種別ウェハ数管理ファイルを有している。品種別
ウェハ数管理ファイルは第８図に示したものと概略同じ
である。品種別ウェハ数がＯになったなら、該当品種に
関する解析データ補助ファイルのデータを削除する点が
異なる。

実施例３３ 「実施例３２」記載のシステムにおける外観不良データ
解析ステーション５の使用方法に関する実施例を示す。

本使用方法は「実施例１４」記載の外観不良データ解析
ステーション５の使用方法とＷｔ略同じである。解析機
能アイコンの示す内容が「実施例３４」から「実施例３
７」までに示す解析機能が加わっている点が異なる。

実施例３４ 次に欠陥歩留り相関解析と１／＋ｉする本発明におけ７
６　。

る−解析例を説明する。

本実施例は「前記実施例２８」と概略同じである。「実
施例２８」においては「前記実施例２６」及び「実施例
２７」に示した検査データ解析システムを用いて、異物
を解析対象としていたが、本実施例では「前記実施例３
２」及び「実施例３３」に示した検査データ解析システ
ムを用いて、外観不良を解析対象とする。

実施例３５ 次に外観歩留りオーバーレイ推移と称する本発明におけ
る一解析例を説明する。

本実施例は前記「実施例２９」と概略同じである。「実
施例２９」においては前記「実施例２３」及び「実施例
２７」に示した異物プローブ検査システムを用いて、異
物を解析対象としていたが、本実施例では前記「実施例
３２」及び「実施例３３」に示した外観プローブ検査シ
ステムを用いて。

外観不良を解析対象とする。ここで右側縦軸１１６９は
外観不良数、左側縦軸↓１７０は歩留り、横軸１１７５
はロットＮ○及びウェハＮｏを禾す。

実施例３６ 次に欠陥種類別歩留りと称する本発明における一解析例
を説明する。

本実施例は前記［実施例３０］と概略同じである。「実
施例３０」においては前記「実施例２６」及び「実施例
２７」に示した異物プローブ検査システムを用いて、異
物を解析対象としていたが、本実施例では前記「実施例
３２」及び「実施例３３ｊに示した外観プローブ検査シ
ステムを用いて、外観不良を解析対象とする。「実施例
３０Ｊにおける異物の粒径の代りに本実施例では外観不
良のカテゴリを扱う。本実施例では縦軸１１７９は歩留
り、横軸１１７６は欠陥種類で、パターン欠陥、異物欠
陥、その他の欠陥の順で並んでいる。

実施例３７ 次に欠陥工程別歩留りと称する本発明における一解析例
を説明する。

本！Ａ施例は前記「実施例３１」と概略同じである。「
実施例３２」においては前記「実施例２６」及び「実施
例２７」に示した異物プローブ検査システムを用いて、
異物を解４ノ１対象としていたが、本実施例ては１１ｈ
記「実施例３２」及び「実施例３３」に示した外観プロ
ーブ検査システムを用いて、外観不良を解析対象とする
。本実施例においては縦軸１　土８５がチップ数、横軸
１１８４は工程名である。

実施例３８ 本実施例では外観不良カテゴリの分類の仕方を示す。外
観不良カテゴリは、外観不良の発生原因、発生現象、及
び外観不良の種類で分類する。外観不良の発生原因はレ
ジス１−残治、指紋、レチクルエラーによるパターン不
良、エッチ残りによるパターン不良、解像不良によるパ
ターン不良、異ｉ、’を酸化による膜不良、その他と分
類する。外観不良の発生現象として、Ａ↓腐食によるパ
ターン不良、コンタクトホール目つぶれによるパターン
不良、ピンホールによる膜不良、その他と分類する。外
観不良の種類は異物付着、パターン不良、膜不良、錫、
その他に分類する。」二記の分類に従って外観不良を分
類し、前記「実施例工５，１９．２Ｑ。

７９　。

３６」の各項ｌに示すデータＭ折を行う。

実施例３９ 本実施例では、前言己「実施例２６．２７」に示した発
明と前記「実施例３２．３３」に示した発明を同一のウ
ェハ製造ラインで使用する例について第５７図をもとに
説明する。第１図に示した製造ラインに苅し、経験的に
異物の発生が多いことが判明している製造工程、製造装
置の調整を行った製造工程等の直後に異物検査工程を設
定する。

