JPH0345540B2 - - Google Patents

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JPH0345540B2
JPH0345540B2 JP62217760A JP21776087A JPH0345540B2 JP H0345540 B2 JPH0345540 B2 JP H0345540B2 JP 62217760 A JP62217760 A JP 62217760A JP 21776087 A JP21776087 A JP 21776087A JP H0345540 B2 JPH0345540 B2 JP H0345540B2
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probe
integrated circuit
pad
pressure
test
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Aaru Rasu Deiru
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Tektronix Inc
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
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    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06794Devices for sensing when probes are in contact, or in position to contact, with measured object

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、一般に集積回路試験用ステーシヨン
に用いられる圧力制御装置に関し、特に集積回路
試験用ステーシヨンの試験プローブの接触圧を適
切な値に保つための圧力制御装置に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕
集積回路の製造工程の中で重要なものに、夫々
の回路が適切にできているかどうかを決定するた
めの試験工程がある。組立工程の中では、できる
だけ早期に集積回路の性能を評価することが一般
に望まれる。このことを達成するために集積回路
の外側のすべての接続点と接続し、そこで試験信
号を集積回路に印加し、その性能を評価するので
ある。
集積回路の試験を能率的に行なうために、オレ
ゴン州ビーバートンのテクトロニツクス・インコ
ーポレイテツドは、集積回路試験プローブシステ
ムの開発を行なつてきている。このシステムは、
厚さ約0.001インチの小さな矩形の透明なポリイ
ミドフイルムで作られた可撓性プローブから成つ
ている。このフイルムの下面には複数の金属パツ
ドを設けてある。この金属パツドは好ましくはニ
ツケルから作り、集積回路上の接触領域(ボンド
パツド)と合致する配置になつている。このポリ
イミドフイルムのプローブの金属パツドを、例え
ばマイクロストリツプライン形成技術を用いてフ
イルムのプローブのへりへ延ばした伝送線によつ
て電気的に接続する。
このプローブシステムの好適な形態としては、
ポリイミドフイルムの上面に接地面を設ける。し
かしながらこの接地面は、フイルムの金属パツド
の近傍の領域は覆つていない。このためフイルム
を通して金属パツドを目視することができ、この
ため試験する集積回路と対応させてパツドの位置
合わせを目視で行なうことができる。
このポリイミドフイルムを食刻回路基板に取り
付け、ポリイミドフイルムをこのへりにそつて支
持する。プローブとこの食刻回路基板の外周に沿
つて設けられた同軸コネクタとが食刻回路基板上
の伝送路によつて接続する。
上述のテストシステムを使用するために、ポリ
イミドフイルムのプローブと食刻回路基板とを支
持構体上の定位置に取り付ける。プローブと支持
構体の下方には、試験する集積回路を上方のプロ
ーブに向けて上昇させるための手段を含む装置を
設ける。好ましくは集積回路チツプ又はウエハを
保持するための真空装置を有する台と、この台及
び集積回路を上方のプローブの方向へ徐々に持ち
上げるためのステツパ電動機とを具えた真空チヤ
ツク装置を用いる。集積回路を試験するために
は、この集積回路をプローブの下面にある金属パ
ツドと十分に接触しうるだけ持ち上げなければな
らない。
しかしながら、プローブの試験パツドを被試験
集積回路と十分に接触させること、さらにこうし
た接触を試験中維持することを確実にする必要が
ある。またプローブの金属パツドが集積回路と触
れたとき、集積回路がプローブに対し過度の圧力
をかけないようにするために、台と集積回路の上
昇運動を制御する必要もある。もし真空チヤツク
のステツパ電動機が正確に制御できていなかつた
ら、ポリイミドフイルムのプローブに向う集積回
路の上昇運動によつて過度の圧力が発生してしま
う。このような圧力はプローブに重大な損傷を与
えてしまう。典型的には、各プローブのパツドあ
たり3グラムの圧力が働いていれば、損傷せずに
回路の試験を十分に適切に行なうことができる。
プローブのパツドあたり圧力が10グラムを超過す
ると、損傷の原因にたいへんなりやすい。もつと
も、これらの値は、用いられるプローブの型式及
び厚さに応じて変わりうる。
本発明は、集積回路の試験中、プローブに適切
な圧力を確実に作用させると共に、プローブと集
