JPH0347191B2 - - Google Patents

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JPH0347191B2
JPH0347191B2 JP22223283A JP22223283A JPH0347191B2 JP H0347191 B2 JPH0347191 B2 JP H0347191B2 JP 22223283 A JP22223283 A JP 22223283A JP 22223283 A JP22223283 A JP 22223283A JP H0347191 B2 JPH0347191 B2 JP H0347191B2
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Japan
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polyester
film
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cla
laminated
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JP22223283A
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Shigeyoshi Masuda
Hideo Kato
Teruhisa Fukumoto
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Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0347191B2 publication Critical patent/JPH0347191B2/ja
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Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は磁気蚘録媒䜓甚積局ポリ゚ステルフむ
ルムに関し、曎に詳しくは磁性薄膜の担持によ぀
お雑音レベルが少なく、デヌタ読取りにおける信
号察雑音比の良い、か぀走行性の優れた磁気蚘録
媒䜓を圢成する積局ポリ゚ステルフむルムに関す
る。 埓来技術 珟甚の磁気蚘録における普通の蚘録媒䜓は、適
圓な基材、䟋えば厚さ数Ό〜数10Όの可撓性
高分子フむルムポリ゚ステルフむルム等の衚
面䞊にγ−Fe2O3、Co−ドヌプ凊理されたγ−
Fe2O3、CrO2又はFe等の匷磁性粉末が有機結合
剀の䞭に分散したものを数Όから玄10Ό皋床
たでの厚さずなるように塗垃しお磁気蚘録局を圢
成せしめた積局䜓が実甚に䟛されおいる。 磁気蚘録技術に芁求される改良ずしお、所定面
積圓りの蚘録密床を増加させるこずが芁求されお
いる。デむスク、ドラムたたはテヌプの蚘録装眮
に䜿甚される磁気メモリヌ玠子においお、蚘録密
床の限界は、フむルム保磁界に察する枛磁界の比
率によ぀おきたる。たた枛磁界の匷さは蚘録媒䜓
の飜和磁化および厚さに関係しおいる。そしお、
信号察雑音比の蚱容氎準達成のためには、充分な
出力信号を埗るこずのできる薄い蚘録媒䜓局を埗
るこずが必芁である。蚘録媒䜓の−カヌブの
飜和磁束密床および角圢比が高くなるに぀れお達
成が容易ずなる。かかる意味においお、高い保磁
力を有し、角圢比の良いヒステリシスルヌプをも
ち、か぀蚘録媒䜓局が薄く、しかも高い残留磁気
モヌメントを有する磁気蚘録媒䜓が芁求されおお
り、ずりわけ雑音レベルが䜎く、か぀デヌタ読取
時の信号察雑音比が良く、特に高密床蚘録での再
生時のノむズレベルの少ない金属薄膜磁気蚘録媒
䜓に察する芁求が匷い。 このような背景に察応しお、近幎高密床磁気蚘
録甚媒䜓ずしお、バむンダヌを甚いず、磁気蚘録
局ずしお金属薄膜を真空蒞着やスパツタリングの
劂き真空沈着法又はメツキ法によ぀お非磁性支持
䜓䞊に圢成しお、この匷磁性金属を薄膜磁気蚘録
材ずしたものが提案されおいる。䟋えばCoの蒞
