JPH0345283Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0345283Y2 JPH0345283Y2 JP1984146508U JP14650884U JPH0345283Y2 JP H0345283 Y2 JPH0345283 Y2 JP H0345283Y2 JP 1984146508 U JP1984146508 U JP 1984146508U JP 14650884 U JP14650884 U JP 14650884U JP H0345283 Y2 JPH0345283 Y2 JP H0345283Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- disk
- optical recording
- substrate
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
考案の背景
技術分野
本考案は、光記録デイスク、特にヒートモード
の光記録デイスクに関する。
の光記録デイスクに関する。
先行技術
光記録デイスクは、媒体と書き込みないし読み
出しヘツドが非接触であるので、記録デイスクが
摩耗劣化しないという特徴をもち、このため、
種々の光記録媒体の開発研究が行われている。
出しヘツドが非接触であるので、記録デイスクが
摩耗劣化しないという特徴をもち、このため、
種々の光記録媒体の開発研究が行われている。
このような光記録デイスクのうち、暗室による
現象処理が不要である等の点で、ヒートモード光
記録デイスクの開発が活発になつている。
現象処理が不要である等の点で、ヒートモード光
記録デイスクの開発が活発になつている。
このヒートモードの光記録デイスクは、記録光
を熱として利用する光記録デイスクであり、その
一例として、レーザー等の記録光で媒体の一部を
融解、除去等して、ピツトと称される小穴を形成
して書き込みを行い、このピツトにより情報を記
録し、このピツトを読み出し光で検出して読み出
しを行うピツト形成タイプのものがある。
を熱として利用する光記録デイスクであり、その
一例として、レーザー等の記録光で媒体の一部を
融解、除去等して、ピツトと称される小穴を形成
して書き込みを行い、このピツトにより情報を記
録し、このピツトを読み出し光で検出して読み出
しを行うピツト形成タイプのものがある。
このようなピツト形成タイプのデイスク、特に
そのうち、装置を小型化できる半導体レーザを光
源とするものにおいては、これまで、Teを主体
とする材料を記録層とするものが大半をしめてい
る。
そのうち、装置を小型化できる半導体レーザを光
源とするものにおいては、これまで、Teを主体
とする材料を記録層とするものが大半をしめてい
る。
しかし、近年、Te系材料が有害であること、
そしてより高感度化する必要があること、より製
造コストを安価にする必要があることから、Te
系にかえ、色素を主とした有機材料系の記録層を
用いる媒体についての提案や報告が増加している
(特願昭59−019715号等)。
そしてより高感度化する必要があること、より製
造コストを安価にする必要があることから、Te
系にかえ、色素を主とした有機材料系の記録層を
用いる媒体についての提案や報告が増加している
(特願昭59−019715号等)。
このような色素等の記録層を有する光記録媒体
では、記録量を増大するため、いわゆるエアーサ
ンドイツチ構造とすることが好ましい。
では、記録量を増大するため、いわゆるエアーサ
ンドイツチ構造とすることが好ましい。
この場合、エアーサンドイツチ構造は、樹脂製
の透明基板上に記録層を有する一対の光記録部分
を用い、これを、記録層が所定の空〓を介して対
向するように一体化するものである。
の透明基板上に記録層を有する一対の光記録部分
を用い、これを、記録層が所定の空〓を介して対
向するように一体化するものである。
従来、エアーサンドイツチ構造のデイスクにお
ける両光記録部分の一体化は、中心部および周縁
部にスペーサーとしての樹脂製のリング状の連結
部材を介在させ、これと両光記録部分の基板とを
接着ないし融着することによつて行なつている。
ける両光記録部分の一体化は、中心部および周縁
部にスペーサーとしての樹脂製のリング状の連結
部材を介在させ、これと両光記録部分の基板とを
接着ないし融着することによつて行なつている。
このようなエアーサンドイツチ構造では、空〓
内が気密状態となつている。従つて、この光記録
デイスクが製造時の大気圧と異なる条件の下にお
かれた場合(例えば、航空機による輸送時等)、
空〓内外の気圧差から基板に歪を生じ、良好な記
録または再生に支障をきたす原因となる。
内が気密状態となつている。従つて、この光記録
デイスクが製造時の大気圧と異なる条件の下にお
かれた場合(例えば、航空機による輸送時等)、
