JPH0346662A - 感光性組成物 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、平版印刷版、多色印刷の校正刷、オーバーヘ
ッドプロジェクタ−用図面、更には半導体素子の集積回
路を製造する際に微細なレジストパターンを形成するこ
とが可能なポジ型感光性組成物に関する。
ッドプロジェクタ−用図面、更には半導体素子の集積回
路を製造する際に微細なレジストパターンを形成するこ
とが可能なポジ型感光性組成物に関する。
[従来の技術]
平版印刷版等の用途において活性光線により可溶化する
、いわゆるボジチブに作用する感光性物質としては、従
来オルトキノンジアジド化合物が知られており、実際平
版印刷版等に広く利用されてきた。このようなオルトキ
ノンシアシト化合物の例は、例えば米国特許第2,76
6、118号、同第2,767.092号、同第2,7
72,972号、同第2,859,112号、同第2,
907,665号、同第3,046.110号、同第3
,046.111号、同第3,046,115号、同第
3,046.118号、同第3,046.119号、同
第3,046.120号、同第3,046,121号、
同第3,046.122号、同第3,046,123号
、同第3.06L、430号、同第3. I 02,8
09号、同第3,106,465号、同第3,635,
709号、同第3,647,443号の各明細書をはし
め、多数の刊行物に記されている。
、いわゆるボジチブに作用する感光性物質としては、従
来オルトキノンジアジド化合物が知られており、実際平
版印刷版等に広く利用されてきた。このようなオルトキ
ノンシアシト化合物の例は、例えば米国特許第2,76
6、118号、同第2,767.092号、同第2,7
72,972号、同第2,859,112号、同第2,
907,665号、同第3,046.110号、同第3
,046.111号、同第3,046,115号、同第
3,046.118号、同第3,046.119号、同
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09号、同第3,106,465号、同第3,635,
709号、同第3,647,443号の各明細書をはし
め、多数の刊行物に記されている。
これらのオルトキノンジアジド化合物は、活性光線の照
射により分解を起こして5員環のカルボン酸を生し、ア
ルカリ可溶性となる性質が利用されるものであるが、い
ずれも感光性が不十分であるという欠点を有する。これ
は、オルトキノンジアジド化合物の場合、木質的に量子
収率がlを越えないということに由来するものである。
射により分解を起こして5員環のカルボン酸を生し、ア
ルカリ可溶性となる性質が利用されるものであるが、い
ずれも感光性が不十分であるという欠点を有する。これ
は、オルトキノンジアジド化合物の場合、木質的に量子
収率がlを越えないということに由来するものである。
オルトキノンジアジド化合物を含む感光性組成物の感光
性を高める方法については、今までいろいろと試みられ
てきたが、現像時の現像許容性を保持したまま感光性を
高めることは非常に困難であった。例えば、このような
試みの例は、特公昭4B−12242号、特開昭51−
40125号、米国特許第4,307,173号などの
公報及び明細書に記載されている。
性を高める方法については、今までいろいろと試みられ
てきたが、現像時の現像許容性を保持したまま感光性を
高めることは非常に困難であった。例えば、このような
試みの例は、特公昭4B−12242号、特開昭51−
40125号、米国特許第4,307,173号などの
公報及び明細書に記載されている。
また最近、オルトキノンジアジド化合物を用いずにボジ
チブに作用させる感光性組成物に関して、いくつかの提
案がされている。その1つとして、例えば特公昭56−
2696号の明細書に記載されているオルトニトロカル
ビノールエステル基を有するポリマー化合物が挙げられ
る。しかし、この場合も、オルトキノンジアジドの場合
と同し理由で感光性が十分とは言えない。また、これと
は別に接触作用により活性化される感光系を使用し、感
光性を高める方法として、光分解で生成する酸によって
第2の反応を生起させ、それにより露光域を可溶化する
公知の原理が適用されている。
チブに作用させる感光性組成物に関して、いくつかの提
案がされている。その1つとして、例えば特公昭56−
2696号の明細書に記載されているオルトニトロカル
ビノールエステル基を有するポリマー化合物が挙げられ
る。しかし、この場合も、オルトキノンジアジドの場合
と同し理由で感光性が十分とは言えない。また、これと
は別に接触作用により活性化される感光系を使用し、感
光性を高める方法として、光分解で生成する酸によって
第2の反応を生起させ、それにより露光域を可溶化する
公知の原理が適用されている。
このような例として、例えば光分解により酸を発生する
化合物と、アセタール又は○、N−アセタール化合物と
の組合せ(特開昭48−89003号)、オルトエステ
ル又はアミドアセタール化合物との組合せ(特開昭51
−12071.4号)、主鎖にアセタール又はケタール
基を有するポリマーとの組合せ(特開昭53−1334
29号)、エノールエーテル化合物との組合せ(特開昭
5512995号)、N−アシルイミノ炭酸化合物との
組合せ(特開昭55−126236号)、主鎖にオル1
−エステル基を有するポリマーとの組合せ(特開昭56
−17345号)、シリルエステル化合物との組合せ(
特開昭60−10247号)及びシリルエーテル化合物
との組合せ(特開昭60−37549号、特開昭60−
121446号)などを挙げることができる。これらは
原理的に量子収率が1を越える為、高い感光性を示すが
、IC用レジスト材料として使用した場合、後述する酸
素プラズマ耐性がないという問題点があった。
化合物と、アセタール又は○、N−アセタール化合物と
の組合せ(特開昭48−89003号)、オルトエステ
ル又はアミドアセタール化合物との組合せ(特開昭51
−12071.4号)、主鎖にアセタール又はケタール
基を有するポリマーとの組合せ(特開昭53−1334
29号)、エノールエーテル化合物との組合せ(特開昭
5512995号)、N−アシルイミノ炭酸化合物との
組合せ(特開昭55−126236号)、主鎖にオル1
−エステル基を有するポリマーとの組合せ(特開昭56
−17345号)、シリルエステル化合物との組合せ(
特開昭60−10247号)及びシリルエーテル化合物
との組合せ(特開昭60−37549号、特開昭60−
121446号)などを挙げることができる。これらは
原理的に量子収率が1を越える為、高い感光性を示すが
、IC用レジスト材料として使用した場合、後述する酸
素プラズマ耐性がないという問題点があった。
一方、半導体素子、磁気バブルメモリ、集積回路等の電
子部品を製造するためのパターン形成法としては、従来
より、紫外線又は可視光線に感光するフォトレジストを
利用する方法が幅広く実用に供されている。フォトレジ
ストには、光照射により被照側部が現像液に不溶化する
ネガ型と、反対に可溶化するポジ型とがあるが、ネガ型
はポジ型に比べて感度が良く、湿式エツチングに必要な
基板との接着性および耐薬品性にも優れていることから
、近年までフォトレジストの主流を占めていた。しかし
、半導体素子等の高密度化、高集積化に伴ない、パター
ンの線幅や間隔が極めて小さくなり、また、基板のエツ
チングにはドライエツチングが採用されるようになった
ことから、フォトレジストには高解像度および高ドライ
エツチング耐性が望まれるようになり、現在ではポジ型
フォトレジストが大部分を占めるようになった。特に、
ポジ型フォトレジストの中でも、感度、解像度、ドライ
エツチング耐性に優れることから、例えばジェー・シー
・ストリエータ著、コダンク・マイクロエレクトロニク
ス・セミナー・プロシーデインゲス、第116頁(19
76年) (J、 C。
子部品を製造するためのパターン形成法としては、従来
より、紫外線又は可視光線に感光するフォトレジストを
利用する方法が幅広く実用に供されている。フォトレジ
ストには、光照射により被照側部が現像液に不溶化する
ネガ型と、反対に可溶化するポジ型とがあるが、ネガ型
はポジ型に比べて感度が良く、湿式エツチングに必要な
基板との接着性および耐薬品性にも優れていることから
、近年までフォトレジストの主流を占めていた。しかし
、半導体素子等の高密度化、高集積化に伴ない、パター
ンの線幅や間隔が極めて小さくなり、また、基板のエツ
チングにはドライエツチングが採用されるようになった
ことから、フォトレジストには高解像度および高ドライ
エツチング耐性が望まれるようになり、現在ではポジ型
フォトレジストが大部分を占めるようになった。特に、
ポジ型フォトレジストの中でも、感度、解像度、ドライ
エツチング耐性に優れることから、例えばジェー・シー
・ストリエータ著、コダンク・マイクロエレクトロニク
ス・セミナー・プロシーデインゲス、第116頁(19
76年) (J、 C。
5trieter、 Kodak Microelec
tronics SeminarProceeding
s 、 116 (1976) )等に挙げられる、
アルカリ可溶性のノボラック樹脂をベースにしたアルカ
リ現像型のポジ型フォトレジスI・が現行プロセスの主
流となっている。
tronics SeminarProceeding
s 、 116 (1976) )等に挙げられる、
アルカリ可溶性のノボラック樹脂をベースにしたアルカ
リ現像型のポジ型フォトレジスI・が現行プロセスの主
流となっている。
しかしながら、近年電子機器の多機能化、高度化に伴な
い、更に高密度、ならびに高集積化を図るべくパターン
の微細化が強く要請されている。
い、更に高密度、ならびに高集積化を図るべくパターン
の微細化が強く要請されている。
即ち、集積回路の横方向の寸法の縮小に比べてその縦方
向の寸法はあまり縮小されていかないために、レジスト
パターンの幅に対する高さの比は大きくならざるを得な
かった。このため、複雑な段差構造を有するウェハー上
でレジストパターンの寸法変化を押さえていくことは、
パターンの微細化が進むにつれてより困難になってきた
。更に、各種の露光方式においても、最小寸法の縮小に
伴ない問題が生してきている。例えば、光による露光で
は、基板の段差に基づく反射光の干渉作用が、寸法精度
に大きな影響を与えるようになり、一方電子ビーム露光
においては、電子の後方散乱によって生ずる近接効果に
より、微細なレジストパターンの高さと幅の比を大きく
することができなくなった。
向の寸法はあまり縮小されていかないために、レジスト
パターンの幅に対する高さの比は大きくならざるを得な
かった。このため、複雑な段差構造を有するウェハー上
でレジストパターンの寸法変化を押さえていくことは、
パターンの微細化が進むにつれてより困難になってきた
。更に、各種の露光方式においても、最小寸法の縮小に
伴ない問題が生してきている。例えば、光による露光で
は、基板の段差に基づく反射光の干渉作用が、寸法精度
に大きな影響を与えるようになり、一方電子ビーム露光
においては、電子の後方散乱によって生ずる近接効果に
より、微細なレジストパターンの高さと幅の比を大きく
することができなくなった。
これらの多くの問題は多層レジストシステムを用いるこ
とにより解消されることが見出された。
とにより解消されることが見出された。
多層レジストシステムについては、ソリッドステート・
テクノロジー、74 (1981)[5olid 5t
ate Technology 、 74 (1981
) Eに概説が掲載されているが、この他にもこのシス
テムに関する多くの研究が発表されている。−船釣に多
層レジスト法には3層レジスト法と2層レジスト法があ
る。3層レジスト法は、段差基板上に有機平坦化膜を塗
布し、その上に、無機中間層、レジストと重ね、レジス
トをパターニングした後、これをマスクとして無機中間
層をドライエツチングし、さらに、無機中間層をマスク
として有機平坦化膜を021?IE(リアクティブイオ
