JPH0347891A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH0347891A JPH0347891A JP1200047A JP20004789A JPH0347891A JP H0347891 A JPH0347891 A JP H0347891A JP 1200047 A JP1200047 A JP 1200047A JP 20004789 A JP20004789 A JP 20004789A JP H0347891 A JPH0347891 A JP H0347891A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（イ）産業上の利用分野
本発明は、強誘電性液晶組成物に関するものであり、こ
とに大容量表示に適した高速応答性やメモリ特性を有す
る強誘電性液晶組成物に関する。 （ロ）従来の技術 従来の液晶表示素子としては、′Ｉ″Ｎ（ツィステッド
ネマチック）型、５ＴＮ（スーパーツィステッドネマ
チック）型、ＤＳ’ｌ”（ダブルレイヤースーパーツィ
ステッドネマチック）型、アクティブマトリックス型等
のネマチック液晶を利用したものが主流であるが、ＴＮ
型、ＳＴＮ型、Ｉ）ＳＴ型は、何れム、その閾値マージ
ンの制限のために１０００ライン以上の大表示容量化す
ることは困難である。 また、アクティブマトリックス型は、パネルの構造の複
雑さ故にコストが高くまた、生産」二の歩留まり等に問
題がある。加え−ｉｒ、’ｌ’ Ｎ、Ｓ Ｔ Ｎ、Ｉ）
Ｓ Ｔアクティブマトリックスのいずれの方式に於い
ても液晶の表示原理として゛ｒＮモードを使用する限り
“視ｆＩＪが狭い”という欠点が存在する。 これに対して、カイラルスメクチックＣ相の強誘電性液
晶を使用する５ＳＦ（ザーフェイス スタビライズド
フェロエレクトリック）型強誘電性液晶表示（Ｎ、Ａ、
Ｃ１ａｒｋ ｅｔ ａｌ、、Ａｐｐｌ、ｒ’ｂｙｓ、Ｌ
ｃＬｔ、。 ３６．８９９（１９８０））の場合、電界に対する液晶
分子の応答のモードが従来のネマチック相を利用した液
晶表示素子とは、まったく異なっている。そのため、従
来のネマチック液晶で得られなかった高速応答性とメモ
リ性が得られ、これを利用することにより大容量の表示
が可能となり、また、従来のネマチック型液晶に比べて
視角が広いという利点も存在する。 （ハ）発明が解決し、にうとする課題 強誘電性液晶素子に用いられる液晶＋Ａ３！Ｅ＋に要求
される物性及び特性は、非常に多く、 ■従来のネマヂック液晶表示素子と同様の室温付近の広
い温度範囲内での動作及び保存ができること、 ■化学的に安定であること、 ■低い電圧で駆動できること、 ■１０００ライン以上の走査線数を持つ表示素子として
フリッカのない表示品位を得るχ冒こ必要な高速のメモ
リ特性を持つこと、 ■配向性の良いこと、 ■適切なチルト角を有すること、 等の条件を満たずことが望まれる。 しかしながら、現状では、単一化合物で全ての望まれる
条件を満たずことはきわめて困難であり、通常複数の化
合物を混合し、液晶組成物として素子に適用している。 現在、この要求を満たずような液晶を作製するために、 ■自発分極の大きな化合物をスメクチックＣ相を呈する
液晶組成物に添加するあるいは、■極めて高速な応答及
びメモリ特性を持つ化合物に粘度を下げる化合物や転移
温度を調整する化合物を添加する、 といった手法がしばしば用いられている。 しかしながら現段階では、大容量表示に必要な高速応答
性が得られているとは言えず、また、メモリ角も小さい
値しか得られていない場合が非常に多い。 また、強誘電性液晶のメモリ性に関し一ζは、１９８７
４１；第１３回液晶３；］論会に於：Ｊろ吉［１１らに
、１；ろ発表（シ１１４演番号２ＺＩ５講演予稿集１４
２−目３頁）に示されろ、にうに高速応答性の発現に必
要と考えられる自発分極Ｐｓの大きな飼料は、双安定な
メモリ状態を得るごとが困難といっノこ問題点も存在し
ている。 本発明は、この様な状況下に於いてなされたものであり
、従来の方法で改善できなかった応答特性、メモリ特性
といった特性を従来の方法とはまったく異なった視点に
括づいて改善ｄ′るごとをＱ図したらのである。 （ニ）課題を解決するための手段 本発明者らは、強誘電性液晶素子に於ける応答特性、メ
モリ特性といった特性が単に、液晶材１４のバルク的性
質や配向技術、セルの構成のみに、にっで支配されてい
るのではなく、液晶と基板との界面での相互作用に強く
支配されているはずであると考え、この液晶と基板間の
相互作用部分を改良する事により、素子特性を向上さｌ
ることを意図して鋭意研究を行った。 その結果、ベースとなる強誘電性液晶組成物（以下、こ
の組成物をベース液晶と呼ぶ）中に、フルオロアルギル
基含有液晶性化合物又は、液晶相溶性化合物を特定の微
量添加することにより、応答特性及びメモリ特性が著し
く改善されノコ強誘電性液晶組成物が得られる事実を見
出し本発明に到達した。 なお、本発明で用いるフルオロアルキル基含有の液晶性
化合物又は液晶相溶性化合物の−・部は、それ自体カイ
ラルスメクチック液晶として知られており（特開昭６３
−２７４５１号公報）、また他の液晶組成物中に２〜９
重徂％程度迄含有さ什ることム知られている（１９８８
年第１４回液晶洞論会向殿、講演番号ＩＢＩ １４予稿
集、第４２−４３頁）。しかし、１重バ１％以ドという
微Ｉｎの添加（」全く行われておら°４゛、またそれに
よる効果し知られ一〇いない。 かくして本発明に、にれば、スメクチックＣ相を呈４”
