JPH034556A - ハイブリッドモジュールのリード接続方法 - Google Patents
ハイブリッドモジュールのリード接続方法Info
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- JPH034556A JPH034556A JP1139597A JP13959789A JPH034556A JP H034556 A JPH034556 A JP H034556A JP 1139597 A JP1139597 A JP 1139597A JP 13959789 A JP13959789 A JP 13959789A JP H034556 A JPH034556 A JP H034556A
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- JP
- Japan
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- pad
- lead
- hybrid circuit
- lead wire
- welding
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07521—Aligning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、ハイブリッドモジュールのリード接続方法に
係り、特に外囲器に設けられた外部接続用端子に一端が
電気的に接続したリード線の他端を外囲器に内装された
ハイブリッド回路本体側に接続する方法の改良に関する
。
係り、特に外囲器に設けられた外部接続用端子に一端が
電気的に接続したリード線の他端を外囲器に内装された
ハイブリッド回路本体側に接続する方法の改良に関する
。
（従来の技術）
例えば、ベース板上に厚膜基板など具備して成る所要の
ハイブリッド回路本体を配設するとともに、前記ハイブ
リッド回路本体を囲むように樹脂製筒状体の一端を前記
ベース板に接着し、所要のリード接続を行った後、前記
筒状体の開口端を蓋体で封止した構造のハイブリッドモ
ジュールが知られている。即ち、第５図にその構成例を
斜視的に示すように、ＩＣ素子１などを実装したハイブ
リッド回路本体２をベース板３上に配設する一方、前記
ハイブリッド回路本体２を囲むように配設した外囲器４
の一部を成す筒状体４ａ壁に、予め貫挿配設されている
外部接続用端子５に一端が電気的に接続されたリード端
子（リード線）６の円板状に形成加工された他端を、前
記ハイブリッド回路本体２のリード取り出し用パッド２
ａに対接させ電気的に接続した後、外囲器４の一部を成
す所要の蓋体を（図示せず）配設し、封止して成るハイ
ブリッドモジュールが実用に供されている。
ハイブリッド回路本体を配設するとともに、前記ハイブ
リッド回路本体を囲むように樹脂製筒状体の一端を前記
ベース板に接着し、所要のリード接続を行った後、前記
筒状体の開口端を蓋体で封止した構造のハイブリッドモ
ジュールが知られている。即ち、第５図にその構成例を
斜視的に示すように、ＩＣ素子１などを実装したハイブ
リッド回路本体２をベース板３上に配設する一方、前記
ハイブリッド回路本体２を囲むように配設した外囲器４
の一部を成す筒状体４ａ壁に、予め貫挿配設されている
外部接続用端子５に一端が電気的に接続されたリード端
子（リード線）６の円板状に形成加工された他端を、前
記ハイブリッド回路本体２のリード取り出し用パッド２
ａに対接させ電気的に接続した後、外囲器４の一部を成
す所要の蓋体を（図示せず）配設し、封止して成るハイ
ブリッドモジュールが実用に供されている。
ところで、この種のハイブリッドモジュールにおけるリ
ード端子６とハイブリッド回路本体２のリード取り出し
用パッド２ａとの電気的な接続は次のように行われてい
る。すなわち第６図に斜視的に示すように、リード端子
（リード線）６の円板状に形成加工された他端を、前記
ハイブリッド回路本体２のリード取り出し用パッド２ａ
に対接させ、第７図に示すように一対の溶接用電極７ａ
、７ｂを配置して加圧１通電溶接して電気的に接続して
いる。
ード端子６とハイブリッド回路本体２のリード取り出し
用パッド２ａとの電気的な接続は次のように行われてい
る。すなわち第６図に斜視的に示すように、リード端子
（リード線）６の円板状に形成加工された他端を、前記
ハイブリッド回路本体２のリード取り出し用パッド２ａ
に対接させ、第７図に示すように一対の溶接用電極７ａ
、７ｂを配置して加圧１通電溶接して電気的に接続して
いる。
一方、外囲器４の一部を成す筒状体４ａ壁に予め貫挿配
設されている板状の外部接続用端子５面上に前記リード
端子（リード線）６の一端側を重合せ、第８図に斜視的
に示すように一対の溶接用電極７ａ、７ｂを配置して加
圧１通電溶接することにより電気的な接続をおこなって
いる。この他、リード端子６として、第９図に斜視的に