ンエツチング)によりパターニングする方法である。こ
の方法は、基本的には、従来からの技術が使用できるた
めに、早くから検副が開始されたが、工程が非常に複雑
である、あるいは有機膜、無機膜、有機膜と三層物性の
異なるものが重なるために中間層にクラックやピンホー
ルが発生しやすいといったことが問題点になっている。
テクノロジー、74 (1981)[5olid 5t
ate Technology 、 74 (1981
) Eに概説が掲載されているが、この他にもこのシス
テムに関する多くの研究が発表されている。−船釣に多
層レジスト法には3層レジスト法と2層レジスト法があ
る。3層レジスト法は、段差基板上に有機平坦化膜を塗
布し、その上に、無機中間層、レジストと重ね、レジス
トをパターニングした後、これをマスクとして無機中間
層をドライエツチングし、さらに、無機中間層をマスク
として有機平坦化膜を021?IE(リアクティブイオ
ンエツチング)によりパターニングする方法である。こ
の方法は、基本的には、従来からの技術が使用できるた
めに、早くから検副が開始されたが、工程が非常に複雑
である、あるいは有機膜、無機膜、有機膜と三層物性の
異なるものが重なるために中間層にクラックやピンホー
ルが発生しやすいといったことが問題点になっている。
この3層レジスト法に対して、2Nレジスト法では、3
層レジスト法でのレジストと無機中間層の両方の性質を
兼ね備えたレジスト、すなわち、酸素プラズマ耐性のあ
るレジストを用いるために、クランクやピンホールの発
生が0 抑えられ、また、3層法から2層になるので工程が簡略
化される。しかし、3層しジス1へ法では、上層レジス
トに従来のレジストが使用できるのに対して、2層しジ
ス1−法では、新たに酸素プラズマ耐性のあるレジスI
・を開発しなければならないという課題があった。
層レジスト法でのレジストと無機中間層の両方の性質を
兼ね備えたレジスト、すなわち、酸素プラズマ耐性のあ
るレジストを用いるために、クランクやピンホールの発
生が0 抑えられ、また、3層法から2層になるので工程が簡略
化される。しかし、3層しジス1へ法では、上層レジス
トに従来のレジストが使用できるのに対して、2層しジ
ス1−法では、新たに酸素プラズマ耐性のあるレジスI
・を開発しなければならないという課題があった。
以上の背景から、2層レジスト法等の上層レジストとし
て使用できる酸素プラズマ耐性に優れた、高感度、高解
像度のポジ型フォトレジスト、特に、現行プロセスを変
えることなく使用できるアルカリ現像方式のレジス1−
の開発が望まれていた。
て使用できる酸素プラズマ耐性に優れた、高感度、高解
像度のポジ型フォトレジスト、特に、現行プロセスを変
えることなく使用できるアルカリ現像方式のレジス1−
の開発が望まれていた。
これに対し、従来のオルトキノンシアシト感光物に、ア
ルカリ可溶性を付与したポリシロキサン又は、ポリシル
メチレン等のシリコンポリマーを組合せた感光性組成物
、例えば特開昭61144639号、同61−2563
47号、同62−159141号、同61−19184
9号、同62−220949号、同62−229136
号、同61−90534号、同63−91654号、並
びに米国特許第4722881号記載の感] 1 光性組成物が提示されている。
ルカリ可溶性を付与したポリシロキサン又は、ポリシル
メチレン等のシリコンポリマーを組合せた感光性組成物
、例えば特開昭61144639号、同61−2563
47号、同62−159141号、同61−19184
9号、同62−220949号、同62−229136
号、同61−90534号、同63−91654号、並
びに米国特許第4722881号記載の感] 1 光性組成物が提示されている。
しかしながら、これらのシリコンポリマーは何れもフェ
ノール性Of(基又はシラノール基(ンS t −OI
I )導入により、アルカリ可溶性を付与するもので、
フェノール性OH基導入によりアリカリ可溶性を付与す
る場合は、製造が著しく困難となり、またシラノール基
によりアルカリ可溶性を付与する場合は経時安定性が必
ずしも良好ではない、という問題点があった。
ノール性Of(基又はシラノール基(ンS t −OI
I )導入により、アルカリ可溶性を付与するもので、
フェノール性OH基導入によりアリカリ可溶性を付与す
る場合は、製造が著しく困難となり、またシラノール基
によりアルカリ可溶性を付与する場合は経時安定性が必
ずしも良好ではない、という問題点があった。
またオルトキノンシアシトを用いない系として、特開昭
61−13663.8号記載のポリシロキ→ノ゛ン/カ
ーボネートのプロ・イク共重合体に有効量のオニウム塩
を組合せた感光性組成物更には特開昭63− ]−46
038M記載のニトロヘンシルフェニルエーテル基を有
するシリコンポリマーが挙げられるが、これらは同しく
製造が著しく困難であり、露光部のアルカリ溶解性も十
分ではなかった。
61−13663.8号記載のポリシロキ→ノ゛ン/カ
ーボネートのプロ・イク共重合体に有効量のオニウム塩
を組合せた感光性組成物更には特開昭63− ]−46
038M記載のニトロヘンシルフェニルエーテル基を有
するシリコンポリマーが挙げられるが、これらは同しく
製造が著しく困難であり、露光部のアルカリ溶解性も十
分ではなかった。
[発明が解決しようとする課題]
本発明の目的は、上記問題点が解決された新規なポジ型
感光性組成物を提供することである。即2 ち、高感度な新規ポジ型感光性m戒物を提供することで
ある。
感光性組成物を提供することである。即2 ち、高感度な新規ポジ型感光性m戒物を提供することで
ある。
本発明の別の目的は、酸素プラズマ耐性に優れた、アル
カリ現像方式によるポジ型感光性組成物を提供すること
である。
カリ現像方式によるポジ型感光性組成物を提供すること
である。
更に本発明の別の目的は、製造が簡便で容易に取得でき
る新規なポジ型感光性組成物を提供することである。
る新規なポジ型感光性組成物を提供することである。
[課題を解決するための手段]
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討を加えた結
果、シリルエーテル又はシリルエステル基を有する新規
なシロキサンポリマーと、露光により酸を発生ずる化合
物の組合せ系を用いることで、」二記目的が達成される
ことを見い出し、本発明に到達した。
果、シリルエーテル又はシリルエステル基を有する新規
なシロキサンポリマーと、露光により酸を発生ずる化合
物の組合せ系を用いることで、」二記目的が達成される
ことを見い出し、本発明に到達した。
即ち本発明は、(a)活性光線又は放射線の照射により
酸を発生する化合物と(b)下記−形式(+)又は(T
I)で表わされるジエン化合物ど、−形式(III)、
(IV)又は(V)で表わされるオレフィン又はアセチ
レン化合物との環状熱付加生成3 物から由来される構造単位を少なくとも1モル%有する
シロキサンポリマー、を含有することを特徴とするポジ
型感光性組成物、を提供するものである。
酸を発生する化合物と(b)下記−形式(+)又は(T
I)で表わされるジエン化合物ど、−形式(III)、
(IV)又は(V)で表わされるオレフィン又はアセチ
レン化合物との環状熱付加生成3 物から由来される構造単位を少なくとも1モル%有する
シロキサンポリマー、を含有することを特徴とするポジ
型感光性組成物、を提供するものである。
(1)
(II)
(III)
(TV)
水素原子、アルキル、アリール、又はアルコキシ基を示
し、好ましくは水素原子、炭素数1〜10個の直鎖、分
枝、又は環状アルキル、炭素数6〜15個の単環又は多
環アリール、炭素数1〜8個のアルコキシ基である。
し、好ましくは水素原子、炭素数1〜10個の直鎖、分
枝、又は環状アルキル、炭素数6〜15個の単環又は多
環アリール、炭素数1〜8個のアルコキシ基である。
R6−R9は同一でも相異していてもよく、水素原子、
ハロゲン原子、シアノ、カルボニル、アルキル、アリー
ル、アルコキシ基、−3Q、−R12、−303R12
、−Co−II2、−Co−Nll−R12、−COO
−II2、又は−YAを示し、好ましくは水素原子、塩
素原子、シアノ、炭素数1〜6個の直鎖、分枝、又は環
状アルキル、炭素数6〜10個の単環又は多環アリール
、炭素数1〜6個のアルコキシ基、−SO□−R12、
−5O3RI2、−Co−R” 、−Go−N11−R
12、−Coo−R12、又は−YAであり、更に好ま
しくは水素原子、−3O□−R12,5(h−II2、
−Co−R12、−Co−Nil−R12、−COO−
R’ 2、又は−Y−^である。R12はアルキル、又
はアリール基を示し、好ましくは炭素数1〜10個の直
鎖、分枝又は環状アルキル、炭素数6〜15個の単環又
は多環アリール基を示す。Rlo 17+1は水素原子
、アルギル又はアリール基を示し、好ましくは水素原子
又は炭素数1〜4個の直鎖又は分枝アルキル基を示す。
ハロゲン原子、シアノ、カルボニル、アルキル、アリー
ル、アルコキシ基、−3Q、−R12、−303R12
、−Co−II2、−Co−Nll−R12、−COO
−II2、又は−YAを示し、好ましくは水素原子、塩
素原子、シアノ、炭素数1〜6個の直鎖、分枝、又は環
状アルキル、炭素数6〜10個の単環又は多環アリール
、炭素数1〜6個のアルコキシ基、−SO□−R12、
−5O3RI2、−Co−R” 、−Go−N11−R
12、−Coo−R12、又は−YAであり、更に好ま
しくは水素原子、−3O□−R12,5(h−II2、
−Co−R12、−Co−Nil−R12、−COO−
R’ 2、又は−Y−^である。R12はアルキル、又
はアリール基を示し、好ましくは炭素数1〜10個の直
鎖、分枝又は環状アルキル、炭素数6〜15個の単環又
は多環アリール基を示す。Rlo 17+1は水素原子
、アルギル又はアリール基を示し、好ましくは水素原子
又は炭素数1〜4個の直鎖又は分枝アルキル基を示す。
またR6−R8及びYの2つ、又はR10〜R1が結合
して環を形成してもよい。Yは単結合、−価の芳香族又
は脂肪族炭化水素基を示し、好ましくは単結合、炭素数
1〜4個の直鎖又は分校アルキレン、炭素数6〜10個
の単環又は多環アリーレン基を示す。またY中にケトン
、エーテル、エステル、アごト、ウレタン、ウレイドな
どの基を含有してもよい。
して環を形成してもよい。Yは単結合、−価の芳香族又
は脂肪族炭化水素基を示し、好ましくは単結合、炭素数
1〜4個の直鎖又は分校アルキレン、炭素数6〜10個
の単環又は多環アリーレン基を示す。またY中にケトン
、エーテル、エステル、アごト、ウレタン、ウレイドな
どの基を含有してもよい。
〜RI8は同一でも相異していてもよく、アルキル、ア
リール、アラルキル、又は−o−R19を示し、好まし
くは炭素数1〜10個の直鎖、分枝又は環状アルキル、
炭素数6〜15個の単環又は多環アリール又は炭素数7
〜15個のアラルキル基を示す。
リール、アラルキル、又は−o−R19を示し、好まし
くは炭素数1〜10個の直鎖、分枝又は環状アルキル、
炭素数6〜15個の単環又は多環アリール又は炭素数7
〜15個のアラルキル基を示す。
またこれらの基にハロゲン原子、シアノ、ニトロ、又は
アルコキシ基などが置換していてもよい。
アルコキシ基などが置換していてもよい。
II9はアルキル、又はアリール基を示し、好ましくは
炭素数1〜8個の直鎖、分校、又は環状アルキル、又は
炭素数6〜10個の単環又は多環アリール基を示す。
炭素数1〜8個の直鎖、分校、又は環状アルキル、又は
炭素数6〜10個の単環又は多環アリール基を示す。
Xl、R2、N3は同一でも相異していてもよく、ハロ
ゲン[子、ヒドロキシ、カルボキシ、オキシム、アミド
、ウレイド、アミノ、アルキル、アリール、アラルキル
、アルコキシ、アリーロキシ、の多基を示し、好ましく
は、塩素原子、炭素数1〜10個の直鎖、分校又は環状
アルキル、炭素数6〜15個の単環又は多環アリール、
炭素数7〜15個のアラルキル、炭素数1〜8個のアル
コキシ、又は炭素数6〜10個のアリーロキシ基を示す