るベース液晶に末端にフルオロアルキル基含有の液晶性
化合物又は液晶相溶性化合物を０．０１〜１重量％含有
してなる強誘電性液晶組成物が提ＩＪ（される。 本発明で、フルオロアルキル括含有液晶性化合物やその
類似化合物はその化合物自体の液晶Ｖ１やカイラル性を
利用するらのではなく、０１１記化合物の末端フルオ［
７アルギルＪルによる液晶＋Ａｔ１とＪ、（板界面間の
相！ｊ０作用の改１９を意図し〕こムのである、。 従って、フルオロアルギル乱を提供でき、かつ、ベース
液晶の相転移ｔｌｌＡ度や相系列の物性等に悪影響を及
ぼさずかつ、その中に分離することなく相溶し、かつベ
ース液晶と反応しない乙のであればよく、液晶性やカイ
ラル性を有さない液晶性化合物ら１去く使用４°ろこと
が−ζきろ、。 かかるフルオ［ｌアルキル基含有液晶性化合物又は、液
晶相溶性化合物の具体例としては、２１ｉ１１ｉの含六
員環基を２以」−含何しかつ末端にＣｎＦ２ｎ。 （ｎは１〜１０）で示されるフル第１１アルギルＪ、Ｉ
；を少なくと乙−つ含ｆ丁する化合物（グループΔ）や
、ステロイド骨格を一つ以」二含Ｙｊシ、かつＣ１、Ｐ
２１、。 基を少なくと乙−フ含有する化合物（クループ１３）が
ントげられる。 」６記グループΔの化合物の例としては、上式（１）： ％式％ （１） ビリダノン、ピラジノ又は［２，２，２］−ピンク〔２
オクタン環（ただし、これら水素１ｊｉｆ子の−・っ以
ｊ。 がＦ、 Ｃ１，Ｄｒ、 ＣＮ、 Ｃ１１３，ＣＩＩ＝０
． ＮＯｘ等で置換されていてらよい）： １目よ、炭素数１〜１２の直鎖らしくは分岐のアルギル
又はパーフルオ［ｌアルキル基：Δは、一つの結合手ら
しくは、基−〇 ＣＯＯＯＣＯＣＩ−１ｔ ０ 、 ＯＣＨ２Ｃ−Ｃ−
又は、−ＣＩＬ−ＣＩ−１，−：
とに大容量表示に適した高速応答性やメモリ特性を有す
る強誘電性液晶組成物に関する。 （ロ）従来の技術 従来の液晶表示素子としては、′Ｉ″Ｎ（ツィステッド
ネマチック）型、５ＴＮ（スーパーツィステッドネマ
チック）型、ＤＳ’ｌ”（ダブルレイヤースーパーツィ
ステッドネマチック）型、アクティブマトリックス型等
のネマチック液晶を利用したものが主流であるが、ＴＮ
型、ＳＴＮ型、Ｉ）ＳＴ型は、何れム、その閾値マージ
ンの制限のために１０００ライン以上の大表示容量化す
ることは困難である。 また、アクティブマトリックス型は、パネルの構造の複
雑さ故にコストが高くまた、生産」二の歩留まり等に問
題がある。加え−ｉｒ、’ｌ’ Ｎ、Ｓ Ｔ Ｎ、Ｉ）
Ｓ Ｔアクティブマトリックスのいずれの方式に於い
ても液晶の表示原理として゛ｒＮモードを使用する限り
“視ｆＩＪが狭い”という欠点が存在する。 これに対して、カイラルスメクチックＣ相の強誘電性液
晶を使用する５ＳＦ（ザーフェイス スタビライズド
フェロエレクトリック）型強誘電性液晶表示（Ｎ、Ａ、
Ｃ１ａｒｋ ｅｔ ａｌ、、Ａｐｐｌ、ｒ’ｂｙｓ、Ｌ
ｃＬｔ、。 ３６．８９９（１９８０））の場合、電界に対する液晶
分子の応答のモードが従来のネマチック相を利用した液
晶表示素子とは、まったく異なっている。そのため、従
来のネマチック液晶で得られなかった高速応答性とメモ
リ性が得られ、これを利用することにより大容量の表示
が可能となり、また、従来のネマチック型液晶に比べて
視角が広いという利点も存在する。 （ハ）発明が解決し、にうとする課題 強誘電性液晶素子に用いられる液晶＋Ａ３！Ｅ＋に要求
される物性及び特性は、非常に多く、 ■従来のネマヂック液晶表示素子と同様の室温付近の広
い温度範囲内での動作及び保存ができること、 ■化学的に安定であること、 ■低い電圧で駆動できること、 ■１０００ライン以上の走査線数を持つ表示素子として
フリッカのない表示品位を得るχ冒こ必要な高速のメモ
リ特性を持つこと、 ■配向性の良いこと、 ■適切なチルト角を有すること、 等の条件を満たずことが望まれる。 しかしながら、現状では、単一化合物で全ての望まれる
条件を満たずことはきわめて困難であり、通常複数の化
合物を混合し、液晶組成物として素子に適用している。 現在、この要求を満たずような液晶を作製するために、 ■自発分極の大きな化合物をスメクチックＣ相を呈する
液晶組成物に添加するあるいは、■極めて高速な応答及
びメモリ特性を持つ化合物に粘度を下げる化合物や転移
温度を調整する化合物を添加する、 といった手法がしばしば用いられている。 しかしながら現段階では、大容量表示に必要な高速応答
性が得られているとは言えず、また、メモリ角も小さい
値しか得られていない場合が非常に多い。 また、強誘電性液晶のメモリ性に関し一ζは、１９８７
４１；第１３回液晶３；］論会に於：Ｊろ吉［１１らに
、１；ろ発表（シ１１４演番号２ＺＩ５講演予稿集１４
２−目３頁）に示されろ、にうに高速応答性の発現に必
要と考えられる自発分極Ｐｓの大きな飼料は、双安定な
メモリ状態を得るごとが困難といっノこ問題点も存在し
ている。 本発明は、この様な状況下に於いてなされたものであり
、従来の方法で改善できなかった応答特性、メモリ特性
といった特性を従来の方法とはまったく異なった視点に
括づいて改善ｄ′るごとをＱ図したらのである。 （ニ）課題を解決するための手段 本発明者らは、強誘電性液晶素子に於ける応答特性、メ
モリ特性といった特性が単に、液晶材１４のバルク的性
質や配向技術、セルの構成のみに、にっで支配されてい
るのではなく、液晶と基板との界面での相互作用に強く
支配されているはずであると考え、この液晶と基板間の
