JPH0344933A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH0344933A
JPH0344933A JP1180742A JP18074289A JPH0344933A JP H0344933 A JPH0344933 A JP H0344933A JP 1180742 A JP1180742 A JP 1180742A JP 18074289 A JP18074289 A JP 18074289A JP H0344933 A JPH0344933 A JP H0344933A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
layer
gold
electrodes
close contact
Prior art date
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Pending
Application number
JP1180742A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinya Kamiyama
神山　真也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH0344933A publication Critical patent/JPH0344933A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置の構造に関し、特に外部端子であ
る電極用金バンプを有する半導体装置に関する。
［従来の技術］ 従来、半導体装置の電極用金バンブの構造に関しては数
多くの提業がなされ、改良が加えられている。第２図は
、集積回路上に形成された電極用金バンブの断面図であ
る。
第２図に示すように集積回路上の金バンプは、密着層で
あるＣｒ膜２５、拡散バリア層であるＣｕ膜２６、保護
層であるＡｕ膜２７を付着させた後、その上に金メッキ
部２８を形成するような構造をとっていた。
このような材料にて形成された金バンプは、Ｃｒ膜２５
、Ｃｕ膜２６が大気に晒されているために、高湿度の雰
囲気で使用した場合、Ｃｒ膜２５、Ｃｕ膜２６が腐食す
るという欠点があった。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は、上記欠点を解決しようとするもので、
高湿度雰囲気で使用しても腐食しないＴ１膜及びＭｏ膜
を用゛い、高信頼性半導体装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 拡散、絶縁膜、配線を形成した集積回路の前記絶縁膜及
び配線の上に、密着層としてのＴ１膜、拡散バリア層と
してのＭｏ膜、メッキ下地層であるＡｕ膜、及び電解メ
ッキによる金バンブにより構成される電極が形成されて
なることを特徴とする半導体装置。
［実施例］ 以下に、本発明について、製造方法の実施例にもとずき
詳細に説明をする。
第工図にあるように、本発明の電極用金バンブは、シリ
コン基板１１、シリコン酸化膜１２、アルミ電極バット
１３及びパッシベーション膜１４から成る集積回路上に
形成する。
アルミ電極パッド１３及びパッシベーション膜１４との
密着を得るためのＴ１膜１５をスパッタリング法にて０
．１μｍ、拡散バリアとしてのＭｏ膜１６をスパッタリ
ング法にて０．１μｍ、保護層としてのＡｕ膜１７をス
パッリングにて０．１μｍ形成する。
次に、２０μｍ以上の膜厚のフォトレジストパターンを
用いて、メッキ部１８を電解メッキ法により２０μｍ厚
になるように形成する。
次に、メッキ部１８をマスクとして、Ａｕ膜１７、Ｍｏ
ｐＪ１６、Ｔｉ膜１５をイオンミーリング法を用いてエ
ツチングすると、第１図のような電極用金バンプを得る
ことができる。
［発明の効果］ 本発明は、半導体装置の電極用金バンブにおいて、密着
層としてＴｉ膜、拡散バリア層としてＭＯ膜、保護層と
してＡｕ膜を用いることにより、高湿度雰囲気で使用し
ても６膜が腐食せず、高い信頼性の金バンプを得ること
ができた。さらに、使用電圧も従来より高く、より有用
で使用性の高い金バンブを得ることができた。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例によるバンブ形電極の断面図
。 第２図は、従来のバンブ形電極の断面図。 シリコン基板 シリコン酸化膜 アルミ電極パッド パッシベーション膜 Ｔｉ膜 ＭＯ膜 Ａｕ膜 Ａｕメッキ部 シリコン基板 シリコン酸化膜 アルミ電極パッド パッシベーション膜 Ｃｒ膜 Ｃｕ膜 Ａｕ膜 Ａｕメッキ部 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 拡散、絶縁膜、配線を形成した集積回路の前記絶縁膜及
    び配線の上に、密着層としてのＴｉ膜、拡散バリア層と
    してのＭｏ膜、メッキ下地層であるＡｕ膜、及び電解メ
    ッキによる金バンプにより構成される電極が形成されて
    成ることを特徴とする半導体装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06112213A (ja) * 1992-08-31 1994-04-22 Internatl Business Mach Corp <Ibm> エッチング処理方法
US5367195A (en) * 1993-01-08 1994-11-22 International Business Machines Corporation Structure and method for a superbarrier to prevent diffusion between a noble and a non-noble metal
WO1998025310A1 (en) * 1996-12-06 1998-06-11 Raytheon Ti Systems, Inc. GATE ELECTRODE FOR GaAs FET

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