積回路とを十分に接触させるためのプローブステ
ーシヨンのアクセサリを提供する。この結果、正
確な試験データが得られ、プローブに圧力が過度
にかかることによりこれが損傷してしまうおそれ
もなくす。
そこで本発明の目的は、集積回路の試験中、試
験プローブに適切な圧力を確実に作用させるため
の、集積回路試験ステーシヨンの圧力制御装置を
提供することにある。
本発明の他の目的は、試験プローブの接触点と
被試験回路とを確実に十全に接触させるよう設計
された、集積回路試験ステーシヨンの圧力制御装
置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、プローブを構造上及
び機能上損なわぬよう保護するために回路を試験
している間、試験プローブに作用する圧力の総量
を制限することのできる、集積回路試験ステーシ
ヨンの圧力制御装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、高い精度と圧力検知
能力とによつて特徴づけられる、集積回路試験ス
テーシヨンの圧力制御装置を提供することにあ
る。
本発明の更に他の目的は、運動する部品の数が
最小限であり、製造が安価な集積回路試験ステー
シヨンの圧力制御装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕
上述の目的に従つて本発明の集積回路試験ステ
ーシヨン用圧力制御装置は、固定している支持構
体に弾性保持部材を用いて固定した圧力パツドを
含む。この圧力パツドは、本体部分に固定された
剛性チツプを有する弾性本体部分、及びこの本体
部分を通つて下方に延びる縦のボアとを含んでい
る。弾性保持部材が圧力パツドを支持構体に取り
付けているために、圧力パツドが支持構体に対し
て垂直に動きうる。第1端及び第2端があるひき
延ばされた導体部材を弾性保持部材に固定する。
被試験回路を上方へ持ち上げるための台を具えた
真空チヤツクの内部には電動機があつて、第1端
と電気的に接続している。導体部材の第2端は通
常支持構体に取り付けられた導体パツドと接触し
ている。この導体パツドは支持構体に対して絶縁
されていて、真空チヤツク中の電動機とは電気的
に接続している。導体部材の第2端がこの導体パ
ツドと接触しているときは、チヤツク中の電動機
を含む完全な電気回路が形成されている。
使用にあたつては、まずポリイミドのプローブ
がある食刻回路基板を、圧力パツドが取り付けら
れている支持構体に固定する。このプローブを圧
力パツドの真下にくるように支持構体に固定す
る。この圧力パツドは、プローブの上面と接する
ように設計されており、プローブをやや下方へ押
し下げる。この結果プローブは、これが付いてい
る回路基板の平面よりも下方にふくらむ。真空チ
ヤツク中の電動機をそこで回転させると集積回路
はプローブへ向けて上昇する。いつたん集積回路
がプローブのところまで来ると、回路はプローブ
を押し上げる。ここでプローブが上方へ動くと、
この圧力パツドに対して圧力が作用する。始め
は、圧力パツドがプローブの上方の動きに抗す
る。この抗力がプローブの接点の集積回路との接
触を確かなものにする。集積回路がプローブと圧
力パツドに抗して上昇し続けるにつれて、圧力パ
ツドも、これを支持構体に固定している弾性保持
部材のおかげで上昇する。圧力パツドが上昇し続
けるにつれて、ひき延ばされた導体部材の第2端
が支持構体上の導体パツドから離れる。このため
電動機の回路が切れて、集積回路のプローブの方
向への運動が止まる。このような方法による電動
機の停止により、集積回路を試験するのに適当な
圧力が加圧され、集積回路の動きにより作用する
過大な圧力によりプローブが損傷することを防止
する。
本発明のこれらの目的、特徴、及び利点は、図
面を参照して実施例で詳しく説明する。
〔実施例〕
第1図は、食刻回路基板とプローブを具えた支
持構体に取り付けられた、本発明に基づく圧力制
御装置の斜視図である。本発明の圧力制御装置1
0は、集積回路の試験中ポリイミドフイルムのプ
ローブに作用する圧力を検知し制御するよう設計
された装置を含んでいる。第1図に示すように、
本発明の圧力制御装置10を、支持構体12に固
定する。支持構体12は、適当な据え付け支持フ
レーム(図示せず)に固定する。第2図は、第1
図の線−に沿う断面図であるが、第2図に示
すように、ポリイミドフイルムのプローブ16が
取り付けられた食刻回路基板が、支持構体12に
取り付けられている。このポリイミドフイルムの
プローブ16は被試験集積回路上の接触部と適合
するように設計された複数の金属パツド18を含
んでいる。この金属パツド18は、好適にはニツ
ケルにて作り、ポリイミドフイルムのプローブ1
6の下面に設ける。上述のようにプローブ16
は、パツド18を設けた部分を除外して接地面に
よつて覆う、このためパツド18の近傍ではプロ
ーブ16は透明になつている。
第3図は、第2図の線−に沿う断面図であ
る。第1図と第3図に示すように、圧力制御装置
10を支持構体12の環状部分20に取り付け
る。圧力制御装置10の構造的部品は、ねじ24
を用いて環状部分20に固定され、好適にはなめ
らかで強いプラスチツク(例えばテフロン)で作
られた環状部材22を含んでいる(第3図参照)。
環状部材22の下面28にはポリイミドフイルム
のプローブ16を囲む回路基板14と隣接する環
状フランジ30がある。
中央部36から放射状に外側へ延びる4つの接
続部分34を有する弾性保持部材32を、第1図
に示すようにワツシヤ26の下に置き、ねじ27
を用いて所定の位置に固定する。弾性保持部材3
