JPS63256524A - ＬｕＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＬｕＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63256524A JPS63256524A JP9257487A JP9257487A JPS63256524A JP S63256524 A JPS63256524 A JP S63256524A JP 9257487 A JP9257487 A JP 9257487A JP 9257487 A JP9257487 A JP 9257487A JP S63256524 A JPS63256524 A JP S63256524A
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Landscapes
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- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材料として
有用な新規化合物であるＬｕＧａＺｎ４Ｏ７で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
有用な新規化合物であるＬｕＧａＺｎ４Ｏ７で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”０．）Ｉ、Ｆｅ”Ｏ（ｎは整数を
表わす）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され知られている。
表わす）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅｚＯｎ、Ｙｂ２Ｆｅ＋Ｏｙ、 ＹｂＪｅ４Ｏ＋
ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋ａの六方晶系としての格子定数
、Ｙｂ０１，５Ｊｉｉ、 ＦｅＯ＋、ｓ層、 ＦｅｚＯ
ｚ、ｓ層の単位格子内における層数を示すと表−１の通
りである。
ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋ａの六方晶系としての格子定数
、Ｙｂ０１，５Ｊｉｉ、 ＦｅＯ＋、ｓ層、 ＦｅｚＯ
ｚ、ｓ層の単位格子内における層数を示すと表−１の通
りである。
これらの化合物は酸化鉄１モルに対して、ＹｂＦｅ０．
がｎモルの割合で化合していると考えられる層状構造を
持つ化合物である。
がｎモルの割合で化合していると考えられる層状構造を
持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯ：＋） ｎＦｅｏの化学式におい
て、ｎ＝１／４に相当し、Ｙｂ３＋の代わりにＬｕ３＋
を、Ｆｅ”の代わりにＧａ’＋を、Ｆｅ”の代わりにＺ
ｎ”＋を置きかえて得られた新規化合物を提供するにあ
る。
て、ｎ＝１／４に相当し、Ｙｂ３＋の代わりにＬｕ３＋
を、Ｆｅ”の代わりにＧａ’＋を、Ｆｅ”の代わりにＺ
ｎ”＋を置きかえて得られた新規化合物を提供するにあ
る。
発明の構成
本発明のＬｕＧａＺｎ４Ｏｔで示される化合物は、イオ
ン結晶モデルではＬｕ”（Ｇａ”、Ｚｎ”）Ｚｎ３”０
７！−とじて記載され、その構造はＬｕＯ＋、５層 （
Ｇａ ２ ＋。
ン結晶モデルではＬｕ”（Ｇａ”、Ｚｎ”）Ｚｎ３”０
７！−とじて記載され、その構造はＬｕＯ＋、５層 （
Ｇａ ２ ＋。
Ｚｎ”） Ｏ□、６層およびＺｎＯ層の積層によって形
成されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴
の一つである。Ｚｎ”イオン数の１７４はＧａ ３４と
共に（Ｇａ”、 Ｚｎ”つ０□、３層を作り、残りの３
７４はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定
数は次の通りである。
成されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴
の一つである。Ｚｎ”イオン数の１７４はＧａ ３４と
共に（Ｇａ”、 Ｚｎ”つ０□、３層を作り、残りの３
７４はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定
数は次の通りである。
ａ ＝３．３２８ ±０．００１ （人）ｃ ＝３２
．４５ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（
ｈｋβ）９面間隔（ｄ（人））。
．４５ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（
ｈｋβ）９面間隔（ｄ（人））。
（ｄ、は実測値、ｄｃは計算値を示す〕およびＸ線に対
する相対反射強度（１％）を示すと表−２の通りである
。
する相対反射強度（１％）を示すと表−２の通りである
。
この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材料等に有
用なものである。
用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしくは加熱に
より酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、Ｌ
ｕ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対４の割
合で混合し、該混合物を６５０℃以上の温度で、大気中
、酸化性雰囲気中あるいはＬｕおよびＧａが各“々３価
イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還
元雰囲気中で加熱することによって製造し得られる。
より酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、Ｌ
ｕ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対４の割
合で混合し、該混合物を６５０℃以上の温度で、大気中
、酸化性雰囲気中あるいはＬｕおよびＧａが各“々３価
イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還
元雰囲気中で加熱することによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また光機能材料、半導体材料として用いる場合には不純
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に十分に混合する。
共に十分に混合する。
原料の混合割合は、Ｌｕ、 Ｇａ、およびＺｎの割合が
原子比で１対１対４Ｏ割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
原子比で１対１対４Ｏ割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＬｕおよ
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６５０℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６５０℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷す
るか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
るか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＬｕＧａＺｎ４Ｏ７化合物の粉末は無色であり
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、ＬｕＯ＋、ｓｌ
、 （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層およびＺｎＯ層の積み
重ねによって形成されていることが分かった。
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、ＬｕＯ＋、ｓｌ
、 （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層およびＺｎＯ層の積み
重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化ルテチウム（Ｌｕ２０３）
粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚｅ
３）粉末および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモ
ル比で１対１対８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１
４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、３
日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急
速に冷却した。得られた試料はＬｕＧａＺｒ＋４Ｏ７単
−相であった。粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋｆ
ｆｉ）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）を
測定した。その結果は表−２の通りであった。
粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚｅ
３）粉末および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモ
ル比で１対１対８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１
４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、３
日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急
速に冷却した。得られた試料はＬｕＧａＺｒ＋４Ｏ７単
−相であった。粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋｆ
ｆｉ）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）を
測定した。その結果は表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
ａ ＝３．３２８ ±０．００１ （人）ｃ ＝３２
．４５ ±０．０１ （人）であった。
．４５ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈ ｋ ！りよ
り算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
り算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
（人））と極めてよく一致した。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- （１）ＬｕＧａＺｎ＿４Ｏ＿７で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしくは
加熱により酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｌｕ、ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対４
の割合で混合し、該混合物を６５０℃以上の温度で大気
中、酸化性雰囲気中あるいはＬｕおよびＧａが各々３価
イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還
元雰囲気中で加熱することを特徴とするＬｕＧａＺｎ＿
４Ｏ＿７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9257487A JPS63256524A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | ＬｕＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9257487A JPS63256524A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | ＬｕＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63256524A true JPS63256524A (ja) | 1988-10-24 |
| JPH0348135B2 JPH0348135B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=14058197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9257487A Granted JPS63256524A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | ＬｕＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63256524A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606889A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | Ｘ線ｃｔ装置用シンチレ−シヨン方式検出器の製造方法 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP9257487A patent/JPS63256524A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606889A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | Ｘ線ｃｔ装置用シンチレ−シヨン方式検出器の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348135B2 (ja) | 1991-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |