JPH034445Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は陰極棒とこれを囲む外套との間に形成
された不活性ガスを流し得る第１の通路と該第１
の通路の外側方向に配設された活性ガスを流し得
る第２の通路とを少くとも有するプラズマアーク
トーチを備えた装置に関する。

〔従来の技術〕

従来例えばプラズマアークトーチを用いて金属
などの被加工材料を切断する良好な方法として、
第２図に示すようなトーチ本体Ｔにおける陰極棒
１と第１の外套２との間に形成された第１の通路
３に保護ガスとしてアルゴンなどの不活性ガス
G_Nを所定量流すと共に、第１の外套２と第２の
外套４との間に形成された第２の通路５には酸素
ガスなどの活性ガスG_Aをプラズマガスとして流
した状態にしておいて、陰極棒１と被加工材料６
との間に形成されたプラズマアーク柱７により被
加工材料６を切断する方法がある。そしてこの場
合、不活性ガスG_Nの最少流量は活性ガスG_Aが陰
極棒１と第１の外套２とで形成される第１の通路
３に入り込まない程度のものでなければならな
い。尚、８は図示の極性で陰極棒１と被加工材料
６間に接続された直流電源である。

〔考案が解決しようとする問題点〕

しかしながら鉄鋼板などに対し良質な切断を行
うには上記不活性ガスG_Nの量を充分に少なくす
ることが望ましいが、不活性ガスG_Nを上記最少
流量以下にすると活性ガスG_Aの圧力が勝つて該
ガスが多量第１の通路３内に侵入し、瞬時に陰極
棒１を損傷させてしまう。つまり、プラズマアー
ク柱７による被加工材料６の切断時、タングステ
ン電極である陰極棒１は、ほぼ融点温度付近まで
加熱状態にあるので、活性ガスに触れると、一瞬
にして酸化、消耗してしまうのである。従つて従
来装置ではプラズマガスが第１の通路３内に侵入
しないように充分に余裕をみて或る程度の量の保
護ガスを第１の通路３に流さざるを得ず、このた
めに切断材料によつては必ずしも良質な切断性能
を得ることができず、しかも不活性ガスG_Nの流
量が多いので不経済であつた。そして斯かる考慮
をしてもなお、切断性能との関係で、流し得る不
活性ガスの流量には自ずから限度があるため、切
断中におけるアーク電流の変動でプラズマガス通
路の圧力が上昇することにより、第１の通路３内
に活性ガスが侵入して陰極棒１を損耗させてしま
うことがある。

〔問題点を解決するための手段〕

本考案は以上の欠点を除去するために、陰極棒
とこれを囲む外套との間に形成された不活性ガス
を流し得る第１の通路と該第１の通路の外側方向
に配置された活性ガスを流しうる第２の通路とを
少なくとも有するプラズマアークトーチを備えた
装置において、貫通孔を有する或いは上記第１の
通路との間で貫通孔の形成される電極保護用絶縁
物を上記第１の通路内に嵌着したことを特徴とす
るプラズマアーク装置を提供するものである。

〔作用〕

本考案は上記のような構成になつているので、
不活性ガスが上記貫通孔を流れ、この貫通孔が上
記第１の通路になることにより、第１の通路の容
積は極めて小さくなつて、第１の通路内の不活性
ガスの圧力が増大するので、不活性ガスの流量を
従来以下にしても、活性ガスが第１の通路内に流
入することがない。

〔実施例〕

第１図は本考案の一実施例を示す図である。同
図において、不活性ガスG_Nの流路であるトーチ
本体Ｔの第１の通路３に外側が略四角形である筒
状の電極保護用絶縁物９が嵌着されている。この
ために第１の通路３内の電極保護用絶縁物９の嵌
着された部分の不活性ガスG_Nの流路は該電極保
護用絶縁物と第１の外套とで形成される幅の狭い
４個所の貫通孔のみとなり、トーチ本体Ｔの第１
の通路３の容積は極めて小さくなる。このことに
より、第１の通路内の不活性ガスの圧力が増大
し、活性ガスG_Aの第１の通路３内への流入を防
止することができるので、活性ガスG_Aの第１の
通路３内への流入による陰極棒１の損耗を防止で
きる。また、不活性ガスの流量を従来以下にして
も、活性ガスが第１の通路内に流入することがな
く、不活性ガスの必要量を従来に比べ低減できる
ので被加工材料６の加工面が優れ且つ経済的であ
るという効果が得られる。尚、第１の通路３の容
積を極めて小さくして、第１の通路３内の不活性
ガスの圧力を増大させ、第１の通路３内へ活性ガ
スが流入するのを防止して、陰極棒１を保護する
電極保護用絶縁物９は、陰極棒１と第１の外套２
が共に導電体であるため、絶縁物でなければなら
ない。

第３図は本考案の他の一実施例を示す図であ
る。同図において、不活性ガスG_Nの流路である
トーチ本体Ｔの第１の通路３に４個の孔１０が貫
通している円筒状の電極保護用絶縁物９が嵌着さ
れている。このために第１の通路３内の電極保護
用絶縁物９の嵌着された部分の不活性ガスG_Nの
流路は貫通孔１０のみとなり、トーチ本体Ｔの第
１の通路３の容積は極めて小さくなる。この実施
例においても第１図の実施例とほぼ同様の効果が
得られる。

〔考案の効果〕

以上述べたように本考案は陰極棒とこれを囲む
外套との間に形成された不活性ガスを流し得る第
１の通路と該第１の通路の外側方向に配設された
活性ガスを流し得る第２の通路とを少なくとも有
するプラズマアークトーチを備えた装置におい
て、貫通孔を有する或いは上記第１の通路との間
で貫通孔の形成される電極保護用絶縁物を上記第
１の通路内に嵌着したことを特徴とするプラズマ
アーク装置である。本考案はこのような特徴を有
するので、不活性ガスが上記貫通孔を流れ、この
貫通孔が上記第１の通路になることにより、第１
の通路の容積は極めて小さくなつて、第１の通路
内の不活性ガスの圧力が増大するので、不活性ガ
スの流量を従来以下にしても、活性ガスが第１の
通路内に流入することがない。従つて、活性ガス
の第１の通路内への流入による陰極棒の損耗を防
止できるばかりでなく、不活性ガスの必要量を従
来に比べ低減できるので被加工材料の加工面が優
れ且つ経済的であるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例を示す図、第２図は
従来のプラズマアーク装置を示す図、第３図は本
考案の他の一実施例を示す図である。 １……陰極棒、２……第１の外套、３……第１
の通路、４……第２の外套、５……第２の通路、
６……被加工材料、７……プラズマアーク柱、８
……直流電源、９……電極保護用絶縁物、１０…
…貫通孔。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 陰極棒とこれを囲む外套との間に形成された不
   活性ガスを流し得る第１の通路と該第１の通路の
   外側方向に配置された活性ガスを流しうる第２の
   通路とを少なくとも有するプラズマアークトーチ
   を備えた装置において、 貫通孔を有する或いは上記第１の通路との間で
   貫通孔の形成される電極保護用絶縁物を上記第１
   の通路内に嵌着したことを特徴とするプラズマア
   ーク装置。