相互作用部分を改良する事により、素子特性を向上さｌ
ることを意図して鋭意研究を行った。 その結果、ベースとなる強誘電性液晶組成物（以下、こ
の組成物をベース液晶と呼ぶ）中に、フルオロアルギル
基含有液晶性化合物又は、液晶相溶性化合物を特定の微
量添加することにより、応答特性及びメモリ特性が著し
く改善されノコ強誘電性液晶組成物が得られる事実を見
出し本発明に到達した。 なお、本発明で用いるフルオロアルキル基含有の液晶性
化合物又は液晶相溶性化合物の−・部は、それ自体カイ
ラルスメクチック液晶として知られており（特開昭６３
−２７４５１号公報）、また他の液晶組成物中に２〜９
重徂％程度迄含有さ什ることム知られている（１９８８
年第１４回液晶洞論会向殿、講演番号ＩＢＩ １４予稿
集、第４２−４３頁）。しかし、１重バ１％以ドという
微Ｉｎの添加（」全く行われておら°４゛、またそれに
よる効果し知られ一〇いない。 かくして本発明に、にれば、スメクチックＣ相を呈４”
るベース液晶に末端にフルオロアルキル基含有の液晶性
化合物又は液晶相溶性化合物を０．０１〜１重量％含有
してなる強誘電性液晶組成物が提ＩＪ（される。 本発明で、フルオロアルキル括含有液晶性化合物やその
類似化合物はその化合物自体の液晶Ｖ１やカイラル性を
利用するらのではなく、０１１記化合物の末端フルオ［
７アルギルＪルによる液晶＋Ａｔ１とＪ、（板界面間の
相！ｊ０作用の改１９を意図し〕こムのである、。 従って、フルオロアルギル乱を提供でき、かつ、ベース
液晶の相転移ｔｌｌＡ度や相系列の物性等に悪影響を及
ぼさずかつ、その中に分離することなく相溶し、かつベ
ース液晶と反応しない乙のであればよく、液晶性やカイ
ラル性を有さない液晶性化合物ら１去く使用４°ろこと
が−ζきろ、。 かかるフルオ［ｌアルキル基含有液晶性化合物又は、液
晶相溶性化合物の具体例としては、２１ｉ１１ｉの含六
員環基を２以」−含何しかつ末端にＣｎＦ２ｎ。 （ｎは１〜１０）で示されるフル第１１アルギルＪ、Ｉ
；を少なくと乙−つ含ｆ丁する化合物（グループΔ）や
、ステロイド骨格を一つ以」二含Ｙｊシ、かつＣ１、Ｐ
２１、。 基を少なくと乙−フ含有する化合物（クループ１３）が
ントげられる。 」６記グループΔの化合物の例としては、上式（１）： ％式％ （１） ビリダノン、ピラジノ又は［２，２，２］−ピンク〔２
オクタン環（ただし、これら水素１ｊｉｆ子の−・っ以
ｊ。 がＦ、 Ｃ１，Ｄｒ、 ＣＮ、 Ｃ１１３，ＣＩＩ＝０
． ＮＯｘ等で置換されていてらよい）： １目よ、炭素数１〜１２の直鎖らしくは分岐のアルギル
又はパーフルオ［ｌアルキル基：Δは、一つの結合手ら
しくは、基−〇 ＣＯＯＯＣＯＣＩ−１ｔ ０ 、 ＯＣＨ２Ｃ−Ｃ−
又は、−ＣＩＬ−ＣＩ−１，−：
【３及びＢ′は、各々
一つの結合手もしくは、基ＣＯＯ−−ＯＣＯ−−Ｃｉｔ
２０ ＝ＯＣ１ｌｔ−−ｃヨＣ−又は、 ＣＩＬＣＩ
１２ ：０は、一つの結合手もしくは、Ｊｉｌ’ −Ｏ
ＣＯＯ−−ＯＣＯ−−Ｉｌｌ 、 ＯＩｔｃｏｏｎ
、−又は ＯＣ０１え、−（式中、Ｒ１は炭素数ｌ〜８の直鎖もし
くは分岐のアルキレン基） ｍは０又はｌの整数］ で表わされる液晶性化合物又は液晶相溶性化合物が挙げ
られる。これらのう”＞ｋＴましいものとしては、下記
に例示される化合物が挙げられる。 Ｃ４ｔｌａＯ＋ Ｃ００＋ ＣＯＯＣｔｔｌ ａ Ｃａ
Ｆ。 ｃ、ＩＩＧｏ−（列ｃｏｏ舎ＣｏｏＣｆｌｅｅ。１？１
１に、＋１９０舎ｃｏｏ舎Ｃ００ＣｔＩＩａＣＩＩＦ１
ａＣ、ｌ−Ｉ Ｄ Ｏｅ ＣＯＯ金ＣＯＯＣ、ｌｌ 、
Ｃｌ ０１）？Ｃｅ１１．７０舎ｃｏｏ（防ｃｏｏｃｔ
ｏ、ｃ、Ｆ。 Ｃ５ｔｌ １７０＋ｃ ００ ＋ ＣＯＯＣＩＩ ｔｃ
ｏＦ 、１Ｃ，１１，７０−分ＣＯＯ＜濾Ｃ００Ｃ，Ｉ
１．Ｃ１１？１□Ｃ♂ｌ＋、７０ 舎ｃｏｏ 舎Ｃ００
Ｃ，Ｉ＋４（ン、、Ｆ。 ＣＩＬＯ％ｏｏｃ ☆ ｃｏｏｃン１＋１４（ンａＦｎ
Ｃ茜０（防ｏｏｃ舎Ｃ００Ｃｔｌｌ−Ｃ＋Ｆ。 ｃ、ｏ、ｏ（防ｏｏｃｇ Ｃ００Ｃ，Ｉｌ、Ｃ，Ｆｆｌ
Ｃｎ １１ ＋７０ ＋ ＯＯＣ＋ ＣＯＯＣｔ ＩＩ
４Ｃ、Ｆ 。 Ｃａｌ−ＩｌｙＯ悠）−００Ｃ−條００００．Ｉ１．Ｃ
７Ｆｌｌ＋Ｃｄｌ＋７０舎００ Ｃ＋ Ｃ００Ｃ！ Ｉ
Ｉ ａ Ｇ ＋、＋ Ｆ ｔＣｓｌｌ＋ｔＯ舎００ Ｃ
０ＣＨｔ Ｃｔ Ｆ ｓＣ，１１，７０−べ＋巨？Ｃ０
０Ｃ１ＬＣＰ＋ａＣ＋ ｏ ｌＩ ｔ ＋ Ｏ＋ に
ＩＩ ｔ Ｏ＋ＣＸＣＯＯ（：ｌｌ ｔ Ｃｅ Ｆ ＋
ｓＣ，Ｈ１ｔＯ介ＯＣＯ％ ＣＯＯＣ１，ｌＩＣ，Ｆ
、３Ｃ６Ｈ１＊０ｇ０ＣＯ（Ｉ）−ＣＯＯＣＩ−１，Ｃ
１，１，Ｃ，Ｆ。 ｃｎｐ＋ａｃ＋＋ｔｏや刈５Ｊ−ＯＣＬ１ｍ舎Ｃ００Ｃ
，Ｉ＋、７Ｃ＋＋ｌ＋＋、０＜Ｃ００Ｃ，１１，ｃ＋ａ
Ｆ＋ＣＢ＋’ｌｌ？Ｏ舎【刈Ｃ００ＣＨ，Ｃａｔ２．３
Ｃｅ ｌｌ ＋ ７０ ｕ ＣＯＯＣ＊ Ｉｌ４ Ｃｏ
Ｆ ＋ ｓＣｓ ＩＩ ｌ ？ Ｏ＋ ＣＯＯＣｔ
ＩＩ ａ Ｇ ４ Ｆ ａＣｅ Ｉｌ ＋ｔ Ｏ＋ Ｃ
００Ｃｔ Ｉｌ ａ Ｃｅ Ｐ １ｑ０５出、ｏ−／、
二二＋シ〉←ＣＯＯＣｙ Ｉ ＋ ４ （ン１１１’１
４１Ｃ，，Ｆ 、＋＋Ｃ，１１，０ｄ ＣＯＯＣａ１ｌ
＋７ＮＣＣＮ ＣｕＦ １１にＩＩｔＯ（ンＯ−◎−ＣモＦ（ニー◎
＠）−に 、、、１ｌＦｃ＋ｏ＋−＋ｔ＋＋ｏ ｃｔ−
＋ｖｃ、Ｆ＊ＣＦ、 ＜防ｃｏｏ舎Ｃ３Ｉ−１１１ ＣＦ剖Ｔ７ ｃ ｏ ｏ ＜阪Ｃ，ｌ＋、１ｃｐ３ｏ−
＠防ＣＯＯ＋ Ｃａ Ｈ ＣＦｎＯ今ｃｏｏ合Ｃｓ ｔ（、コ ＣＩ Ｆ ５０ ＋ ＣＯＯ＋Ｃ！ １−１ｃ 、ｐ
Ｄ Ｏ−（ｇ列Ｃ００−◎−ＣＪＩ＋１ｃｐ３（（防ｃ