。但し、Xl、 R2、R3のうち少なくとも2つは、
ハロゲン原子、ヒドロキシ、カルボキシ、オキシム、ア
ミド、ウレイド、アミノ、アルコキシ又は了り一ロキシ
基を示す。
ゲン[子、ヒドロキシ、カルボキシ、オキシム、アミド
、ウレイド、アミノ、アルキル、アリール、アラルキル
、アルコキシ、アリーロキシ、の多基を示し、好ましく
は、塩素原子、炭素数1〜10個の直鎖、分校又は環状
アルキル、炭素数6〜15個の単環又は多環アリール、
炭素数7〜15個のアラルキル、炭素数1〜8個のアル
コキシ、又は炭素数6〜10個のアリーロキシ基を示す
。但し、Xl、 R2、R3のうち少なくとも2つは、
ハロゲン原子、ヒドロキシ、カルボキシ、オキシム、ア
ミド、ウレイド、アミノ、アルコキシ又は了り一ロキシ
基を示す。
本発明のシロキサンポリマーはシリルエーテル又はシリ
ルエステル基を有する新規なシロキサン7 ポリマーである。該シロキサンポリマー自体は本来、良
好なアルカリ可溶性を示さないが、活性光線又は放射線
の照射により酸を発生する化合物と組合せることにより
分解し、カルボン酸、又はフェノール基を生成してアル
カリ可溶性となる。
ルエステル基を有する新規なシロキサン7 ポリマーである。該シロキサンポリマー自体は本来、良
好なアルカリ可溶性を示さないが、活性光線又は放射線
の照射により酸を発生する化合物と組合せることにより
分解し、カルボン酸、又はフェノール基を生成してアル
カリ可溶性となる。
また本発明のシロキサンポリマーは、基本的に一般式(
I)又は(II)で表わされる化合物と、−形式U)、
(TV)又は(V)で表わされる化合物の熱付加反応、
及びシロキサン骨格形成の為の縮合反応の2段階で台底
することができる。またその合成過程でレジスト性能上
好ましくない金属触媒(例えばナトリウム、カリウム、
マグネシウム化合物など)を使用する必要がない。
I)又は(II)で表わされる化合物と、−形式U)、
(TV)又は(V)で表わされる化合物の熱付加反応、
及びシロキサン骨格形成の為の縮合反応の2段階で台底
することができる。またその合成過程でレジスト性能上
好ましくない金属触媒(例えばナトリウム、カリウム、
マグネシウム化合物など)を使用する必要がない。
以下に本発明の成分について詳細に説明する。
(シロキサンポリマー)
本発明のシロキサンポリマーは、 119式(I)又は
(n)で表わされるシリル基置換のジエン化合物と、−
形式(II)、(TV)又は(V)で表わされるシリル
エーテル又はシリルエステル基を有するオレフィン又は
アセチレン化合物との環状熱8 付加生成物、所謂Diels−Alder反応生威物(
生成)、(■)、(■)、(IX)、(X)、又は(X
I)から由来される構造を有するシロキサンポリマーで
ある。
(n)で表わされるシリル基置換のジエン化合物と、−
形式(II)、(TV)又は(V)で表わされるシリル
エーテル又はシリルエステル基を有するオレフィン又は
アセチレン化合物との環状熱8 付加生成物、所謂Diels−Alder反応生威物(
生成)、(■)、(■)、(IX)、(X)、又は(X
I)から由来される構造を有するシロキサンポリマーで
ある。
(VI)
(■)
(但し、R1〜R■、Xl〜χ3、Y、Aは、上記と同
義である。) 本発明のシロキサンポリマーの製造法としては、式(丁
)又は(II)の化合物を単独又は数種類配合し、加水
分解、あるいはアルコキシ化した後、縮合し、弐(II
I)、(■)、又は(V)の化合物を熱付加させる方法
と、先に式(1)又は(II)の化合物と、式(II)
、(■)、又は(V)のシリル化前の化合物を熱付加さ
せ、弐(Vl)、(■)(■)、(IX)、(X)又は
(XI)のシリル化0 前の化合物を台底した後、各々単独又は数種類混合の条
件で、加水分解、あるいはアルコキシ化、その後縮合さ
せ、最後にシリル化させる方法とがある。
義である。) 本発明のシロキサンポリマーの製造法としては、式(丁
)又は(II)の化合物を単独又は数種類配合し、加水
分解、あるいはアルコキシ化した後、縮合し、弐(II
I)、(■)、又は(V)の化合物を熱付加させる方法
と、先に式(1)又は(II)の化合物と、式(II)
、(■)、又は(V)のシリル化前の化合物を熱付加さ
せ、弐(Vl)、(■)(■)、(IX)、(X)又は
(XI)のシリル化0 前の化合物を台底した後、各々単独又は数種類混合の条
件で、加水分解、あるいはアルコキシ化、その後縮合さ
せ、最後にシリル化させる方法とがある。
またシリルエーテル又はシリルエステル基を有しないオ
レフィン、又はアセチレン化合物を式(III)、(■
)、又は(V)の化合物と共存させ、本発明のシロキサ
ンポリマーの構造中に導入することができる。
レフィン、又はアセチレン化合物を式(III)、(■
)、又は(V)の化合物と共存させ、本発明のシロキサ
ンポリマーの構造中に導入することができる。
更に下記式(X II )、(XI[I)、(XTV)
、(XV)又は(XVI)の1種又は2種以上を共存さ
せ、共縮合させることにより、性能の改善を図ることも
できる。
、(XV)又は(XVI)の1種又は2種以上を共存さ
せ、共縮合させることにより、性能の改善を図ることも
できる。
これらの場合、式(Vl)、(■)、(■)、(IX)
、(X)又は(XI)の化合物から由来される構造単位
の含量は少なくとも1モル%、好ましくは5〜95モル
%、更に好ましくは10〜80モル%である。
、(X)又は(XI)の化合物から由来される構造単位
の含量は少なくとも1モル%、好ましくは5〜95モル
%、更に好ましくは10〜80モル%である。
R” Si A−X )3
(XII)
R2盲
Si
(XIIT)
22
23
2S
X −5i−R”−3i X
R24R26
(XIV)
ZB
30
×
Si
3
Si −+X )2
(XV)
29
R32R33
(X→−2Si −R” Si−←X )z
(XVI)式中はR21)〜R26、R211、
R30、及びR32〜R33は同一でも相異していても
良く、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリー
ル基、置換アリール基、アルケニル基、置換アルケニル
基、アリル基、シリル基、置換シリル基、シロキシ基、
も2 しくば置換シロキシ基を示す。具体的には、アルキル基
としては直鎖、分枝または環状のものであり、好ましく
は炭素原子数が約lないし約IOのものである。具体的
には、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、イソプロピル
基、イソブチル基、tert−ブチル基、2−エチルヘ
ギシル基、シクロヘキシル基などが含まれる。また、置
換アルキル基は、上記のようなアルキル基に例えば塩素
原子のようなハロゲン原子、例えばメトキシ基のような
炭素原子数1〜6個のアルコキシ基、例えばフェニル基
のような了り−ル基、例エバフェノキシ基のような了り
−ルオキシ基などの置換したものが含まれ、具体的には
モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメ
チル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、2−ブ
ロモエチル基、2−メトキシエチル基、2−エトキシエ
チル基、フェニルメチル基、ナフチルメチル基、フェノ
キシメチル基などが挙げられる。また、アリール基は単
環あるいは2環のものが好ましく、例3 えばフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基など
が挙げられる。置換アリール基は上記のようなアリール
基に、例えばメチル基、エチル基などの炭素原子数1〜
6個のアルキル基、例えばメトキシ基、エトキシ基など
の炭素原子数1〜6個のアルコキシ基、例えば塩素電子
などのハロゲン原子、ニトロ基、フェニル基、カルボキ
シ基、ヒドロキシ基、ア多ド基、イミド基、シアノ基な
どが置換したものが含まれ、具体的には4−クロロフェ
ニル基、2−クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基
、4−ニトロフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、
4−フェニルフェニル基、4メチルフエニル基、2−メ
チルフェニル基、4エチルフエニル基、4−メトキシエ
チル基、2メトキシフエニル基、4−エトキシフェニル
基、2−カルボキシフェニル基、4−シアノフェニル基
、4−メチル−1−ナフチル基、4−クロロl−ナフチ
ル基、5−ニトロ−1−ナフチル基、5−ヒドロキシ−
■−ナフチル基、6−クロロ2−ナフチル基、4−ブロ
モ−2−ナフチル基、4 5−ヒドロキシ−2−ナフチル基などがあげられる。ア
ルケニル基は例えばビニル基であり、置換アルケニル基
は、ビニル基に例えばメチル基のようなアルキル基、例
えばフェニル基のようなアリール基などの置換したもの
が含まれ、具体的にはj−メチルビニル基、2−メチル
ビニル基、12−ジメチルビニル基、2−フェニルビニ
ル基、2−(p−メチルフェニル)ビニル基、2−(p
メトキシフェニル)ビニル基、2−(p−’)0ロフエ
ニル)ビニル基、2−(o−クロロフェニル)ビニル基
などが挙げられる。シリル基、置換シリル基としては例
えばトリアルキルシリル基、トリアリールシリル基など
のようなアルキル、アリール置換シリル基であり、この
ようなアルキル、アリール基としては上記に示したもの
が挙げられる。また、シロキシ基もしくは置換シロキシ
基である場合には、下記に示すように、これらの基が隣
接する構造単位のシロキシ基もしくは置換シロキシ基と
結合した構造、または、他の分子中のシロキシ基もしく
は置換シロキシ基と結合した構造5 などの二次元もしくは三次元的構造のものであってもよ
い。
(XVI)式中はR21)〜R26、R211、
R30、及びR32〜R33は同一でも相異していても
良く、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリー
ル基、置換アリール基、アルケニル基、置換アルケニル
基、アリル基、シリル基、置換シリル基、シロキシ基、
も2 しくば置換シロキシ基を示す。具体的には、アルキル基
としては直鎖、分枝または環状のものであり、好ましく
は炭素原子数が約lないし約IOのものである。具体的
には、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、イソプロピル
基、イソブチル基、tert−ブチル基、2−エチルヘ
ギシル基、シクロヘキシル基などが含まれる。また、置
換アルキル基は、上記のようなアルキル基に例えば塩素
原子のようなハロゲン原子、例えばメトキシ基のような
炭素原子数1〜6個のアルコキシ基、例えばフェニル基
のような了り−ル基、例エバフェノキシ基のような了り
−ルオキシ基などの置換したものが含まれ、具体的には
モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメ
チル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、2−ブ
ロモエチル基、2−メトキシエチル基、2−エトキシエ
チル基、フェニルメチル基、ナフチルメチル基、フェノ
キシメチル基などが挙げられる。また、アリール基は単
環あるいは2環のものが好ましく、例3 えばフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基など
が挙げられる。置換アリール基は上記のようなアリール
基に、例えばメチル基、エチル基などの炭素原子数1〜
6個のアルキル基、例えばメトキシ基、エトキシ基など
の炭素原子数1〜6個のアルコキシ基、例えば塩素電子
などのハロゲン原子、ニトロ基、フェニル基、カルボキ
シ基、ヒドロキシ基、ア多ド基、イミド基、シアノ基な
どが置換したものが含まれ、具体的には4−クロロフェ
