JPH0344935A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0344935A JPH0344935A JP1180744A JP18074489A JPH0344935A JP H0344935 A JPH0344935 A JP H0344935A JP 1180744 A JP1180744 A JP 1180744A JP 18074489 A JP18074489 A JP 18074489A JP H0344935 A JPH0344935 A JP H0344935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- electrolytic plating
- electrodes
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の構造に関し、特に外部端子であ
る電極用金バンプを有する半導体装置に関する。
る電極用金バンプを有する半導体装置に関する。
［従来の技術］
従来、半導体装置の電極用金バンプの構造に関しては数
多くの提案がなされ、改良が加えられている。第２図は
、集積回路上に形成された電極用金バンプの断面図であ
る。
多くの提案がなされ、改良が加えられている。第２図は
、集積回路上に形成された電極用金バンプの断面図であ
る。
第２図に示すように集積回路上の金バンプは、密着層で
あるＣｒ膜２５、拡散バリア層であるＣｕ膜２６、保護
層であるＡｕ膜２７を付着させた後、その上に金メッキ
部２８を形成するような構造をとっていた。
あるＣｒ膜２５、拡散バリア層であるＣｕ膜２６、保護
層であるＡｕ膜２７を付着させた後、その上に金メッキ
部２８を形成するような構造をとっていた。
このような材料にて形成された金バンプは、Ｃｒ膜２５
、Ｃｕ膜２６が大気に晒されているために、高温度の雰
囲気で使用した場合、Ｃｒ膜２５、Ｃｕ膜２６が腐食す
るという欠点があった。
、Ｃｕ膜２６が大気に晒されているために、高温度の雰
囲気で使用した場合、Ｃｒ膜２５、Ｃｕ膜２６が腐食す
るという欠点があった。
［発明が解決しようとする課題］
本発明の目的は、上記欠点を解決しようとするもので、
高湿度雰囲気で使用しても腐食しないＴｉ膜及びＲｈ膜
を用い、高信頼性半導体装置を提供することにある。
高湿度雰囲気で使用しても腐食しないＴｉ膜及びＲｈ膜
を用い、高信頼性半導体装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
拡散、絶縁膜、配線を形成した集積回路の前記絶縁膜及
び配線の上に、密着層としてのＴｉ膜、拡散バリア層と
してのＲｈ膜、メッキ下地層であるＡｕ膜、及び電解メ
ッキによる金バンプにより構成される電極が形成されて
なることを特徴とする半導体装置。
び配線の上に、密着層としてのＴｉ膜、拡散バリア層と
してのＲｈ膜、メッキ下地層であるＡｕ膜、及び電解メ
ッキによる金バンプにより構成される電極が形成されて
なることを特徴とする半導体装置。
［実施例］
以下に、本発明について、製造方法の実施例にもとすき
詳細に説明をする。
詳細に説明をする。
第１図にあるように、本発明の電極用金バンプは、シリ
コン基板１１、シリコン酸化膜１２、アルミ電極バット
１３及びパッシベーション膜１４から成る集積回路上に
形成する。
コン基板１１、シリコン酸化膜１２、アルミ電極バット
１３及びパッシベーション膜１４から成る集積回路上に
形成する。
アルミ電極パッド１３及びパッシベーション膜１４との
密着を得るためのＴｉ膜１５をスパッタリング法にて０
．１μｍ、拡散バリアとしてのＲｈ膜■６をスパッタリ
ング法にて０．１μｍ、保護層としてのＡｕ膜１７をス
パッリングにて０，１μｍ形成する。
密着を得るためのＴｉ膜１５をスパッタリング法にて０
．１μｍ、拡散バリアとしてのＲｈ膜■６をスパッタリ
ング法にて０．１μｍ、保護層としてのＡｕ膜１７をス
パッリングにて０，１μｍ形成する。
次に、２０μｍ以上の膜厚のフォトレジストパターンを
用いて、メッキ部１８を電解メッキ法により２０μｍ厚
になるように形成する。
用いて、メッキ部１８を電解メッキ法により２０μｍ厚
になるように形成する。
次に、メッキ部１８をマスクとして、Ａｕ１ｆｌｉ１７
、Ｒｈ膜１６、Ｔｉ膜１５をイオンミーリング法を用い
てエツチングすると、第１図のような電極用金バンプを
得ることができる。
、Ｒｈ膜１６、Ｔｉ膜１５をイオンミーリング法を用い
てエツチングすると、第１図のような電極用金バンプを
得ることができる。
［発明の効果］
本発明は、半導体装置の電極用金バンプにおいて、密着
層としてＴｉ膜、拡散バリア層としてＲｈ膜、保護層と
してＡｕ膜を用いることにより、高湿度雰囲気で使用し
ても６膜が腐食せず、高い信頼性の金バンプを得ること
ができた。さらに、使用電圧も従来より高く、より有用
で使用性の高い金バンプを得ることができた。
層としてＴｉ膜、拡散バリア層としてＲｈ膜、保護層と
してＡｕ膜を用いることにより、高湿度雰囲気で使用し
ても６膜が腐食せず、高い信頼性の金バンプを得ること
ができた。さらに、使用電圧も従来より高く、より有用
で使用性の高い金バンプを得ることができた。
第１図は、本発明の実施例によるバンプ形電極の断面図
。 第２図は、従来のバンプ形電極の断面図。 シリコン基板 シリコン酸化膜 アルミ電極パッド パッシベーション膜 Ｔｉ膜 Ｒｈ膜 Ａｕ膜 Ａｕメッキ部 シリコン基板 シリコン酸化膜 アルミ電極パッド パッシベーション膜 Ｃｒｆｉ％ ＣＩＪ膜 Ａｕ膜 Ａｕメッキ部 以上
。 第２図は、従来のバンプ形電極の断面図。 シリコン基板 シリコン酸化膜 アルミ電極パッド パッシベーション膜 Ｔｉ膜 Ｒｈ膜 Ａｕ膜 Ａｕメッキ部 シリコン基板 シリコン酸化膜 アルミ電極パッド パッシベーション膜 Ｃｒｆｉ％ ＣＩＪ膜 Ａｕ膜 Ａｕメッキ部 以上
Claims (1)
- 拡散、絶縁膜、配線を形成した集積回路の前記絶縁膜及
