JPS60176312A - バイアス電源回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はハイ−１ス電源回路に係り、特に半導体集積
１１引１１δ装置の内部に設置されるバイアス電源回路
の低雑音化に関する。

第１図は従来の半導体集積回路装置のバイアス電源部を
示し′ζいる。このような半導体集積回路装置２では、
その内部に定電流源４が設置され、この定電流源４にダ
イオ−１”　６及び抵抗８の直列回路を接続してその接
続点に端子１０を形成し、この端子１０と接地点との間
にバイパス用コンデンザ１２が接続されている。

そして、端子１０が形成された部位が集積回路装置２の
内部において、バイアス電源回路の出力点となり、その
バイアス出力は抵抗１４．１６を介して増幅器１８の非
反転入力端子（（−）及び反転入力端子（−）に加えら
れる。また、増幅器１８の非反転入力端子（」−）には
入力端子２０が形成され、増幅すべき信号が加えられる
。

増幅器Ｉ８の出力側には、その出力を直接或いは図示し
ていない増幅器で増幅等の処理をした後取出す出力端子
２２が形成されている。また、定電流源４及び増幅器１
８の正側電位ライン側には電源端子２４、共通ライン側
には接地される共通端子２６が形成され、これら端子２
４．２６間には駆動電圧Ｖ’ｃｃが加えられる。

このようなバイアス電源回路では、定電流源４のＩｌｌ
　Ｍ成分を除（ため、大きな容量のバイパス用コンデン
サ１２が必要となり、半導体集積回路装置２にはそれを
接続するための端子１０が必要である。

一般に、高周波増幅回路では、帯域増幅がその殆とを占
めている。定電流源の雑音は、広い帯域に不規則に分布
しているが、帯域増幅回路に用いる場合には、その帯域
内に雑音が入らな＆Ｊれば良い。そこで、バイアス電源
回路に定電流源を設置した場合、帯域内の雑音成分の除
去で十分である。

この発明は定電流源を設置して構成されるバイアス電源
回路の低雑音化を目的とする。

この発明は、定電流源で電流が引かれ一定の順方向降下
電圧を発生ずるダイオードと、このダイオード−の順方
向降下電圧でバイアスが設定され前記定電流源に流れる
電流を反転するトランジスタと、このトランジスタのベ
ース入力部に設置された抵抗と、前記トランジスタのベ
ース・コレクタ間に設置された雑音吸収用コンデンサと
、前記トランジスタの定電流出力側に設置されたタイオ
ードとから構成したことを特徴とする。

以下、この発明を図面に示した実施例を参照して詳細に
説明する。

第２図はこの発明のバイアス電源回路の実施例を示し、
第１図に示す半導体集積回路装置と同一部分には同一符
号を付しである。

第２図において、この半導体集積回路装置２では、電源
端子２４が形成された正側電位ラインと、共通端子２６
が形成された共通ラインとの間には、ダイオード２８を
介して定電流源３０が接続され、ダイオード２８のカソ
ードには、トランジスタ３２のベースがその人力部に抵
抗３４を介して接続されている。

トランジスタ３２はＰＮＰ型トランジスタで構成され、
そのエミッタは正側電位ラインに接続され、そのコレク
タと共通ラインとの間にはダイオード３５及び抵抗３６
の直列回路が接続されている。そしζ、トランジスタ３
２のベース・コレクタ間には、ｉ′ＩＩ：音吸収用コン
デンサ３８が接続されでいる。このコンデンジ“３８は
、ダイオード２８．３５、定電流源３０、トランジスタ
３２及び抵抗３４．３６とともに、半導体集積回路装置
２の内部に形成される容量素子で構成されている。

このような構成によれば、外部接続されるコンデンサ及
びそのためのα１）１子を除き、半導体集積回路装置２
の内部の素子である抵抗３４及びコンデンサ３８のフィ
ルタ効果で定電流源３０の雑音を除くことができ、ハイ
アノ、電源ｌｉＪ路の低り１（凸化を図ることができる
。

ここで、トランジスタ３２の直流ゲインをＡＶ、抵抗３
４の値をＲ、コンデンサ３８の容量をＣとすると、ｌ・
ランジスク３２及びコンデンサ３８によるミラー効果に
より、雑音低減周波数ｆは、ｆ　＝＝Ｉ　／　Ｒ−Ｃ−
Ａ　ｖ で決定される。従って、各種増幅器のバイアス電源回路
として使用すれば、前記周波数ｆ以上では低雑音化を図
ることができる。特に、特定周波数帯域で効果的に雑音
の減衰ができ、高周波増幅回路を構成する帯域増幅器に
おいて、極めて有効であるが、オーディオ増幅器にも使
用することができる。

第３図はこの発明の他の実施例を示し、この実施例では
、トランジスタ３２のベース・エミッタ間にも、半導体
集積回路装置２の内部素子で充当されるコンデンサ４０
が設置されている。

このように構成すれば、より効果的に低雑音化を図るこ
とができる。

以上説明したようにこの発明によれば、半導体集積回路
装置の内部素子のみで低雑音のバイアス電源回路を構成
することができ、従来の外イさ１けされるバイパス用コ
ンデ７号及びその接続のためのαＩｌｌ子を省略できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のバイアス電源回路を示す回路図、第２図
はこの発明のバイアス電源回路の実施例を示す回路図、
第３図はこの発明のバイアス電源回路の他の実施例を示
す回路図である。 ２・・・半導体集積回路装置、２８．３５・・・ダイオ
ード、３ｏ・・・定電流源、３２・・・トランジスタ、
３４・・・抵抗、３日、４ｏ・・コンデンサ。 第１図 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）定電流源で電流が引かれ一定の順方向降下電圧を
   発生ずるダイオ−］′と、このダイオードの順方向降下
   電圧でバイアスが設定され前記定電流源に流れる電流を
   反転するトランジスタ止、このトランジスタのベース入
   力部に設置された抵抗と、前記トランジスタのベース・
   コレクタ間に設置された雑音吸収用コンデンサと、前記
   トランジスタの定電流出力側に設置されたダ・イオー］
   ゛′とから構成したごとを特徴とするバイアス電源回路
   。
2. （２）前記トランジスタのベース・コレクタ間に半導体
   集積回路装置の内部に形成されたコンデンサを設置した
   ごとを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のバイア
   ス電源回路。