2は、好適には、約0.010インチ厚のベリリウム
銅合金によつて作る。この材料は、豊かな弾性と
柔軟性によつて特徴づけられ、この性質の有用性
は後述する。
第4図は、本発明の圧力制御装置に用いられる
圧力パツドの斜視図である。第2図及び第4図に
示すように、好適には透明なシリコンゴムによつ
て作られた弾性のある圧力パツド50を、弾性保
持部材32の中央部36の開口38内にモールド
する。圧力パツド50には、弾性保持部材32の
開口38の直径よりも大きな直径となつている拡
大した頂部52がある。従つて、この頂部52
は、圧力パツド50を使用中弾性保持部材32に
対して所定の位置に保持する。
圧力パツド50は、硬い透明なプラスチツク
(例えば透明アクリルプラスチツク)で作られた
非弾性チツプ53も含んでいる。圧力パツド50
の内部には縦の中心軸に沿つて下方に延びるボア
54を設ける。このボア54によつてプローブス
テーシヨンの使用者が圧力パツド50、チツプ5
3及びポリイミドフイルムのプローブ16の透明
な部分を通して下方を直接見ることができる。こ
のことによつてプローブと被試験回路とを適切に
位置合わせすることができる。
第1図及び第2図に示すように、支持ブロツク
60を、この分野で知られているエポキシ樹脂接
着材を用いて弾性保持部材32に固定する。この
支持ブロツク60はボア64及び2組のねじ66
を含んでいる。好適にはベリリウム銅のワイヤに
金メツキしたもので作つたひき延ばされた導電部
材70を、ボア64の中に挿入する。この導電部
材はセツトスクリユ66を用いてこの支持ブロツ
ク60の中に固定する。
ひき延ばされた導電部材70の第1の端72
は、被試験集積回路をポリイミドフイルムのプロ
ーブ16に向かつて上昇させている間、集積回路
を所定の場所へ固定しておくよう設計された装置
へ、リード73によつて電気的に接続する。第2
図に示すように、この装置は支持構体12の下方
に設けてあり、集積回路チツプ又はウエハ79を
保持するための台78を具えた真空チヤツク76
及びこの台78を垂直に動かすためのステツパ電
動機80を含んでいる。ひき延ばされた導体部材
70の第1端72は、ステツパ電動機80に電気
的に接続する。
ひき延ばされた導体部材70の第2端82は、
通常支持構体12の環状部分20上の位置88に
固定されかつ支持構体に対して絶縁されている導
体パツド84上に乗せる(第1図参照)。好適に
は、この導体パツドには金メツキしたセラミツク
を用い、下面にはポリイミドフイルムの絶縁層を
設ける。導体パツド84は好適には支持構体12
に半田付けにより固定する。
導体パツド84は、第2図に示すように真空チ
ヤツク76内のステツパ電動機80へ、リード線
85によつて電気的に接続している。圧力パツド
50上にどんな上方向の圧力も存在しないとき
は、ひき延ばされた導体部材70及び導体パツド
84からステツパ電動機80へと至る完全な電気
回路が存在し、電動機80は後述するような使用
のされかたをする。
〔動作〕
動作にあたつては、圧力パツド50及びひき延
ばされた導体部材70と導体パツド84とを含む
圧力制御装置の圧力検知部品は、プローブの接触
パツドが、集積回路と十全で連続的でかつ損傷を
与えないような接触を確実にするよう共働する。
第2図に示すように、圧力パツド50のチツプ5
3は、可撓性のあるプローブ16と金属パツド1
8とを食刻回路基板14が形成する平面よりも下
方へ押し下げる。プローブ16を囲んでいる回路
基板14に接している環状部材22の環状フラン
ジ30も、回路基板14の平面からプローブ16
が外側へ動きうるようにしている。このように外
側へ動きうることでプローブが回路と接触しやす
くなる。
集積回路を試験するために、真空チヤツク76
中のステツパ電動機が動き、台78及び集積回路
チツプ又はウエハ79が上昇する。ステツパ電動
機の運転は、ひき延ばされた導体部材70と導体
パツド84を含む電気経路が完成することによつ
て可能となる。いつたん集積回路79がポリイミ
ドフイルムのプローブ16上の金属パツド18と
接触しても、集積回路79は、プローブ16と圧
力パツド50とに向つて上昇し続ける。初めに集
積回路79がプローブ16と接触するときは、圧
力パツド50は、プローブが上昇することを防げ
ようとする。このように上昇運動が防げられるの
で、プローブ16の圧力パツド18は、集積回路
79と安定的で完全な接触ができる。
集積回路79がプローブ16と圧力パツド50
とに向つて上昇し続けるにつれ、圧力パツド50
は、弾性保持部材32のおかげで上昇し始める。
圧力パツドが上昇し続けると、ひき延ばされた導
体部材70の第2端82は、導体パツド84から
離れる。この結果、ステツパ電動機80の運転を
可能にしている。ひき延ばされた導体部材70を
含む完全な回路が切れて、集積回路79の上昇運
動が止まり、これによりポリイミドフイルムのプ
ローブ16に圧力が適切な値に設定され、プロー
ブの損傷を避けることができる。第2図における
破線は、ステツパ電動機の回路が切れるときの圧
力制御装置の部品の位置を示している。
ひき延ばされた導体部材70の第2端82によ
つて導体パツド84上に作用する圧力は、セツト
スクリユー68によつて調整する。これによりポ
リイミドフイルムのプローブ16に向う集積回路
79の許容できる上昇運動が、セツトスクリユー
68によつて制御できる。仮にひき延ばされた導
体部材70の第2端82が導体パツド84に向つ
て下方に押されるべくセツトスクリユー68をね
じ込めば、ステツパ電動機80の電気回路が切れ
るまでに集積回路79は、ポリイミドフイルムの
プローブ16に対していつそう大きな圧力を作用