また各異物検査工程に対してウェハー枚当りの異物数の
管理基準を設定する。該管理基準異物検査結果を異物デ
ータ解析ステーション２により「実施例９」に記載した
解析を行い、各異物検査工程における異物数の時間的な
変化を監視し、異物数が該管理基準と比して高い工程を
摘出する。また前記「実施例１０」記載の解析により、
他工程と比して検出された異物数が多い工程を摘出する
。

前記「実施例１０Ｊ記載の解析により、他工程と比して
付着した異物数の多い工程を摘出する。こうしてｍ番目
の異物検査工程が摘出されたなら、０ ｍ番目の異物検査工程の直前の製造工程を中心に。

前後数製造工程を選び、該製造工程の直後にそれぞれ外
観検査工程を設定する（第５７図）。外観検査結果を外
観不良データ解析ステーション５により「実施例１５か
ら２５」に記載した解析を行う。

実施例４０ 「実施例１」においては異物データ解析ステーション２
と外観不良データ解析ステーション５を別々にしたが、
本実施例では同一のワークステーションとする。全体構
成を第５８図に示す。

各装置の構成はそれぞれ第３図、第３６図、第４５図、
第４６図の各図に示した通りである。データ解析ステー
ション１１９０のみ第５９図に示すように、第４７図に
示した異物データ解析ステーション２に加え外観検査装
置４と通信する外部通信部↓１９↓を有する。

実施例４１ 本実施例では磁気ディスク生産ラインに本発明を適用す
る例について説明する。第１図に示したハード構成にお
いて、異物検査装置ｌの代りにティスフ異物検査装置を
、異物データ解析ステーション２０代りにディスク異物
解析ステーションを、外観検査装置４の代りにディスク
外観検査装置を、外観不良データ解析ステーション５の
代りにディスク外観不良解析ステーションを、プローブ
検査装置７の代りにディスク最終製品検査装置を、プロ
ーブデータ解析ステーション８の代りにディスク製品デ
ータ解析ステーションを使用する。検査装置及びデータ
解析ステーションの機能は「実施例２から３７」で述べ
たものと同じである。磁気ディスク上の座標の取り方を
第６０図に示し、説明する。内周部のｌケ所に、一番始
めの磁気ディスク製造工程においてマーク１１９２を付
ける。

ディスク中心１１９３と該マークを結ぶ直線を基準線１
１９４とし、該ディスク中心と該基準線を用いて、磁気
ディスク上に２次元極座標系を設定する。該極座標を用
いて「実施例の２から３７及び３９」の各項目に示した
解析、操作、処理等を同様に行う。ただし、出力の際、
半導体チップを示す境界線１０５５に相当するものは出
力しない。

実施例４１ 本実施例では回路基板の生産ラインに本発明を適用する
例について説明する。「実施例ＩＪの東１図に示したハ
ード構成において、異物検査装置ｌの代りに回路基板異
物検査装置を、異物データ解析ステーション２の代りに
回路基板異物解析ステーションを、外観検査装置４の代
りに回路基板外観検査装置を、外観不良データ解析ステ
ーション５の代りに回路基板外観不良解析ステーション
を、プローブ検査装置７の代りに回路裁板最終検査装置
を、プローブデータ解析ステーション８の代りに回路基
板データ解析ステーション使用する。

検査装置及びデータ解析ステーションの機能は「実施例
２から３７」で述べたものと基本的に同じである。第６
１図に示すようにワークを囲む最小の方形を設定し、必
要に応じて、ワーク上にマーク１１９７をっけ基準点と
する。そして第６１図に示したようにＸ軸工１９５、Ｙ
座標１１９６をとる。この座標系を用いて、「実施例の
３から３７及び３９」の各項目に示した解析を行う。

８３　。

［発明の効果］ 本発明によれば、外観不良と製品特性の関係は従来ウェ
ハ１１５位で欠陥密度と歩留りの相関をとる方法であっ
たが、チップ単位のデータ解析が可能となることにより
、各チップの外観不良の発生状況と該チップの製品特性
の関係が分かるようになり、新しいデータ解析が可能と
なり、外観不良（原因）と製品特性（結果）の因果関係
を明確化出来るようになる。この機能により、適切な歩
留り向上対策を行う上で有効な判断材料が得られるよう
になる。また、検査速度の異なる異物検査装置と外観検
査装置を使いわけることにより、量産ラインにおいて外
観検査を行うべき工程を決定する方法の一つとして、新
たに異物検査の結果から決定できる様になる。また、全
工程、全装置に渡って異物検査データと外観検査データ
の整合をとる必要がなくなるという利点がある。

