JPS6079518A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS6079518A JPS6079518A JP18584783A JP18584783A JPS6079518A JP S6079518 A JPS6079518 A JP S6079518A JP 18584783 A JP18584783 A JP 18584783A JP 18584783 A JP18584783 A JP 18584783A JP S6079518 A JPS6079518 A JP S6079518A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- recording medium
- magnetic recording
- sides
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔利用分野〕
本発明は、高密度記録ができる薄膜型の磁気記録媒体に
関し、更に詳しくはフレキシブルディスクに好適な可撓
性高分子樹脂の基板の両面に強磁性薄膜からなる記録層
を設けた両面磁気記録媒体に関する。
関し、更に詳しくはフレキシブルディスクに好適な可撓
性高分子樹脂の基板の両面に強磁性薄膜からなる記録層
を設けた両面磁気記録媒体に関する。
上述の薄膜型磁気記録媒体は、近年高密度磁気記録用媒
体として注目され、既に多くの提案がある。例えば特開
昭５４−１４７０１０号公報にはＣｏの蒸着膜が、特公
昭５Ｂ−９１号公報にはＣｏ−Ｃｒ合金のスパッタ膜か
らなる垂直磁化膜が開示されている。
体として注目され、既に多くの提案がある。例えば特開
昭５４−１４７０１０号公報にはＣｏの蒸着膜が、特公
昭５Ｂ−９１号公報にはＣｏ−Ｃｒ合金のスパッタ膜か
らなる垂直磁化膜が開示されている。
このような蒸着、スパッタ又はイオンブレーティング等
の薄膜形成手段によって形成される金属薄膜は、厚みが
゛１．５μｍ以下にもかかわらず、磁性層の厚みが３μ
ｍ以上である従来の塗布盤記録媒体以上の性能を示す。
の薄膜形成手段によって形成される金属薄膜は、厚みが
゛１．５μｍ以下にもかかわらず、磁性層の厚みが３μ
ｍ以上である従来の塗布盤記録媒体以上の性能を示す。
しかしながら形成される金ＩＲ薄膜厚さが薄く、基板の
表面状］！！（表面凹凸）がそのまま磁性層の凹凸とし
て発現し、スペーシングロスやドロップアウトの原因と
なる。従って、電磁変換特性（再生出力、エラー）の観
点からは、基板の表面状態が出来るだけ平滑であること
が好ましい。
表面状］！！（表面凹凸）がそのまま磁性層の凹凸とし
て発現し、スペーシングロスやドロップアウトの原因と
なる。従って、電磁変換特性（再生出力、エラー）の観
点からは、基板の表面状態が出来るだけ平滑であること
が好ましい。
一方、基板に高分子樹脂フィルムを用いる場合、フィル
ム巻取９巻出しといったハンドリングの観点から、フィ
ルム表面が平滑であると、フィルム−フィルム相互の滑
り性が悪くブロッキング現象が発生し、製品にはなり得
す、ベースフィルム表面が粗であることが要求される。
ム巻取９巻出しといったハンドリングの観点から、フィ
ルム表面が平滑であると、フィルム−フィルム相互の滑
り性が悪くブロッキング現象が発生し、製品にはなり得
す、ベースフィルム表面が粗であることが要求される。
このように薄膜製の磁気記録媒体には、基、板に関し、
電磁変換特性を向上させようとすれば、そのハンドリン
グ性、走行性が１化するという問題がある。
電磁変換特性を向上させようとすれば、そのハンドリン
グ性、走行性が１化するという問題がある。
ところで、本発明者の一人は先に、上記問題を解決する
ものとして、特開昭５７−１１３４１８号公報において
、基板表面の表面粗さのＣＬＡと突起物が所定範囲にあ
る基板を用いることを提案した。そして特開昭５７−１
１３．４１８号公報の基板により、一応の特性と取扱性
の問題は解決されたが、高密度記録への要請は強く、よ
り一層の改善が望まれると共に、耐久性の向上も望まれ
ている。
ものとして、特開昭５７−１１３４１８号公報において
、基板表面の表面粗さのＣＬＡと突起物が所定範囲にあ
る基板を用いることを提案した。そして特開昭５７−１
１３．４１８号公報の基板により、一応の特性と取扱性
の問題は解決されたが、高密度記録への要請は強く、よ
り一層の改善が望まれると共に、耐久性の向上も望まれ
ている。
本発明はかかる現状に鑑みなされたもので基板の表面性
を改良して、良好な再生出力エンベロープを有し、かつ
再生時の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）の良く、特に高密度
記録での再生時の出力が大きく、耐久性に優れた磁気記
録媒体を目的としたもので、特に両面フレキシブルディ
スクに適した磁気記録媒体を目的としたものである。
を改良して、良好な再生出力エンベロープを有し、かつ
再生時の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）の良く、特に高密度
記録での再生時の出力が大きく、耐久性に優れた磁気記
録媒体を目的としたもので、特に両面フレキシブルディ
スクに適した磁気記録媒体を目的としたものである。
上述の目的は、以下の本発明により達成される。すなわ
ち、本発明は、可撓性高分子樹脂の基板の両面に強磁性
金属薄膜からなる記録層を形成した磁気記録媒体におい
て、前記基板の両面の表面粗さＣＬＡ（単位μ票）及び
動摩擦係数μに率班焦藁ユが次式 ％式％ を満足すると共に、前記記録層の厚みが１．５μｍ以下
であることを特徴とする磁気記録媒体である。
ち、本発明は、可撓性高分子樹脂の基板の両面に強磁性
金属薄膜からなる記録層を形成した磁気記録媒体におい
て、前記基板の両面の表面粗さＣＬＡ（単位μ票）及び
動摩擦係数μに率班焦藁ユが次式 ％式％ を満足すると共に、前記記録層の厚みが１．５μｍ以下
であることを特徴とする磁気記録媒体である。
上述の本発明は、高密度記録時の良好な再生特性と耐久
性を確保するためＫは、前述の特開昭５７−１１３４１
８号公報で開示しｆｃ ＣＬＡと突起物で表わされる表
面特性の他に、表面凹凸の周期等信の特性も検討する必
要があると考え、種々検討の結果、前述の表面凹凸の周
期等と関係すると考えられる動摩擦係数＃にが前述の再
生特性等と密接な関係を有することを見出しなされたも
のである。
性を確保するためＫは、前述の特開昭５７−１１３４１
８号公報で開示しｆｃ ＣＬＡと突起物で表わされる表
面特性の他に、表面凹凸の周期等信の特性も検討する必
要があると考え、種々検討の結果、前述の表面凹凸の周
期等と関係すると考えられる動摩擦係数＃にが前述の再
生特性等と密接な関係を有することを見出しなされたも
のである。
上述の構成において、ＣＬＡが０．００５Ｉ＋ｍより小
さくなるとハンドリング惟、走行性が、低下し、安定し
た膜形成及び記−再生が困難となる一方、ＣＬＡが０．
０１５Ｊ１ｍ１以上になると電磁変換特性が低下する。
さくなるとハンドリング惟、走行性が、低下し、安定し
た膜形成及び記−再生が困難となる一方、ＣＬＡが０．
０１５Ｊ１ｍ１以上になると電磁変換特性が低下する。
特に高密度記録時に再生出力の低下が大きい。従って、
ＣＬＡハ０．００５〜０．０１５μ肩の範囲にある必要
があり、より好ましくは、ｏ、ｏ ｏ ｓ〜０．０１０
ｐＩＩ＋の範囲である。と同時に、動摩擦係数μにが０
．３以下であることが必要である。動摩擦係数μにが０
．３を越えると、膜形成−の基板移送等で異常張力の発
生等の障害が見られると共にヘッドとの滑りの悪化によ
りエンベ一−ブ不良及び耐摩耗性の悪化を生成する。
ＣＬＡハ０．００５〜０．０１５μ肩の範囲にある必要
があり、より好ましくは、ｏ、ｏ ｏ ｓ〜０．０１０
ｐＩＩ＋の範囲である。と同時に、動摩擦係数μにが０
．３以下であることが必要である。動摩擦係数μにが０
．３を越えると、膜形成−の基板移送等で異常張力の発
生等の障害が見られると共にヘッドとの滑りの悪化によ
りエンベ一−ブ不良及び耐摩耗性の悪化を生成する。
ところで、基板表面の突起物は、再生出力の平均レベル
（エンベループ）とは直接関係しないが、実用上重要な
ドロップ７り）（Ｄ１０）と関係し、フレキシブルディ
スク等のトラック巾等で影響が異なる“。薄膜型でトラ
ック密度も高密度化するため、基板の突起物は突起高さ
ｈ（単位：μＴＮ）とその個数Ｎ（個／−）とが下式 ％式％ を満足する必要がある。また、下式 ０．２７ （ｈ でＮ＜５ を満足することが好ましく、更に好ましくは上述の０．
２７ （）１以上の突起物はＮ＝Ｏすなわち無いことで
ある。なお、ｈ ＜ ０．２７以下の微小突起はＤ ／
ｏとは関係なく、ＣＬＡに含めて評価しである。
（エンベループ）とは直接関係しないが、実用上重要な
ドロップ７り）（Ｄ１０）と関係し、フレキシブルディ
スク等のトラック巾等で影響が異なる“。薄膜型でトラ
ック密度も高密度化するため、基板の突起物は突起高さ
ｈ（単位：μＴＮ）とその個数Ｎ（個／−）とが下式 ％式％ を満足する必要がある。また、下式 ０．２７ （ｈ でＮ＜５ を満足することが好ましく、更に好ましくは上述の０．
２７ （）１以上の突起物はＮ＝Ｏすなわち無いことで
ある。なお、ｈ ＜ ０．２７以下の微小突起はＤ ／
ｏとは関係なく、ＣＬＡに含めて評価しである。
また上述の本発明の可鋳性高分子樹脂の基板には、ポリ
エチレンラボリプロピレン専のポリオレフィン、ナイｐ
７６等のポリアミド。
エチレンラボリプロピレン専のポリオレフィン、ナイｐ
７６等のポリアミド。
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−
ナフタレート尋のポリエステルその他の熱可塑性樹脂フ
ィルムが適用できる。中でも、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン−２，６−ナフタレートは、低コス
トで寸法安定性９表面性、耐熱性９機緘的特性に優れて
いる点で好ましい。
ナフタレート尋のポリエステルその他の熱可塑性樹脂フ
ィルムが適用できる。中でも、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン−２，６−ナフタレートは、低コス
トで寸法安定性９表面性、耐熱性９機緘的特性に優れて
いる点で好ましい。
記録層としては、強磁性金属連続薄膜からなるものであ
れば良く多層膜構成であっても良く、眉間に接着層など
の中間層を有するものであっても良い。但し、その全体
の膜厚は１．５μ厘以下であることカミ必要である。膜
厚が１．５μ属を越えるとその表面特性が基板の表面特
性と相違してくる場合があり、所望の特性セ得られない
場合がある。
れば良く多層膜構成であっても良く、眉間に接着層など
の中間層を有するものであっても良い。但し、その全体
の膜厚は１．５μ厘以下であることカミ必要である。膜
厚が１．５μ属を越えるとその表面特性が基板の表面特
性と相違してくる場合があり、所望の特性セ得られない
場合がある。
ところで、強磁性薄膜としては公知のものが全てが適用
できる。すなわち、従来から開発の盛んな長手記録用の
Ｆｅ ＋Ｎｉ ＋Ｃｏ及びこれらの合金膜からなる蒸着
脱勢は勿論、最近その高密度記録可能性から注目されて
いる垂直磁気記録層、式（特公昭５８−１０７６４号公
報参照）Ｋ用いる膜面に垂直方向に磁化容易軸を発現さ
れたＣｏ −Ｃｒの合金膜等からなる垂直磁化膜（特公
昭５８−９１号公報参照）等にも適用できる。
できる。すなわち、従来から開発の盛んな長手記録用の
Ｆｅ ＋Ｎｉ ＋Ｃｏ及びこれらの合金膜からなる蒸着
脱勢は勿論、最近その高密度記録可能性から注目されて
いる垂直磁気記録層、式（特公昭５８−１０７６４号公
報参照）Ｋ用いる膜面に垂直方向に磁化容易軸を発現さ
れたＣｏ −Ｃｒの合金膜等からなる垂直磁化膜（特公
昭５８−９１号公報参照）等にも適用できる。