び配線の上に、密着層としてのＴｉ膜、拡散バリア層と
してのＲｈ膜、メッキ下地層であるＡｕ膜、及び電解メ
ッキによる金バンプにより構成される電極が形成されて
成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1180744A JPH0344935A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1180744A JPH0344935A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344935A true JPH0344935A (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=16088554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1180744A Pending JPH0344935A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344935A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5376584A (en) * | 1992-12-31 | 1994-12-27 | International Business Machines Corporation | Process of making pad structure for solder ball limiting metallurgy having reduced edge stress |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP1180744A patent/JPH0344935A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5376584A (en) * | 1992-12-31 | 1994-12-27 | International Business Machines Corporation | Process of making pad structure for solder ball limiting metallurgy having reduced edge stress |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0076856A1 (en) | Method of making a semiconductor device having a projecting, plated electrode | |
| JPS62145758A (ja) | パラジウムを用いる銅製ボンデイングパツドの酸化防止法 | |
| JPS6149819B2 (ja) | ||
| KR20090009890A (ko) | 패시베이션 및 폴리이미드에 의해 둘러싸인 접촉부 및 방법 | |
| JP2622156B2 (ja) | 集積回路パッド用の接触方法とその構造 | |
| US3669734A (en) | Method of making electrical connections to a glass-encapsulated semiconductor device | |
| JPH0344933A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0344935A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62136049A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5892272A (en) | Integrated circuit with on-chip ground base | |
| JP4440494B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS636850A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPS62266842A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH02139933A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03101234A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0344934A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07201922A (ja) | 基板上へのハンダバンプの形成方法 | |
| JPS6329940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04196434A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03101233A (ja) | 電極構造及びその製造方法 | |
| JPS621249A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04278542A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100237671B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| JPH03190240A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03132036A (ja) | 半導体装置の製造方法 |