JPH02139933A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH02139933A
JPH02139933A JP63293999A JP29399988A JPH02139933A JP H02139933 A JPH02139933 A JP H02139933A JP 63293999 A JP63293999 A JP 63293999A JP 29399988 A JP29399988 A JP 29399988A JP H02139933 A JPH02139933 A JP H02139933A
Authority
JP
Japan
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film
semiconductor device
gold
layer
wiring
Prior art date
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Pending
Application number
JP63293999A
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English (en)
Inventor
Hiroaki Murakami
裕昭 村上
Michio Asahina
朝比奈　通雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の構造に関し、特に外部端子である
電極用金バンブを有する半導体装置に関する。 〔従来の技術Ｊ 従来、半導体装置の電極用金バンブの構造に関しては数
多くの提案がなされ、改良が加えられている。第２図は
、集積回路上に形成された電極用金バンブの断面図であ
る。 第２図に示すように集積回路上の金バンブは。 密着層であるＣｒ膿２５．拡散バリア層であるＣｕ膜２
６．保護層であるＡｕ膿２７を付着させた後、その上に
金メッキ部２８を形成するような構造をとっていた。こ
のような材料にて形成された金バンブは、Ｃｒ膜２５、
Ｃｕ嗅２６が大気に晒されているために、高湿度の雰囲
気で使用した場合、Ｃｒ膜２５、Ｃｕ膿２６が腐食する
という欠点があった。 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的は、上記欠点を解決しようとするもので、
高湿度雰囲気で使用しても腐食しないＴｉ膜及びＴｉＮ
１ｌを用い、高信頼性半導体装置を提供することにある
。
【課題を解決するための手段】
拡散、絶縁膜、配線を形成した集積回路の前記絶縁膜及
び配線の上に、密着層としてのＴｉ膜、拡散バリア層と
してのＴｉＮ膜、メッキＦ地層であるＡｕ膜、及び電解
メッキによる金バンブにより構成される電極が形成され
て成ることを特徴とする半導体装置。
【実　施　例１ 以下に、本発明について、製造方法の実施例にもとづき
詳細に説明をする。 第１図にあるように、本発明の電極用金バンプは、シリ
コン基板膜、シリコン酸化膜１２、アルミ電極パッド１
３及びパッシベーション膜１４から成る集積回路上に形
成する。 アルミ電極パッド１３及びパッシベーション膜１４との
密着を得るためのＴｉ膜１５をスパッタリング法にてＯ
，ｌｕｍ、拡散バリアとしてのＴｉＮ１ｉ１６を反応性
スパックリング法にて０．１ｇｍ、保護層としてのＡｕ
１ｌｌ１７をスパッタリング法にてＯ，ｌｕｍ形成する
。 次に、２０μｍ以上の膜厚のフォトレジストパターンを
用いて、メッキ部１８を電解メッキ法により２０ｕｍ厚
になるように形成する。 次に、メッキ部１８をマスクとして、Ａｕ膜１７、Ｔｉ
Ｎｌ１ｉ１６、Ｔ　ｉ　ｌ！　１５をイオンミーリング
法を用いてエツチングすると１図１のような電極用金バ
ンブを得ることができる。 【発明の効果】 本発明は、半導体装置の電棲用金バンブにおいて、密着
層としてＴ　ｉ　１！、拡散バリア層としてＴｉＮ膜、
保護層としてＡｕ！ｉを用いることにより、高湿度雰囲
気で使用しても菌膜が腐食せず。 高い信頼性の金バンブを得ることができた。さらに、使
用電圧も従来より高く、より有用で使用性の高い金バン
ブを得ることができた。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例によるバンブ型電極の断面図
。 第２図は、従来のバンブ型電極の断面図。 １１・・・シリコン基板 １２・・・シリコン酸化膜 ｌ　３　・ ｌ　４　・ ｌ　５　・ １６　・ ｌ　７　・ ｌ　８　・ ２１　・ ２２　・ ２３　・ ２４　・ ２５　・ ２６　・ ２７　・ ２８　・ アルミ電極パッド パッシベーション膜 Ｔｉ１ｌ！ ＴｉＮ膜 Ａｕｔｌ！ Ａｕメッキ部 シリコン基板 シリコン酸化膜 アルミ電極パッド パッシベーション膜 ＣｒＨ￥ｉ Ｃｕ膜 Ａｕ膜 Ａｕメッキ部 １１図 以 上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　上　柳　雅　誉−（他１名）算２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 拡散、絶縁膜、配線を形成した集積回路の前記絶縁膜及
    び配線の上に、密着層としてのＴｉ膜、拡散バリア層と
    してのＴｉＮ膜、メッキ下地層であるＡｕ膜、及び電解
    メッキによる金バンプにより構成される電極が形成され
    て成ることを特徴とする半導体装置。
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