竹にフレキシブルディスクを目標とし、両面に磁気記録
層を形成さす場合は、テープのようにバンクコートによ
り走行性を確保することはできず本発明の意義は大ぎく
、さらに記録層が前述の垂直磁化膜を基本とした垂直磁
気記録層である場合、綜記録密度、トラック密度共に高
くすることが可能であり、Ｄ／。
層を形成さす場合は、テープのようにバンクコートによ
り走行性を確保することはできず本発明の意義は大ぎく
、さらに記録層が前述の垂直磁化膜を基本とした垂直磁
気記録層である場合、綜記録密度、トラック密度共に高
くすることが可能であり、Ｄ／。
や走行耐久性の観点より本発明の効果は著し℃１゜
なお、上述の記録層の金ＩＩ４薄膜の形成手段としては
、従来より公知の真空蒸着法、イオンブレーティング法
、スパッタ法等の物理蒸着法１４解メツキ法が適用でき
る。中でもポリエステルを基板とし、前述の垂直磁気配
録層を形成して垂直磁気記録媒体を得るには低温膜形成
が可能で、且つ垂直異方住民形成が安定にできるという
点からマグネトロン式スパッタ法、あるいは特開昭５７
−１５８３８０号公報等に開示の対向ターゲット式スパ
ッタ法が好ましい。
、従来より公知の真空蒸着法、イオンブレーティング法
、スパッタ法等の物理蒸着法１４解メツキ法が適用でき
る。中でもポリエステルを基板とし、前述の垂直磁気配
録層を形成して垂直磁気記録媒体を得るには低温膜形成
が可能で、且つ垂直異方住民形成が安定にできるという
点からマグネトロン式スパッタ法、あるいは特開昭５７
−１５８３８０号公報等に開示の対向ターゲット式スパ
ッタ法が好ましい。
一方、前述した表面特性を有する基板、具体的には前述
の高分子樹脂フィルムは、前述した特開昭５７−１１３
４１８号公報に開示されたと同様にして製造することが
できる。
の高分子樹脂フィルムは、前述した特開昭５７−１１３
４１８号公報に開示されたと同様にして製造することが
できる。
すなわち、前述のフィルム表面特性を付与するためには
、例えばフィルム原料に用いる高分子中に不活性無機化
合物を添加したり、不溶性触媒残液を生成せしめたり、
機械的。
、例えばフィルム原料に用いる高分子中に不活性無機化
合物を添加したり、不溶性触媒残液を生成せしめたり、
機械的。
化学的な粗面化処理を施す等の方法がある。
不活性無機化合物とは、熱可塑性樹脂に対し不溶性であ
り、かつ反応しない物質が含まれる。配合される物質と
して１、例えばＭｇＯ＋ＺｎＯＩ ＭｇＣＯ３＋ Ｃａ
ＣＱ ＋ ＣａＳＯ４１ＢａＳＯ４１Ａｋ ０ｓｓＳｔ
０１ ＋ ｎｏ、がある。具体的には代表例としてシリ
カ、カオリン、陶土、珪藻土、炭酸カルシウム、アルミ
ノ珪酸塩およびその水和物。
り、かつ反応しない物質が含まれる。配合される物質と
して１、例えばＭｇＯ＋ＺｎＯＩ ＭｇＣＯ３＋ Ｃａ
ＣＱ ＋ ＣａＳＯ４１ＢａＳＯ４１Ａｋ ０ｓｓＳｔ
０１ ＋ ｎｏ、がある。具体的には代表例としてシリ
カ、カオリン、陶土、珪藻土、炭酸カルシウム、アルミ
ノ珪酸塩およびその水和物。
テレフタール酸カルシウム、その他力−ボンブラック、
燐酸カルシウム等が挙げられる。
燐酸カルシウム等が挙げられる。
所望とする表面特性は、添加する不活性化合物の粒度、
添加量、ａ風条件を適宜組合せることで得ることができ
る。粒度は、添加剤の粉砕および混合操作を含むこの分
野Ｋｆｆ１通した人々により行うことのできる種々の方
法で得ることができる。例えば炭酸カルシウムの場合は
、エチレングリフールのスラリーとして、分級装ｆＩ！
（例えば巴工業社製ｐ−６６０スーパーテカンター）等
を用■て分級すると得られる。テレフタール酸カルシウ
ムの場合は、せん断、圧縮、ｔｒ撃等の荷重を加えると
とＫより適当な大きさの塊状粒子を得、分級するととに
よって得られる。燐酸カルシウムの場合は、市販の燐酸
塩の分散液を調製し、サンド会ミル中で分散燐酸塩を粉
砕する。分散液は粉砕操作を一回、又はそれ以上の回数
反復してスラリー中の添加剤の粒度な所望の粒度まで下