ｏ ｏ ＋ｏ ｃ Ｏ＋ Ｃｐ。 ＣＦ、Ｏ介ｃ ｏ Ｏ＋ ＯＣＯ−＠沢０ＣＦｓＣｄ？
５０−４程Ｃ００（防ｏｃｏ舎ＯＣｔ Ｆ ｓ・方、グ
ループ１３の化合物としては、例えば１・。 式のらのが挙げられる。 １ 本発明においては、上記末端フルオロアルキル基含宵化
合物は、スメクチックＣ相を呈するベース液晶中に添加
される。ここで添加ｍは０．０１〜１重量％とされる。 フルオロアルキル基含有化合物の添加量は、添加の対象
となる強誘電性液晶化合物あるいは、フルオロアルキル
含有化合物がそれぞれにより特性改善をする上で有効な
範囲が存在するが、概して０．０１重量％未満ては、応
答性やメモリ特性の改善効果が不充分で適さず、まノご
１重量％超で（Ｊベース液晶の相系列や配向性等への悪
影響が生じることがあるため適さない。それ故に、高速
応答性や優れたメモリ特性を得るためには、０．０１〜
１重量％とするのが好ましい。 ここで添加の対象となるスメクチックＣ相を呈する強誘
電性液晶としては、当該分野で知られた種々のスメクチ
ック液晶やその混合物を用いることができ、その成分中
には少なくとも一種以」二の光学活性化合物が含まれる
ごとが必要である。その具体例としては、下式（１）、
（１１）及び（ＩＶ ）２ て示される化合物が挙げられる。 ・・・ （１１） ・・・（ＩＩ＋ ） （式中、■）及びＦは、それぞれ、単結合またはＣ０Ｏ
−−−ＯＣＯ−−ＣＩｌ＝ＣＩＩ−ＣＯＯ−−０ＣＯ−
ＣＩＩＣｌｌ−−０−−−３−−０ＣＯＯ−らしくは−
ＣＯ−の基を示４”。Ｅ及びＧは、それぞれ、単結合又
はＣ００−−ＯＣＯ−−ＣＩＩ＝ｌｌ−−Ｎ＝Ｃ１１−
−−ＣＩｌ＝Ｃ１ｌ −Ｃ＝Ｃ−−ＣＩＩ＝ＣＩＩ−
ＣＯＯ−−０ＣＯ−ＣＩＩＣｌｌ−−Ｃ１１，ＣＩ＋２
−−ＯＣｌｌ、−−Ｃ１１，０−−−ＣＯ３もしくは一
５ＯＣ−の基を示す。） ０１■および６）は、それぞれ独立して、ベンゼン環、
ピリジン環、ピリミジン環、ビラジン環、ピリダジン環
、ピペラジン環、シフ［ｌヘキサン環、ピラン環、ジオ
ギザシクロヘキザン環、デアピラン環、ジヂアン環、デ
アジアジン環、ビンクロ［２，２，２］オクタン環、テ
トラジン環等の六員環を示し、これらの六員環中の水素
原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノノル
、ニトロ拮、低級アルキル基、低級アルコキシＪＩ（又
は重水素で置換されていてもよい。Ｒ７及びＩｔ、はそ
れぞれ独立して、直航状又は分枝状で炭素数Ｉ〜１２の
アルキルもしくは、アルコキシ爪を示し、そのアルギル
部分に不斉炭素を含んでいてもよい。 ｐは１又は２の整数を示す。） もちろん、これらは２種以上混合して用いることができ
る。 実ｆｆ１−１＝、これらのベース液晶は、室温附近でス
メクチックＣ相を呈し、かつＩＡＣやＩＮＡＣ等の相系
列を有するように適宜混合して用いるのが適している。 （ホ）作用 スメクチックＣ相を呈するベース液晶中に添加された特
定ｍの末端フルオロアルキル基含有液晶性化合物又は液
晶相溶性化合物は、その有する末端フルオロアルキルｈ
（に基づいて、ベース液晶の応答性及びメモリ特性を向
上すべく作用する。 （へ）実施例 実施例１ スメクチックＣ相を呈する市販の強誘電性液晶組成物（
Ｃ６−１０２０、チッソ（株）製）に下式で示される末
端フルオロアルキル基含有の液晶相溶性化合物（フルオ
ロアルギル化合物）を０１。 ０．２．０．４．０．６及び１重量％添加し、−旦、等
方性液体状態まで加熱して全ての組成化合物を完全に溶
解させて５種類の本発明の強誘電性液晶組成物を調製し
た。 この液晶組成物を用いて性能評価用の液晶セルを構１戊
した。 ・液晶セルの作成 ５ 第１図に示すように電極としてパターン化されたＴＴＯ
（酸化インジウム）膜が形成されたガラス基板上に保護
膜として Ｓｉｎ、膜を形成した。５ｉＯｚ膜は、０ＣＩ）（東京
応化製）をスピナーにて膜厚ｌ０００人に成るようコー
トし、３５０℃にて焼成する事により形成した。 さらにその膜の上に配向膜として膜厚約３００人のＰＶ
ＡＩＩＡをスピナーに、１；り形成した。以上のように
保護膜、配向膜を形成しノこＴＴＯイ・１きガラス爪板
を上下の甚板として使用した。 この基板の配向膜に対しては、ラビング処理を施し、２
μｍのＳｉｎ、ビーズを基板上に散布した後、ラビング
方向がパラレルになり、かつ上下のＩＴＯパターン同士
が重なり合う、】；う張り合イっせ、液晶セルとして使
用した。 ついで、液晶を等方性液体状態にしてセル内に注入し、
封閉した。 得られた液晶セルの構成を第１図に示した。 図中、ｌはガラス基板、２はビｌ”０電極、３は６ 保護膜、４は配向膜、５は液晶組成物、６はシール材を
各々示すもので、今回の特性測定用液晶セルでは、２に
１１０Ｍ１３にＳ ｉ Ｏｖ膜、４にＩ）ＶΔ膜を使用
した。 ・作製した強誘電性液晶セルの特性として応答速度、Ｐ
ｓ、ヂルト角、メモリｆＱを測定した。以下にその測定
法と定義を示す。 ◇セルのセット 液晶の入ったセルは、クロスニコル状態にある２枚の偏
光板の間に置かれる。セルは、セルの層法線の向きが、
偏光板の何れか一方の飼光軸に対して２２．５°の角度
を成すように固定され、セルに対して印加される電界に
対する液晶の応答を光学的な透過光強度の変化として偏
光顕微鏡にてフォトマルヂゾライヤーにて検出し、透過
光量の変化を電気的な信号にして読み取る。 ◇応答特性 ２５℃におイテ、セル（７）ｌ’ｒｏ電極に２５０１１
２ オフセット電圧ＯＶ、振幅±ＩＯＶの矩形波を印加