空〓内外の気圧差から基板に歪を生じ、良好な記
録または再生に支障をきたす原因となる。
そのため、この問題に対処すべく、
a 内側または外側スペーサーのいずれか一方
に、外気と空〓とが通じる通気部を設ける(実
開昭57−149535号)こととしたものや、 b 基板に外気と空〓とが通じる通気孔を設けた
もの(実開昭58−105041号、実開昭58−105042
号)がある。
に、外気と空〓とが通じる通気部を設ける(実
開昭57−149535号)こととしたものや、 b 基板に外気と空〓とが通じる通気孔を設けた
もの(実開昭58−105041号、実開昭58−105042
号)がある。
しかし、a)では、スペーサーの厚さが0.2〜
0.8mm程度と薄いため、スペーサーに通気部を設
けることが製造上困難であり、また強度が弱くな
るという欠点を有する。
0.8mm程度と薄いため、スペーサーに通気部を設
けることが製造上困難であり、また強度が弱くな
るという欠点を有する。
また、b)では、色素系の記録層をスピナーコ
ートによつて基板上に塗布する場合には、特に通
気孔付近などで、均一な塗布がなされないという
欠点を有する。
ートによつて基板上に塗布する場合には、特に通
気孔付近などで、均一な塗布がなされないという
欠点を有する。
考案の目的
本考案の目的は、デイスク状の基板上に色素ま
たは色素の組成物を塗布してなる記録層を有する
一対の光記録部分を、記録層が空〓を介して対向
するように一体化してなる光記録デイスクにおい
て、空〓内部の気圧と、外部の気圧の差から基板
に歪が生ずることを防止し、しかも製造が容易
で、強度的にも十分であり、さらには、記録層の
塗膜性に悪影響を及ぼさない光記録デイスクを提
供することにある。
たは色素の組成物を塗布してなる記録層を有する
一対の光記録部分を、記録層が空〓を介して対向
するように一体化してなる光記録デイスクにおい
て、空〓内部の気圧と、外部の気圧の差から基板
に歪が生ずることを防止し、しかも製造が容易
で、強度的にも十分であり、さらには、記録層の
塗膜性に悪影響を及ぼさない光記録デイスクを提
供することにある。
このような目的は、以下の本考案によつて達成
される。
される。
すなわち本考案は、デイスク状の基板を、塗布
によつて形成した記録層が内側に位置するように
空隙を介して一体化した光記録デイスクにおい
て、 少なくとも一方の基板の周縁部の記録層形成面
に、中心をデイスク中心に向けた扇状の柱状の突
部を複数設け、周縁部にて、両基板を連結したと
き、隣りあう突部間に存在する間隙により外部と
内部が連通するように構成したことを特徴とする
光記録デイスクである。
によつて形成した記録層が内側に位置するように
空隙を介して一体化した光記録デイスクにおい
て、 少なくとも一方の基板の周縁部の記録層形成面
に、中心をデイスク中心に向けた扇状の柱状の突
部を複数設け、周縁部にて、両基板を連結したと
き、隣りあう突部間に存在する間隙により外部と
内部が連通するように構成したことを特徴とする
光記録デイスクである。
考案の具体的構成
以下、本考案の具体的構成について詳細に説明
する。
する。
本考案の光記録デイスク1は、第1図に示され
るように、中央に回転軸が嵌入する孔部を有する
デイスク状の基板31,35上に、記録層41,
45を有する一対の光記録部分21,25からな
る。
るように、中央に回転軸が嵌入する孔部を有する
デイスク状の基板31,35上に、記録層41,
45を有する一対の光記録部分21,25からな
る。
この場合、記録層41,45は、基板31,3
5上に同心円状に設けられる。
5上に同心円状に設けられる。
用いる基板31,35は、中央に、回転軸が嵌
入する孔部を有するデイスク状をなし、書き込み
光および読み出し光に対し、実質的に透明(好ま
しくは透過率80%以上)な樹脂からなる。これに
より、基板裏面側からの書き込みおよび読み出し
が可能となる。
入する孔部を有するデイスク状をなし、書き込み
光および読み出し光に対し、実質的に透明(好ま
しくは透過率80%以上)な樹脂からなる。これに
より、基板裏面側からの書き込みおよび読み出し
が可能となる。
なお、用いる樹脂材質としては、アクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ナイロン等いずれで
あつてもよい。
脂、ポリカーボネート樹脂、ナイロン等いずれで
あつてもよい。
このような基板31,35は、第1図、第2
図、第3図および第4図に示されるように、その
周縁部に、複数個の突部7を一体的に形成してい
る。図示のように、基板と一体的に設けて突部7
を扇状の柱状とし、その扇状の中心をデイスクの
中心に向ければ、色素系等の記録層41,45を
スピナーコートするに際し、基板の突部7のまわ
りに塗布物が残積するのを容易に防止することが
できるので好ましい。