示すように仮状のものを用いたり、また第１Ｏ図に斜視
的に示すようにハイブリッド回路本体２のリード取り出
し用パッド２ａの形状を断面り字型に構成したり、前記
断面り字型に代え断面逆Ｔ字型に構成したりし、溶接の
ときに一対の溶接電極７ａ、７ｂを第１１図に側面的に
示すように、一方を重ね合せ部に対接させ、他方を重ね
合せ部から離して対接させ溶接することも試みられてい
る。
設されている板状の外部接続用端子５面上に前記リード
端子（リード線）６の一端側を重合せ、第８図に斜視的
に示すように一対の溶接用電極７ａ、７ｂを配置して加
圧１通電溶接することにより電気的な接続をおこなって
いる。この他、リード端子６として、第９図に斜視的に
示すように仮状のものを用いたり、また第１Ｏ図に斜視
的に示すようにハイブリッド回路本体２のリード取り出
し用パッド２ａの形状を断面り字型に構成したり、前記
断面り字型に代え断面逆Ｔ字型に構成したりし、溶接の
ときに一対の溶接電極７ａ、７ｂを第１１図に側面的に
示すように、一方を重ね合せ部に対接させ、他方を重ね
合せ部から離して対接させ溶接することも試みられてい
る。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、上記リード端子乃至リード線６の先端側をハイ
ブリッド回路本体２のリード取り出し用パッド２ａに対
接させて溶接を行いリード接続する場合は、次のような
不都合がしばしば認められる。先ず、予めハイブリッド
回路本体（回路基板）２にリード取り出し用パッド２ａ
を半田付けした後、このハイブリッド回路本体２をベー
ス板３に溶接し、所要のハイブリッド回路を組み立て、
さらに外囲器４の一部を成す筒状体４ａを組み立てリー
ドＩｓ６についてフォーミングしてから、前記溶接を行
うため作業性が著しく劣ると言う問題がある。
ブリッド回路本体２のリード取り出し用パッド２ａに対
接させて溶接を行いリード接続する場合は、次のような
不都合がしばしば認められる。先ず、予めハイブリッド
回路本体（回路基板）２にリード取り出し用パッド２ａ
を半田付けした後、このハイブリッド回路本体２をベー
ス板３に溶接し、所要のハイブリッド回路を組み立て、
さらに外囲器４の一部を成す筒状体４ａを組み立てリー
ドＩｓ６についてフォーミングしてから、前記溶接を行
うため作業性が著しく劣ると言う問題がある。
また、ハイブリッド回路本体２のリード取り出し用パッ
ド２ａの形状を断面り字型などに構成した場合は、溶接
するバッド２ａ面が比較的小さく位置合せの精度に難点
があるうえ方向性もあるため、自動搭載、実装方式によ
る製造２組み立てに適しないと言う不都合がある。
ド２ａの形状を断面り字型などに構成した場合は、溶接
するバッド２ａ面が比較的小さく位置合せの精度に難点
があるうえ方向性もあるため、自動搭載、実装方式によ
る製造２組み立てに適しないと言う不都合がある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、外囲器壁を
貫挿配設された外部接続用端子に一端が接続するリード
線の他端を、前記外囲器に内装されたハイブリッド回路
本体のリード取り出しパッドに接続する方法において、 前記ハイブリッド回路本体のリード取り出しパッドはＦ
ｅ、Ｎｉ もしくはこれらの合金を基材とし表面にＮｉ
系めっき層を有する厚さ ０．３〜２＋ｇｉ 、外径１
．５〜５■の少なくとも上面がリング状に形成され、こ
のパッドの上面に前記リード線の他端側を載置し、この
リード線の他端側と前記パッドとの重ね合せ接触部に一
方の電極を対接させ、対向する他方の電極をパッド面上
の他領域に対接させて加圧２通電して溶接することを特
徴とする。
貫挿配設された外部接続用端子に一端が接続するリード
線の他端を、前記外囲器に内装されたハイブリッド回路
本体のリード取り出しパッドに接続する方法において、 前記ハイブリッド回路本体のリード取り出しパッドはＦ
ｅ、Ｎｉ もしくはこれらの合金を基材とし表面にＮｉ
系めっき層を有する厚さ ０．３〜２＋ｇｉ 、外径１
．５〜５■の少なくとも上面がリング状に形成され、こ
のパッドの上面に前記リード線の他端側を載置し、この
リード線の他端側と前記パッドとの重ね合せ接触部に一
方の電極を対接させ、対向する他方の電極をパッド面上
の他領域に対接させて加圧２通電して溶接することを特
徴とする。
（作 用）
上記のように、本発明方法によれば、ハイブリッド回路
本体のリード取り出しパッドは特定の金属で比較的小形
に形成されかつ、少なくとも上面がリング状に形成され
ているため、このパッドの上面に前記リード線の他端側
を載置した場合、均一な接触を容易に保持する。しかし
て、リード線の他端側とパッドとの重ね合せ接触部に一
方の電極を対接させ、対向する他力の電極をパッド面上
の他領域に対接させて加圧２通電して溶接したとき、容
品にしかも確実に所要の溶接を達成し得る。
本体のリード取り出しパッドは特定の金属で比較的小形
に形成されかつ、少なくとも上面がリング状に形成され