し、それに対する液晶の応答を光学的に、透過光強度の
変化と１．て捉え、印加パルスの立し上がり、立ち下が
りに対４゛る透過光強度の５０％変化するまでのそれぞ
れの時間の平均値を使うものとずろ。 ◇自発分極 ２５℃において、セルに対し８０ＨＺ 、オフセット電
圧ＯＶ、振幅±ＩＯＶの三角波を印加しそれに対する分
極反転電流を測定し、分極反転ピークの面積から自発分
極Ｐｑを求めろ。 ◇チルト角 ２５℃において、セルに対し２５０Ｈｚ 、オフセット
電圧Ｏ■、振幅±ｔＯＶの矩形波を印加し、これに対す
る消光位を求めそのｆｌ＋度の部分の−をチルト角と定
義する。 ◇メモリ角 ２５℃において、セルに対し電界を印加した後、電極を
グランドレベルに落し、セルをメモリ状態にしてセル内
の明状態でメモリさせた部分の消光位と暗状態でメモリ
さ什た部分のそれぞれの消光位を求めその角度の差をメ
モリ角とする。 特性測定結果を表１．並びに第２図〜第５図に示す。 応答速度においては、第２図に示すように明確にフルオ
ロアルキル化合物の添加効果が現れている。即し、フル
オロアルキル化合物を１重量％以下添加したものは、い
ずれも、添加しないものに比べ速い値を示しており、０
．４重量％の添加により最も速い応答速度が得られてい
る。また第３図に示すようにメモリｌ’ｆｉＪに対して
らフルオロアルキル化合物の添加量の多い乙の程メモリ
（「１度が大きくなる傾向が現れている。 一方転移温度に対しては、第４図に示ずにうに（以−ト
余白） ９ ０ できる。 実施例２ 表２に例示する様な他のカイラルスメチックＣ相を呈す
る市販の強誘電性組成物（ベース液晶）に対して、実施
例Ｉと同様に 下式 フルオロアルキル化合物の添加により若干変化している
が、添加量との相関は、全く認められない。 また、自発分極に対しては、第５図に示す、１；うにフ
ルオ〔Ｊアルキル化合物の添加に、ｌこり低下が認めら
れるが、添加量との相関は、認められない。 同様に、第３図に示すように液晶のデルｌ−ｆｒＪの値
に関してもフルオロアルキル化合物の添加による影響は
認められない。 以上のように本発明においてはフルオロアルギル化合物
の００１重量％〜１重量％添加が転移温度、自発分極、
ヂルト角に対して何ら悪影ヤツを１）、えることなく、
応答速度、メモリ角を改善することがて示される末端フ
ルオロアルキルシ；（を有す液晶相溶性の化合物を表２
に示す様な割合で添加し、旦、等方性液体状態まで加熱
して全ての組成化合物を十分に溶解して本発明の強誘電
性液晶組成物を調整した。 これらの液晶組成物の特性を、実施例１と同様に性能評
価用の液晶セルを構成して評価し）ご。その結果は、表
２に併記した。 （以下余白） この結果から分かるようにベースとなる強誘電性液晶物
質（ベース液晶）が全く異なる場合に於いてら、フルオ
ロアルキル括を持つ化合物の添加効果が現れている。 即ち、非添加の場合のに比べて応答速度がほぼ等しいも
しくは速くなっていることが解る。又、転移温度に関し
てム添加による著しい変化は見られない。 又、自発分極の大きな強誘電性液晶組成物（ベース液晶
）に対するフルオロアルギル化合物の添加は、自発分極
の小さなものへのフルオロアルキル化合物の添加に比べ
添加による特性の改善が現れにくいことも分かる。 実施例３ 表３の２〜７に承り“光学不活性な化合物とからなる液
晶組成物に表３のＩに示す光学活性な化合物を１重量％
添加しカイラルスメクチックＣ相にした強誘電性液晶組
成物に対し実施例１て用いたフルオロアルキル化合物と
同様のフルオ【Ｊアルキル化合物を表４に示す様な割合
で添加し、等方性２３− 液体状態まで加熱し、全ての組成化合物を十分に融解し
、混合して本発明の強誘電性液晶組成物を、ν１す整
し ノこ。 ４ （以下余白） この液晶組成物を、実施例１と同様に性能評価用の液晶
セルを構成し、特性を評価した。 その結果は、表４に示す。 この結果から分かるにうに、フルオロアルキル化合物の
添加量は、或特定の範囲内に基づいて、特性の改善に効
果があり、過剰の添加は、各特性を悪化させることにな
るごとが分かる。又、添加の対象となる強誘電性液晶に
よっては１重量％であっても過剰である場合もあること
が分かる。 実施例４ 他のスメクチックＣ相を呈ツ°る市販の強誘電性組成物
（Ｃ８−１０２０，チッソ（株）製）に対して、表５に
示す末端フルオロアルキル基を有す液晶相溶性の化合物
をそれぞれ添加し、−旦、等方性液体状態まで加熱して
全ての組成化合物を十分に溶解して本発明の強誘電性液
晶組成物を調整した。この液晶組成物の特性を、実施例
Ｉと同様に性能評価用のセルを構成し評価した。 その結果を、表６に示す。この結果から分かるように特
性面での顕著な添加効果は現れていないが、フルオロア
ルキル基含有化合物自体の構造により添加効果に差が現
れていることが分かる。。 表５ 表６ （ト）発明の効果 本発明の強誘電性液晶組成は、末端フルオロアルキル括
を有する特定の化合物を特定量含有したものである為、
従来の類似の強誘電性液晶組成物に比して、その応答速
度及びメモリ特性が、著しく改善されたものであり、こ
とに大容量表示を実現する高速応答性の液晶表示素子を
簡便に提供できるものである。 従ってその有用性は、当該分野に於いて極めて大きなも
のである。
一つの結合手もしくは、基ＣＯＯ−−ＯＣＯ−−Ｃｉｔ
２０ ＝ＯＣ１ｌｔ−−ｃヨＣ−又は、 ＣＩＬＣＩ
１２ ：０は、一つの結合手もしくは、Ｊｉｌ’ −Ｏ
ＣＯＯ−−ＯＣＯ−−Ｉｌｌ 、 ＯＩｔｃｏｏｎ
、−又は ＯＣ０１え、−（式中、Ｒ１は炭素数ｌ〜８の直鎖もし