ニル基、2−クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基
、4−ニトロフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、
4−フェニルフェニル基、4メチルフエニル基、2−メ
チルフェニル基、4エチルフエニル基、4−メトキシエ
チル基、2メトキシフエニル基、4−エトキシフェニル
基、2−カルボキシフェニル基、4−シアノフェニル基
、4−メチル−1−ナフチル基、4−クロロl−ナフチ
ル基、5−ニトロ−1−ナフチル基、5−ヒドロキシ−
■−ナフチル基、6−クロロ2−ナフチル基、4−ブロ
モ−2−ナフチル基、4 5−ヒドロキシ−2−ナフチル基などがあげられる。ア
ルケニル基は例えばビニル基であり、置換アルケニル基
は、ビニル基に例えばメチル基のようなアルキル基、例
えばフェニル基のようなアリール基などの置換したもの
が含まれ、具体的にはj−メチルビニル基、2−メチル
ビニル基、12−ジメチルビニル基、2−フェニルビニ
ル基、2−(p−メチルフェニル)ビニル基、2−(p
メトキシフェニル)ビニル基、2−(p−’)0ロフエ
ニル)ビニル基、2−(o−クロロフェニル)ビニル基
などが挙げられる。シリル基、置換シリル基としては例
えばトリアルキルシリル基、トリアリールシリル基など
のようなアルキル、アリール置換シリル基であり、この
ようなアルキル、アリール基としては上記に示したもの
が挙げられる。また、シロキシ基もしくは置換シロキシ
基である場合には、下記に示すように、これらの基が隣
接する構造単位のシロキシ基もしくは置換シロキシ基と
結合した構造、または、他の分子中のシロキシ基もしく
は置換シロキシ基と結合した構造5 などの二次元もしくは三次元的構造のものであってもよ
い。
5i−0−3i −0
0
Si−0−5i−0
R27、R3+、及びR24は同一でも相異していても
良く、単結合、二価のアルキレン、置換アルキレン、ア
リーレン、又は置換アリーレン基を示す。
良く、単結合、二価のアルキレン、置換アルキレン、ア
リーレン、又は置換アリーレン基を示す。
具体的には、アルキレン基としては、直鎖、分枝、環状
のもの、より好ましくは直鎖のものであり、好ましくは
炭素原子数が1〜10個のものであって、例えばメチレ
ン、エチレン、ブチレン、オクチレンなどの多基が含ま
れる。置換アルキレン基は、上記アルキレン基に、例え
ば塩素原子のようなハロゲン原子、炭素原子数1〜6個
のアルコキシ基、炭素原子数6〜10個のアリーロキシ
基などが置換されたものである。アリーレン基は、好ま
しくは単環および2環のものであって、例え6 ばフェニレン基、ナフチレン基などが含まれる。
のもの、より好ましくは直鎖のものであり、好ましくは
炭素原子数が1〜10個のものであって、例えばメチレ
ン、エチレン、ブチレン、オクチレンなどの多基が含ま
れる。置換アルキレン基は、上記アルキレン基に、例え
ば塩素原子のようなハロゲン原子、炭素原子数1〜6個
のアルコキシ基、炭素原子数6〜10個のアリーロキシ
基などが置換されたものである。アリーレン基は、好ま
しくは単環および2環のものであって、例え6 ばフェニレン基、ナフチレン基などが含まれる。
また置(莫アリーレン基は、」二言己のようなアリーレ
ン基に、例えばメチル基、エチル基などの炭素原子数1
〜6個のアルキル基、例えばメトキシ基、工l・キシ基
などの炭素原子数1〜6個のアルコキシ基、例えば塩素
原子などのハロゲン原子などか置換したものが含まれる
。具体的にはクロロフェニレン基、ブロモフェニレン基
、ニトロフェニレン基、フェニルフェニレン基、メチル
フェニレン基、エチルフェニレン基、メチルフェニレン
基、工l・キジフェニレン基、シアノフェニレン基、メ
チルフェレン基、クロロナフチレン基、ブロモナフチレ
ン基、ニトロナフチレン基などがあげられる。
ン基に、例えばメチル基、エチル基などの炭素原子数1
〜6個のアルキル基、例えばメトキシ基、工l・キシ基
などの炭素原子数1〜6個のアルコキシ基、例えば塩素
原子などのハロゲン原子などか置換したものが含まれる
。具体的にはクロロフェニレン基、ブロモフェニレン基
、ニトロフェニレン基、フェニルフェニレン基、メチル
フェニレン基、エチルフェニレン基、メチルフェニレン
基、工l・キジフェニレン基、シアノフェニレン基、メ
チルフェレン基、クロロナフチレン基、ブロモナフチレ
ン基、ニトロナフチレン基などがあげられる。
Xは加水分解可能な基であり、好ましくは塩素原子、臭
素原子などのハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基などのような炭素原子数1〜10個のアル
コキシ基、フェノキシ基などのような炭素原子数6〜1
0個のアリーロキシ基、アセトキシ基などのような炭素
原子@1〜10個7 のカルボキシル基、メチルアルドキシムなどのような炭
素原子数1〜6個のオキシム基、更には、アミド基、ウ
レイド基、アミノ基などが含まれる。
素原子などのハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基などのような炭素原子数1〜10個のアル
コキシ基、フェノキシ基などのような炭素原子数6〜1
0個のアリーロキシ基、アセトキシ基などのような炭素
原子@1〜10個7 のカルボキシル基、メチルアルドキシムなどのような炭
素原子数1〜6個のオキシム基、更には、アミド基、ウ
レイド基、アミノ基などが含まれる。
以下に本発明に使用されるシロキサンポリマーの具体例
を示す。
を示す。
8
9
2
(50)
化合物例中nは1以上の整数を示し、χ、y、及びZは
O又は1以上の整数を示す。
O又は1以上の整数を示す。
本発明のシロキサンポリマーの分子量は縮合条件を変え
ることで、任意に変化させることができるが、好ましい
分子量としては、重量平均で500以上、更に好ましく
は1,000〜500.000である。
ることで、任意に変化させることができるが、好ましい
分子量としては、重量平均で500以上、更に好ましく
は1,000〜500.000である。
これらのシロキサンポリマー〇添加量は、全組成物の固
形分に対し、5〜99汎%が適当であり、好ましくは2
0〜95wt%、更に好ましくは30〜90wt%であ
る。
形分に対し、5〜99汎%が適当であり、好ましくは2
0〜95wt%、更に好ましくは30〜90wt%であ
る。
(活性光線 は放射線の照射によ 酸を発生ずる化合物
し 本発明の(a)成分である活性光線又は放則線の照射に
より酸を発生し得る化合物としては、多くの公知化合物
及び混合物、例えば、ジアゾニウム、ホスホニウム、ス
ルホニウム、及びヨードニウムのBF4− 、ASF6
− 、PF6−.5bF6− 、S+FaCF+SO3
−、Cl0a−などの塩、有機ハロゲン化合物、及び有
機金属/有機ハロゲン化合物組合セ゛物が適当である。
し 本発明の(a)成分である活性光線又は放則線の照射に
より酸を発生し得る化合物としては、多くの公知化合物
及び混合物、例えば、ジアゾニウム、ホスホニウム、ス
ルホニウム、及びヨードニウムのBF4− 、ASF6
− 、PF6−.5bF6− 、S+FaCF+SO3
−、Cl0a−などの塩、有機ハロゲン化合物、及び有
機金属/有機ハロゲン化合物組合セ゛物が適当である。
もちろん、米国特許第3,779,7781
号、西ドイツ国特許第2,6↓0,842号及び欧州特
許第126712号の明細書中に記載された光分解乙こ
より酸を発生させる化合物も本発明の組成物として適す
る。更乙こ適当な染料と組合せて露光の際、未露光部と
露光部の間に可視的コントラストを与えることを目的と
した化合物、例えば特開昭5577742号、同57−
]、 63234号の公報に記載された化合物も本発
明の組成物として使用することができる。
許第126712号の明細書中に記載された光分解乙こ
より酸を発生させる化合物も本発明の組成物として適す
る。更乙こ適当な染料と組合せて露光の際、未露光部と
露光部の間に可視的コントラストを与えることを目的と
した化合物、例えば特開昭5577742号、同57−
]、 63234号の公報に記載された化合物も本発
明の組成物として使用することができる。
上記活性光線又は放射線照射により酸を発生し得る化合
物の中で、代表的なものについて以下に説明する。
物の中で、代表的なものについて以下に説明する。
(1)トリハロメチル基が置換した下記の一般式(XV
n )で表わされるオキザジアヅール誘導体又は−形
式(XV IIJ )で表わされるS−トリアジン誘導
体 2 R3に こで式中、R3Sは置換もしくは無置換のアリール、ア
ルケニル基、R3″は1ids、−CZ 、、又シj1
置換もしくは無置換のアルキル基を示す。Zは塩素原子
又は臭素原子を示す。
n )で表わされるオキザジアヅール誘導体又は−形
式(XV IIJ )で表わされるS−トリアジン誘導
体 2 R3に こで式中、R3Sは置換もしくは無置換のアリール、ア
ルケニル基、R3″は1ids、−CZ 、、又シj1
置換もしくは無置換のアルキル基を示す。Zは塩素原子
又は臭素原子を示す。
具体的には以下に示すものが挙げられる。
(XVIT−1)
(Xν■
2)
3
(XVTI
3)
(×ν■
6)
4
(XVTI
7)
(XVII
8)
(XVIIl
1)
5
6
7
(2)下記の一般式(XIX)で表わされるヨードニウ
ム塩又は−形式(××)で表わされるスルホニウム塩 8 R37 R38−3”Z’−(XX) 7/ 39 ここで式中A r ’ 、 A r 2は同一でも相異
していてもよく、置換又は無置換の芳香族基を示す。好
ましい置換基としては、アルキル、ハロアルキル、シク
ロアルキル、アリール、アルコキシ、二l・口、カルボ
ニル、アルコキシカルボニル、ヒドロキシ、メルカプト
基及びハロゲン原子であり、更に好ましくは炭素数1〜
8個のアルキル、炭素原子数1〜8個のアルコキシ、ニ
トロ基及び塩素原子である。R37、R3s、R:19
は同一でも相異していてもよく、置換又は無置換のアル
キル基、芳香族基を示す。好ましくは炭素数6〜14個
のアリール基、炭素数1〜8個のアルキル基及びそれら
の置換誘導体である。好ましい置換基としては、アリー
ル基に対しては炭素数1〜8個のアルコキシ、炭素数1
〜8個のアルキル、ニトロ、カルボニル、ヒドロキシ基
及びハロゲン原子であり、アルキル基に対しては炭素数
1〜8個のアルコキシ、カルボ9 ニル、アルコキシカルボニル基である。ZトはIIF4
− 、 PF6− 、 ASF6− 、5bF6
− 、 cf2o4− 1CF3SO3−を示す。ま
たR37、R38、Rff9のうちの2つ及びA r
’、Ar2はそれぞれ単結合又は置換基を介して結合し
てもよい。
ム塩又は−形式(××)で表わされるスルホニウム塩 8 R37 R38−3”Z’−(XX) 7/ 39 ここで式中A r ’ 、 A r 2は同一でも相異
していてもよく、置換又は無置換の芳香族基を示す。好
ましい置換基としては、アルキル、ハロアルキル、シク
ロアルキル、アリール、アルコキシ、二l・口、カルボ
ニル、アルコキシカルボニル、ヒドロキシ、メルカプト
基及びハロゲン原子であり、更に好ましくは炭素数1〜
8個のアルキル、炭素原子数1〜8個のアルコキシ、ニ
トロ基及び塩素原子である。R37、R3s、R:19
は同一でも相異していてもよく、置換又は無置換のアル
キル基、芳香族基を示す。好ましくは炭素数6〜14個
のアリール基、炭素数1〜8個のアルキル基及びそれら
の置換誘導体である。好ましい置換基としては、アリー
ル基に対しては炭素数1〜8個のアルコキシ、炭素数1
〜8個のアルキル、ニトロ、カルボニル、ヒドロキシ基
及びハロゲン原子であり、アルキル基に対しては炭素数
1〜8個のアルコキシ、カルボ9 ニル、アルコキシカルボニル基である。ZトはIIF4
− 、 PF6− 、 ASF6− 、5bF6
− 、 cf2o4− 1CF3SO3−を示す。ま
たR37、R38、Rff9のうちの2つ及びA r
’、Ar2はそれぞれ単結合又は置換基を介して結合し
てもよい。
一般式(XIX)で示される化合物としては、例えば特
