JPH0346327A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH0346327A JPH0346327A JP18301789A JP18301789A JPH0346327A JP H0346327 A JPH0346327 A JP H0346327A JP 18301789 A JP18301789 A JP 18301789A JP 18301789 A JP18301789 A JP 18301789A JP H0346327 A JPH0346327 A JP H0346327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aspect ratio
- oxide film
- silicon oxide
- incident efficiency
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、超ＬＳＩ製造プロセスにかけるレジストをマ
スク材料に用いた酸化膜ドライエツチング技術にかいて
、特にシリコン酸化膜とシリコンとの選択比のコンタク
ト孔径依存性を少なくするドライエツチング方法に関す
る。
スク材料に用いた酸化膜ドライエツチング技術にかいて
、特にシリコン酸化膜とシリコンとの選択比のコンタク
ト孔径依存性を少なくするドライエツチング方法に関す
る。
〈従来の技術及び発明が解決しようとする課題〉レジス
トをマスク材料として用いて微細なコンタクトホールを
形成するエツチングにかいては。
トをマスク材料として用いて微細なコンタクトホールを
形成するエツチングにかいては。
シリコン酸化膜のエツチングレートはレジストパターン
のアスペクト比に依存レアスペクト比が大きい程遅く、
渣たエツチング時間とともに依存度は大きくなっていく
。またエツチングが進行するに連れアスペクト比は増加
するのでエツチングレートはさらに低下する。下地Ｓｉ
のエツチングレートはレジスト＋シリコン酸化膜のアス
ペクト比に依存レアスペクト比が大きい程増大しシリコ
ン酸化膜の対Ｓｉ選択比はアスペクト比が大きい程低下
する。第２図にレジストパターンのアスペクト比ヲ変え
たときのＳｉＯ２エッチレートのコンタクト孔径依存性
を、第３図にレジストパターンのアスペクト比を変えた
ときの５ｉ−ｃフチレートのコンタクト孔径依存性を示
す。
のアスペクト比に依存レアスペクト比が大きい程遅く、
渣たエツチング時間とともに依存度は大きくなっていく
。またエツチングが進行するに連れアスペクト比は増加
するのでエツチングレートはさらに低下する。下地Ｓｉ
のエツチングレートはレジスト＋シリコン酸化膜のアス
ペクト比に依存レアスペクト比が大きい程増大しシリコ
ン酸化膜の対Ｓｉ選択比はアスペクト比が大きい程低下
する。第２図にレジストパターンのアスペクト比ヲ変え
たときのＳｉＯ２エッチレートのコンタクト孔径依存性
を、第３図にレジストパターンのアスペクト比を変えた
ときの５ｉ−ｃフチレートのコンタクト孔径依存性を示
す。
本発明は、超ＬＳＩ製造工程時に釦ける上記の問題点の
解決をはかるためのもので、シリコン酸化膜と下地Ｓｉ
との選択比のコンタクト孔径（アスペクト比）依存性の
小さいコンタクトホール加上方法を提供するものである
。
解決をはかるためのもので、シリコン酸化膜と下地Ｓｉ
との選択比のコンタクト孔径（アスペクト比）依存性の
小さいコンタクトホール加上方法を提供するものである
。
く課題を解決するための手段〉
シリコン酸化膜のエフチングレートはイオンの入射効率
に比例し入射効率が低くなると工・ノチレートは低下す
る。イオンの入射効率は第２図の様にアスペクト比に依
存しアスペクト比が太きくなると入射効率は悪くなる。
に比例し入射効率が低くなると工・ノチレートは低下す
る。イオンの入射効率は第２図の様にアスペクト比に依
存しアスペクト比が太きくなると入射効率は悪くなる。
下地Ｓｉの工・１チングレートもイオンの入射効率に依
存するがシリコン酸化膜とは異なり入射効率が悪いとＣ
Ｆポリマーが付着しに＜＜Ｓｉのエツチングレートは増
加する。このことよりイオンの入射効率を高めることで
対Ｓｉ選択比の低下を抑えることが出来る。
存するがシリコン酸化膜とは異なり入射効率が悪いとＣ
Ｆポリマーが付着しに＜＜Ｓｉのエツチングレートは増
加する。このことよりイオンの入射効率を高めることで
対Ｓｉ選択比の低下を抑えることが出来る。
本発明のドライエツチング方法は、シリコン酸化膜の対
レジスト選択比を低下して開孔部のアスペクト比が大き
くならないようにすることでイオンの入射効率の低下を
少なくすることを特徴とするエツチング方法である。
レジスト選択比を低下して開孔部のアスペクト比が大き
くならないようにすることでイオンの入射効率の低下を
少なくすることを特徴とするエツチング方法である。
く実施例〉
以下、本発明の一実施例について説明する。
第４図にシリコン酸化膜０．６μ鱒上に１．７μ馬のレ
ジストをパターニングして対レジスト選択比が１と２の
条件でエツチングを行なったときのシリコン酸化膜のエ
ッチレートのコンタクト孔径依存性を示す。同様に第５
図はＳｉのエッチレートを、第亀図は対Ｓｉ選択比をみ
たものである。