ているため、このパッドの上面に前記リード線の他端側
を載置した場合、均一な接触を容易に保持する。しかし
て、リード線の他端側とパッドとの重ね合せ接触部に一
方の電極を対接させ、対向する他力の電極をパッド面上
の他領域に対接させて加圧２通電して溶接したとき、容
品にしかも確実に所要の溶接を達成し得る。
（実施例）
以下第１図および第２図を参照して本発明の詳細な説明
する。
する。
第１図はハイブリッドモジュールの一部を成す樹脂製外
囲器４壁に貫挿配設された外部接続川端子５に一端が溶
接されたリード線６の他端を、前記外囲器４内に配設さ
れたハイブリッド回路本体２の入出力端子用バッド２ａ
に対接させた状態を、斜視的に示したものである。すな
わち、本発明方法においては、外囲器４内に配設された
ハイブリッド回路本体２の入出力端子用パッド２ａを特
にリング状に被着形成しである。つまり、ハイブリッド
回路本体２のリード取り出しパッド２ａはＰｅ、Ｎｉも
しくはこれらの合金を基材とし表面にＮ１系めっき層を
有する厚さ０．３〜２ｍａ＋ 、外径１．５〜５ＩＩ１
１の少なくとも上面がリング状に形成された構造を成し
ている。しかして、前記リード取り出しパッド２ａに対
するリード線（リード端子）６他端の溶接。
囲器４壁に貫挿配設された外部接続川端子５に一端が溶
接されたリード線６の他端を、前記外囲器４内に配設さ
れたハイブリッド回路本体２の入出力端子用バッド２ａ
に対接させた状態を、斜視的に示したものである。すな
わち、本発明方法においては、外囲器４内に配設された
ハイブリッド回路本体２の入出力端子用パッド２ａを特
にリング状に被着形成しである。つまり、ハイブリッド
回路本体２のリード取り出しパッド２ａはＰｅ、Ｎｉも
しくはこれらの合金を基材とし表面にＮ１系めっき層を
有する厚さ０．３〜２ｍａ＋ 、外径１．５〜５ＩＩ１
１の少なくとも上面がリング状に形成された構造を成し
ている。しかして、前記リード取り出しパッド２ａに対
するリード線（リード端子）６他端の溶接。
接続は次のようにして行われる。すなわち、リード線（
リード端子）６他端を前記リング状パッド２ａ面に対し
てほぼ水平に折り曲げ、この折り曲げ部がリング状バッ
ド２ａ面を横切るように対接、配置する。しかる後、一
対の溶接電極７ａのうち一方の溶接電極７ａを、リード
線６がリング状パッド２ａ面を横切るように重ね合せ領
域面に対接させ、他方の溶接電極７ｂをリング状パッド
２ａ面の他の領域に離して対接させともに加圧１通電処
理して所要の溶接を行う。第２図において８はノ＼イブ
リッド回路本体２に入出力端子用パッド２ａを固着する
半）［１層、９は入出力端子用パッド２ａとリード線６
との溶接部をそれぞれ示す。ここで、Ｆｅを基材とし表
面にＮ１めっき層を形成して成る外径約３ｍｍ 、内径
約２■で厚さ約１■に構成されたリング状パッド２ａ面
に、直径０，５■の電気用軟銅線表面に半田めっき層を
設けて成るリード線６を溶接するに当り、重ね合せ領域
面に先端形状が約２×２■の方形の溶接電極７ａを対接
させ、リング状パッド２ａ面の他の領域に離して先端形
状が直径的２１１Ｉ１１の円形の溶接電極７ｂを対接さ
せて加圧１通電処理したところ所要の溶接が精度よくな
し得た。
リード端子）６他端を前記リング状パッド２ａ面に対し
てほぼ水平に折り曲げ、この折り曲げ部がリング状バッ
ド２ａ面を横切るように対接、配置する。しかる後、一
対の溶接電極７ａのうち一方の溶接電極７ａを、リード
線６がリング状パッド２ａ面を横切るように重ね合せ領
域面に対接させ、他方の溶接電極７ｂをリング状パッド
２ａ面の他の領域に離して対接させともに加圧１通電処
理して所要の溶接を行う。第２図において８はノ＼イブ
リッド回路本体２に入出力端子用パッド２ａを固着する
半）［１層、９は入出力端子用パッド２ａとリード線６
との溶接部をそれぞれ示す。ここで、Ｆｅを基材とし表
面にＮ１めっき層を形成して成る外径約３ｍｍ 、内径
約２■で厚さ約１■に構成されたリング状パッド２ａ面
に、直径０，５■の電気用軟銅線表面に半田めっき層を
設けて成るリード線６を溶接するに当り、重ね合せ領域
面に先端形状が約２×２■の方形の溶接電極７ａを対接
させ、リング状パッド２ａ面の他の領域に離して先端形
状が直径的２１１Ｉ１１の円形の溶接電極７ｂを対接さ
せて加圧１通電処理したところ所要の溶接が精度よくな
し得た。
なお、上記実施例ではハイブリッド回路本体２の入出力
端子用パッド２ａをリング状に構成したが、第３図に側
面的に示すように上面側にたとえば深さ約０．５ｍｍの
窪み２ｂを形設した構成としてもよいし、成るいは第４
図に側面的に示すように両面側にそれぞれ、たとえば深
さ約０．５ｍａ＋の窪み２ｂを形設した構成としてもよ
い。また本発明において、ハイブリッド回路本体２のリ
ード取り出しパッド２ａを、Ｆｃ、Ｎｉもしくはこれら
の合金を基材とし表面にＮｉ系めっき層を有する厚さ０
．３〜２ａ＋ｓ 、外径１．５〜５■の少なくとも上面