くは分岐のアルキレン基） ｍは０又はｌの整数］ で表わされる液晶性化合物又は液晶相溶性化合物が挙げ
られる。これらのう”＞ｋＴましいものとしては、下記
に例示される化合物が挙げられる。 Ｃ４ｔｌａＯ＋ Ｃ００＋ ＣＯＯＣｔｔｌ ａ Ｃａ
Ｆ。 ｃ、ＩＩＧｏ−（列ｃｏｏ舎ＣｏｏＣｆｌｅｅ。１？１
１に、＋１９０舎ｃｏｏ舎Ｃ００ＣｔＩＩａＣＩＩＦ１
ａＣ、ｌ−Ｉ Ｄ Ｏｅ ＣＯＯ金ＣＯＯＣ、ｌｌ 、
Ｃｌ ０１）？Ｃｅ１１．７０舎ｃｏｏ（防ｃｏｏｃｔ
ｏ、ｃ、Ｆ。 Ｃ５ｔｌ １７０＋ｃ ００ ＋ ＣＯＯＣＩＩ ｔｃ
ｏＦ 、１Ｃ，１１，７０−分ＣＯＯ＜濾Ｃ００Ｃ，Ｉ
１．Ｃ１１？１□Ｃ♂ｌ＋、７０ 舎ｃｏｏ 舎Ｃ００
Ｃ，Ｉ＋４（ン、、Ｆ。 ＣＩＬＯ％ｏｏｃ ☆ ｃｏｏｃン１＋１４（ンａＦｎ
Ｃ茜０（防ｏｏｃ舎Ｃ００Ｃｔｌｌ−Ｃ＋Ｆ。 ｃ、ｏ、ｏ（防ｏｏｃｇ Ｃ００Ｃ，Ｉｌ、Ｃ，Ｆｆｌ
Ｃｎ １１ ＋７０ ＋ ＯＯＣ＋ ＣＯＯＣｔ ＩＩ
４Ｃ、Ｆ 。 Ｃａｌ−ＩｌｙＯ悠）−００Ｃ−條００００．Ｉ１．Ｃ
７Ｆｌｌ＋Ｃｄｌ＋７０舎００ Ｃ＋ Ｃ００Ｃ！ Ｉ
Ｉ ａ Ｇ ＋、＋ Ｆ ｔＣｓｌｌ＋ｔＯ舎００ Ｃ
０ＣＨｔ Ｃｔ Ｆ ｓＣ，１１，７０−べ＋巨？Ｃ０
０Ｃ１ＬＣＰ＋ａＣ＋ ｏ ｌＩ ｔ ＋ Ｏ＋ に
ＩＩ ｔ Ｏ＋ＣＸＣＯＯ（：ｌｌ ｔ Ｃｅ Ｆ ＋
ｓＣ，Ｈ１ｔＯ介ＯＣＯ％ ＣＯＯＣ１，ｌＩＣ，Ｆ
、３Ｃ６Ｈ１＊０ｇ０ＣＯ（Ｉ）−ＣＯＯＣＩ−１，Ｃ
１，１，Ｃ，Ｆ。 ｃｎｐ＋ａｃ＋＋ｔｏや刈５Ｊ−ＯＣＬ１ｍ舎Ｃ００Ｃ
，Ｉ＋、７Ｃ＋＋ｌ＋＋、０＜Ｃ００Ｃ，１１，ｃ＋ａ
Ｆ＋ＣＢ＋’ｌｌ？Ｏ舎【刈Ｃ００ＣＨ，Ｃａｔ２．３
Ｃｅ ｌｌ ＋ ７０ ｕ ＣＯＯＣ＊ Ｉｌ４ Ｃｏ
Ｆ ＋ ｓＣｓ ＩＩ ｌ ？ Ｏ＋ ＣＯＯＣｔ
ＩＩ ａ Ｇ ４ Ｆ ａＣｅ Ｉｌ ＋ｔ Ｏ＋ Ｃ
００Ｃｔ Ｉｌ ａ Ｃｅ Ｐ １ｑ０５出、ｏ−／、
二二＋シ〉←ＣＯＯＣｙ Ｉ ＋ ４ （ン１１１’１
４１Ｃ，，Ｆ 、＋＋Ｃ，１１，０ｄ ＣＯＯＣａ１ｌ
＋７ＮＣＣＮ ＣｕＦ １１にＩＩｔＯ（ンＯ−◎−ＣモＦ（ニー◎
＠）−に 、、、１ｌＦｃ＋ｏ＋−＋ｔ＋＋ｏ ｃｔ−
＋ｖｃ、Ｆ＊ＣＦ、 ＜防ｃｏｏ舎Ｃ３Ｉ−１１１ ＣＦ剖Ｔ７ ｃ ｏ ｏ ＜阪Ｃ，ｌ＋、１ｃｐ３ｏ−
＠防ＣＯＯ＋ Ｃａ Ｈ ＣＦｎＯ今ｃｏｏ合Ｃｓ ｔ（、コ ＣＩ Ｆ ５０ ＋ ＣＯＯ＋Ｃ！ １−１ｃ 、ｐ
Ｄ Ｏ−（ｇ列Ｃ００−◎−ＣＪＩ＋１ｃｐ３（（防ｃ
ｏ ｏ ＋ｏ ｃ Ｏ＋ Ｃｐ。 ＣＦ、Ｏ介ｃ ｏ Ｏ＋ ＯＣＯ−＠沢０ＣＦｓＣｄ？
５０−４程Ｃ００（防ｏｃｏ舎ＯＣｔ Ｆ ｓ・方、グ
ループ１３の化合物としては、例えば１・。 式のらのが挙げられる。 １ 本発明においては、上記末端フルオロアルキル基含宵化
合物は、スメクチックＣ相を呈するベース液晶中に添加
される。ここで添加ｍは０．０１〜１重量％とされる。 フルオロアルキル基含有化合物の添加量は、添加の対象
となる強誘電性液晶化合物あるいは、フルオロアルキル
含有化合物がそれぞれにより特性改善をする上で有効な
範囲が存在するが、概して０．０１重量％未満ては、応
答性やメモリ特性の改善効果が不充分で適さず、まノご
１重量％超で（Ｊベース液晶の相系列や配向性等への悪
影響が生じることがあるため適さない。それ故に、高速
応答性や優れたメモリ特性を得るためには、０．０１〜
１重量％とするのが好ましい。 ここで添加の対象となるスメクチックＣ相を呈する強誘
電性液晶としては、当該分野で知られた種々のスメクチ
ック液晶やその混合物を用いることができ、その成分中
には少なくとも一種以」二の光学活性化合物が含まれる
ごとが必要である。その具体例としては、下式（１）、
（１１）及び（ＩＶ ）２ て示される化合物が挙げられる。 ・・・ （１１） ・・・（ＩＩ＋ ） （式中、■）及びＦは、それぞれ、単結合またはＣ０Ｏ
−−−ＯＣＯ−−ＣＩｌ＝ＣＩＩ−ＣＯＯ−−０ＣＯ−
ＣＩＩＣｌｌ−−０−−−３−−０ＣＯＯ−らしくは−
ＣＯ−の基を示４”。Ｅ及びＧは、それぞれ、単結合又
はＣ００−−ＯＣＯ−−ＣＩＩ＝ｌｌ−−Ｎ＝Ｃ１１−
−−ＣＩｌ＝Ｃ１ｌ −Ｃ＝Ｃ−−ＣＩＩ＝ＣＩＩ−
ＣＯＯ−−０ＣＯ−ＣＩＩＣｌｌ−−Ｃ１１，ＣＩ＋２
−−ＯＣｌｌ、−−Ｃ１１，０−−−ＣＯ３もしくは一
５ＯＣ−の基を示す。） ０１■および６）は、それぞれ独立して、ベンゼン環、
ピリジン環、ピリミジン環、ビラジン環、ピリダジン環
、ピペラジン環、シフ［ｌヘキサン環、ピラン環、ジオ
ギザシクロヘキザン環、デアピラン環、ジヂアン環、デ
アジアジン環、ビンクロ［２，２，２］オクタン環、テ
トラジン環等の六員環を示し、これらの六員環中の水素
原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノノル
、ニトロ拮、低級アルキル基、低級アルコキシＪＩ（又
は重水素で置換されていてもよい。Ｒ７及びＩｔ、はそ
れぞれ独立して、直航状又は分枝状で炭素数Ｉ〜１２の
アルキルもしくは、アルコキシ爪を示し、そのアルギル
部分に不斉炭素を含んでいてもよい。 ｐは１又は２の整数を示す。） もちろん、これらは２種以上混合して用いることができ
る。 実ｆｆ１−１＝、これらのベース液晶は、室温附近でス
メクチックＣ相を呈し、かつＩＡＣやＩＮＡＣ等の相系
列を有するように適宜混合して用いるのが適している。 （ホ）作用 スメクチックＣ相を呈するベース液晶中に添加された特
定ｍの末端フルオロアルキル基含有液晶性化合物又は液
晶相溶性化合物は、その有する末端フルオロアルキルｈ