着テヌプ特開昭54−147010号公報、Co−Cr合
金からなる垂盎磁化膜特開昭52−134706号公
報等が提案されおいる。このような蒞着、スパ
ツタ又はむオンプレヌテむング等の薄膜圢成手段
によ぀お圢成される金属薄膜は、厚みが1.5Ό以
䞋で、磁性局の厚みが3Ό以䞊である埓来の塗
垃型蚘録媒䜓ず同等の性胜が埗られる。ずころ
で、静的特性である保磁力Hcたたはヒステリシ
スルヌプの角圢比のような磁気特性は甚いられる
非磁性支持䜓の衚面状態にあたり䟝存しないず考
えられる。このような考えによ぀たものの䟋ずし
お米囜特蚱3787327号明现曞に開瀺されたような
真空蒞着によるCo−Crの倚局構造の䟋が挙げら
れる。しかしながら、これらの方法は圢成される
金属薄膜厚さが薄く、非磁性支持䜓の衚面状態
衚面凹凞がそのたた磁性膜の凹凞ずしお発珟
し、それが雑音の原因ずなるこずが欠点ずされお
いた。 雑音の芳点からは、非磁性支持䜓の衚面状態が
出来るだけ平坊であるこずが奜たしい。䞀方フむ
ルム巻取り、巻出しずい぀たハンドリングの芳点
からは、フむルム衚面が平坊であるずフむルム−
フむルム盞互の滑り性が悪く、ブロツキング珟象
が発生し、この結果補品にはなり埗ないので、ベ
ヌスフむルム衚面が易滑性であるこずが芁求され
る。たた最終補品ずしおの金属薄膜磁気蚘録媒䜓
ずしおもその走行性、滑り性が重芁な品質の䞀぀
であり、このためにもベヌスフむルム衚面の易滑
性は重芁である。 埓来、ベヌスフむルムの易滑性は向䞊させる方
法ずしお、ポリマヌ䞭の埮粒子によりフむルム衚
面に突起を圢成せしめお易滑性を向䞊させる方匏
が知られ、該ポリマヌ䞭に埮粒子を含有させる方
法ずしお 酞化ケむ玠、二酞化チタン、炭酞カルシり
ム、タルク、クレむ等の䞍掻性粒子をポリマヌ
䞭に添加する方法倖郚粒子法、 ポリ゚ステルの合成時に䜿甚する觊媒成分、
着色防止剀の成分の䞀郚分たたは党量を重合反
応過皋䞭に析出せしめお、ポリマヌ䞭に埮粒子
を生成させる方法内郚粒子法 が提案されおいる。 しかし、本発明者の研究結果によれば、埓来の
塗垃型蚘録媒䜓に甚いられおいたず同等の衚面性
のベヌスフむルムを非磁性支持䜓ずしお甚いお金
属薄膜磁気蚘録媒䜓を䜜成した堎合、最終補品ず
しおは走行性、易滑性の点で劣り、実甚に耐えな
いこずが明らかずな぀た。 この原因ずしおは、埓来の塗垃型蚘録媒䜓にお
いおは塗垃磁性局に含たれおいるバむンダヌ成
分、最滑剀成分が滲出しお、反察偎のベヌスフむ
ルム面に転写し、易滑性を向䞊させる効果を有し
おいるが、磁気蚘録局ずしおバむンダヌを甚いず
金属薄膜を非磁性支持䜓䞊に圢成した蚘録媒䜓に
おいおはバむンダヌ成分の転写による易滑性向䞊
効果が、ないこずによるず考えられる。 曎にこの金属薄膜磁気蚘録媒䜓の走行性の改良
に䞊蚘、の埮粒子付䞎法を応甚しか぀衚面特
性が磁性面偎ず走行面偎で違う耇合フむルムずす
るこずが提案されおいる特開昭49−74910号、
特開昭50−3308号、特開昭50−33805号、特開昭
58−155939号等が、この方法だけで所定の走行
性、易滑性を埗るためには衚面粗さを非垞にない
しかなりに倧きくする必芁があり、この堎合には
走行面偎の突起が反察面の磁気蚘録面に転写し、
その結果磁性膜の凹凞ずなり、電磁倉換特性が悪
化するずいう問題のあるこず、さらに繰り返し走
行時に摩擊係数が増倧しお走行性が悪化し、極端
な堎合には走行系内の金属ピンにはり぀くずいう
問題があるこずが明らかずな぀た。 本発明者は、曎にこれらの問題点を解消すべく
鋭意研究の結果、特定の衚面特性を有する積局フ
むルムの構造をずり、しかも裏面を圢成するフむ
ルム局に特定の化合物を含有させるこずによ぀お
䞊述の問題点を倧幅に改善できるこずを芋い出し
た。 発明の目的 本発明の目的は、雑音レベルが少なく、か぀デ
ヌタ読取りにおける信号察雑音比の良い、特に高
密床蚘録での再生時のノむズレベルの少ない、し
かも走行性のすぐれた磁気蚘録媒䜓を賊䞎する積
局ポリ゚ステルフむルムを提䟛するこずにある。 発明の構成・効果 本発明の目的は、積局フむルムの磁性薄膜を担
持させる面(A)を衚面粗さCLA単䜍Ό、
最倧突起高さPV単䜍Ό及び突起物の
高さが0.27Ό〜0.54Όの範囲にある突起数H1
単䜍ケmm2がそれぞれ次の匏 CLA≩0.008Ό PV≩0.06Ό H1≩10ケmm2 を満足する、80重量以䞊がポリ゚チレンテレフ
タレヌトからなるポリ゚ステルのフむルム局で圢
成し、か぀他の面(B)を衚面粗さCLA単䜍Ό
、突起物の高さ0.54Ό以䞊の突起数H2
単䜍ケmm2、動摩擊係数ΌK及び衚面固
有抵抗単䜍Ωcmがそれぞれ次の匏 0.007ΌCLA≩0.030Ό ケmm2H2≩150ケmm2 0.10ΌK≩0.25 ≊1011Ωcm を満足する、80重量以䞊がポリ゚チレンテレフ
タレヌトからなるポリ゚ステルに個以䞊の氎酞
基を有するポリオヌルず炭玠数が個以䞊の脂肪
族モノカルボン酞ずの゚ステル生成物を0.01〜
重量分散含有せしめおいるフむルム局で圢成し
おなる磁気蚘録媒䜓甚積局ポリ゚ステルフむルム
によ぀お達成される。 本発明においお積局フむルムの磁性薄膜を担持
させる面(A)を圢成するフむルム局は、ポリマヌ重
量の80重量以䞊がポリ゚チレンテレフタレヌト
からなるポリ゚ステルで構成される。ここで「80
重量以䞊がポリ゚チレンテレフタレヌトからな
るポリ゚ステル」ずは、ポリ゚チレンテレフタレ
ヌトのホモポリマヌは勿論のこず、党繰返し単䜍
の80重量以䞊が゚チレンテレフタレヌトよりな
り、残りの20重量以䞋が他のポリ゚ステル成分
䟋えば゚チレンむ゜フタレヌト、゚チレン
−ナフタレヌト、テトラメチレンテレフタレヌト
等よりなるコポリ゚ステル、これらの混合物、曎
にはこれらず他のポリマヌの混合物䜆し、ポリ
゚チレンテレフタレヌト成分を80重量含有す
る䟋えばポリ゚チレンテレフタレヌトたたはそ
のコポリ゚ステルずポリ゚チレン−ナフタ
レヌトの混合物、ポリ゚チレンテレフタレヌトた
たはそのコポリ゚ステルずポリ゚チレンむ゜フタ
レヌトの混合物、ポリ゚チレンテレフタレヌトた
たはそのコポリ゚ステルずポリアリレヌトの混合
物、ポリ゚チレンテレフタレヌトたたはそのコポ
リ゚ステルずポリオレフむンの混合物等を包含す
る。これらのうちポリ゚チレンテレフタレヌトの
ホモポリマヌが特に奜たしい。 かかるポリ゚ステルは埮粒子状の䞍掻性物質を
含有する。この䞍掻性物質を含有させる方法ずし
おは䟋えばフむルム原料に甚いるポリマヌ䞭に䞍
掻性無機化合物を添加したり、䞍溶性觊媒残枣を
生成せしめたりする等の方法がある。この䞍掻性
無機化合物には、ポリマヌに察し䞍溶性であり、
か぀反応しない物質が含たれる。配合される物質
ずしお、䟋えばMgO、ZnO、MgCO3、CaCO3、
CaSO4、BaSO4、Al2O3、SiO2、TiO2、䟋えば
代衚䟋ずしおシリカ、カオリン、陶土、珪藻土、
炭酞カルシりム、アミノ珪酞塩およびその氎和
物、テレフタヌル酞カルシりム、その他カヌボン
ブラツク、燐酞カルシりム等が挙げられる。た
た、䞍溶性觊媒残枣は、䟋えばポリ゚ステルにお
いお゚ステル亀換觊媒ず安定剀ずの適圓量の組み
合せによ぀お圢成される䞍溶性觊媒残枣であり、
ポリ゚ステルフむルム衚面に凹凞を圢成し、衚面
特性を制埡するものである。 䞍掻性物質の含有量は、物質の皮類、粒埄等に
よ぀お倉化し䞀般的には決められないが、通垞
0.002〜重量が良く、曎には0.005〜重量
が奜たしい。 本発明においお積局フむルムの面(A)は、メツキ
法等の手段で磁性薄膜が圢成される面である。こ
の磁性薄膜金属薄膜は高密床蚘録觊媒ずしお
充分な信号出力を発揮させるため䞀般に0.02〜
1.5Όず薄く、埓぀おポリ゚ステルフむルム局の
衚面状態がそのたた磁性薄膜の凹凞ずしお発珟
し、特性䜎䞋の原因䟋えば雑音の原因ずなる。 しかしお、ポリ゚ステルフむルム局の衚面(A)
は、平均的衚面粗さCLA単䜍Όが
0.008Ό以䞋であり、最倧突起高さPV単䜍
Όが0.06Ό以䞋であり、か぀突起物の突起
高さが0.27〜0.54Όの範囲にある突起数H1単
䜍ケmm2が10ケmm2以䞋である必芁がある。
奜たしくは平均的衚面粗さCLAは0.006Ό以
䞋、突起物の突起高さ0.27Ό〜0.54Όの範囲に
ある個数の個mm2以䞋である。CLAの䞋限は
特に限定されないが、通垞0.002Ό皋床である。
これらの条件を満足するこずによ぀お磁気蚘録媒
䜓ずしたずきの雑音が飛躍的に枛少し、ノむズレ
ベルの栌段に優れるものずなる。 かかる衚面特性をフむルムの䞡面、に
付䞎した堎合には、フむルム巻取り・巻出しなど
の操䜜においおフむルム−フむルム盞互の滑り性
が悪くブロツキング珟象が発生し、たたテヌプ加
工埌の走行性も悪く補品ずなり埗ない。そこで、
フむルムの他の衚面(B)には滑り性を付䞎する必芁
がある。本発明においおはフむルム衚面(B)を圢成
するものずしおフむルム衚面(A)を圢成するポリ゚
ステルずは違぀た特性のポリ゚ステルのフむルム
局を甚いる。 本発明においお積局フむルムの他の面(B)を圢成
するフむルム局は、その面(B)の衚面粗さCLA
単䜍Ό及び突起物の高さ0.54Ό以䞊の
突起数H2単䜍ケmm2がそれぞれ次の匏 0.007ΌCLA≩0.030Ό ケmm2H2≩150ケmm2 を満足し、動摩擊係数ΌKが 0.10ΌK≩0.25 を満足し、か぀衚面固有抵抗が、1011Ωcm
以䞋を満足する。奜たしくは最滑剀䟋えば個以
䞊の氎酞基を有するポリオヌルず炭玠数が個以
䞊の脂肪族モノカルボン酞ずの゚ステル生成物を
0.01〜重量ポリマヌ䞭に分散含有しおいる、
80重量以䞊がポリ゚チレンテレフタレヌトから
なるポリ゚ステルで構成される。 埓぀お、該ポリ゚ステルは、最滑剀䟋えば個
以䞊の氎酞基を有するポリオヌルず炭玠数が個
以䞊の脂肪族モノカルボン酞ずの゚ステル生成物
を0.01〜重量含有するこず、衚面固有抵抗が
1011Ω・cm以䞋であるこず以倖は、面(A)を圢成す
るフむルム局を構成するポリ゚ステルず同じこず
が説明できる。 䞊蚘ポリ゚ステルに最滑剀ずしお分散させる゚
ステル生成物の原料ずしお䜿甚するポリオヌル
は、氎酞基を個以䞊有するこずが必芁である。
氎酞基個以䞋のアルコヌルを䜿甚したのでは、
理由は明確でないが、生成した゚ステルをポリ゚
ステル䞭に分散させおも、フむルムの易滑性を向
䞊させるこずはできない。特に氎酞基〜個の
ポリオヌルが入手し易さの点から奜たしい。かか
る氎酞基個以䞊のポリオヌルずしおはグリセリ
ン、゚リトリツト、トレむツト、ペンタ゚リトリ
ツト、アラビツト、キシメリツト、アドニツト、
タリツト、゜ルビツト、マンニツト、むゞツト等
があげられるが、これに限定するものではない。 たた䞊蚘ポリオヌルず反応させる脂肪族モノカ
ルボン酞ずしおは炭玠数個以䞊のものを甚いる
必芁がある。炭玠数が個より少ない脂肪族モノ
カルボン酞を䜿甚したのでは、埗られた゚ステル
生成物の耐熱性が䞍十分で、ポリ゚ステルに分散
させる際の加熱条件で容易に分解し、ポリ゚ステ
ルぞの分散物質ずしおは䞍適圓である。特に炭玠
数〜25個の脂肪族モノカルボン酞が入手し易い
点で奜たしい。かかる炭玠数個以䞊の脂肪族モ
ノカルボン酞ずしおはベラルゎン酞、カブリン
酞、りンデシル酞、ラりリン酞、トリデシル酞、
ミリスチン酞、ペンタデシル酞、バルミチン酞、
ヘプタデシル酞、ステアリン酞、ノナデカン酞、
アラキン酞、ベヘン酞、リグノセリン酞、セロチ
ン酞等が䟋瀺できる。 䞊蚘ポリオヌルず脂肪族モノカルボン酞ずを反
応させるず、通垞モノ、ゞ、トリ゚ステルが生成
する。これら゚ステル生成物はいずれも易滑性向
䞊に効果があるが、特にトリ゚ステルがポリ゚ス
テルに分散させる際の耐熱性の点から奜たしい。 䞊蚘゚ステル生成物は、ポリ゚ステル重量に察
し、0.01〜重量分散させるこずが必芁であ
る。0.01重量未満では本発明の目的ずする易滑
性が埗られず、重量を越えるず、フむルムに
した堎合衚面に゚ステル成分が過剰に滲み出すた
め、ブロツキングを起こし、かえ぀おフむルムが
滑らなくなる。䞊蚘゚ステル生成物をポリ゚ステ
ル䞭に分散させるには任意の方法が採甚され、䟋
えば重瞮合反応䞭に添加分散させる方法や、゚ク
ストルヌダヌで混緎する方法を甚いるこずがで
き、たた予め高濃床のマスタヌポリマヌを䜜り、
これを未添加のポリ゚ステルで垌釈する方法を甚
いるこずもできる。 たた、最滑剀成分ずしおは䞊蚘゚ステル生成物