ジストをパターニングして対レジスト選択比が１と２の
条件でエツチングを行なったときのシリコン酸化膜のエ
ッチレートのコンタクト孔径依存性を示す。同様に第５
図はＳｉのエッチレートを、第亀図は対Ｓｉ選択比をみ
たものである。
選択比１．０の条件では、シリコン酸化膜とレジストの
エッチレートは同じなので工７チングの進行によるアス
ペクト比の変化は少ないため（第６図）、シリコン酸化
膜のエッチレートのコンタクト孔径依存性は第２図に比
べ小さく、また対Ｓｉ選択比の低下も少ない。
エッチレートは同じなので工７チングの進行によるアス
ペクト比の変化は少ないため（第６図）、シリコン酸化
膜のエッチレートのコンタクト孔径依存性は第２図に比
べ小さく、また対Ｓｉ選択比の低下も少ない。
さらに対レジスト選択比を低下させることで。
よりコンタクト孔径依存の少ない条件を得ることが可能
である。
である。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明にかいては、シリコン酸化膜
の対レジスト選択比を低下して開孔部のアスペクト比が
太きくならないようにすることでアスペクト比の変化は
少ないためシリコン酸化膜のエッチレートのコンタクト
孔径依存性は第２図に比べ小さく、筐た対Ｓｉ選択比の
低下も少なくすることが出来、超ＬＳＩの歩留が向上す
る。
の対レジスト選択比を低下して開孔部のアスペクト比が
太きくならないようにすることでアスペクト比の変化は
少ないためシリコン酸化膜のエッチレートのコンタクト
孔径依存性は第２図に比べ小さく、筐た対Ｓｉ選択比の
低下も少なくすることが出来、超ＬＳＩの歩留が向上す
る。
第１図は対レジスト選択比を変えたときの対Ｓｉ選択比
のコンタクト孔径依存性を示す図、第２図はレジストパ
ターンのアスペクト比を変えたときの５ｉＯ１エフチレ
ートのコンタクト孔径依存性ｔ” 示ス５ 、第８図は
レジストパターンのアスペクト比を変えたときのＳｉエ
ッチレートのコンタクト孔径依存性を示す図、第４図は
対レジスト選択比を変えたときの５ｉｎ２エフチレート
のコンタクト孔径依存性を示す図、第５図は対レジスト
選択比を変えたときのＳｉエッチレートのコンタクト孔
径依存性を示す図、第６図は対レジスト選択比が１と２
の各場合に於けるエツチングの進行によるアスペクト比
の変化を示す図である。
のコンタクト孔径依存性を示す図、第２図はレジストパ
ターンのアスペクト比を変えたときの５ｉＯ１エフチレ
ートのコンタクト孔径依存性ｔ” 示ス５ 、第８図は
レジストパターンのアスペクト比を変えたときのＳｉエ
ッチレートのコンタクト孔径依存性を示す図、第４図は
対レジスト選択比を変えたときの５ｉｎ２エフチレート
のコンタクト孔径依存性を示す図、第５図は対レジスト
選択比を変えたときのＳｉエッチレートのコンタクト孔
径依存性を示す図、第６図は対レジスト選択比が１と２
の各場合に於けるエツチングの進行によるアスペクト比
の変化を示す図である。
Claims (1)
- １、反応性イオンエッチング装置によりレジストをマス
ク材料に用いてコンタクトホール加工を行なうシリコン
酸化膜エッチング方法において、シリコン酸化膜の対レ
ジスト選択比を低くしてアスペクト比が小さくなるよう
にしイオン入射効率を高めることによりシリコン酸化膜
とシリコンとの選択比のコンタクト孔径依存性を低減す
ることを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18301789A JPH0346327A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18301789A JPH0346327A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346327A true JPH0346327A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16128281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18301789A Pending JPH0346327A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0346327A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007212048A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Gastar Corp | 気泡供給機能付き追焚装置 |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP18301789A patent/JPH0346327A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007212048A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Gastar Corp | 気泡供給機能付き追焚装置 |
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