図、第3図および第4図に示されるように、その
周縁部に、複数個の突部7を一体的に形成してい
る。図示のように、基板と一体的に設けて突部7
を扇状の柱状とし、その扇状の中心をデイスクの
中心に向ければ、色素系等の記録層41,45を
スピナーコートするに際し、基板の突部7のまわ
りに塗布物が残積するのを容易に防止することが
できるので好ましい。
この場合の突部7の扇状形状の開き角度は5°〜
90°程度とされる。
90°程度とされる。
このような突部7は、少なくとも一方の基板と
一体化して、複数個設けられる。
一体化して、複数個設けられる。
この場合、突部7は一方の基板にのみ設けても
よい。このときには、基板に設けられた突部7の
個数ならびに間隔および高さに応じて、通気口の
個数および大きさが決定される。
よい。このときには、基板に設けられた突部7の
個数ならびに間隔および高さに応じて、通気口の
個数および大きさが決定される。
また、突部7は両方の基板に設けてもよい。
このとき、両基板に鏡像関係となるように突部
7を設け、両基板突部同志を固着してもよい。
7を設け、両基板突部同志を固着してもよい。
あるいは、第4図に示されるように、両基板に
設けた突部71,72が互いに重ならないように
して両基板を一体化して、隣あう突部71,71
間の間〓にて通気口8を形成してもよい。
設けた突部71,72が互いに重ならないように
して両基板を一体化して、隣あう突部71,71
間の間〓にて通気口8を形成してもよい。
このような各場合において、通気口は2〜8個
程度、しかも、デイスク全体に対称に配置するよ
うに設けることが好ましい。また、通気口の寸法
は、高さ(間〓長と通常等しくされる)0.1〜0.8
mm、巾0.1〜10mm程度が好適である。
程度、しかも、デイスク全体に対称に配置するよ
うに設けることが好ましい。また、通気口の寸法
は、高さ(間〓長と通常等しくされる)0.1〜0.8
mm、巾0.1〜10mm程度が好適である。
なお、場合によつては、両方の基板31,35
に突部71,72を設ける場合、突部7間には、
リング状のスペーサーを介在させることもでき
る。
に突部71,72を設ける場合、突部7間には、
リング状のスペーサーを介在させることもでき
る。
このようにして、基板上に突部71,72を設
け、通気口8を形成することにより、外部と内部
が連通し、圧力差による基板の歪の発生を防止す
ることができる。
け、通気口8を形成することにより、外部と内部
が連通し、圧力差による基板の歪の発生を防止す
ることができる。
また、突部により生じた間〓(通気口8)内に
は、ホコリやチリの影響を防止するためのフイル
ターを配置してもよい。
は、ホコリやチリの影響を防止するためのフイル
ターを配置してもよい。
このような突部を形成するには、原版またはス
タンパーを加工して、基板成型時に一体成形すれ
ばよい。
タンパーを加工して、基板成型時に一体成形すれ
ばよい。
他方、デイスク内側の基板の一体化に際して
は、通常、図示のようにリング状の内側連結部材
6を用いればよい。
は、通常、図示のようにリング状の内側連結部材
6を用いればよい。
用いる内側連結部材6は、この他種々の形状が
可能であり、その材質は種々のものであつてもよ
いが、通常は樹脂製とし、光記録部分21,25
の基板31,35と接着ないし融着されている。
可能であり、その材質は種々のものであつてもよ
いが、通常は樹脂製とし、光記録部分21,25
の基板31,35と接着ないし融着されている。
なお、内側連結部材6を用いるかわりに、一方
ないし両方の基板に凸部を設けたり、一方の基板
に凸部を設け、他方の基板に凹部を設け、これら
を用いてデイスク内側を一体化してもよい。
ないし両方の基板に凸部を設けたり、一方の基板
に凸部を設け、他方の基板に凹部を設け、これら
を用いてデイスク内側を一体化してもよい。
なお、空〓長は、前記したように、0.2〜0.8mm
程度とされる。
程度とされる。
このような基板31,35の記録層41,45
形成面には、トラツキング用の溝が形成されるこ
とが好ましい。
形成面には、トラツキング用の溝が形成されるこ
とが好ましい。
溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/7n〜λ/
12n(ここに、nは基板の屈折率である)とされ
る。また、溝の巾は、トラツク巾程度とされる。
12n(ここに、nは基板の屈折率である)とされ
る。また、溝の巾は、トラツク巾程度とされる。
そして、この溝の凹部に位置する記録層41,
45を記録トラツク部として、書き込み光および
読み出し光を基板裏面側から照射することが好ま
しい。
45を記録トラツク部として、書き込み光および
読み出し光を基板裏面側から照射することが好ま
しい。
このように構成することにより、書き込み感度
と読み出しのS/N比が向上し、しかもトラツキ