以倖にも遞択できるが、ポリマヌ内での分散のし
やすさ、衚面(B)を圢成するフむルム局に分散しお
いる最滑剀成分の裏面すなわち衚面(A)ぞの転写が
起きにくいこず等の点からポリ有機シロキサン、
脂肪酞゚ステル、シリコン系最滑剀が奜たしい。 さらに、䞊蚘最滑剀による易滑性を効果的に発
珟させるためには、ポリ゚ステルフむルム局の衚
面は平均的衚面粗さCLAが0.007Όをこえ、突
起物の突起高さ0.54Ό以䞊のものの個数H2が
個mm2より倚いこずが奜たしく、これによりテヌ
プ加工埌の走行性が倧幅に改善される。 しかし、ポリ゚ステルフむルム局の衚面の平
均的衚面粗さCLAが0.030Όより倧きくなり、た
た突起高さ0.54Ό以䞊のものの個数H2が150
個mm2より倚くなるず、テヌプ加工時および加工
埌の巻取状態においお磁性膜の面に衚面の凹凞
が著しく転写され、この結果高密床蚘録媒䜓ずし
お著しいレベル倉動、ノむズの発生を匕起こし、
著しい堎合にはドロツプアりトにたで至らしめ、
電磁倉換特性においお障害を発生させるので奜た
しくない。 埓぀お、積局フむルムの衚面は、平均的衚面
粗さCLAが0.007ΌCLA≩0.030Όであり、か
぀突起物の高さが0.54Ό以䞊の突起数H2が
H2≩150を満足する必芁がある。平均的衚面粗さ
CLAが0.008Όをこえ、0.020Ό以䞋、突起高さ
0.54Ό以䞊の突起物の個数H2が個mm2を越
え、100個mm2以䞋の範囲がテヌプ加工埌の走行
性改善ず、衚面の凹凞の転写ずのバランスの点で
さらに奜たしい。 積局ポリ゚ステルフむルムの他の衚面を構成
する局は、衚面の局ず同等であ぀おも異な぀お
いおも良いが衚面粗床ずしお芋た時、衚面は衚
面より粗であるこずが奜たしい。 さらに、積局ポリ゚ステルフむルムの衚面
は、その動摩擊係数ΌKが0.10ΌK≩0.25を満足す
るこずが走行性改善の点で奜たしく、0.10Ό≊
0.21であるこずが特に奜たしい。 動摩擊係数ΌKが0.25を越えるず走行性が悪化
し、テヌプに傷が぀き、信号脱萜の原因になる。
極端な堎合にはガむドピンにはり぀き動かなくな
る等珟象が起り奜たしくない。たた動摩擊係数ΌK
が0.10以䞋になるずテヌプが滑りすぎお蛇行を起
こすようになり、奜たしくない。 さらに積局ポリ゚ステルフむルムの衚面を構
成する局はその衚面固有抵抗が1011Ωcm以䞋であ
るこずがテヌプ加工埌の走行性改善、ずりわけ繰
り返し走行時の滑り性悪化を少なくする効果があ
る点から奜たしい。この理由はさだかではないが
以䞋のように考えられる。テヌプ加工埌は衚面
には金属薄膜が圢成されおおり、このため衚面
偎の衚面固有抵抗は非垞に䜎く、通垞102〜108Ω
cm皋床であるため、反察面の衚面も衚面ずな
るべく近い衚面固有抵抗であるこずが、走行性改
善に察しお有効なのであろう。 衚面を構成する局の衚面固有抵抗を1011Ω・
cm以䞋ずする方法ずしおは、埓来公知の方法を䜿
甚するこずができる。䟋えばポリアルキレングリ
コヌル、アルキルスルホン酞金属塩等を特定量配
合するこずによ぀お補造できる。曎に詳しくは、
平均分子量5000ないし50000のポリ゚チレングリ
コヌルアルキルスルホン酞のアルカリ金属塩等を
0.5〜50重量配合するこずで補造でき、これら
の方法が、補膜工皋が䞍安定になるのを防止する
意味で奜たしい。 䞊蚘のポリアルキレングリコヌル、アルキルス
ルホン酞金属塩等をポリ゚ステル䞭に分散させる
には任意の方法が採甚され、䟋えば重瞮合反応䞭
に添加分散させる方法や、゚クストルヌダヌで混
緎する方法を甚いるこずができ、たた予め高濃床
のマスタヌポリマヌを䜜り、これを未添加のポリ
゚ステルで垌釈する方法を甚いるこずもできる。 本発明の積局フむルムは、二局以䞊の倚局構造
をずるフむルムではあるが、特に二局構造のもの
が奜たしい。䞉局以䞊の積局フむルムの堎合、最
倖局が䞊述の衚面のポリ゚ステルフむルム
局であれば、䞭間局は任意のポリマヌ局で良い。 本発明の積局フむルムは、埓来から蓄積された
積局フむルムの補造法で補造するこずができる。
䟋えば衚面を圢成するポリ゚ステル局ず衚面
を圢成するポリ゚ステル局ずを、溶融状態又は冷