させる。さらにいうと、集積回路により作用する
圧力は、用いるプローブの型式により選択的に所
望の値に変更できる。
〔発明の効果〕
本発明の装置は、透明フイルム上に金属パツド
を形成したプローブで集積回路を試験する集積回
路試験ステーシヨンの集積回路及びプローブ間の
圧力制御を行う。プローブ及び集積回路の圧接に
より押し上げられた圧力パツドの端部を透明部材
で形成し、圧力パツドに対しプローブの反対側よ
り、透明部材を介して金属パツドを観察できる。
これにより、試験をするに際し、圧力部材の透明
部材及びプローブの透明部分を介して、顕微鏡等
で下方を見て、プローブの金属パツドと被試験集
積回路の被試験個所とを適切に位置合わせするこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、食刻回路基板とプローブを具えた支
持構体に取り付けられた本発明に基づく圧力制御
装置の斜視図、第2図は、第1図における線−
に沿う断面図、第3図は、第2図における線
−に沿う断面図、第4図は、本発明の圧力制御
装置に用いられる圧力パツドの斜視図である。 これらの図において、12は支持構体、14は
回路基板、16はプローブ、18は金属パツド、
32は弾性支持部材、50は圧力パツド、76,
78,80はリフト手段、60,72,84はス
イツチ手段である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 支持構体に取り付けられ、開口を有する回路
    基板と、被試験集積回路の試験個所に対応する金
    属パツドを透明フイルム上に形成して成り、上記
    回路基板の上記開口の周囲に沿つて取り付けられ
    たプローブと、上記被試験集積回路を載せ、該被
    試験集積回路の上記試験個所を上記プローブの上
    記金属パツドに圧接させるように動作するリフト
    手段とを有する集積回路試験ステーシヨンの圧力
    制御装置であつて、 上記支持構体により支持される弾性支持部材
    と、 該弾性支持部材により、上記プローブ上で該プ
    ローブの面に対して垂直な方向に移動可能に支持
    され、少なくとも上記プローブの上記金属パツド
    に対向する端部に透明部材を有する圧力パツド
    と、 上記圧力パツドの移動に連動し、上記圧力パツ
    ドが所定位置を超えると開成して上記リフト手段
    の動作を停止させるスイツチ手段とを具え、 上記圧力パツドに対し上記プローブの反対側よ
    り上記透明部材を介して上記金属パツドを観察可
    能であることを特徴とする集積回路試験ステーシ
    ヨン用圧力制御装置。
JP62217760A 1986-09-03 1987-08-31 集積回路試験ステーション用圧力制御装置 Granted JPS6367742A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/903,356 US4758785A (en) 1986-09-03 1986-09-03 Pressure control apparatus for use in an integrated circuit testing station
US903356 1986-09-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6367742A JPS6367742A (ja) 1988-03-26
JPH0345540B2 true JPH0345540B2 (ja) 1991-07-11

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ID=25417363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62217760A Granted JPS6367742A (ja) 1986-09-03 1987-08-31 集積回路試験ステーション用圧力制御装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4758785A (ja)
EP (1) EP0259667A3 (ja)
JP (1) JPS6367742A (ja)
KR (1) KR880004321A (ja)
CA (1) CA1272528A (ja)

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5829128A (en) * 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
US4864227A (en) * 1987-02-27 1989-09-05 Canon Kabushiki Kaisha Wafer prober
US4980637A (en) * 1988-03-01 1990-12-25 Hewlett-Packard Company Force delivery system for improved precision membrane probe
US4899099A (en) * 1988-05-19 1990-02-06 Augat Inc. Flex dot wafer probe
US4922192A (en) * 1988-09-06 1990-05-01 Unisys Corporation Elastic membrane probe
US4906920A (en) * 1988-10-11 1990-03-06 Hewlett-Packard Company Self-leveling membrane probe