ングの制御信号は大きくなる。
と読み出しのS/N比が向上し、しかもトラツキ
ングの制御信号は大きくなる。
本考案の記録層としては、色素単独からなる
か、色素組成物からなることが好ましい。
か、色素組成物からなることが好ましい。
用いる色素としては、書き込み光および読み出
し光の波長に応じ、これを有効に吸収するものの
なかから、適宜決定すればよい。この場合、これ
らの光源としては、装置を小型できる点で、半導
体レーザーを用いることが好ましいので、色素は
シアニン系、フタロシアニン系、アントラキノン
系、アゾ系、トリフエニルメタン系、ピリリウム
ないしチアピリリウム塩系等が好ましい。
し光の波長に応じ、これを有効に吸収するものの
なかから、適宜決定すればよい。この場合、これ
らの光源としては、装置を小型できる点で、半導
体レーザーを用いることが好ましいので、色素は
シアニン系、フタロシアニン系、アントラキノン
系、アゾ系、トリフエニルメタン系、ピリリウム
ないしチアピリリウム塩系等が好ましい。
また、色素組成物を記録層とする場合、ニトロ
セルロース等の自己酸化性の樹脂や、ポリスチレ
ン、ナイロン等の熱可塑性樹脂を含有させること
ができる。また、色素の酸化劣化を防止するた
め、クエンチヤーを含有させることもできる。さ
らには、この他の添加剤を含有させてもよい。
セルロース等の自己酸化性の樹脂や、ポリスチレ
ン、ナイロン等の熱可塑性樹脂を含有させること
ができる。また、色素の酸化劣化を防止するた
め、クエンチヤーを含有させることもできる。さ
らには、この他の添加剤を含有させてもよい。
このような場合、特に好ましくは、インドレニ
ン系のシアニン色素とビスフエニルジチオール系
等のクエンチヤーとの混合物が好ましい。
ン系のシアニン色素とビスフエニルジチオール系
等のクエンチヤーとの混合物が好ましい。
またこれらを色素のカチオンと、クエンチヤー
のアニオンとのイオン結合体として用いるのも好
ましい。
のアニオンとのイオン結合体として用いるのも好
ましい。
記録層の設層は、ケトン系、エステル系、エー
テル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系、アル
コール系等の溶媒を用いてスピンナーコート等の
塗布を行えばよい。
テル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系、アル
コール系等の溶媒を用いてスピンナーコート等の
塗布を行えばよい。
このような記録層41,45は、0.01〜10μm
の厚さとすればよく、特に0.05〜0.1μmの厚さと
することが好ましい。
の厚さとすればよく、特に0.05〜0.1μmの厚さと
することが好ましい。
なお、記録層の塗布に際し、塗布溶液の粘度は
0.5〜10cp、スピンナーの回転数は500〜1000rpm
程度とする。
0.5〜10cp、スピンナーの回転数は500〜1000rpm
程度とする。
なお、前述のにようにトラツキング制御用の溝
を設ける場合、記録層における記録トラツク部の
厚さは、0.2μm以下、より好ましくは0.05〜
0.15μmとすることが好ましい。
を設ける場合、記録層における記録トラツク部の
厚さは、0.2μm以下、より好ましくは0.05〜
0.15μmとすることが好ましい。
このとき、書き込み感度が向上する。また、記
録層中での多重反射により、反射率がきわめて高
くなり、読み出しのS/N比がきわめて高くな
る。そして、記録トラツク部と他の領域との厚さ
の差にもとづく反射率のちがいが大きくなり、ト
ラツキング制御が容易となる。
録層中での多重反射により、反射率がきわめて高
くなり、読み出しのS/N比がきわめて高くな
る。そして、記録トラツク部と他の領域との厚さ
の差にもとづく反射率のちがいが大きくなり、ト
ラツキング制御が容易となる。
このような光記録部分には、記録層の上層、あ
るいは下地層を設層することもできる。
るいは下地層を設層することもできる。
考案の具体的作用
本考案の光デイスクは、回転下、書き込み光を
基板裏面側から照射する。これにより、好ましく
は溝凹部に位置する記録トラツク部にピツトがト
ラツク状に形成される。
基板裏面側から照射する。これにより、好ましく
は溝凹部に位置する記録トラツク部にピツトがト
ラツク状に形成される。
このように形成されたピツトは、回転下、基板
裏面側から読み出し光を照射して、その反射光を
検出することによつて検地される。
裏面側から読み出し光を照射して、その反射光を
検出することによつて検地される。
また、トラツキングの制御を行うには、通常、
書き込みおよび読み出しを行いながら、その反射
光を分割して、2分割した一対のセンサーに導入
する。このとき、ビームスポツトが記録トラツク
部をはずれかけると、溝の段差で位相差による干
渉効果による一次光が一方のセンサー側にかたよ
るので、両センサーの信号が検出して、トラツク