华固化された状態で積局するこずができる。曎に
具䜓的には、䟋えば共抌出・゚クストルヌゞペン
コヌテむング等の方法で補造できる。その際、衚
面を圢成するポリ゚ステル局の厚さは、積局フ
むルム党䜓の䞭で占める割合で40〜95ずするの
が奜たしい。この割合で95より倚いず衚面を
圢成するポリ゚ステル局の倖郚粒子あるいは内郚
粒子による粗面化効果が充分でなく、たた40よ
り少ないず衚面を圢成するポリ゚ステル局に含
たれおいる倖郚粒子あるいは内郚粒子に圱響され
お衚面に凹凞が生じ電磁倉換特性が悪くなる傟
向を瀺す。 䞊述の方法で積局されたフむルムは、通垞の方
法で逐次二軞延䌞たたは同時二軞延䌞され、曎に
熱凊理される。この熱凊理においお衚面を圢成
するポリ゚ステル局でぱステル生成物が衚面
に浞出するようにし、適床な被膜状物を圢成する
ようにするず、テヌプ加工埌の走行性がさらに改
善されるので奜たしい。 本発明の積局ポリ゚ステルは、雑音レベルが少
なく、か぀デヌタ読取りにおける信号察雑音比の
良い、特に高密床蚘録での再生のノむズレベルの
少ない、しかも走行性のすぐれた磁気蚘録媒䜓を
賊䞎するベヌスフむルムずしお有甚である。 実斜䟋 以䞋、実斜䟋を掲げお本発明を曎に説明する。
なお、本発明における物性は次の方法で枬定し
た。  CLAセンタヌ・ラむン・アベレツゞ
Center Line Average・䞭心線平均粗さ JISB0601に準じ、東京粟密瀟(æ ª)補の觊針匏
衚面粗さ蚈SURFCOM 3Bを䜿甚しお、
針の半埄2Ό、荷重0.07の条件䞋にチダヌト
をかかせ、フむルム衚面粗さ曲線からその䞭心
線の方向に枬定長さの郚分を抜き取り、この
抜き取り郚分の䞭心線を軞、瞊倍率の方向を
軞ずしお、粗さ曲線をで衚わし
た時、次の匏で䞎えられた倀をΌ単䜍で衚わ
す。 CLA∫L 0dx この枬定は基準長を0.25mmずしお個枬定
し、倀の倧きい方から個陀いた個の平均倀
で衚わす。  衚面突起数 芳察せんずするフむルム衚面にアルミニりム
をうすく400〜500Å乃至それ以䞋の厚み均
䞀に真空蒞着し、倚重干枉顕埮鏡䟋えば
NIKON補Surfase Finish Microscope光
源タリりムランプ波長5400Åを甚いお100の
倍率で、フむルムの耇数ケ所の衚面をランダム
にmm2の面積になるたで写真撮圱し、高さ
0.27Ό〜0.54Όの範囲にある突起数H1ケ
mm2、および高さ0.54Ό以䞊の突起数H2ケmm2
を算出する。  動たさ぀係数 添付図に瀺す劂く、25℃盞察湿床60の雰囲
気䞭で倖埄mmφのSUS27の固定棒衚面粗
床CLA0.030に1/2″巟にカツトしたフむル
ムを角床・πラゞアンで接觊させ3.3cmsecの
速さで移動、たさ぀させる。入口テンシペン
T1が30ずなるようテンシペンコントロヌ
ラを調敎した時の出口テンシペンT2出
口テンシペン怜出機で怜出より次匏で動
たさ぀係数ΌKを算出する本発明では90走行
時の動たさ぀係数をも぀おΌKずする。 ÎŒKπlnT2T1 なお、䞊蚘ず同条件で50回繰り返し走行させ
た埌の動たさ぀係数を繰り返し走行埌の動たさ
぀係数ΌK′ずした。  衚面固有抵抗 20℃65RHの雰囲気䞭で、竹田理研(æ ª)振動
容量型埮小電䜍電流蚈TR−84M型を䜿甚しお
枬定した。 実斜䟋  ゞメチルテレフタレヌトに察し、゚ステル亀換
觊媒ずしお酢酞マンガン40mol、重合觊媒ず
しお䞉酞化アンチモン20mol、安定剀ずしお
亜燐酞40molをそれぞれ甚いる、ゞメチルテ
レフタレヌトず゚チレングリコヌルの゚ステル亀
換反応、続いおの枛圧䞋での重瞮合反応による反
応で、最終的にη−クロロプノヌルを
溶媒ずしお甚い、25℃で枬定0.65のポリ゚チ
レンテレフタレヌトを埗た以䞋、ポリ゚ステル
ずいう。 䞀方、平均粒埄0.6Όのカオリンを0.40重量添
加しお重瞮合反応させる以倖は、ポリ゚ステル
ず同様な方法で、η0.65のポリ゚チレンテレ
フタレヌトを埗た以䞋、ポリ゚ステルずい
う。 たた、䞊蚘ポリ゚ステル100重量郚に、ペン
タ゚リスリツトトリステアレヌトを重量郚加
え、曎に、゚クストルヌダヌで均䞀にブレンドし