げるととＫより得ることができる。
添加量、ａ風条件を適宜組合せることで得ることができ
る。粒度は、添加剤の粉砕および混合操作を含むこの分
野Ｋｆｆ１通した人々により行うことのできる種々の方
法で得ることができる。例えば炭酸カルシウムの場合は
、エチレングリフールのスラリーとして、分級装ｆＩ！
（例えば巴工業社製ｐ−６６０スーパーテカンター）等
を用■て分級すると得られる。テレフタール酸カルシウ
ムの場合は、せん断、圧縮、ｔｒ撃等の荷重を加えると
とＫより適当な大きさの塊状粒子を得、分級するととに
よって得られる。燐酸カルシウムの場合は、市販の燐酸
塩の分散液を調製し、サンド会ミル中で分散燐酸塩を粉
砕する。分散液は粉砕操作を一回、又はそれ以上の回数
反復してスラリー中の添加剤の粒度な所望の粒度まで下
げるととＫより得ることができる。
不活性無機化合物の添加量は、粒径分布に依存し、−人
的に決められないが、通常０．０１〜２ ｗｔチが良い
。好ましくは０．０２〜１ ｗｔ＊が良い。
的に決められないが、通常０．０１〜２ ｗｔチが良い
。好ましくは０．０２〜１ ｗｔ＊が良い。
さらに、例えばポリエステルにおいてエステル交換触媒
と安定剤との適当量の組合せ罠よって不溶性触媒残渣を
形成し、ポリエステルフィルム表面に凹凸を形成し、表
面特性を制御することもできる。。
と安定剤との適当量の組合せ罠よって不溶性触媒残渣を
形成し、ポリエステルフィルム表面に凹凸を形成し、表
面特性を制御することもできる。。
以下、フィルムの表面物性の測定法を示す。
１、ＣＬＡＣセンター・ライン・７ ヘレ−シ（Ｃｍｎ
ｔｅｒ Ｌｉｎｅ Ａｖｅｒａｇａ ） ・中心線平均
粗さ〕ＪＩＳ Ｂ ０６０１に従ってめた。すなわち市
販の触針式表面粗さ計（例えば東京精密■社＆！ ＳＵ
ＲＦＣＯＭ ｓ ｏ Ｂ ）を用い、針径２戸。
ｔｅｒ Ｌｉｎｅ Ａｖｅｒａｇａ ） ・中心線平均
粗さ〕ＪＩＳ Ｂ ０６０１に従ってめた。すなわち市
販の触針式表面粗さ計（例えば東京精密■社＆！ ＳＵ
ＲＦＣＯＭ ｓ ｏ Ｂ ）を用い、針径２戸。
針荷重０．０７１１ ｒカットオフ０．２５鰭、測定長
約２藺でＣＬＡをめた。
約２藺でＣＬＡをめた。
２ 表面突起数
表面を観察せんとするフィルム表面にアルミニウムを均
一に真空蒸着し、可視単色光多重子゛渉反射式顕微鏡を
用い、１００〜２５０倍程度で任意の１０カ所を撮り、
各写真中の突起物の突起高さに対応する突起数をめｌ−
当りに換算する。
一に真空蒸着し、可視単色光多重子゛渉反射式顕微鏡を
用い、１００〜２５０倍程度で任意の１０カ所を撮り、
各写真中の突起物の突起高さに対応する突起数をめｌ−
当りに換算する。
λ 動摩擦係数μｌ
第１図はフィル□ム走行性を評価するための動摩擦係数
μにを測定する模式図である（使用装置、゛日本自動制
御部に、に、製 ＮＪＳ１０１塁）。図面において、ｉ
ｔま繰出しリール、２はテンションコントローラー、３
゜、ｌ−，６，８，９，１１は フ リ − ロ −
ル 、今はテンション・検出機（入口）、７をまクロム
メッキ固定ピン（ａｍφ）、ｔｏＧｔテンション検出機
検出口）、１２はガイドローラ、１３は捲取りリールを
夫々示す◇ □図に示す如く、２０℃６０％ＲＨ雰囲気下で、外径６
Ｍの固定ピンに（ｔｓｚ／１８ｏ〕πラジアンで接触す
るよ５フイノトムを通し毎秒３．３箔の速さで移動摩擦
させる。そして入口テンションが３０Ｆとなるようテン
ションコントローラー２を調整した時の出ｒ′Ｉ＝１−
・ハションＴ、（ｇ４）をめ下式で動摩擦係数声を算出
する。
μにを測定する模式図である（使用装置、゛日本自動制
御部に、に、製 ＮＪＳ１０１塁）。図面において、ｉ
ｔま繰出しリール、２はテンションコントローラー、３
゜、ｌ−，６，８，９，１１は フ リ − ロ −
ル 、今はテンション・検出機（入口）、７をまクロム
メッキ固定ピン（ａｍφ）、ｔｏＧｔテンション検出機
検出口）、１２はガイドローラ、１３は捲取りリールを
夫々示す◇ □図に示す如く、２０℃６０％ＲＨ雰囲気下で、外径６