開昭50−158680号公報、特開昭5110071
6号公報、及び特公昭52−44277号公報記載の化
合物が挙げられる。具体的には次に示す化合物が含まれ
る。
開昭50−158680号公報、特開昭5110071
6号公報、及び特公昭52−44277号公報記載の化
合物が挙げられる。具体的には次に示す化合物が含まれ
る。
(XIX−1)
(XIX
2)
0
(XIX
3)
(XIX
(XIX
5)
(XTX
6)
1
(XIX
8)
(XIX
9)
(XIX
10)
2
(XIX
11)
(XIX
12)
(XIX
13)
(XIX
14)
3
(XIX−15)
(XIX
16)
(XIX
17)
(XJX−18)
4
(XIX
19)
(XIX
20)
一般式(××)で示される化合物としては、例えば特開
昭51−56885号公報、特公昭5214278号公
報、米国特許第4,442.197号、西独特許筒2,
904,626号の各明細書中に記載の化合物が挙げら
れる。具体的乙こば次に示す化合物が含まれる。
昭51−56885号公報、特公昭5214278号公
報、米国特許第4,442.197号、西独特許筒2,
904,626号の各明細書中に記載の化合物が挙げら
れる。具体的乙こば次に示す化合物が含まれる。
5
(XX
■)
(XX
2)
(XX
3)
(××
4)
6
(XX
5)
(XX
6)
(XX
7)
(××
8)
7
(XX
9)
(XX
10)
(XX
11)
(XX
12)
8
(XX
13)
(XX
14)
9
(XX
17)
(××
18)
(XX
19)
0
(XX
20)
(XX
21)
(XX
22)
しL
(XX
23)
(XX
25)
(××
26)
(XX
27)
2
(XX
28)
(XX
29)
一般式(XIX) 、(XX)で示される上記化合物は
公知であり、例えばJ、W、Knapczkら著、J、
Am、Chem。
公知であり、例えばJ、W、Knapczkら著、J、
Am、Chem。
Soc、+第91巻、第145頁(1969年)、八、
L、Maycockら著、J、Org、CI+em、
、第35巻、第2532頁(1970年) 、E、Go
ethalsら著、Bull、Soc、Chem、Be
1g、 、第73巻、第546頁(1964年) 、1
1.M、Leicester著、J4八へ、ChemS
oc、、第51巻、第3587頁(1929年)、3 J、V、Cr1velloら著、J、Polym、Sc
i 、Polym、Chem、 Ed、 。
L、Maycockら著、J、Org、CI+em、
、第35巻、第2532頁(1970年) 、E、Go
ethalsら著、Bull、Soc、Chem、Be
1g、 、第73巻、第546頁(1964年) 、1
1.M、Leicester著、J4八へ、ChemS
oc、、第51巻、第3587頁(1929年)、3 J、V、Cr1velloら著、J、Polym、Sc
i 、Polym、Chem、 Ed、 。
第18巻、第2677頁(1980年)、米国特許第2
,807,648号及び同第4.247./173号明
細書、FoM、Beringerら著、J、八m、Ch
em、Soc、 、第75巻、第2705頁(1953
年)、特開昭53101.331号公報などに示された
手順により製造することができる。
,807,648号及び同第4.247./173号明
細書、FoM、Beringerら著、J、八m、Ch
em、Soc、 、第75巻、第2705頁(1953
年)、特開昭53101.331号公報などに示された
手順により製造することができる。
(3)下記の一般式(XXI)で表わされるジスルホン
誘導体又は−形式(XX II )で表わされるイミド
スルホネート誘導体 Ar3−5O□−SO2−Ar’ (XXI)こ
こで式中、Ar3、Ar’は同一でも相異していてもよ
く、置換又は無置換の了り−ル基を示す。
誘導体又は−形式(XX II )で表わされるイミド
スルホネート誘導体 Ar3−5O□−SO2−Ar’ (XXI)こ
こで式中、Ar3、Ar’は同一でも相異していてもよ
く、置換又は無置換の了り−ル基を示す。
R40は置換又は無置換のアルキル、アリール基を示す
。Bは置換又は無置換のアルキレン、アルケ4 ニレン、 アリーレン基を示す。
。Bは置換又は無置換のアルキレン、アルケ4 ニレン、 アリーレン基を示す。
具体的には以下に示す化合物が挙げられる。
(××1
1)
(XXI
2)
(XXI
3)
(XXI
4)
5
(XXI
5)
(XXI
6)
(XXI
7)
6
1
(XXIl
1)
7
(XXI
2)
(XXII
3)
(XXII
4〉
8
(XXn
5)
(XXn
6)
(XXn
7)
9
(××■
8)
(XXII
9)
0
(××■
11)
(XXn
12)
(4)
下記の一般式
%式%)
で表わされるジアゾ
ニウム塩
八rs
Nz’Z2
(XXIII)
ここで式中Ar5
ば置換又は無置換の芳香族基を
示す。Z2−は有機スルホン酸アニオン、有機硫酸アニ
オン、有機カルボン酸アニオン、又はBP、−1PF6
− 、ASF6−.5bF6− 、Cj204−を示す
。
オン、有機カルボン酸アニオン、又はBP、−1PF6
− 、ASF6−.5bF6− 、Cj204−を示す
。
具体的には次に示すものが挙げられる。
(XXIII
4)
2
(XXITI
5)
(XXT[l
6)
(XXIT[
7)
(XXTII
8)
3
(XXITI
9)
4
5
(XXIIl
15)
(XXIl
16)
6
(XXI[1
19)
(XXIII
22)
13
7
(XXl[[
23)
(XXI
25)
U2H5
8
(XXI[1
28)
(XXII
29)
9
(XXIII
31)
(XXI
32)
(XXI
33)
(XXI[t
34)
0
これらの活性光線又は放射線態別により酸を発生し得る
化合物の添加量は、全組成物の固形分に対し、O,OO
1〜40囚L%、好ましくは0.1〜20wt%、更に
好ましくはl”15wt%の範囲が適当である。
化合物の添加量は、全組成物の固形分に対し、O,OO
1〜40囚L%、好ましくは0.1〜20wt%、更に
好ましくはl”15wt%の範囲が適当である。
(アルカリ可溶性ポリマー)
本発明のポジ型感光性組成吻は、本質的に本発明のシロ
キサンポリマーと露光乙こより酸を発生ずる化合物の組
合せのみで使用できるが、更にアルカリ可溶性ポリマー
を添力11して使用してもよい。
キサンポリマーと露光乙こより酸を発生ずる化合物の組
合せのみで使用できるが、更にアルカリ可溶性ポリマー
を添力11して使用してもよい。
このようなアルカリ可溶性ポリマーは、好ましくはフェ
ノール性水M基、カルボン酸基、スルホン酸基、イ旦ド
基、スルホンアミド基、N−スルホニルアくド基、N−
スルホニルウレタン基、活性メチレン基等のpKa
11以下の酸性水素原子を有するポリマーである。好適
なアルカリ可溶性ポリマーとしては、ノボラシク型フェ
ノール樹脂、具体的にはフェノールホルムアルデヒド樹
脂、0クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂、m−クレゾ
ール−ホルムアルデヒド樹脂、P−クレゾール1 ホルムアルデヒド樹脂、キシレノール−ホルムアルデヒ
ド樹脂、またこれらの共縮合物などがある。
ノール性水M基、カルボン酸基、スルホン酸基、イ旦ド
基、スルホンアミド基、N−スルホニルアくド基、N−
スルホニルウレタン基、活性メチレン基等のpKa
11以下の酸性水素原子を有するポリマーである。好適
なアルカリ可溶性ポリマーとしては、ノボラシク型フェ
ノール樹脂、具体的にはフェノールホルムアルデヒド樹
脂、0クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂、m−クレゾ
ール−ホルムアルデヒド樹脂、P−クレゾール1 ホルムアルデヒド樹脂、キシレノール−ホルムアルデヒ
ド樹脂、またこれらの共縮合物などがある。
更に特開昭50−125806号公報に記されている様
に上記のようなフェノール樹脂と共に、L−ブチルフェ
ノールホルムアルデヒド樹脂のような炭素数3〜8のア
ルキル基で置換されたフェノールまたはクレゾールとホ
ルムアルデヒドとの縮合物とを併用してもよい。またN
−(4−ヒドロキシフェニル)メタクリルアミドのよう
なフェノール性ヒドロキシ基含有モノマーを共重合成分
とするポリマー、p−ヒドロキシスチレン、0−ヒドロ
キシスチレン、m−イソプロペニルフェノール、pイソ
プロペニルフェノール等の単独又は共重合のポリマー、
更にまたこれらのポリマーを部分エーテル化、部分エス
テル化したポリマーも使用できる。
に上記のようなフェノール樹脂と共に、L−ブチルフェ
ノールホルムアルデヒド樹脂のような炭素数3〜8のア
ルキル基で置換されたフェノールまたはクレゾールとホ
ルムアルデヒドとの縮合物とを併用してもよい。またN
−(4−ヒドロキシフェニル)メタクリルアミドのよう
なフェノール性ヒドロキシ基含有モノマーを共重合成分
とするポリマー、p−ヒドロキシスチレン、0−ヒドロ
キシスチレン、m−イソプロペニルフェノール、pイソ
プロペニルフェノール等の単独又は共重合のポリマー、
更にまたこれらのポリマーを部分エーテル化、部分エス
テル化したポリマーも使用できる。
更に、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含
有モノマーを共重合成分とするポリマー特開昭61−2
67042号公報記載のカルボキシル基含有ポリビニル
アセクール樹脂、特開昭63−1240472 号公報記載のカルボキシル基含有ポリウレタン樹脂も好
適に使用される。
有モノマーを共重合成分とするポリマー特開昭61−2
67042号公報記載のカルボキシル基含有ポリビニル
アセクール樹脂、特開昭63−1240472 号公報記載のカルボキシル基含有ポリウレタン樹脂も好
適に使用される。
更にまた、N−(4−スルファモイルフェニル)メタク
リルアミド、N−フェニルスルホニルメタクリルアミド
、マレイミドを共重合成分とするポリマー、特開昭63
−127237号公報記載の活性メチレン基含有ポリマ
ーも使用できる。
リルアミド、N−フェニルスルホニルメタクリルアミド
、マレイミドを共重合成分とするポリマー、特開昭63
−127237号公報記載の活性メチレン基含有ポリマ
ーも使用できる。
これらのアルカリ可溶性ポリマーは単一で使用できるが
、数種の混合物として使用してもよい。
、数種の混合物として使用してもよい。
感光性組成物中の好ましい添加量は、感光性組成物全固
形分に対し、10〜90wt%、更に好ましくは30〜
80wL%の範囲である。
形分に対し、10〜90wt%、更に好ましくは30〜
80wL%の範囲である。
(その他の好ましい成分)
本発明のポジ型感光性Mi戒物には必要に応して、更に
染料、顔料、可塑剤及び前記酸を発生し得る化合物の酸
発生効率を増大させる化合物(所謂増感剤)などを含有
させることができる。
染料、顔料、可塑剤及び前記酸を発生し得る化合物の酸
発生効率を増大させる化合物(所謂増感剤)などを含有
させることができる。
このような増感剤として、例えば−形式(XIX)、(
XX)で示される酸発生剤に対しては米国特許第4,2
50,053号、同第4.442.197号3 の明細書中に記載された化合物を挙げることができる。
XX)で示される酸発生剤に対しては米国特許第4,2
50,053号、同第4.442.197号3 の明細書中に記載された化合物を挙げることができる。
具体的にはアンl−ラセン、フェナンスレン、ペリレン
、ピレン、クリセン、12−ベンゾアントラセン、コロ
ネン、1.6−ジフェニル−13,5−ヘキサトリエン
、1,1,4.4−テトラフェニル−1,3−ブタジェ
ン、2345−テトラフェニルベンゼン、2,5−ジフ
ェニルチオフェン、チオキサントン、2−クロロチオキ
サントン、フェノチアジン、13−ジフェニルピラゾリ
ン、1.3−ジフェニルイソベンゾフラン、キサントン
、ヘンシフエノン、4−ヒドロキシヘンシフエノン、ア
ンスロン、ニンヒドリン、9−フルオレノン、2,4.