本発明において、解析ステーションにおける操作方法と
データ検索手順を定型化し、データ解析方法も体系化し
たので容易に異常発生工程と、そ８４　。

の異常内容を知ることができるようになり、製造装置担
当者は、担当装置の異名（゛の迅速な対策が可能となる
。

本発明により、製品不良の原因となる外観不良を解析す
る新しい方法が確立された。この発明は半導体装置製造
に限らず、ワークの外観検査と最終製品検査を行う製品
（例えば磁気ディスク、回路基板）の製造ラインに適用
することが出来るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による検査データ解析システムの全体
構成の１実施例を示す図、第２図は、第工図における異
物検査システムの部分構成を示す図、第３図は、第２図
の異物検査装置の構成を示す図、第４図は、第２図の異
物データ解析ステーションの構成を示す図、第５図（、
）は、異物データベースにおけるロン１−単位データテ
ーブルを示す図、（ｂ）は、同じくウェハ単位データテ
ーブルを示す図、（ｃ）は、同しく異物単位データテー
ブルを示す図、第６図は、異物座標を表す座標の取り方
等を示す図、第７図は、品種別マツプ情報ファイルの構
成を示す図、第８図は、品種別ロット数管理ファイルの
構成を示す図、第９図は、データの登録に伴う処理をを
示すフローチャート、第１０図は、データの削除に伴う
処理を示すフロチャート、第↓１図は、初期画面を示す
図、第１２図は、検索画面を示す図、第１３図から第１
８図はそれぞれのデータの一覧表を示す図、第１９図は
、解析画面を示す図、第２０図は、異物マツプを示す図
、第２１１４は、異物付着チップマツプを示す図、第２
２図は、異物付着チップ判定アルゴリズムを示すフロー
チャート、第２３図は、ウェハ任意分割の際、表示され
る図、第２４図は、ウェハ任意分割の一例を示す図、第
２５図は、マツプ情報ファイルを示す図、第２６図は、
ウェハの分割位置に対する各領域の異物密度を示す図、
第２７図は、ウェハ分割の分割パターンを示す図、第２
８図は、異物数度数分布を示す図、第２９図は、異物数
時系列推移を示す図、第３０図は、検査期間における異
物数の頻度分布と各期間の平均の推移を表す図、第３土
図は、工程間異物数推移を示す図、第３２図は、異物伺
着履歴を示す図、第３３図は、工程追跡アルコリスムを
示すフロチャー１−１第３４図は、検出異物リス１−と
発生異物リスＩ〜の形式を示す図、第３５図は、第１図
の外観検査システムの部分構１曳を示す図、第３６図は
、第３５図の外観検査装置の構成を示す図、第３７図は
、第３５図の外観不良データ解析ステーションの構成を
示す図、第３８図（ａ）は、第３７図の外観不良データ
ヘ−スにおけるロット単位データテ−プルを示す図、（
ｂ）は、同ウェハ単位データテーブルを示す図、（シ）
は、同外観不良単位テーブルを示す図、第３９図は、品
種別ウェハ数管理ファイルを示す図、第４０図は、チッ
プ不良率推移を示す図、第４１図は、チップ不良密度推
移を示す図、第４２図は、工程別不良率を示す図、第１
１３図は、第４２図とは別の工程別不良率を示す図、第
４４図は、第１図の部分構成である異物検査装置、異物
データ解析ステーション、プローブ検査装置、プローブ
検査データ解析ステ８７　。 一ジョンを示す図、第４５図は、フローブ検査駿ｉｉ’
ｉの描へを示ずし１、＞ｐ、ｉ６図は、フローフデータ
ｆり１１′、祈スデーションの（ＩＩ＋）１曳を小す図
、紀４７図は、異物データ解析ステーションの描威を示
す図、第４８［７１（ａ）は、第４６区のプローブデー
タヘスにおけるプローフ検査ロツＩ〜データテーブルを
示す図、（＋）　）は、同プローフ検査ウェハデータチ
ーノルを小ず図、第１１９１ｄは、解仙データ補助ファ
イルを示す図、第５０図は、異物歩留り相関解析を示す
図、第５１図は、異物数と歩留りの相関を求めるフロー
チーｗ　−１−１第５２図は、異物歩留りオーバーレイ
推移を示す図、第５３図は、異物粒径別歩貿りを示す図
、第５４図は、異物イ寸着上程別良品率を示す図、第５
５図は、第土図の部分構成である外観検査装置、外観不
良データ解析ステーション、フローｊ　検査装置、フロ
ーフ検査データ解析ステーションを示す図、第５６図は
、外観不良データ解析ステーションの構成を示す図、第