（に基づいて、ベース液晶の応答性及びメモリ特性を向
上すべく作用する。 （へ）実施例 実施例１ スメクチックＣ相を呈する市販の強誘電性液晶組成物（
Ｃ６−１０２０、チッソ（株）製）に下式で示される末
端フルオロアルキル基含有の液晶相溶性化合物（フルオ
ロアルギル化合物）を０１。 ０．２．０．４．０．６及び１重量％添加し、−旦、等
方性液体状態まで加熱して全ての組成化合物を完全に溶
解させて５種類の本発明の強誘電性液晶組成物を調製し
た。 この液晶組成物を用いて性能評価用の液晶セルを構１戊
した。 ・液晶セルの作成 ５ 第１図に示すように電極としてパターン化されたＴＴＯ
（酸化インジウム）膜が形成されたガラス基板上に保護
膜として Ｓｉｎ、膜を形成した。５ｉＯｚ膜は、０ＣＩ）（東京
応化製）をスピナーにて膜厚ｌ０００人に成るようコー
トし、３５０℃にて焼成する事により形成した。 さらにその膜の上に配向膜として膜厚約３００人のＰＶ
ＡＩＩＡをスピナーに、１；り形成した。以上のように
保護膜、配向膜を形成しノこＴＴＯイ・１きガラス爪板
を上下の甚板として使用した。 この基板の配向膜に対しては、ラビング処理を施し、２
μｍのＳｉｎ、ビーズを基板上に散布した後、ラビング
方向がパラレルになり、かつ上下のＩＴＯパターン同士
が重なり合う、】；う張り合イっせ、液晶セルとして使
用した。 ついで、液晶を等方性液体状態にしてセル内に注入し、
封閉した。 得られた液晶セルの構成を第１図に示した。 図中、ｌはガラス基板、２はビｌ”０電極、３は６ 保護膜、４は配向膜、５は液晶組成物、６はシール材を
各々示すもので、今回の特性測定用液晶セルでは、２に
１１０Ｍ１３にＳ ｉ Ｏｖ膜、４にＩ）ＶΔ膜を使用
した。 ・作製した強誘電性液晶セルの特性として応答速度、Ｐ
ｓ、ヂルト角、メモリｆＱを測定した。以下にその測定
法と定義を示す。 ◇セルのセット 液晶の入ったセルは、クロスニコル状態にある２枚の偏
光板の間に置かれる。セルは、セルの層法線の向きが、
偏光板の何れか一方の飼光軸に対して２２．５°の角度
を成すように固定され、セルに対して印加される電界に
対する液晶の応答を光学的な透過光強度の変化として偏
光顕微鏡にてフォトマルヂゾライヤーにて検出し、透過
光量の変化を電気的な信号にして読み取る。 ◇応答特性 ２５℃におイテ、セル（７）ｌ’ｒｏ電極に２５０１１
２ オフセット電圧ＯＶ、振幅±ＩＯＶの矩形波を印加
し、それに対する液晶の応答を光学的に、透過光強度の
変化と１．て捉え、印加パルスの立し上がり、立ち下が
りに対４゛る透過光強度の５０％変化するまでのそれぞ
れの時間の平均値を使うものとずろ。 ◇自発分極 ２５℃において、セルに対し８０ＨＺ 、オフセット電
圧ＯＶ、振幅±ＩＯＶの三角波を印加しそれに対する分
極反転電流を測定し、分極反転ピークの面積から自発分
極Ｐｑを求めろ。 ◇チルト角 ２５℃において、セルに対し２５０Ｈｚ 、オフセット
電圧Ｏ■、振幅±ｔＯＶの矩形波を印加し、これに対す
る消光位を求めそのｆｌ＋度の部分の−をチルト角と定
義する。 ◇メモリ角 ２５℃において、セルに対し電界を印加した後、電極を
グランドレベルに落し、セルをメモリ状態にしてセル内
の明状態でメモリさせた部分の消光位と暗状態でメモリ
さ什た部分のそれぞれの消光位を求めその角度の差をメ
モリ角とする。 特性測定結果を表１．並びに第２図〜第５図に示す。 応答速度においては、第２図に示すように明確にフルオ
ロアルキル化合物の添加効果が現れている。即し、フル
オロアルキル化合物を１重量％以下添加したものは、い
ずれも、添加しないものに比べ速い値を示しており、０
．４重量％の添加により最も速い応答速度が得られてい
る。また第３図に示すようにメモリｌ’ｆｉＪに対して
らフルオロアルキル化合物の添加量の多い乙の程メモリ
（「１度が大きくなる傾向が現れている。 一方転移温度に対しては、第４図に示ずにうに（以−ト
余白） ９ ０ できる。 実施例２ 表２に例示する様な他のカイラルスメチックＣ相を呈す
る市販の強誘電性組成物（ベース液晶）に対して、実施
例Ｉと同様に 下式 フルオロアルキル化合物の添加により若干変化している
が、添加量との相関は、全く認められない。 また、自発分極に対しては、第５図に示す、１；うにフ
ルオ〔Ｊアルキル化合物の添加に、ｌこり低下が認めら
れるが、添加量との相関は、認められない。 同様に、第３図に示すように液晶のデルｌ−ｆｒＪの値
に関してもフルオロアルキル化合物の添加による影響は
認められない。 以上のように本発明においてはフルオロアルギル化合物
の００１重量％〜１重量％添加が転移温度、自発分極、
ヂルト角に対して何ら悪影ヤツを１）、えることなく、
応答速度、メモリ角を改善することがて示される末端フ
ルオロアルキルシ；（を有す液晶相溶性の化合物を表２
に示す様な割合で添加し、旦、等方性液体状態まで加熱
して全ての組成化合物を十分に溶解して本発明の強誘電
性液晶組成物を調整した。 これらの液晶組成物の特性を、実施例１と同様に性能評
価用の液晶セルを構成して評価し）ご。その結果は、表
２に併記した。 （以下余白） この結果から分かるようにベースとなる強誘電性液晶物
質（ベース液晶）が全く異なる場合に於いてら、フルオ
ロアルキル括を持つ化合物の添加効果が現れている。 即ち、非添加の場合のに比べて応答速度がほぼ等しいも
しくは速くなっていることが解る。又、転移温度に関し
てム添加による著しい変化は見られない。 又、自発分極の大きな強誘電性液晶組成物（ベース液晶