Ｍの固定ピンに（ｔｓｚ／１８ｏ〕πラジアンで接触す
るよ５フイノトムを通し毎秒３．３箔の速さで移動摩擦
させる。そして入口テンションが３０Ｆとなるようテン
ションコントローラー２を調整した時の出ｒ′Ｉ＝１−
・ハションＴ、（ｇ４）をめ下式で動摩擦係数声を算出
する。
表１に示した表面物性を有する５０７ｍ厚さのフィルム
Ｃｍ施例１〜３・比較例１〜３）を基なる軟磁性層と０
．４μ票厚さのＣｏＣｒ Ｍからなる垂直−化容易層と
の二層構造を有する垂直磁気記録媒体を以下の様に作製
した。
Ｃｍ施例１〜３・比較例１〜３）を基なる軟磁性層と０
．４μ票厚さのＣｏＣｒ Ｍからなる垂直−化容易層と
の二層構造を有する垂直磁気記録媒体を以下の様に作製
した。
、２−４０■巾の長尺の上述ＰＥＴフ
ィルムを３５０ ｗｇ’直径の６０℃に保ったキャノン
の回転に沿って連続的 に送りながら、キャンに臨設したＮｉＦｅＭｏ合金’（
Ｆｅ １ｓ ｗｔＪ ｖ Ｍｏ ４．５ ｗｔ％ ）タ
ーゲットを有するスパッタ陰極 のＮｉＦｅＭｏ膜を順次同面に形成した。得られたＮｉ
ＦｅＭｏ膜の保磁力はいずれも０．５〜１．ＯＯｅの幌
であり、飽和磁化は約６３０ ｅｍｕ／ｃｃ であった
。
の回転に沿って連続的 に送りながら、キャンに臨設したＮｉＦｅＭｏ合金’（
Ｆｅ １ｓ ｗｔＪ ｖ Ｍｏ ４．５ ｗｔ％ ）タ
ーゲットを有するスパッタ陰極 のＮｉＦｅＭｏ膜を順次同面に形成した。得られたＮｉ
ＦｅＭｏ膜の保磁力はいずれも０．５〜１．ＯＯｅの幌
であり、飽和磁化は約６３０ ｅｍｕ／ｃｃ であった
。
次に同様の操作で該ＮｉＦｅＭｏ 膜上ＩＣ０，４μ属
厚さのＣｏＣｒ膜を両面に形成した。ただしキャンの温
度は１３０℃とし、ＣｏＣｒ （Ｃｒ ２０ ｗｔＪ
）合金り一ゲットを使用した。得られたＣｏＣｒ ｉ、
の垂直方向の保磁力はいずれも４ Ｓ ００ｅ （±３
００ｓ ）であり、飽和磁化は約４００ ｅｍｕ／ ｃ
ｃ ｒ面内の飽和磁化曲縁の増磁曲縁に原点より接線を
引いてめた実効的異方性磁界（Ｈｋｅｆｆ ）は約２．
２ｋｏａであった。
厚さのＣｏＣｒ膜を両面に形成した。ただしキャンの温
度は１３０℃とし、ＣｏＣｒ （Ｃｒ ２０ ｗｔＪ
）合金り一ゲットを使用した。得られたＣｏＣｒ ｉ、
の垂直方向の保磁力はいずれも４ Ｓ ００ｅ （±３
００ｓ ）であり、飽和磁化は約４００ ｅｍｕ／ ｃ
ｃ ｒ面内の飽和磁化曲縁の増磁曲縁に原点より接線を
引いてめた実効的異方性磁界（Ｈｋｅｆｆ ）は約２．
２ｋｏａであった。
以上の様に作製した長尺媒体を５゜２５インチのフレキ
シブルディスクとし、補助磁極励磁現の垂直ヘッドで記
録再生し、再生出力値と二ンペｐ−プとエラー（Ｄｌｏ
）を評価しに０用いた主磁極は結晶化ガラス基板上にス
パッタで形成した厚さ約０．９ＢｍＨ中１７０ｆｉｍの
Ｃ。
シブルディスクとし、補助磁極励磁現の垂直ヘッドで記
録再生し、再生出力値と二ンペｐ−プとエラー（Ｄｌｏ
）を評価しに０用いた主磁極は結晶化ガラス基板上にス
パッタで形成した厚さ約０．９ＢｍＨ中１７０ｆｉｍの
Ｃ。
ＮｂＺｒ アモルファス膜であり、補助磁極はＲｈ−Ｚ
ｎ覧 フェライト棒に５０ターンの巻綜を施したものを使用し
た。又、周速は２ ｍ ／ ｓｅｃで潤滑剤を塗布し評
価しｆｃ、−結果を表−１に示した。
ｎ覧 フェライト棒に５０ターンの巻綜を施したものを使用し
た。又、周速は２ ｍ ／ ｓｅｃで潤滑剤を塗布し評
価しｆｃ、−結果を表−１に示した。
表 −１
エンベロープはディスクの一周期の再生出力をオシロス
コープのブラウン管上で観察し視覚判定した。ＣＬＡの
小さい値を有するベースフィルム程再生出力の平均値は
大きな値を有するが、μＫが０．３以上の比較例−１，
２においてはエンベロープに大きな乱れが不定期に出現
し、ヘッド−媒体間の走行性の悪さが推測された。
コープのブラウン管上で観察し視覚判定した。ＣＬＡの
小さい値を有するベースフィルム程再生出力の平均値は
大きな値を有するが、μＫが０．３以上の比較例−１，