５７図は、異物検査工程と外観検査工程の関係の一例を
２．、した図、第５８図は、全体構成の別の８ 実施例を示す図、第５９国は、第５８図にお＋ツるデー
タ解析ステーションの描１４　ｋ小ず図、第６０図は、
検査列数か磁気ティスターＣある場合のノ土１）′；（
の取り力を示す図、第６１図は、検査列数か回路裁板で
ある場合の座標の取り方を丞す図である。。 上は異物検査装置、２は異物データ解わ１ステーシヨン
、３．６．９．１０、土」は逓伝回線、４は外観検査工
程、５は外軌不良データ角ギ折ステーション、７はプロ
ーブ検査装置、８はプローブ検査データ解（〕７ステー
シヨン、］２はウェハ製逍ライン、１３はクリーンルー
ム、１００１は異物検出部、１００２は異物検出部ぢ処
理部、」００９は異物データ処理部、１０１０ば異物デ
ータヘース、１１０３は外観不良検出部、３−１０４は
外観不良検出信号処理部、１↓１０は外観不良データ処
理部、土Ｊ」−上は外観不良データ７＼−ス、１１４Ｇ
はプローブ検査部、」−１４７はブ目−フデータ検査処
理部、】１５３はプローブデータ処理部、」集 Ｉ 図 集 図 第 一 図 集 ７ 図 集 例 第 図 為 グ０ 図 集 ／Ｓ 図 集 ！５ 図 纂 １７ 図 美 ８ 回 纂 ９ 図 第 ２９ 陸 島 １ 図 稟 ２ 図 纂 ３６ 現 栴 ７ 図 Ｘ い 禄コ ロ７ ギろ ｄ 凶 察 ９ 図 ）Ｕｌｌ １０１；１ １（／／、ｊ 集 乙０ 畝 栴 乙！ 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被検査ワーク上の外観不良を検出する手段と、該外
   観不良の座標を測定する手段と、あらかじめワーク上に
   設定した複数の領域の幾何学的配列情報を記憶する手段
   と、前記外観不良が前記領域のうちどれに属するか判断
   する手段とを有することを特徴とする検査データ解析シ
   ステム。 ２、被検査ワーク上の外観不良を検出する手段と、該外
   観不良の座標を測定する手段と、外観検査を行う直前の
   ワークの製造工程を認識する手段と、同一のワークを製
   造工程順に外観検査を行った結果をそれぞれ比較し各外
   観検査において新たに検出された外観不良を座標毎に摘
   出する手段を設けたことを特徴とする検査データ解析シ
   ステム。 ３、被検査ワーク上の外観不良を検出する手段と、該外
   観不良の座標を測定する手段と、ワークを識別する手段
   とを有する外観検査装置と、前記検査装置の検査データ
   を蓄積する手段と、あらかじめワーク上に設定した複数
   の領域の幾何学的配列情報を記憶する手段と、前記外観
   不良が前記領域のうちどれに属するか判断する手段と、
   処理結果の出力手段とを有するデータ処理装置とを具備
   することを特徴とする検査データ解析システム。 ４、被検査ワーク上の外観不良を検出する手段と、該外
   観不良の座標を測定する手段と、外観検査を行う直前の
   ワークの製造工程を認識する手段と、ワークを識別する
   手段とを有する外観検査装置と、前記検査装置の検査デ
   ータを蓄積する手段と、同一のワークを製造工程順に外
   観検査を行った結果をそれぞれ比較し各外観検査におい
   て新たに検出された外観不良を摘出する手段と、処理結
   果の出力手段とを有するデータ処理装置とを具備するこ
   とを特徴とする検査データ解析システム。 ５、被検査ワーク上の外観不良を検出する手段と、該外
   観不良の座標を測定する手段と、該外観不良の発生数を
   測定する手段と、ワークを識別する手段とを有する第１
   の外観検査装置と、前記検査装置の検査データを蓄積す
   る手段と、ワーク毎または工程毎にデータを処理する手
   段と、処理結果の出力手段とを有する第１のデータ処理
   装置と、被検査ワーク上の外観不良を検出する手段と、
   該ワーク上に発生した外観不良の数を計数する手段と、
   各外観不良のワーク上の座標を測定する手段と、各外観
   不良の種類を認識する手段と、外観検査を行う直前のワ
   ークの製造工程を認識する手段と、ワークを識別する手
   段とを有する第２の外観検査装置と、第２の検査装置の
   検査データを蓄積する手段と、ワーク毎または工程毎に