US4950981A (en) * 1989-04-14 1990-08-21 Tektronix, Inc. Apparatus for testing a circuit board
US5055778A (en) * 1989-10-02 1991-10-08 Nihon Denshizairyo Kabushiki Kaisha Probe card in which contact pressure and relative position of each probe end are correctly maintained
US5012186A (en) * 1990-06-08 1991-04-30 Cascade Microtech, Inc. Electrical probe with contact force protection
US5079501A (en) * 1990-07-10 1992-01-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Flexible membrane circuit tester
US5072176A (en) * 1990-07-10 1991-12-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Flexible membrane circuit tester
US5059898A (en) * 1990-08-09 1991-10-22 Tektronix, Inc. Wafer probe with transparent loading member
JP3208734B2 (ja) * 1990-08-20 2001-09-17 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US5189363A (en) * 1990-09-14 1993-02-23 Ibm Corporation Integrated circuit testing system having a cantilevered contact lead probe pattern mounted on a flexible tape for interconnecting an integrated circuit to a tester
US5521518A (en) * 1990-09-20 1996-05-28 Higgins; H. Dan Probe card apparatus
US5124644A (en) * 1990-12-19 1992-06-23 Vlsi Technology, Inc. System for positioning a semiconductor chip package with respect to a testing device
JPH04330753A (ja) * 1991-01-16 1992-11-18 Tokyo Electron Ltd 半導体検査装置及び半導体検査方法
US5153504A (en) * 1991-04-23 1992-10-06 International Business Machines Corporation Pneumatically actuated hold down gate
US5495179A (en) * 1991-06-04 1996-02-27 Micron Technology, Inc. Carrier having interchangeable substrate used for testing of semiconductor dies
US6380751B2 (en) * 1992-06-11 2002-04-30 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US5345170A (en) 1992-06-11 1994-09-06 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems
US6313649B2 (en) 1992-06-11 2001-11-06 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US5355079A (en) * 1993-01-07 1994-10-11 Wentworth Laboratories, Inc. Probe assembly for testing integrated circuit devices
WO1996007924A1 (en) * 1994-09-09 1996-03-14 Micromodule Systems Membrane probing of circuits
EP0779987A4 (en) * 1994-09-09 1998-01-07 Micromodule Systems Inc EXPLORATION OF THE CIRCUIT MEMBRANE
KR100384265B1 (ko) * 1994-10-28 2003-08-14 클리크 앤드 소파 홀딩스 인코포레이티드 프로그램가능한고집적전자검사장치
US5561377A (en) 1995-04-14 1996-10-01 Cascade Microtech, Inc. System for evaluating probing networks
