JPH0347768B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はバイアス電源回路に係り、特に半導
体集積回路装置の内部に設置されるバイアス電源
回路の低雑音化に関する。

第１図は従来の半導体集積回路装置のバイアス
電源部を示している。このような半導体集積回路
装置２では、その内部に定電流源４が設置され、
この定電流源４にダイオード６及び抵抗８の直列
回路を接続してその接続点に端子１０を形成し、
この端子１０と接地点との間にバイパス用コンデ
ンサ１２が接続されている。

そして、端子１０が形成された部位が集積回路
装置２の内部において、バイアス電源回路の出力
点となり、そのバイアス出力は抵抗１４，１６を
介して脱幅器１８の非反転入力端子（＋）及び反
転入力端子（−）に加えられる。また、増幅器１
８の非反転入力端子（＋）には入力端子２０が形
成され、増幅すべき信号が加えられる。

増幅器１８の出力側には、その出力を直接或い
は図示していない増幅器で増幅等の処理をした後
取出す出力端子２２が形成されている。また、定
電流源４及び増幅器１８の正側電位ライン側には
電源端子２４、共通ライン側には接地される共通
端子２６が形成され、これら端子２４，２６間に
は駆動電圧Ｖc.c.が加えられる。

このようなバイアス電源回路では、定電流源４
の雑音成分を除くため、大きな容量のバイパス用
コンデンサ１２が必要となり、半導体集積回路装
置２にはそれを接続するための端子１０が必要で
ある。

一般に、高周波増幅回路では、帯域増幅がその
殆どを占めている。定電流源の雑音は、広い帯域
に不規則に分布しているが、帯域増幅回路に用い
る場合には、その帯域内に雑音が入らなければ良
い。そこで、バイアス電源回路に定電流源を設置
した場合、帯域内の雑音成分の除去で十分であ
る。

そこで、この発明は、低雑音化を図つたバイア
ス電源回路の提供を目的とする 即ち、この発明のバイアス電源回路は、定電流
源３０によつて定電流が供給されることにより一
定の順方向降下電圧を発生する第１のダイオード
２８と、このダイオードの前記順方向降下電圧で
バイアスが設定されて前記定電流源に流れる定電
流に対応する定電流を流すトランジスタ３２と、
前記ダイオードと前記定電流源との接続点と前記
トランジスタのベースとの間に介挿された抵抗３
４と、前記トランジスタのベース・コレクタ間に
設置された雑音吸収用コンデンサ３８と、前記ト
ランジスタに直列に接続されて前記トランジスタ
に流れる電流によつてバイアス電圧を発生させる
第２のダイオード３５とを備えたものである。

以下、この発明を図面に示した実施例を参照し
て詳細に説明する。

第２図はこの発明のバイアス電源回路の実施例
を示し、第１図に示す半導体集積回路装置と同一
部分には同一符号を付している。

第２図において、この半導体集積回路装置２で
は、電源端子２４が形成された正側電位ライン
と、共通端子２６が形成された共通ラインとの間
には、第１のダイオード２８を介して定電流源３
０が接続され、ダイオード２８のカソードには、
トランジスタ３２のベースがその入力部に抵抗３
４を介して接続されている。

トランジスタ３２はPNP型トランジスタで構
成され、そのエミツタは正側電位ラインに接続さ
れ、そののコレクタと共通ラインとの間には第２
のダイオード３５及び抵抗３６の直列回路が接続
されている。そして、トランジスタ３２のベー
ス・コレクタ間には、雑音吸収用コンデンサ３８
が接続されている。このコンデンサ３８は、ダイ
オード２８，３５、定電流源３０、トランジスタ
３２及び抵抗３４，３６とともに、半導体集積回
路装置２の内部に形成される容量素子で構成され
ている。

このような構成によれば、外部接続されるコン
デンサ及びそのための端子を除き、半導体集積回
路装置２の内部の素子である抵抗３４及びコンデ
ンサ３８のフイルタ効果で定電流源３０の雑音を
除くことができ、バイアス電源回路の低雑音化を
図ることができる。

ここで、トランンジスタ３２の直流ゲインを
Av、抵抗３４の値をＲ、コンデンサ３８の容量
をＣとすると、トランジスタ３２及びコンデンサ
３８によるミラー効果により、雑音低減周波数
は、 ＝１／Ｒ・Ｃ・Av で決定される。従つて、各種増幅器のバイアス電
源回路として使用すれば、前記周波数以上では
低雑音化を図ることができる。特に、特定周波数
帯域で効果的に雑音の減衰ができ、高周波増幅回
路を構成する帯域増幅器において、極めて有効で
あるが、オーデイオ増幅器にも使用することがで
きる。

第３図はこの発明の他の実施例を示し、この実
施例では、トランジスタ３２のベース・エミツタ
間にも、半導体集積回路装置２の内部素子で充当
されるコンデンサ４０が設置されている。

このように構成すれば、より効果的に低雑音化
を図ることができる。

以上説明したように、この発明によれば、半導
体集積回路装置の内部素子のみで低雑音化を図る
ことができ、従来の外付けされるバイアス用コン
デンサ及びその接続のための端子を省略して構成
の簡略化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のバイアス電源回路を示す回路
図、第２図はこの発明のバイアス電源回路の実施
例を示す回路図、第３図はこの発明のバイアス電
源回路の他の実施例を示す回路図である。 ２８……第１のダイオード、３０……定電流
源、３２……トランジスタ、３４……抵抗、３５
……第２のダイオード、３８……雑音吸収用コン
デンサ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 定電流源によつて定電流が供給されることに
   より一定の順方向降下電圧を発生する第１のダイ
   オードと、 このダイオードの前記順方向降下電圧でバイア
   スが設定されて前記定電流源に流れる定電流に対
   応する定電流を流すトランジスタと、 前記ダイオードと前記定電流源との接続点と前
   記トランジスタのベースとの間に介挿された抵抗
   と、 前記トランジスタのベース・コレクタ間に設置
   された雑音吸収用コンデンサと、 前記トランジスタに直列に接続されて前記トラ
   ンジスタに流れる電流によつてバイアス電圧を発
   生させる第２のダイオードと、 を備えたことを特徴とするバイアス電源回路。 ２ 前記トランジスタのベース・コレクタ間に半
   導体集積回路装置の内部に形成されたコンデンサ
   を設置したことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項に記載のバイアス電源回路。