   データを処理する手段と、処理結果の出力手段とを有す
   る第２のデータ処理装置とを備え、ワーク製造室内に第
   １と第２の外観検査装置を設置し、第１の外観検査装置
   と第１のデータ処理装置の間および第２の外観検査装置
   と第２のデータ処理装置の間を通信回線で結び、外観不
   良数が時間的に増加している工程またはワーク上の外観
   不良の分布に片寄りが見られる工程または多数の外観不
   良が発生する頻度が多い工程を探し出す解析を第１のデ
   ータ処理装置で行ない、第１のデータ処理装置による解
   析結果を基に第２の外観検査装置による検査を行う工程
   を決定することを特徴とする検査データ解析システム。 ６、被検査ワーク上の外観不良を検出する手段と、該外
   観不良の座標を測定する手段と、ワークを識別する手段
   とを有する外観検査装置と、前記検査装置の検査データ
   を蓄積する手段と、処理結果を出力する手段とを有する
   データ処理装置と、ワーク上にあらかじめ設定された領
   域の部品又は製品としての特性を測定する手段と、ワー
   クを識別する手段とを有する製品特性検査装置と、該製
   品特性検査装置の測定結果を基に、該ワーク上に設定さ
   れた各領域毎に製品又は部品として良品、不良品を判断
   する判定装置と、前記外観検査装置における検査結果と
   前記判定装置における判定結果を蓄積する手段を有する
   データ処理装置とからなる検査データ解析システムであ
   って、被検出外観不良の位置を記述する為にワーク上に
   設定した座標系と、製品特性検査においてあらかじめ設
   定してある領域の幾何学的配列情報を記述するための座
   標系を対応させることを特徴とする検査データ解析シス
   テム。 ７、被検査ワーク上の外観不良を検出し該外観不良の座
   標を測定する手段と、ワークを識別する手段とを有する
   外観検査装置と、前記検査装置の検査データを蓄積する
   手段と、あらかじめ分割された領域の幾何学的配置情報
   を記憶させる手段と、複数の被検査ワーク上の外観不良
   分布と、前記あらかじめ分割された領域をワーク上に重
   ねて表示する表示手段とを有するデータ処理装置とを具
   備したことを特徴とする検査データ解析システム。 ８、請求項１に記載の検査データ解析システムにおいて
   、あらかじめ分割された領域単位に外観不良数又は外観
   不良密度を計算し、ワーク上に重ねて表示することを特
   徴とした検査データ解析システム。 ９、被検査ワーク上の外観不良を検出する手段と、該外
   観不良の座標を測定する手段と、外観不良の種類を識別
   する手段と、ワークを識別する手段とを有する外観検査
   装置と、前記検査装置の検査データを蓄積する手段と、
   被検査ワークの外観不良を種類別に分布を表示する表示
   手段とを有するデータ処理装置とからなる検査データ解
   析システム。 １０、ワーク製造ラインの外観検査工程において、被検
   査ワーク上の外観不良を検出する手段と、該外観不良の
   座標を測定する手段と、外観不良の種類を識別する手段
   と、ワークを識別する手段とを有する外観検査装置と、
   前記検査装置の検査データを蓄積する手段と、被検査ワ
   ークの外観不良の度数に対する被検査ワーク数の度数を
   表示する表示手段とを有するデータ処理装置とからなる
   検査データ解析システム。 １１、被検査ワーク上の外観不良を検出する手段と、該
   外観不良の座標を測定する手段と、外観不良の種類を識
   別する手段と、前記外観検査を行う直前のワークの製造
   工程を認識する手段とを有する外観検査装置と、前記検
   査装置の検査データを蓄積する手段と、複数の工程にお
   ける外観検査結果を解析作業者が指定した順に並べ替え
   、外観不良の個数の推移を表示する表示手段を有するデ
   ータ処理装置とからなる検査データ解析システム。 １２、被検査ワーク上の外観不良を検出する手段と、該
   外観不良の座標を測定する手段と、ワークを識別する手
   段とを有する外観検査装置と、前記外観検査を行う直前
   のワークの製造工程を認識する手段と、前記検査装置の
   検査データを蓄積する手段と、外観検査したワーク毎の