7−ドリニトロフルオレノン、インダノン、フエナンス
ラキノン、テトラロン、7−メドキシー4−メチルクマ
リン、3−ケト−ビス(7−ジニチルアミノクマリン)
、ミヒラーケトン、エチルミヒラーケトンなどが含まれ
る。
、ピレン、クリセン、12−ベンゾアントラセン、コロ
ネン、1.6−ジフェニル−13,5−ヘキサトリエン
、1,1,4.4−テトラフェニル−1,3−ブタジェ
ン、2345−テトラフェニルベンゼン、2,5−ジフ
ェニルチオフェン、チオキサントン、2−クロロチオキ
サントン、フェノチアジン、13−ジフェニルピラゾリ
ン、1.3−ジフェニルイソベンゾフラン、キサントン
、ヘンシフエノン、4−ヒドロキシヘンシフエノン、ア
ンスロン、ニンヒドリン、9−フルオレノン、2,4.
7−ドリニトロフルオレノン、インダノン、フエナンス
ラキノン、テトラロン、7−メドキシー4−メチルクマ
リン、3−ケト−ビス(7−ジニチルアミノクマリン)
、ミヒラーケトン、エチルミヒラーケトンなどが含まれ
る。
これらの増感剤と活性光線又は放射線照射により酸を発
生し得る化合物との割合は、モル比で4 0.01/1〜20/1であり、好ましくは0.1/1
〜5/1の範囲が適当である。
生し得る化合物との割合は、モル比で4 0.01/1〜20/1であり、好ましくは0.1/1
〜5/1の範囲が適当である。
また着色剤として染料を用いることができるが、好適な
染料としては油溶性染料及び塩基性染料がある。具体的
には、オイルイエロー#101、オイルイエロー#13
0、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オイ
ルブルーBO3、オイルフルー#603、オイルブラッ
クBY、オ・fルフ′ラックBS、オイルフ゛ラックT
−505(以J二、オリエント化学工業株式会社製)ク
リスタルハイオレ・ンl−(CI42555)、メチル
ハイオレント(CI42535)、ローダミンB (C
I45170B)、マラカイトグリーン(CI4200
0)、メチレンブルー(CI52015)などをあげる
ことができる。
染料としては油溶性染料及び塩基性染料がある。具体的
には、オイルイエロー#101、オイルイエロー#13
0、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オイ
ルブルーBO3、オイルフルー#603、オイルブラッ
クBY、オ・fルフ′ラックBS、オイルフ゛ラックT
−505(以J二、オリエント化学工業株式会社製)ク
リスタルハイオレ・ンl−(CI42555)、メチル
ハイオレント(CI42535)、ローダミンB (C
I45170B)、マラカイトグリーン(CI4200
0)、メチレンブルー(CI52015)などをあげる
ことができる。
本発明のMi戒物中には、更に感度を高めるために環状
酸無水物、露光後直ちに可視像を得るための焼出し剤、
その他のフィラーなどを加えることができる。環状酸無
水物としては米国特許第4、115.128号明細書に
記載されているように無水5 フクル酸、テI・ラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒト1
コ無水フタル酸、36−ニントオキシー△4テトラヒド
ロ無水フタル酸、テトラクロル無水フクル酸、無水マレ
イン酸、クロル無水マレイン酸、α−フェニル無水マレ
イン酸、訳本コハク酸、ビロメリント酸等がある。これ
らの環状酸無水物を全組放物中の固形分に対して1から
15重景%含有させることによって感度を最大3倍程度
に高めることができる。露光後直ちに可視像を得るため
の焼出し剤としては露光によって酸を放出する感光性化
合物と塩を形威し得る有機染料の組合せを代表として挙
げることができる。具体的Gこは特開昭50−3620
9号公報、特開昭53−8128号公報に記載されてい
る0−ナフトキノンシアシト−4−スルホン酸ハロゲニ
ドと塩形成性有機染料の組合せや特開昭53−3622
3号公報、特開昭54−74728号公報に記載されて
いるトリハロメチル化合物と塩形成性有機染料の組合せ
を挙げることができる。
酸無水物、露光後直ちに可視像を得るための焼出し剤、
その他のフィラーなどを加えることができる。環状酸無
水物としては米国特許第4、115.128号明細書に
記載されているように無水5 フクル酸、テI・ラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒト1
コ無水フタル酸、36−ニントオキシー△4テトラヒド
ロ無水フタル酸、テトラクロル無水フクル酸、無水マレ
イン酸、クロル無水マレイン酸、α−フェニル無水マレ
イン酸、訳本コハク酸、ビロメリント酸等がある。これ
らの環状酸無水物を全組放物中の固形分に対して1から
15重景%含有させることによって感度を最大3倍程度
に高めることができる。露光後直ちに可視像を得るため
の焼出し剤としては露光によって酸を放出する感光性化
合物と塩を形威し得る有機染料の組合せを代表として挙
げることができる。具体的Gこは特開昭50−3620
9号公報、特開昭53−8128号公報に記載されてい
る0−ナフトキノンシアシト−4−スルホン酸ハロゲニ
ドと塩形成性有機染料の組合せや特開昭53−3622
3号公報、特開昭54−74728号公報に記載されて
いるトリハロメチル化合物と塩形成性有機染料の組合せ
を挙げることができる。
(?容 媒)
本発明のポジ型感光性組成物を、平版印刷版用6
の材料として使用する場合は上記各成分を溶解する溶媒
に溶かして支持体上に塗布する。また半導体等のレジス
ト材料用としては、溶媒に溶解したままで使用する。こ
こで使用する溶媒としては、エチレンジクロライド、シ
クロヘキザノン、メチルエチルケトン、メタノール、エ
タノール、プロパツール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、1−メトキシ−2−プロパツール、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチル
アセテ−1・、2−エトキシエチルアセテート、1−メ
I・キシ−2−プロピルアセテート、ジメトキシエタン
、乳酸メチル、乳酸エチル、N、 Nジメチルアセトア
ミド、N、N−ジメチルホルムアミド、テトラメチルウ
レア、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、
スルホラン、γブチロラクトン、l・ルエン、酢酸エチ
ルなどがあり、これらの溶媒を単独あるいは混合して使
用する。そして−ヒ記成分中の濃度(添加物を含む全固
形分)は、2〜50重量%である。また、塗布して使用
する場合塗布量は用途により異なるが、例7 えば感光性平版印刷版についていえば一般的に固形分と
して0.5〜3.0g/rイが好ましい。塗布量が少く
なるにつれて感光性は大になるが、感光膜の物性は低下
する。
に溶かして支持体上に塗布する。また半導体等のレジス
ト材料用としては、溶媒に溶解したままで使用する。こ
こで使用する溶媒としては、エチレンジクロライド、シ
クロヘキザノン、メチルエチルケトン、メタノール、エ
タノール、プロパツール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、1−メトキシ−2−プロパツール、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチル
アセテ−1・、2−エトキシエチルアセテート、1−メ
I・キシ−2−プロピルアセテート、ジメトキシエタン
、乳酸メチル、乳酸エチル、N、 Nジメチルアセトア
ミド、N、N−ジメチルホルムアミド、テトラメチルウ
レア、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、
スルホラン、γブチロラクトン、l・ルエン、酢酸エチ
ルなどがあり、これらの溶媒を単独あるいは混合して使
用する。そして−ヒ記成分中の濃度(添加物を含む全固
形分)は、2〜50重量%である。また、塗布して使用
する場合塗布量は用途により異なるが、例7 えば感光性平版印刷版についていえば一般的に固形分と
して0.5〜3.0g/rイが好ましい。塗布量が少く
なるにつれて感光性は大になるが、感光膜の物性は低下
する。
(平版印刷版等の製造)
本発明のポジ形感光性組成物を用いて平版印刷版を製造
する場合、その支持体としては、例えば、紙、プラスチ
ックス(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレンなと)がラミネートされた紙、例えばアルミニウ
ム(アルミニウム合金も含む。)、亜鉛、銅などのよう
な金属の板、例えば二酢酸セルロース、三酢酸セルロー
ス、プIコピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸
醋酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタールなどのよ
うなプラスチックのフィルム、」二記の如き金属がラミ
ネート、もしくは薄着された紙もしくはプラスチックフ
ィルムなどが含まれる。
する場合、その支持体としては、例えば、紙、プラスチ
ックス(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレンなと)がラミネートされた紙、例えばアルミニウ
ム(アルミニウム合金も含む。)、亜鉛、銅などのよう
な金属の板、例えば二酢酸セルロース、三酢酸セルロー
ス、プIコピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸
醋酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタールなどのよ
うなプラスチックのフィルム、」二記の如き金属がラミ
ネート、もしくは薄着された紙もしくはプラスチックフ
ィルムなどが含まれる。
これらの支持体のうち、アルミニウム板は寸度的8
に著しく安定であり、しかも安価であるので特に好まし
い。更に、特公昭48−18327号公報に記されてい
るようなポリエチレンテレフタレートフィルム」二にア
ルミニウムシートが結合された複合体シートも好ましい
。アルミニウム板の表面はワイヤブラシダレイニング、
研磨粒子のスラリーを注ぎながらナイロンブラシで粗面
化するブラシダレイニング、ボールグレイニング、?容
体ホーニングによるグレイニング、ハフグレイニング等
の機械的方法、HFや1cN3 、HCfiをエッチャ
ントとするケミカルダレイニング、硝酸又は塩酸を電解
液とする電解グレイニングやこれらの粗面化法を複合さ
せて行なった複合グレイニングによって表面を砂目立て
した後、必要に応して酸又はアルカリによりエンチング
処理され、引続き硫酸、リン酸、蓚酸、ホウ酸、クロム
酸、スルファごン酸またはこれらの混酸中で直流又は交
流電源にて陽極酸化を行いアルミニウム表面に強固な不
動態皮膜を設けたものが好ましい。この様な不動態皮膜
自体でアルミニウム表面は親水化されてしまうが、9 更に必要に応じて米国特許筒2,714,066号明細
書や米国特許筒3.18L461号明細書に記載されて
いる珪酸塩処理(ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム)
、米国特許筒2,946,638号明細書に記載されて
いる弗化ジルコニウム酸カリウム処理、米国特許筒3.