おマスタヌチツプを埗た以䞋、ポリ゚ステル
ずいう。 たた、䞊蚘ポリ゚ステル100重量郚にポリア
ルキルスルホン酞ナトリりム塩10重量郚加え曎
に、゚クストルヌダヌで均䞀にブレンドしおマス
タヌチツプを埗た以䞋、ポリ゚ステルずい
う。 ポリ゚ステル、ポリ゚ステル及びポリ゚ス
テル及びポリ゚ステルを、埗られるポリマヌ
䞭に平均粒埄0.6Όのカオリンが0.20重量、ペン
タ゚リスリツトトリステアレヌトが0.5重量、
ポリアルキルスルホン酞ナトリりム酞が1.0重量
含有されるようブレンドしおポリ゚ステルブレ
ンド物を埗た以䞋、ポリ゚ステルずいう 䞊蚘ポリ゚ステルず䞊蚘ポリ゚ステルずを
共抌出し補膜機の別々の゚クストルダヌに䟛絊
し、ポリ゚ステルの局厚さが積局フむルム厚さ
の70ずなるようにダむから共抌出しお160Όの
未延䌞フむルムを埗た。 この未延䌞フむルムを瞊延䌞枩床90℃、瞊延䌞
倍率3.5倍、暪延䌞枩床110℃、暪延䌞倍率3.7倍
で逐次二軞延䌞を行い、曎に、205℃で熱凊理を
斜した。 このようにしお埗られた積局ポリ゚ステルフむ
ルムは、ポリ゚ステルのみからなる局の衚面
の衚面粗さがCLA0.004Ό、最倧突起高さが
PV0.03Ό、突起物の高さ0.27Ό〜0.54Όの
突起数がH10.5ケmm2であ぀た。たたその反察
面のポリ゚ステルからなる局の衚面の衚面粗
さはCLA0.018Ό、高さ0.54Ό以䞊の突起数
H2は70ケmm2、衚面固有抵抗は×109Ω・cmで
あ぀た。 さらにこのようにしお埗られた積局ポリ゚ステ
ルフむルムの面䞊にMo−䜎保磁力パヌマロ
む局、続いお圓該パヌマロむ局に、Co−Cr垂
盎磁化膜を以䞋の方法で薄膜を圢成した。 Mo−パヌマロむ局mm厚のMo−パヌマ
ロむタヌゲツトNi78、Fe18、Mo4
を䜿甚し、DCマグネトロンスパツタ法で×
10-2TorrのAr99.99䞭で500Å分の堆積
速床で0.3Ό厚の膜を䜜補した。 Co−Cr局mm厚のCo−Cr合金タヌゲツト
Cr17wtを䜿甚し、DCマグネトロンスパ
ツタ法で×10-2TorrのAr99.99䞭で、
500Å分の堆積速床で1.0Ό厚のCo−Cr合金
膜を埗た。 埗られた磁気蚘録媒䜓を0.5むンチ幅のテヌプ
に裁断し、図のテヌプ怜査機により動摩擊係数を
枬定したずころ、動摩擊係数は0.18、繰り返し走
行埌の動摩擊係数は0.24であり、良奜であ぀た。
曎に電磁倉換特性ずしお10KBPI蚘録再生時の
dB比を評䟡したずころ、この倀は49ず
良奜であ぀た。 比范䟋  実斜䟋におけるポリ゚ステルずポリ゚ステ
ルずを埗られるポリマヌ䞭に平均粒埄0.6Όのカ
オリンが0.20重量含有されるようにブレンドし
おポリ゚ステルブレンド物を埗た以䞋、ポリ゚
ステルずいう。 このポリ゚ステルを実斜䟋のポリ゚ステル
の代りに甚いる以倖は、実斜䟋ず同様に補
膜、延䌞しお積局ポリ゚ステルフむルムを埗た。 この積局ポリ゚ステルフむルムに実斜䟋ず同
じ方法で金属薄膜を圢成し、次いでテヌプ状にし
た。埗られたテヌプは、動摩擊係数が0.46であ
り、走行性䞍良であ぀た。 実斜䟋及び比范䟋、 平均粒埄0.6Όのカオリンの代りに平均粒埄04ÎŒ
のカオリンたたは平均粒埄0.8Όのクレヌを甚いる
以倖は、実斜䟋のポリ゚ステルの補造ず同じ
ように行぀おポリ゚ステルを埗た以䞋、ポリ゚
ステル′ずいう。 ポリ゚ステル䞭のポリ゚ステルの代りに䞊
蚘ポリ゚ステル′を甚いお衚−に瀺す特性
組成のポリ゚ステルブレンド物を埗た以䞋、
ポリ゚ステル′ずいう。このポリ゚ステル′
をポリ゚ステルの代りに甚いお実斜䟋ず同じ
ように行぀お積局ポリ゚ステルフむルムを埗た。
この積局ポリ゚ステルフむルムの特性を衚−に
瀺す。 実斜䟋のものは、衚面が衚面粗さCLA
0.019Ό、突起高さ0.54Ό以䞊の突起数110個
mm2であり、動摩擊係数比共良奜である。 比范䟋のものは、衚面が粗れ倧であり、動
摩擊係数は良奜であ぀たが、衚面の突起が衚面
の䞊に積局された磁気蚘録面に転写するため、
比が䞍良であ぀た。 比范䟋のものは、衚面が平坊であり、補品
化段階のフむルムの捲出し、捲き取り時に滑り性
が悪く、ブロツキング珟象が発生し、補品にはな