エラー信号が検出される。
書き込みおよび読み出しを行いながら、その反射
光を分割して、2分割した一対のセンサーに導入
する。このとき、ビームスポツトが記録トラツク
部をはずれかけると、溝の段差で位相差による干
渉効果による一次光が一方のセンサー側にかたよ
るので、両センサーの信号が検出して、トラツク
エラー信号が検出される。
なお、記録層を熱可塑性樹脂を含む色素組成物
から形成すれば、一旦形成したピツトを、光また
は熱によつて消去して、再び書き込みを行うこと
ができる。
から形成すれば、一旦形成したピツトを、光また
は熱によつて消去して、再び書き込みを行うこと
ができる。
また、書き込みおよび読み出しに用いる光源と
しては、各種レーザーを用いることができるが、
特に半導体レーザーを用いることが好ましい。
しては、各種レーザーを用いることができるが、
特に半導体レーザーを用いることが好ましい。
考案の具体的効果
本考案によれば、空〓内部と外部の気圧を等し
くなることで、基板の歪による変形を防止し、良
好な記録または再生を可能とすることができる。
くなることで、基板の歪による変形を防止し、良
好な記録または再生を可能とすることができる。
そして、外側スペーサーを用いることがないの
で部品数も減少し、位置あわせ等の点で製造上有
利であり、コストも低下する。
で部品数も減少し、位置あわせ等の点で製造上有
利であり、コストも低下する。
さらに、本考案では、記録層の塗膜性に悪影響
を及ぼすことなく製造することができる。
を及ぼすことなく製造することができる。
第1図は、本考案の光記録デイスクの1例を説
明するための断面図である。第2図は、本考案の
光記録デイスクの基板の平面図である。第3図
は、第2図に示した基板上に設けられた突部の拡
大部分斜視図である。第4図は、第1図に示され
る光記録デイスクの平面図である。 符号の説明、1……光記録デイスク、21,2
5……光記録部分、31,35……基板、41,
45……記録層、5……外側連結部材、6……内
側連結部材、7,71,72……突部。
明するための断面図である。第2図は、本考案の
光記録デイスクの基板の平面図である。第3図
は、第2図に示した基板上に設けられた突部の拡
大部分斜視図である。第4図は、第1図に示され
る光記録デイスクの平面図である。 符号の説明、1……光記録デイスク、21,2
5……光記録部分、31,35……基板、41,
45……記録層、5……外側連結部材、6……内
側連結部材、7,71,72……突部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 デイスク状の基板を、塗布によつて形成した記
録層が内側に位置するように空隙を介して一体化
した光記録デイスクにおいて、 少なくとも一方の基板の周縁部の記録層形成面
に、中心をデイスク中心に向けた扇状の柱状の突
部を複数設け、周縁部にて、両基板を連結したと
き、隣りあう突部間に存在する間隙により外部と
内部が連通するように構成したことを特徴とする
光記録デイスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984146508U JPH0345283Y2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984146508U JPH0345283Y2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161625U JPS6161625U (ja) | 1986-04-25 |
| JPH0345283Y2 true JPH0345283Y2 (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=30704742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984146508U Expired JPH0345283Y2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0345283Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59171049A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 光デイスク |
-
1984
- 1984-09-27 JP JP1984146508U patent/JPH0345283Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6161625U (ja) | 1986-04-25 |
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