）に対するフルオロアルギル化合物の添加は、自発分極
の小さなものへのフルオロアルキル化合物の添加に比べ
添加による特性の改善が現れにくいことも分かる。 実施例３ 表３の２〜７に承り“光学不活性な化合物とからなる液
晶組成物に表３のＩに示す光学活性な化合物を１重量％
添加しカイラルスメクチックＣ相にした強誘電性液晶組
成物に対し実施例１て用いたフルオロアルキル化合物と
同様のフルオ【Ｊアルキル化合物を表４に示す様な割合
で添加し、等方性２３− 液体状態まで加熱し、全ての組成化合物を十分に融解し
、混合して本発明の強誘電性液晶組成物を、ν１す整
し ノこ。 ４ （以下余白） この液晶組成物を、実施例１と同様に性能評価用の液晶
セルを構成し、特性を評価した。 その結果は、表４に示す。 この結果から分かるにうに、フルオロアルキル化合物の
添加量は、或特定の範囲内に基づいて、特性の改善に効
果があり、過剰の添加は、各特性を悪化させることにな
るごとが分かる。又、添加の対象となる強誘電性液晶に
よっては１重量％であっても過剰である場合もあること
が分かる。 実施例４ 他のスメクチックＣ相を呈ツ°る市販の強誘電性組成物
（Ｃ８−１０２０，チッソ（株）製）に対して、表５に
示す末端フルオロアルキル基を有す液晶相溶性の化合物
をそれぞれ添加し、−旦、等方性液体状態まで加熱して
全ての組成化合物を十分に溶解して本発明の強誘電性液
晶組成物を調整した。この液晶組成物の特性を、実施例
Ｉと同様に性能評価用のセルを構成し評価した。 その結果を、表６に示す。この結果から分かるように特
性面での顕著な添加効果は現れていないが、フルオロア
ルキル基含有化合物自体の構造により添加効果に差が現
れていることが分かる。。 表５ 表６ （ト）発明の効果 本発明の強誘電性液晶組成は、末端フルオロアルキル括
を有する特定の化合物を特定量含有したものである為、
従来の類似の強誘電性液晶組成物に比して、その応答速
度及びメモリ特性が、著しく改善されたものであり、こ
とに大容量表示を実現する高速応答性の液晶表示素子を
簡便に提供できるものである。 従ってその有用性は、当該分野に於いて極めて大きなも
のである。
第１図は、本発明の実施例について用いた液晶７
セルを示す措成図、第２図〜第５図は、各々本発明の強
誘電性液晶組成物使用時における液晶表示についての各
種特性を例示するグラフ図である。 ８
誘電性液晶組成物使用時における液晶表示についての各
種特性を例示するグラフ図である。 ８
Claims (1)
- １、スメクチックＣ相を呈する強誘電性液晶中に、末端
にフルオロアルキル基を有する液晶性化合物又は液晶相
溶性化合物を０．０１から１重量％含有してなる強誘電
性液晶組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200047A JP2547857B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-07-31 | 強誘電性液晶組成物 |
| US07/505,697 US5198151A (en) | 1989-04-10 | 1990-04-06 | Ferroelectric liquid crystal composition |
| DE69010731T DE69010731T2 (de) | 1989-04-10 | 1990-04-09 | Ferroelektrische Flüssigkristall-Zusammensetzung. |
| EP90106793A EP0392432B1 (en) | 1989-04-10 | 1990-04-09 | Ferroelectric liquid crystal composition |
| KR1019900004911A KR940000666B1 (ko) | 1989-04-10 | 1990-04-10 | 강유전성 액정 조성물 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9093589 | 1989-04-10 | ||
| JP1-90935 | 1989-04-10 | ||
| JP1200047A JP2547857B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-07-31 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0347891A true JPH0347891A (ja) | 1991-02-28 |
| JP2547857B2 JP2547857B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=26432342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1200047A Expired - Lifetime JP2547857B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-07-31 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5198151A (ja) |
| EP (1) | EP0392432B1 (ja) |
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