   外観不良の分布を比較する手段と、あらかじめ分割され
   た領域の幾何学的配列情報を記憶する手段と、ワークの
   製造工程の進行順に同一ワークを検査し各検査間の製造
   工程で発生した外観不良の分布を比較し、製造工程順に
   発生した外観不良のワーク内分布を表示する表示手段と
   を有するデータ処理装置とからなる検査データ解析シス
   テム。 １３、被検査ワーク上の外観不良を検出する手段と、該
   外観不良の座標を測定する手段と、ワークを識別する手
   段とを有する外観検査装置と、前記外観検査を行う直前
   のワークの製造工程を認識する手段と、前記検査装置の
   検査データを蓄積する手段と、外観検査したワーク毎の
   外観不良の分布を比較する手段と、あらかじめ分割され
   た領域の幾何学的配列情報を記憶する手段と、前記外観
   不良があらかじめ設定された領域のうちどれに属するか
   判断する手段と、ワークの製造工程の進行順に同一ワー
   クを検査し各検査間の製造工程で発生した外観不良の分
   布を比較し、製造工程順に発生した外観不良のワーク内
   分布をあらかじめ分割された領域毎に密度表示する表示
   手段とを有するデータ処理装置とからなる検査データ解
   析システム。 １４、ワーク製造ラインの外観検査工程において、被検
   査ワークの上の外観不良を検出し該外観不良の座標、ワ
   ークを識別する番号を認識する手段を有する外観検査装
   置と、ワークのあらかじめ分割された領域の幾何学的な
   配列情報を記憶する手段と、前記外観不良があらかじめ
   分割された領域のうちどれに属するか判断する手段と、
   前記検査装置の検査データを蓄積する手段と、あらかじ
   め分割された領域を数種類に区分けすることにより表示
   画面上でワークを複数の領域に再分割する手段と、前記
   再分割された領域単位に外観不良の密度を表示する表示
   手段とを有する処理装置からなる検査データ解析システ
   ム。 １５、被検査ワークの上の外観不良を検出する手段と、
   該外観不良の座標を測定する手段と、不良の種類の識別
   する手段と、ワークを識別する番号を認識する手段を有
   する外観検査装置と、ワーク内のあらかじめ分割された
   領域の製品特性を検査する手段と、ワークを識別する記
   号を認識する手段とを有する製品特性検査装置と、前記
   製品特性検査結果を基にあらかじめ分割された領域の良
   品、不良品を判定する手段を有する判定装置と、前記検
   査装置の検査データを蓄積する機能とワーク内のチップ
   の幾何学的配列情報を記憶させる手段と、被検査ワーク
   上のあらかじめ分割された領域内に発生した外観不良の
   種類又は、個数と、該あらかじめ分割された領域に対す
   る製品特性検査の良品、不良品の関係を表示する表示手
   段とを有するデータ処理装置からなることを特徴とする
   検査データ解析システム。 １６、被検査ワーク上の外観不良の座標を測定する手段
   と、不良の種類を識別する手段と、ワークを識別する記
   号を認識する手段と、前記外観検査を行う直前のワーク
   の製造工程を認識する手段とを有する外観検査装置と、
   ワーク内の各あらかじめ分割された領域の製品特性を検
   査する手段と、ワークを識別する記号を認識する手段と
   を有する製品特性検査装置と、前記製品特性検査結果を
   基にあらかじめ分割された領域の良品、不良品を判定す
   る手段を有する判定装置と、あらかじめ分割された領域
   の幾何学的な配列情報を記憶させる手段と、前記検査装
   置の検査データを蓄積する手段と、ワーク毎の外観不良
   の分布を比較する手段と、各外観不良があらかじめ分割
   された領域のうちどれに属するか判断する手段と、同一
   ワークを製造工程順に検査し各検査によって得られた外
   観不良の分布を比較し新たに発生した外観不良を摘出し
   、外観不良が発生した工程とあらかじめ分割された領域
   の製品特性の良品、不良品との関係を表示する表示手段
   とを有するデータ処理装置からなる検査データ解析シス
   テム。 １７、外観不良の発生原因と現象と種類に着目して外観