US5621333A (en) * 1995-05-19 1997-04-15 Microconnect, Inc. Contact device for making connection to an electronic circuit device
US5773987A (en) * 1996-02-26 1998-06-30 Motorola, Inc. Method for probing a semiconductor wafer using a motor controlled scrub process
US6046599A (en) * 1996-05-20 2000-04-04 Microconnect, Inc. Method and device for making connection
US5963027A (en) * 1997-06-06 1999-10-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station having environment control chambers with orthogonally flexible lateral wall assembly
US6002263A (en) * 1997-06-06 1999-12-14 Cascade Microtech, Inc. Probe station having inner and outer shielding
US6034533A (en) * 1997-06-10 2000-03-07 Tervo; Paul A. Low-current pogo probe card
US6343369B1 (en) * 1998-09-15 2002-01-29 Microconnect, Inc. Methods for making contact device for making connection to an electronic circuit device and methods of using the same
US6445202B1 (en) 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
JP2001110857A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd プローブ方法及びプローブ装置
US7009415B2 (en) * 1999-10-06 2006-03-07 Tokyo Electron Limited Probing method and probing apparatus
US6496026B1 (en) 2000-02-25 2002-12-17 Microconnect, Inc. Method of manufacturing and testing an electronic device using a contact device having fingers and a mechanical ground
US7262611B2 (en) * 2000-03-17 2007-08-28 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor
US6965226B2 (en) 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US20040169521A1 (en) * 2001-08-02 2004-09-02 Rincon Reynaldo M. High density probe card apparatus and method of manufacture
WO2003020467A1 (en) 2001-08-31 2003-03-13 Cascade Microtech, Inc. Optical testing device
US6777964B2 (en) 2002-01-25 2004-08-17 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US6847219B1 (en) 2002-11-08 2005-01-25 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low noise characteristics
US7250779B2 (en) 2002-11-25 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low inductance path
US6861856B2 (en) 2002-12-13 2005-03-01 Cascade Microtech, Inc. Guarded tub enclosure
US7221172B2 (en) 2003-05-06 2007-05-22 Cascade Microtech, Inc. Switched suspended conductor and connection
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
JP2008502167A (ja) 2004-06-07 2008-01-24 カスケード マイクロテック インコーポレイテッド 熱光学チャック
US7330041B2 (en) 2004-06-14 2008-02-12 Cascade Microtech, Inc. Localizing a temperature of a device for testing