がリング状に形成した構造に設定したのは、ハイブリッ
ドモジュールの小形化および高信頼性の機能乃至性能の
保持からである。
端子用パッド２ａをリング状に構成したが、第３図に側
面的に示すように上面側にたとえば深さ約０．５ｍｍの
窪み２ｂを形設した構成としてもよいし、成るいは第４
図に側面的に示すように両面側にそれぞれ、たとえば深
さ約０．５ｍａ＋の窪み２ｂを形設した構成としてもよ
い。また本発明において、ハイブリッド回路本体２のリ
ード取り出しパッド２ａを、Ｆｃ、Ｎｉもしくはこれら
の合金を基材とし表面にＮｉ系めっき層を有する厚さ０
．３〜２ａ＋ｓ 、外径１．５〜５■の少なくとも上面
がリング状に形成した構造に設定したのは、ハイブリッ
ドモジュールの小形化および高信頼性の機能乃至性能の
保持からである。
［発明の効果］
上記説明からも分るように、本発明方法によれば、ハイ
ブリッドモジュールのリード接続において、互いに接続
する外部接続用端子とハイブリッド回路本体との接続を
リード線によって確実かつ安定した状態で所要の電気的
な接続を行いうる。
ブリッドモジュールのリード接続において、互いに接続
する外部接続用端子とハイブリッド回路本体との接続を
リード線によって確実かつ安定した状態で所要の電気的
な接続を行いうる。
つまり、上記ハイブリッド回路本体のリード取り出しパ
ッドとリード線との溶接接続においては、前記ハイブリ
ッド回路本体のリード取り出しパッドがリング状に形成
されており、リード線は２か所で前記パッド面に当接し
た状態に置かれて、このうちの１か所で加圧９通電して
溶接されるため、相対的に接合部面積のバラツキを小さ
く抑制し得る。このように位置ズレなどの問題をほとん
ど無視しても一定の接合部面積を容易に保持し得るので
、上記加圧１通電して溶接する際も常に安定した電流が
流れ、結果的に発熱量を安定化させ良好なリード接続が
達成される。かくして、本発明は安定性乃至信頼性の高
さ、さらに量産における歩留の改善、向上などに大きく
寄与し得るリード接続方法と言える。
ッドとリード線との溶接接続においては、前記ハイブリ
ッド回路本体のリード取り出しパッドがリング状に形成
されており、リード線は２か所で前記パッド面に当接し
た状態に置かれて、このうちの１か所で加圧９通電して
溶接されるため、相対的に接合部面積のバラツキを小さ
く抑制し得る。このように位置ズレなどの問題をほとん
ど無視しても一定の接合部面積を容易に保持し得るので
、上記加圧１通電して溶接する際も常に安定した電流が
流れ、結果的に発熱量を安定化させ良好なリード接続が
達成される。かくして、本発明は安定性乃至信頼性の高
さ、さらに量産における歩留の改善、向上などに大きく
寄与し得るリード接続方法と言える。
第１図は本発明方法において、外部接続用端子に一端が
接続するリード線の他端をハイブリッド回路本体のリー
ド取り出しパッドに接続する状態を説明するための模式
的な斜視図、第２図は同じく外部接続用端子に一端が接
続するリード線の他端をハイブリッド回路本体のリード
取り出しパッドに接続する状態を説明するための模式的
な側面図、第３図および第４図は同じく本発明方法にお
いて、外部接続用端子に一端が接続するリード線の他端
をハイブリッド回路本体のリード取り出しパッドに接続
する他の例を説明するための模式的な側面図、第５図は
従来のハイブリッドモジュールの内部構成例を示す斜視
図、第６図、第９図。 第１０図は従来のハイブリッドモジュールのリード接続
法を説明するための模式的な斜視図、第７図。 第８図、第１１図は従来のハイブリッドモジュールのリ
ード接続法を説明するための模式的な側面図である。 ２・・・・・・・・・ハイブリッド回路本体２ａ・・・
・・・・・・リング状パッド４・・・・・・・・・外囲
器 ５・・・・・・・・・外部接続用端子 ６・・・・・・・・・リード線（リード端子）７ａ、７
ｂ・・・溶接電極
接続するリード線の他端をハイブリッド回路本体のリー
ド取り出しパッドに接続する状態を説明するための模式
的な斜視図、第２図は同じく外部接続用端子に一端が接
続するリード線の他端をハイブリッド回路本体のリード
取り出しパッドに接続する状態を説明するための模式的
な側面図、第３図および第４図は同じく本発明方法にお
いて、外部接続用端子に一端が接続するリード線の他端
をハイブリッド回路本体のリード取り出しパッドに接続
する他の例を説明するための模式的な側面図、第５図は
従来のハイブリッドモジュールの内部構成例を示す斜視
図、第６図、第９図。 第１０図は従来のハイブリッドモジュールのリード接続
法を説明するための模式的な斜視図、第７図。 第８図、第１１図は従来のハイブリッドモジュールのリ
ード接続法を説明するための模式的な側面図である。 ２・・・・・・・・・ハイブリッド回路本体２ａ・・・
・・・・・・リング状パッド４・・・・・・・・・外囲
器 ５・・・・・・・・・外部接続用端子 ６・・・・・・・・・リード線（リード端子）７ａ、７