２においてはエンベロープに大きな乱れが不定期に出現
し、ヘッド−媒体間の走行性の悪さが推測された。
耐久性は同一トランクを連続再生し、ヘッドのパス数に
対する再生出力の低下、エンベロープの乱れ、媒体摩耗
を総合評価した。μにが０．３以上、ＣＬＡが０．０１
５以上ヌは／及びＮが１０以上のものでは特に傷が発生
し易い傾向が見られた。
対する再生出力の低下、エンベロープの乱れ、媒体摩耗
を総合評価した。μにが０．３以上、ＣＬＡが０．０１
５以上ヌは／及びＮが１０以上のものでは特に傷が発生
し易い傾向が見られた。
さらに、比較例−２においては真空槽内でフィルムを巻
取った時にしわが発生し易く、又プｐ７−？ングが発生
し、厳密な張力フン）＋−−ルが必要でありハンドリン
グに問題を有した。
取った時にしわが発生し易く、又プｐ７−？ングが発生
し、厳密な張力フン）＋−−ルが必要でありハンドリン
グに問題を有した。
Ｄｌｏは、実施例−１〜３と比較例−１においては問題
ないレベルであったが、比較例−２゜３においては媒体
突起に起因するＤｌｏが片面当り数個〜数十細見〜・出
された。
ないレベルであったが、比較例−２゜３においては媒体
突起に起因するＤｌｏが片面当り数個〜数十細見〜・出
された。
以上に述べた様に、大きな再生出力値を得るとい５ｅ点
よりはフィルムは平担である方が好ましいが、薄膜形成
時のハンドリング、ヘッド−媒体間の滑り性、エンベロ
ープ、耐久性といった実用特性を満足さすには再生、出
力値を多少犠牲にしてもμにを０．３以下とする様にベ
ースフィルムの表面を設計する必要があることが判明し
た。
よりはフィルムは平担である方が好ましいが、薄膜形成
時のハンドリング、ヘッド−媒体間の滑り性、エンベロ
ープ、耐久性といった実用特性を満足さすには再生、出
力値を多少犠牲にしてもμにを０．３以下とする様にベ
ースフィルムの表面を設計する必要があることが判明し
た。
第１図はフィルム走行性を評価するための動＊ｉ係数（
ｌｌに）を測定する模式図である。 １：ｆ？ＢＢＬリール、２：テンションコントルーラ−
＋ ３＋！５ｉ６ｔ８ｔ９＋１１ ：フリールール。 ！ ： ７７ ジョン検出機（入口）９７：固定ビン、
１０：テンション検出機（出口）。
ｌｌに）を測定する模式図である。 １：ｆ？ＢＢＬリール、２：テンションコントルーラ−
＋ ３＋！５ｉ６ｔ８ｔ９＋１１ ：フリールール。 ！ ： ７７ ジョン検出機（入口）９７：固定ビン、
１０：テンション検出機（出口）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ 可撓性高分子樹脂の基板の両面に強磁性金属薄
膜からなる記録層を形成した磁気記録媒体において、前
記基板の両面の表面粗さＣＬＡ（単位μｌ１１）及び動
ｊ２！擦係数μに℃賽キ噛＃が次式 ％式％ を満足すると共に、前記記録層の厚みが１．５μ諷以下
であることを特徴とする磁気記録媒体９（２） 前記基
板両面の突起物が突起高さｈ（単位μｓ＋）と個数Ｎ（
個／ ｎｄ ）において次式０式％ を満足する特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 （３） 前記記録層が垂直磁気記録層である特許請求の
範囲第１項記載の磁気記録媒体。 （４１前記基板ポリエチレンテレフタレートもしくはポ
リエチレンナフタレートを主構成成分とする厚さ３０〜
１００μｍのフィルムである特許請求の範囲第３項記載
の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18584783A JPS6079518A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18584783A JPS6079518A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079518A true JPS6079518A (ja) | 1985-05-07 |