   不良を分類して解析し、前記分類に基づいて解析結果を
   表示する請求項９、１５または１６いずれかに記載の検
   査データ解析システム。 １８、データ解析の際、品種名を指定し、工程名、ロッ
   ト番号、ワーク番号、検査期間、作業者名を必要に応じ
   て指定するデータ指定方法を特徴とする請求項１ないし
   １７いずれかに記載の検査データ解析システム。 １９、請求項５の検査データ解析システムにおいて、第
   １と第２のデータ処理装置のどちらか一方または両方を
   ワーク製造室外に設置することを特徴とした検査データ
   解析システム。 ２０、半導体装置の製造ラインの外観検査工程において
   、被検査ウェハのウェハ上の外観不良座標と不良の種類
   の識別とウェハを識別する機能を有する外観検査装置と
   、被検査ウェハ内のチップの幾何学的な配列情報を有し
   、前記検査装置の検査データを蓄積する機能を有する処
   理装置と、単一、又は、複数の被検査ウェハの外観不良
   を前記チップの幾何学的な配列情報に従って表示画面に
   描いたウェハ上に重ねて表示する表示手段とを有するこ
   とを特徴とした検査データ解析システム。 ２１、被検査ウェハ内の各チップに存在する外観不良を
   、単一、又は、複数の被検査ウェハのチップ単位につい
   て表示する手段を有することを特徴とした請求項２０記
   載の検査データ解析システム。 ２２、被検査ウェハの外観不良の種類別に、被検査ウェ
   ハのウェハ別、品種別に外観不良の個数、分布を表示す
   る手段を有することを特徴とした請求項２０記載の検査
   データ解析システム。 ２３、被検査ウェハの外観不良の種類別の度数に対する
   被検査ウェハ数の度数を表示する手段を有することを特
   徴とした請求項２０記載の検査データ解析システム。 ２４、半導体装置の製造ラインの外観検査工程において
   、被検査ウェハのウェハ上の外観不良座標と不良の種類
   の識別とウェハを識別する機能を有する外観検査装置と
   、被検査ウェハの半導体装置の品種のウェハ内のチップ
   の幾何学的な配列情報と、前記外観検査を行う前の半導
   体装置の製造工程を認識する機能を有し、前記検査装置
   の検査データを蓄積する機能を有する処理装置と、被検
   査ウェハの半導体装置の製造工程の進行順に外観不良の
   個数の推移を表示する表示手段とを有することを特徴と
   した検査データ解析システム。 ２５、半導体装置の製造ラインの外観検査工程において
   、被検査ウェハのウェハ上の外観不良座標と不良の種類
   の識別とウェハを識別する機能を有する外観検査装置と
   、被検査ウェハの半導体装置の品種のウェハ内のチップ
   の幾何学的な配列情報と、前記外観検査を行う前の半導
   体装置の製造工程を認識する機能と、前記検査装置の検
   査データを蓄積する機能を有し、外観検査した検査毎の
   ウェハの不良発生座標の比較機能を有する処理装置と、
   被検査ウェハの半導体装置の製造工程の進行順に、同一
   ウェハの検査した外観不良発生ウェハ上の座標を比較し
   、各検査間の製造工程で発生した外観不良の個数を同定
   し、製造工程順に発生する外観不良の個数の推移を表示
   する表示手段とを有することを特徴とした検査データ解
   析システム。 ２６、被検査ウェハの半導体装置の製造工程の進行順に
   、同一ウェハの検査した外観不良発生ウェハ上の座標を
   比較し、各検査間の製造工程で発生した外観不良の座標
   を同定し、製造工程順に発生する外観不良のウェハ内分
   布を、チップ単位、または座標で表示する手段を有する
   ことを特徴とした請求項２５記載の検査データ解析シス
   テム。 ２７、半導体装置の製造ラインの外観検査工程において
   、被検査ウェハのウェハ上の外観不良座標と不良の種類
   の識別とウェハを識別する機能を有する外観検査装置と
   、被検査ウェハの半導体装置の品種のウェハ内のチップ
   の幾何学的な配列情報を有し、前記検査装置の検査デー
   タを蓄積する機能と、検査データをウェハ上の座標で任
   意に分割する機能を有する処理装置と、単一、又は、複
   数の被検査ウェハの外観不良を表示画面に描いたウェハ