2OL247号明細書に記載されているホスホモリブデ
ート処理、英国特許第1,108,559号明細書に記
載されているアルキルチタネート処理、独国特許第1,
091,433号明細書に記載されているポリアクリル
酸処理、独国特許第L134,093号明細書や英国特
許第1,230,447号明細書に記載されているポリ
ビニルホスホン酸処理、特公昭44−6409号公報に
記載されているホスホン酸処理、米国特許筒3,307
,951号明細書に記載されているフィチン酸処理、特
開昭58−16893号や特開昭58−18291号の
各公報に記載されている親水性有機高分子化合物と2価
の金属よりなる複合処理、特開昭59101651号公
報に記載されているスルホン酸基を有する水溶性重合体
の下塗によって親水化処理を行ったものは特に好ましい
。その他の親水化処理方00 法としては米国特許筒3,658,662号明細書に記
載されているシリケート電着をもあげることが出来る。
い。更に、特公昭48−18327号公報に記されてい
るようなポリエチレンテレフタレートフィルム」二にア
ルミニウムシートが結合された複合体シートも好ましい
。アルミニウム板の表面はワイヤブラシダレイニング、
研磨粒子のスラリーを注ぎながらナイロンブラシで粗面
化するブラシダレイニング、ボールグレイニング、?容
体ホーニングによるグレイニング、ハフグレイニング等
の機械的方法、HFや1cN3 、HCfiをエッチャ
ントとするケミカルダレイニング、硝酸又は塩酸を電解
液とする電解グレイニングやこれらの粗面化法を複合さ
せて行なった複合グレイニングによって表面を砂目立て
した後、必要に応して酸又はアルカリによりエンチング
処理され、引続き硫酸、リン酸、蓚酸、ホウ酸、クロム
酸、スルファごン酸またはこれらの混酸中で直流又は交
流電源にて陽極酸化を行いアルミニウム表面に強固な不
動態皮膜を設けたものが好ましい。この様な不動態皮膜
自体でアルミニウム表面は親水化されてしまうが、9 更に必要に応じて米国特許筒2,714,066号明細
書や米国特許筒3.18L461号明細書に記載されて
いる珪酸塩処理(ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム)
、米国特許筒2,946,638号明細書に記載されて
いる弗化ジルコニウム酸カリウム処理、米国特許筒3.
2OL247号明細書に記載されているホスホモリブデ
ート処理、英国特許第1,108,559号明細書に記
載されているアルキルチタネート処理、独国特許第1,
091,433号明細書に記載されているポリアクリル
酸処理、独国特許第L134,093号明細書や英国特
許第1,230,447号明細書に記載されているポリ
ビニルホスホン酸処理、特公昭44−6409号公報に
記載されているホスホン酸処理、米国特許筒3,307
,951号明細書に記載されているフィチン酸処理、特
開昭58−16893号や特開昭58−18291号の
各公報に記載されている親水性有機高分子化合物と2価
の金属よりなる複合処理、特開昭59101651号公
報に記載されているスルホン酸基を有する水溶性重合体
の下塗によって親水化処理を行ったものは特に好ましい
。その他の親水化処理方00 法としては米国特許筒3,658,662号明細書に記
載されているシリケート電着をもあげることが出来る。
また砂目立て処理、陽極酸化後、刺孔処理を施したもの
も好ましい。かかる封孔処理は熱水及び無機塩又は有機
塩を含む熱水溶液への浸漬並びに水華気浴などによって
行われる。
も好ましい。かかる封孔処理は熱水及び無機塩又は有機
塩を含む熱水溶液への浸漬並びに水華気浴などによって
行われる。
(活性′線 は放射線)
本発明に用いられる活性光線の光源としては例えば、水
銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケ≧カ
ルランプ、カーボンアーク灯などがある。放射線として
は電子線、X線、イオンビーム、遠紫外線などがある。
銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケ≧カ
ルランプ、カーボンアーク灯などがある。放射線として
は電子線、X線、イオンビーム、遠紫外線などがある。
好ましくはフォトレジスト用の光源として、g線、1線
、Deep −U V光が使用される。また高密度エネ
ルギービーム(レーザービーム又は電子線)による走査
露光も本発明に使用することができる。このようなレー
ザービームとしてはヘリウム・ネオンレーザ−アルゴン
レーザー、クリプトンイオンレーザ−ヘリウム・カドご
ラムレーザー、KrPエキシマ 01 レーザーなどが挙げられる。
、Deep −U V光が使用される。また高密度エネ
ルギービーム(レーザービーム又は電子線)による走査
露光も本発明に使用することができる。このようなレー
ザービームとしてはヘリウム・ネオンレーザ−アルゴン
レーザー、クリプトンイオンレーザ−ヘリウム・カドご
ラムレーザー、KrPエキシマ 01 レーザーなどが挙げられる。
ユ災哩艷と
本発明のポジ形感光性m酸物に対する現像液としては、
珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化リチウム、第三リン酸ナトリウム
、第ニリン酸ナトリウム、第三リン酸アンモニウム、第
ニリン酸アンモニウム、メタ珪酸ナトリウム、重炭酸ナ
トリウム、アンモニア水などのような無機アルカリ剤及
びテトラアルキルアンモニウム○H塩などのような有機
アルカリ剤の水溶液が適当であり、それらの濃度が0.
1〜10重量%、好ましくは0.5〜5重量%になるよ
う添加される。
珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化リチウム、第三リン酸ナトリウム
、第ニリン酸ナトリウム、第三リン酸アンモニウム、第
ニリン酸アンモニウム、メタ珪酸ナトリウム、重炭酸ナ
トリウム、アンモニア水などのような無機アルカリ剤及
びテトラアルキルアンモニウム○H塩などのような有機
アルカリ剤の水溶液が適当であり、それらの濃度が0.
1〜10重量%、好ましくは0.5〜5重量%になるよ
う添加される。
また、該アルカリ性水溶液には、必要に応し界面活性剤
やアルコールなどのような有@溶媒を加えることもでき
る。
やアルコールなどのような有@溶媒を加えることもでき
る。
以下、本発明を合成例、実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明の内容がこれにより限定されるものではな
い。
るが、本発明の内容がこれにより限定されるものではな
い。
02
合成例1. 化合物例(34)の台底
2−(トリメトキシシリル)−1,3−ブタジェン8.
7g(0,050モル)、N−(p−ヒドロキシフェニ
ル)マレイミド9.5g(0,050モル)をジオキサ
ン1(10mfにン容解し、100°Cで1時間加熱撹
拌した。室温まで冷却した後、トリメトキシフェニルシ
ラン9.9g(0,050モル)を添加した。更に蒸留
水10mj2と濃塩酸0.1 gを加え、30分間撹拌
した。その後溶媒のジオキサンを加熱濃縮した。濃縮物
を水1℃中に撹拌しながら投入し、析出した固体を真空
下乾燥した。出色樹脂22.4.gを得た。
7g(0,050モル)、N−(p−ヒドロキシフェニ
ル)マレイミド9.5g(0,050モル)をジオキサ
ン1(10mfにン容解し、100°Cで1時間加熱撹
拌した。室温まで冷却した後、トリメトキシフェニルシ
ラン9.9g(0,050モル)を添加した。更に蒸留
水10mj2と濃塩酸0.1 gを加え、30分間撹拌
した。その後溶媒のジオキサンを加熱濃縮した。濃縮物
を水1℃中に撹拌しながら投入し、析出した固体を真空
下乾燥した。出色樹脂22.4.gを得た。
この樹脂を再度ジオキサン100mnに溶解し、イミダ
ゾール3.4g(0,050モル)を加え、トリメチル
クロロシラン5.5g(0,050モル)のジオキサン
20mff1溶液を30分間かけて滴下した。その後室
温にて24時間撹拌を続けた。イミダゾールI(CI2
塩を濾別した後、反応溶液を水2を中に撹拌しながら投
入した。析出した樹脂を真空下乾燥した結果、白色樹脂
24.5 gを得た。
ゾール3.4g(0,050モル)を加え、トリメチル
クロロシラン5.5g(0,050モル)のジオキサン
20mff1溶液を30分間かけて滴下した。その後室
温にて24時間撹拌を続けた。イミダゾールI(CI2
塩を濾別した後、反応溶液を水2を中に撹拌しながら投
入した。析出した樹脂を真空下乾燥した結果、白色樹脂
24.5 gを得た。
03
NMRにより、この樹脂が化合物例(34)であること
を確認した。またゲルパーミェーションクロマトグラフ
ィー(GPC)により分子量を測定したところ、重量平
均(ポリスチレン標準)で5.300であった。
を確認した。またゲルパーミェーションクロマトグラフ
ィー(GPC)により分子量を測定したところ、重量平
均(ポリスチレン標準)で5.300であった。
合 例2 化合物 (36)の合
2−(トリメトキシシリル)−1,3−ブタジェン8.
7g(0,050モル)、トリメトキシフェニルシラン
9.9g(0,050モル)をジオキサン100mI!
、に溶解し、更に蒸留水10mI2.と濃塩酸0.1g
を加えて、30分間撹拌した。その後、溶媒のジオキサ
ンを加熱、濃縮した。濃縮物を水1p、中に撹拌しなが
ら投入し、析出した固体を真空下乾燥した。白色樹脂1
3.4 gを得た。この樹脂を再度ジオキサン100m
fに溶解し、t−ブチルジメチルシリルアクリレート9
.3 g (0,050モル)を加えて100″Cで1
時間加熱撹拌した。
7g(0,050モル)、トリメトキシフェニルシラン
9.9g(0,050モル)をジオキサン100mI!