ｂ・・・溶接電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 外囲器壁を貫挿配設された外部接続用端子に一端が接続
するリード線の他端を、前記外囲器に内装されたハイブ
リッド回路本体のリード取り出しパッドに接続する方法
において、 前記ハイブリッド回路本体のリード取り出しパッドはＦ
ｅ、Ｎｉもしくはこれらの合金を基材とし表面にＮｉ系
めっき層を有する厚さ０．３〜２ｍｍ、外径１．５〜５
ｍｍの少なくとも上面がリング状に形成され、このパッ
ドの上面に前記リード線の他端側を載置し、このリード
線の他端側と前記パッドとの重ね合せ接触部に一方の電
極を対接させ、対向する他方の電極をパッド面上の他領
域に対接させて加圧、通電して溶接することを特徴とす
るハイブリッドモジュールのリード接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139597A JPH034556A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | ハイブリッドモジュールのリード接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139597A JPH034556A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | ハイブリッドモジュールのリード接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034556A true JPH034556A (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=15248976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1139597A Pending JPH034556A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | ハイブリッドモジュールのリード接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034556A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5472904A (en) * | 1994-03-02 | 1995-12-05 | Micron Technology, Inc. | Thermal trench isolation |
| US5837596A (en) * | 1994-03-02 | 1998-11-17 | Micron Technology, Inc. | Field oxide formation by oxidation of polysilicon layer |
| US5915191A (en) * | 1994-11-03 | 1999-06-22 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device with improved device integration and field-region insulation |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1139597A patent/JPH034556A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5472904A (en) * | 1994-03-02 | 1995-12-05 | Micron Technology, Inc. | Thermal trench isolation |
| US5837596A (en) * | 1994-03-02 | 1998-11-17 | Micron Technology, Inc. | Field oxide formation by oxidation of polysilicon layer |
| US5888881A (en) * | 1994-03-02 | 1999-03-30 | Micron Technology, Inc. | Method of trench isolation during the formation of a semiconductor device |
| US5915191A (en) * | 1994-11-03 | 1999-06-22 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device with improved device integration and field-region insulation |
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