JPS6095946A - 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 - Google Patents

半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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Publication number
JPS6095946A
JPS6095946A JP58203871A JP20387183A JPS6095946A JP S6095946 A JPS6095946 A JP S6095946A JP 58203871 A JP58203871 A JP 58203871A JP 20387183 A JP20387183 A JP 20387183A JP S6095946 A JPS6095946 A JP S6095946A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
joining
bonding
semiconductor element
addition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58203871A
Other languages
English (en)
Inventor
Shozo Hayashi
林　正蔵
Shinji Shirakawa
白川　信次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Denshi Kogyo KK filed Critical Tanaka Denshi Kogyo KK
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Publication of JPS6095946A publication Critical patent/JPS6095946A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
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    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子のチップ電極と基板あるいはリード
フレームとの接続に使用するワイヤボンディング用の０
．０２〜０．０７ａｕ＋ΦΔ見輸に関する。
高純度ＡＪ、は軟かすぎて所定の引張り強度が得られな
いために、線引き加工時およびボンディング作業時にお
いて断線する不具合があり、この引張り強度を改善する
ために高純度ＡＬに各種の元素を添加することが考えら
れている。
しかしながらボンディング用ＡＬ線は引張り強度を大き
くして硬くなりずぎた場合には、ボンディング時におい
てチップ割れを起したり、潰れ巾の不安定、ネック切れ
の原因となり、あるいは添加元素の偏析によりホンディ
ング強電がバラ付いて品質の安定が得られないなどボン
ディング特性の低下をきたす不具合がある。
しかして、本発明は実験により０．０２〜０．０７ｍｍ
ΦＡ４線にあって、ボンディング特性に最適な機械的特
性、詳しくは熱処理後にお１プるＡ１１１の引張り強度
（Ｗ）及び硬さく　Ｖ　ＨＮ）であって、そのＷ＝８．
０〜１６．０（Ｋｌｌｌ　／ｍｍ’　）　、ＶｌｌＮ＝
２５〜５０の範囲であることを知り、この適正特性が得
られる添加元素及びその添加ｆｆ１（含有ｍ）をめたも
のである。
断る本発明は二種の選択した元素を添）Ｊ（１させるこ
とにより、その相乗効果によって少ない添加量で前記適
正特性に達し得る／１線を提供ぜんとするものであり、
高純度ＡＬ（９９，９％以上）に、０．２〜１．０ｗｔ
％３ｉ　と０．２〜１．５ｗｔ％Ｍｇとを添加し、両者
の含有間を０．４〜２．５ｗｔ％ならしめたことを特徴
とする。
上記３ｉ及びＭｏはＭ（１２’ｓｉの析出効果によって
引張り強さを高める。
Ｓｌ及びＭａの添加総計量がＱ、４ｗｔ％未満では前記
適正特性に至らず、２．５ＶＴｔ％を越える場合には前
記適正特性を越えてＡＬ線が硬くなりすぎ、チップ割れ
やボンディング強度のバラ付きが生ずるなどボンディン
グ特性が低下する。
以下に実施例を示す。
各試料はＡ１合金を溶解鋳造し、線引き加工により直径
０．０３ｖａΦのＡＪ、線としたものである。
各試料の添加元素及びその添加量と熱処理（３５０℃、
３０分）後の機械的特性とを次表に示す。
各試料には残部に不可避なる不純物を含むものである。
試料Ｎｏ、８及び９は３ｉ単体及びＭｏ単体を添加させ
た比較量である。
裏 この結果３ｉ　とＭａｌ）との総ｈ１含有吊を０．４〜
２，５ｗｔ％と選定した。
また３ｉ及びＭｏを少量添加するだ番ノでも適正な機械
的特性が得られることを確認できた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 線径が０．０２〜０．０７ｍｍΦのボンディング用へＬ
    ＃！であって、高純度ＡＬに０．２〜ｉ、ＱＴＩｌｔ％
    のシリコン（Ｓｉ＞と０．２〜１．５ｗｔ％のマグネシ
    ウム（Ｍｏ　）とを添加し、両者の含有量が０．４〜２
    ．５ｗｔ％であることを特徴とする半導体素子のボンデ
    ィング用ＡＪ。 線。
JP58203871A 1983-10-31 1983-10-31 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 Pending JPS6095946A (ja)

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JPS6095946A true JPS6095946A (ja) 1985-05-29

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JP58203871A Pending JPS6095946A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2530710A3 (en) * 2011-06-03 2013-10-16 Nippon Piston Ring Co., Ltd. Bonding wire, connection structure, semiconductor device and manufacturing method of same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2530710A3 (en) * 2011-06-03 2013-10-16 Nippon Piston Ring Co., Ltd. Bonding wire, connection structure, semiconductor device and manufacturing method of same

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