、に溶解し、更に蒸留水10mI2.と濃塩酸0.1g
を加えて、30分間撹拌した。その後、溶媒のジオキサ
ンを加熱、濃縮した。濃縮物を水1p、中に撹拌しなが
ら投入し、析出した固体を真空下乾燥した。白色樹脂1
3.4 gを得た。この樹脂を再度ジオキサン100m
fに溶解し、t−ブチルジメチルシリルアクリレート9
.3 g (0,050モル)を加えて100″Cで1
時間加熱撹拌した。
反応溶液を濃縮し、濃縮物を水2f!、中に撹拌しなが
ら投入した。析出した樹脂を真空下乾燥した結果、白色
樹脂22.0 gを得た。NMRにより、こ 04 の樹脂が化合物例(36)であることを確認した。
ら投入した。析出した樹脂を真空下乾燥した結果、白色
樹脂22.0 gを得た。NMRにより、こ 04 の樹脂が化合物例(36)であることを確認した。
またGPCにより分子量を測定したところ、重量平均(
ポリスチレン標準)で4,500であった。
ポリスチレン標準)で4,500であった。
合成例3. 化合物例(33)の合成
合成例2の1−ブチルジメチルシリルアクリレートの代
わりに、N−(p−t−ブチルジメチルシロキシカルボ
ニルフェニル)マレイミド16.6g(0,050モル
)を用い、合成例2と同様に反応、後処理をした。白色
樹脂29.2 gを得た。
わりに、N−(p−t−ブチルジメチルシロキシカルボ
ニルフェニル)マレイミド16.6g(0,050モル
)を用い、合成例2と同様に反応、後処理をした。白色
樹脂29.2 gを得た。
NMRによりこの樹脂が化合物例(33)であることを
確認した。GPCにより分子量を測定したところ、重量
平均(ポリスチレン標準)で5 、000であった。
確認した。GPCにより分子量を測定したところ、重量
平均(ポリスチレン標準)で5 、000であった。
実施例1〜6
厚さ0.24 mmの23アルミニウム板を80°Cに
保った第3燐酸ナトリウムの10%水溶液に3分間浸漬
して脱脂し、ナイロンブラシで砂目立てした後アルミン
酸ナトリウムで約10分間エツチングして、硫酸水素ナ
トリウム3%水溶液でデスマット処理を行った。このア
ルくニウム板を20%1へ0.5 硫酸中で電流密度2A/drrrにおいて2分間陽極酸
化を行いアルミニウム板を作成した。
保った第3燐酸ナトリウムの10%水溶液に3分間浸漬
して脱脂し、ナイロンブラシで砂目立てした後アルミン
酸ナトリウムで約10分間エツチングして、硫酸水素ナ
トリウム3%水溶液でデスマット処理を行った。このア
ルくニウム板を20%1へ0.5 硫酸中で電流密度2A/drrrにおいて2分間陽極酸
化を行いアルミニウム板を作成した。
次に下記感光液(A)の本発明のシロキサンポリマーの
種類を変えて、6種類の感光液〔A〕1〜(A)−6を
調製し、この感光液を陽極酸化されたアルミニウム板の
上に塗布し、100°Cで2分間乾燥して、それぞれの
感光性平版印刷版(A)−1〜[:A)−6を作成した
。このときの塗布量は全て乾燥重量で1.5g/n(で
あった。
種類を変えて、6種類の感光液〔A〕1〜(A)−6を
調製し、この感光液を陽極酸化されたアルミニウム板の
上に塗布し、100°Cで2分間乾燥して、それぞれの
感光性平版印刷版(A)−1〜[:A)−6を作成した
。このときの塗布量は全て乾燥重量で1.5g/n(で
あった。
また感光液(A:]−1〜(A〕−6に用いた本発明の
シロキサンポリマーは第1表に示す。
シロキサンポリマーは第1表に示す。
感光液(A)
06
次に比較例として下記の感光液〔B〕を感光液〔A〕と
同様に塗布し、感光性平版印刷版〔B〕を作製した。
同様に塗布し、感光性平版印刷版〔B〕を作製した。
感光液CB)
乾燥後の塗布重量は1.5g/ボであった。感光性平版
印刷版(A)−1〜[A)−6、及び〔B〕の感光層上
に濃度差0.15のグレースケールを密着させ、2kw
の高圧水銀灯で50cmの距離から露光を行った。その
後、感光性平版印刷版(A)1〜(A)−6及び〔B]
をDP−4(商品名07 :富士写真フィルム@製)の8倍希釈水溶液で25°C
において60秒間浸漬現像し、濃度差0.15のグレー
スケール(富士写真フィルム■製ステップタブレット)
で5段目が完全にクリアーとなる露光時間を求めたとこ
ろ第1表に示すとおりとなった。
印刷版(A)−1〜[A)−6、及び〔B〕の感光層上
に濃度差0.15のグレースケールを密着させ、2kw
の高圧水銀灯で50cmの距離から露光を行った。その
後、感光性平版印刷版(A)1〜(A)−6及び〔B]
をDP−4(商品名07 :富士写真フィルム@製)の8倍希釈水溶液で25°C
において60秒間浸漬現像し、濃度差0.15のグレー
スケール(富士写真フィルム■製ステップタブレット)
で5段目が完全にクリアーとなる露光時間を求めたとこ
ろ第1表に示すとおりとなった。
第 1 表
第1表かられかるように本発明のシロキサンポリマー系
を用いた感光性平版印刷版(A)−1〜(A)−6はい
ずれも〔B〕より露光時間が少く、 08 感度が高い。
を用いた感光性平版印刷版(A)−1〜(A)−6はい
ずれも〔B〕より露光時間が少く、 08 感度が高い。
なお、第1表中の本発明のシロキサンポリマーの分子量
は重量平均(Gr’C、ポリスチレン標′$)で何れも
4,000〜7.500であった。
は重量平均(Gr’C、ポリスチレン標′$)で何れも
4,000〜7.500であった。
また使用した化合物例(34)、(35)、(37)及
び(40)のシロキサンポリマー中のシリルエーテル又
はシリルエステル基含有シロキサン単位の含量は何れも
50モル%であった。
び(40)のシロキサンポリマー中のシリルエーテル又
はシリルエステル基含有シロキサン単位の含量は何れも
50モル%であった。
失隻狙エニ土至
シリコンウェハー上に実施例1〜6の感光液(A)−1
〜(A)−6からオイルブルー#603のみを除去した
感光液[C]−1〜[]−6をスピナーで塗布し、ホッ
トプレート上で90°Cにおいて2分間、乾燥させた。
〜(A)−6からオイルブルー#603のみを除去した
感光液[C]−1〜[]−6をスピナーで塗布し、ホッ
トプレート上で90°Cにおいて2分間、乾燥させた。
膜厚は1.0 p mであった。
次に365nmの単色光の縮小投影露光装置(ステツパ
ー)により露光した。その後、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキシドの2.4%水溶液で60秒間現像す
ることによりレジストパターンを形成させた。その結果
、0.7μmのライン&ス09 ペースの良好なパターンが得られた。
ー)により露光した。その後、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキシドの2.4%水溶液で60秒間現像す
ることによりレジストパターンを形成させた。その結果
、0.7μmのライン&ス09 ペースの良好なパターンが得られた。
実施例13〜14
シリコンウェハー上に、ノボラック系市販レジストHP
R−204(富士ハントケミカル■製)をスピナーで塗
布し、220 ’Cで1時間乾燥させて下層を形成した
。下層の膜厚は2.0μmであった。
R−204(富士ハントケミカル■製)をスピナーで塗
布し、220 ’Cで1時間乾燥させて下層を形成した
。下層の膜厚は2.0μmであった。
その上に下記感光液CD)をスピナーで塗布し、ホント
プレート上で90°Cにおいて2分間乾燥させ、厚さ0
.5μmの塗膜を形成させた。
プレート上で90°Cにおいて2分間乾燥させ、厚さ0
.5μmの塗膜を形成させた。
感光液〔D〕
なお使用した本発明のシロキサンポリマーは化合物例(
34)及び(37)のシロキサンポリマーであり、分子
量は重量平均(cpc、ポリスチレン標準)で各々5,
300.4.500であった。
34)及び(37)のシロキサンポリマーであり、分子
量は重量平均(cpc、ポリスチレン標準)で各々5,
300.4.500であった。
0
またンロこ1−4ノンポリマー中のシリルエーテル又は
シリルエステル基含有シロキサン単位の含量は何れも5
0モル%であった。
シリルエステル基含有シロキサン単位の含量は何れも5
0モル%であった。
実施例7〜12と同様に露光、現像を行なったところ、
0.7μmのライン&スペースの良好なパターンが得ら
れた。次いで平行平板型リアクティブイオンエツチング
装置を用いて02ガス圧20ミリTorr RFパワー
200mW/cfflの条件下で20分間エツチングす
ると上層のレジストパターンは完全に下層のHPR−2
04に転写され、上下2層から戒る高いアスペクト比の
レジストパターンを得ることができた。
0.7μmのライン&スペースの良好なパターンが得ら
れた。次いで平行平板型リアクティブイオンエツチング
装置を用いて02ガス圧20ミリTorr RFパワー
200mW/cfflの条件下で20分間エツチングす
ると上層のレジストパターンは完全に下層のHPR−2
04に転写され、上下2層から戒る高いアスペクト比の
レジストパターンを得ることができた。
即ち本レジストが2層レジスト法の上層レジストとして
使用できることが確認された。
使用できることが確認された。
本発明の感光性組成物は、感度が高く、酸素プラズマ耐
性に優れ、アルカリ現像可能であり、製造も容易である
。
性に優れ、アルカリ現像可能であり、製造も容易である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (a)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化
合物と、 (b)下記一般式( I )又は(II)で表わされるジエ
ン化合物と、一般式(III)、(IV)又は(V)で表わ
されるオレフィン又はアセチレン化合物との環状熱付加
生成物から由来される構造単位を少なくとも1モル%有
するシロキサンポリマー、を含有することを特徴とする
ポジ型感光性組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼ ( I )(II) ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼ (III)(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(V) 式中R^1〜R^5は同一でも相異していてもよく、水
素原子、アルキル、アリール、又はアルコキシ基を示し
、R^6〜R^9は同一でも相異していてもよく、水素
原子、ハロゲン原子、シアノ、カルボニル、アルキル、
アリール、アルコキシ基、−SO_2−R^1^2、−
SO_3−R^1^2、−CO−R^1^2、−CO−
NH−R^1^2、−COO−R^1^2、又は−Y−
Aを示し、R^1^2はアルキル、又はアリール基を示
す。R^1^0、R^1^1は水素原子、アルキル、又
はアリール基を示す。Yは単結合、二価の芳香族又R^
1^3 は脂肪族炭化水素基を示し、Aは▲数式、化学式、表等
があります▼又は▲数式、化学式、表等があります▼を
示す。R^1^3〜R^1^8は同一でも相異していて
もよく、アルキル、アリール、アラルキル、又は−O−
R^1^9を示す。但し、R^1^6〜R^1^8のう
ち少なくとも1つはメチル又は−O−R^1^9ではな
い。R^1^9はアルキル、又はアリール基を示す。 X^1、X^2、X^3は同一でも相異していてもよく
、ハロゲン原子、ヒドロキシ、カルボキシ、オキシム、
アミド、ウレイド、アミノ、アルキル、アリール、アラ
ルキル、アルコキシ、アリーロキシ、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
、表等があります▼ の各基を示す。但し、X^1、X^2、X^3のうち少
なくとも2つはハロゲン原子、ヒドロキシ、カルボキシ
、オキシム、アミド、ウレイド、アミノ、アルコキシ又
はアリーロキシ基を示す。 またR^6〜R^8及びYの2つ、又はR^1^0〜R
^1^1が結合して環を形成してもよい。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18187989A JPH0346662A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 感光性組成物 |
| DE69029104T DE69029104T2 (de) | 1989-07-12 | 1990-07-11 | Polysiloxane und positiv arbeitende Resistmasse |
| EP90307611A EP0410606B1 (en) | 1989-07-12 | 1990-07-11 | Siloxane polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same |
| US07/550,446 US5216105A (en) | 1989-07-12 | 1992-07-10 | Silicone polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same |
| US07/936,644 US5252686A (en) | 1989-07-12 | 1992-08-28 | Siloxane polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same |
| US07/936,788 US5338640A (en) | 1989-07-12 | 1992-08-28 | Siloxane polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same |
| US08/003,501 US5278273A (en) | 1989-07-12 | 1993-01-12 | Siloxane polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same |
| US08/003,465 US5276124A (en) | 1989-07-12 | 1993-01-12 | Siloxane polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18187989A JPH0346662A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 感光性組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346662A true JPH0346662A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16108465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18187989A Pending JPH0346662A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-14 | 感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0346662A (ja) |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP18187989A patent/JPH0346662A/ja active Pending
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