Family
ID=16177916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18584783A Pending JPS6079518A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079518A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271601A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-01 | Teijin Ltd | 磁気記録再生方式 |
| JPS62135339A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-18 | Diafoil Co Ltd | 磁気記録体用ポリエチレン−２，６−ナフタレ−トフイルム |
| US4908727A (en) * | 1985-06-12 | 1990-03-13 | Tdk Corporation | Disk with substrate of alumina silicate resin glass |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53106783A (en) * | 1977-03-01 | 1978-09-18 | Teijin Ltd | Polyester film with improved travelling property |
| JPS57113418A (en) * | 1981-01-05 | 1982-07-14 | Teijin Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5848249A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | Nec Corp | 垂直磁気記録体 |
-
1983
- 1983-10-06 JP JP18584783A patent/JPS6079518A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53106783A (en) * | 1977-03-01 | 1978-09-18 | Teijin Ltd | Polyester film with improved travelling property |
| JPS57113418A (en) * | 1981-01-05 | 1982-07-14 | Teijin Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5848249A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | Nec Corp | 垂直磁気記録体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271601A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-01 | Teijin Ltd | 磁気記録再生方式 |
| US4908727A (en) * | 1985-06-12 | 1990-03-13 | Tdk Corporation | Disk with substrate of alumina silicate resin glass |
| JPS62135339A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-18 | Diafoil Co Ltd | 磁気記録体用ポリエチレン−２，６−ナフタレ−トフイルム |
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