り埗なか぀た。たたテヌプずしおも走行性䞍良で
あ぀た。 実斜䟋及び比范䟋 実斜䟋においお、ポリ゚ステルの重瞮合反
応時に平均粒埄0.1Όのカオリンを0.1重量、あ
るいは0.3重量添加するこず以倖は、実斜䟋
ず同じように行぀おポリ゚チレンテレフタレヌト
以䞋、ポリ゚ステルI′ずいうを埗、曎にこの
ポリ゚ステルI′ずポリ゚ステルずを甚いお衚面
の衚面特性の異なる積局ポリ゚ステルフむルム
を埗た。この積局ポリ゚ステルフむルムの特性を
衚−に瀺す。
【衚】 実斜䟋のものは、衚面にCLAが0.0060Ό、
高さ0.27Ό〜0.54Όの範囲にある突起数H1が
ケmm2、最倧突起高さPVが0.05Όであり、
比良奜であ぀た。䞀方比范䟋のものは、衚面
が粗れおおり、比が䞍良であ぀た。 実斜䟋  実斜䟋のポリ゚ステル100重量郚に゜ルビ
タントリステアレヌトを重量郚加え、曎に゚ク
ストルヌダヌで均䞀にブレンドしおマスタヌチツ
プを埗た以䞋、ポリ゚ステル′ずいう。 実斜䟋のポリ゚ステル及びポリ゚ステル
及びポリ゚ステルず䞊蚘ポリ゚ステル′を甚
い、実斜䟋ず同じよう行぀お、埗られるポリマ
ヌ䞭に平均粒埄0.6Όのカオリンが0.20重量、゜
ルビタントリステアレヌトが0.5重量ポリアル
キルスルホン酞ナトリりム塩1.0重量を含有す
るポリ゚ステルブレンド物を埗た。 このポリ゚ステルブレンド物ず実斜䟋のポリ
゚ステルずを甚い、実斜䟋ず同じようにしお
補膜延䌞し積局ポリ゚ステルフむルムを埗た。こ
の積局ポリ゚ステルフむルムに実斜䟋ず同じ金
属薄膜圢成を斜し、テヌプ状にした。このテヌプ
の動摩擊係数は0.19、繰り返し埌の動摩擊係数は
0.24であり、良奜であ぀た。 実斜䟋  実斜䟋のポリ゚ステル、ポリ゚ステルお
よぎリ゚ステルを甚い、実斜䟋ず同じように
行぀お、埗られるポリマヌ䞭に平均粒埄0.6Όのカ
オリンが0.20重量、ペンタ゚リスリツトトリス
テアレヌトが0.5重量含有するポリ゚ステルブ
レンド物を埗た。 このポリ゚ステルブレンド物ず実斜䟋のポリ
゚ステルずを甚い、実斜䟋ず同じようにしお
補膜延䌞し積局ポリ゚ステルを埗た。このものの
衚面の衚面固有抵抗は×1015Ω・cmであ぀
た。この積局ポリ゚ステルフむルムに実斜䟋ず
同じ金属薄膜圢成を斜し、テヌプ状にした。この
テヌプの最初の動物摩擊係数は0.20であ぀たが、
繰り返し走行埌の動物摩擊係数ΌK′が0.41であり、
繰り返し走行時の動物摩擊係数の䞊昇が倧で、䞍
良であ぀た。
【図面の簡単な説明】
図はフむルム粗衚面の動摩擊係数を枬定するテ
ヌプベヌス怜査機の暡匏図である。 図面のは巻出ロヌル、はテンシペンコント
ロヌラヌ、はテンシペン怜出噚入口、
はテンシペン怜出噚出口、はガむドロヌ
ラ、は巻取リヌルである。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  積局フむルムの磁性薄膜を担持させる面(A)を
    衚面粗さCLA単䜍Ό、最倧突起高さ
    PV単䜍Ό及び突起物の高さが0.27Ό
    〜0.54Όの範囲にある突起数H1単䜍ケ
    mm2がそれぞれ次の匏 CLA≩0.008Ό PV≩0.06Ό H1≩10ケmm2 を満足する、80重量以䞊がポリ゚チレンテレフ
    タレヌトからなるポリ゚ステルのフむルム局で圢
    成し、か぀他の面(B)を衚面粗さCLA単䜍Ό
    、突起物の高さ0.54Ό以䞊の突起数H2
    単䜍ケmm2、動摩擊係数Όk及び衚面固
    有抵抗単䜍Ωcmがそれぞれ次の匏 0.007ΌCLA≩0.030Ό ケmm2H2≩150ケmm2 0.10Όk≩0.25 ≊1011Ωcm を満足する、80重量以䞊がポリ゚チレンテレフ
    タレヌトからなるポリ゚ステルに個以䞊の氎酞
    基を有するポリオヌルず炭玠数が個以䞊の脂肪
    族モノカルボン酞ずの゚ステル生成物を0.01〜
    重量分散含有せしめおいるフむルム局で圢成し
    おなる磁気蚘録媒䜓甚積局ポリ゚ステルフむル
    ム。
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