   上に任意に分割した領域に重ねて表示する表示手段とを
   有することを特徴とした検査データ解析システム。 ２８、半導体装置の製造ラインの外観検査工程において
   、被検査ウェハのウェハ上の外観不良座標と不良の種類
   の識別とウェハを識別する機能を有する外観検査装置と
   、被検査ウェハの半導体装置の品種ウェハ内のチップの
   幾何学的な配列情報と、前記外観検査を行う前の半導体
   装置の製造工程を認識する機能と、検査データをウェハ
   上の座標で任意に分割する機能と、前記検査装置の検査
   データを蓄積する機能を有し、外観検査した検査毎のウ
   ェハの不良発生座標の比較機能を有する処理装置と、被
   検査ウェハの半導体装置の製造工程の進行順に、同一ウ
   ェハの検査した外観不良発生ウェハ上の座標を任意分割
   領域で比較し、各検査間の製造工程で発生した外観不良
   の個数を同定し、製造工程順に発生する外観不良の個数
   の推移を前記任意分割領域で表示する表示手段とを有す
   ることを特徴とした検査データ解析システム。 ２９、半導体装置の製造ラインの検査工程において、被
   検査ウェハのウェハ上の外観不良座標と不良の種類の識
   別とウェハを識別する機能を有する外観検査装置と、半
   導体装置の電気特性の良品、不良品を判定検査する機能
   を有する電気特性検査装置と、被検査ウェハの半導体装
   置の品種のウェハ内のチップの幾何学的な配列情報を有
   し、前記検査装置の検査データを蓄積する機能を有する
   処理装置と、前記外観検査と電気特性検査の被検査ウェ
   ハの外観不良の発生個数と電気特性の１ウェハ上の全チ
   ップ数の良品の割合の関係を表示する表示手段とを有す
   ることを特徴とした検査データ解析システム。 ３０、外観検査の被検査ウェハ上の各チップ内に発生し
   た外観不良を種類又は、個数により分類し、当該ウェハ
   上の前記チップに対応する電気特性検査の電気特性の１
   ウェハ上の全チップ数の良品の割合との関係を表示する
   手段を有することを特徴とした請求項２９記載のデータ
   解析システム。 ３１、半導体装置の製造ラインの検査工程において、被
   検査ウェハのウェハ上の外観不良座標と不良の種類の識
   別とウェハを識別する機能を有する外観検査装置と、半
   導体装置の電気特性の良品、不良品を判定検査する機能
   を有する電気特性検査装置と、被検査ウェハの半導体装
   置の品種のウェハ内のチップの幾何学的な配列情報を有
   し、前記外観検査を行う前の半導体装置の製造工程を認
   識する機能と、前記検査装置の検査データを蓄積する機
   能を有する処理装置と、前記外観検査を行う前の製造工
   程毎に、外観不良の発生したチップと、当該チップに対
   応する電気特性検査の電気特性の１ウェハ上の全チップ
   数の良品の割合との関係を表示する表示手段とを有する
   ことを特徴とした検査データ解析システム。 ３２、半導体装置の製造ラインの検査工程において、被
   検査ウェハのウェハ上の外観不良座標と不良の種類の識
   別とウェハを識別する機能を有する外観検査装置と、半
   導体装置の電気特性の良品と不良品の不良の種類を判定
   検査する機能を有する電気特性検査装置と、被検査ウェ
   ハの半導体装置の品種のウェハ内のチップの幾何学的な
   配列情報を有し、前記外観検査を行う前の半導体装置の
   製造工程を認識する機能と、前記検査装置の検査データ
   を蓄積する機能を有する処理装置と、外観不良の種類と
   電気特性の不良との関係を表示する表示手段とを有する
   ことを特徴とした検査データ解析システム。 ３３、半導体装置の製造ラインの外観検査工程において
   、被検査ウェハのウェハ上の外観不良座標と不良の種類
   を不良発生の原因と結果の観点から識別し、ウェハを識
   別する機能を有する外観検査装置と、被検査ウェハの半
   導体装置の品種のウェハ内のチップの幾何学的な配列情
   報を有し、前記検査装置の検査データを蓄積する機能を
   有する処理装置と、単一、又は、複数の被検査ウェハの
   外観不良の原因と結果を併記して表示する表示手段とを
   有することを特徴とした検査データ解析システム。