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
KR101090333B1 (ko) 2009-06-03 2011-12-07 주식회사 쎄믹스 척의 능동적 기울기 제어가 가능한 웨이퍼 프로브 스테이션 및 그 제어방법
WO2010140814A2 (ko) * 2009-06-03 2010-12-09 주식회사 쎄믹스 척의 능동적 기울기 제어가 가능한 웨이퍼 프로브 스테이션 및 그 제어방법
US8963567B2 (en) 2011-10-31 2015-02-24 International Business Machines Corporation Pressure sensing and control for semiconductor wafer probing
US9435855B2 (en) 2013-11-19 2016-09-06 Teradyne, Inc. Interconnect for transmitting signals between a device and a tester
US9594114B2 (en) 2014-06-26 2017-03-14 Teradyne, Inc. Structure for transmitting signals in an application space between a device under test and test electronics
US9977052B2 (en) 2016-10-04 2018-05-22 Teradyne, Inc. Test fixture
US10677815B2 (en) 2018-06-08 2020-06-09 Teradyne, Inc. Test system having distributed resources
US11363746B2 (en) 2019-09-06 2022-06-14 Teradyne, Inc. EMI shielding for a signal trace
TWI733318B (zh) * 2020-01-22 2021-07-11 台灣福雷電子股份有限公司 壓測機構、測試設備及測試方法
TWI718938B (zh) * 2020-04-20 2021-02-11 中華精測科技股份有限公司 分隔式薄膜探針卡及其彈性模組
TWI719895B (zh) * 2020-05-11 2021-02-21 中華精測科技股份有限公司 陣列式薄膜探針卡及其測試模組
US11862901B2 (en) 2020-12-15 2024-01-02 Teradyne, Inc. Interposer
JP7714392B2 (ja) * 2021-07-01 2025-07-29 株式会社日本マイクロニクス 検査装置、位置調整ユニット及び位置調整方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3936743A (en) * 1974-03-05 1976-02-03 Electroglas, Inc. High speed precision chuck assembly
US3996517A (en) * 1975-12-29 1976-12-07 Monsanto Company Apparatus for wafer probing having surface level sensing
US4328553A (en) * 1976-12-07 1982-05-04 Computervision Corporation Method and apparatus for targetless wafer alignment
US4195259A (en) * 1978-04-04 1980-03-25 Texas Instruments Incorporated Multiprobe test system and method of using same
GB2094479B (en) * 1978-01-30 1983-03-16 Texas Instruments Inc Determining probe contact in testing integrated circuits
US4219771A (en) * 1978-02-21 1980-08-26 Texas Instruments Incorporated Four-quadrant, multiprobe-edge sensor for semiconductor wafer probing
JPS5950942A (ja) * 1982-09-13 1984-03-24 Toyama Keikinzoku Kogyo Kk 印刻模様を有するAl系金属型材の製造設備
US4649339A (en) * 1984-04-25 1987-03-10 Honeywell Inc. Integrated circuit interface

Also Published As

Publication number Publication date
CA1272528A (en) 1990-08-07
KR880004321A (ko) 1988-06-03
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EP0259667A3 (en) 1989-10-04
EP0259667A2 (en) 1988-03-16
US4758785A (en) 1988-07-19

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