JPH0348446A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0348446A JPH0348446A JP1183891A JP18389189A JPH0348446A JP H0348446 A JPH0348446 A JP H0348446A JP 1183891 A JP1183891 A JP 1183891A JP 18389189 A JP18389189 A JP 18389189A JP H0348446 A JPH0348446 A JP H0348446A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- container body
- semiconductor device
- sealing material
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は気密封止型の半導体装置に関し、特に半導体素
子を搭載する容器本体とキャップとがシール材によって
接着されて気密封止をなす半導体装置に関する.
子を搭載する容器本体とキャップとがシール材によって
接着されて気密封止をなす半導体装置に関する.
従来、この種の半導体装置では、第3図で示すようにS
i, GaAs等の半導体素子8を搭載する容器本体2
の平坦な面とキャップ6の平坦な面の間にシール材3を
介在して接着されている.また、図中、lは外部導出端
子、7はボンディングワイヤーである.
i, GaAs等の半導体素子8を搭載する容器本体2
の平坦な面とキャップ6の平坦な面の間にシール材3を
介在して接着されている.また、図中、lは外部導出端
子、7はボンディングワイヤーである.
上述した従来の半導体装置は容器本体2とキャップ6と
の接着面が平坦であるため、特に小型の半導体装置の場
合に容器本体2とキャップ6の接着時において、シール
材3が流れ出すことがあり、最悪の場合、内部の半導体
素子8側への流れ込み、ボンディングワイヤー7の切断
及び素子8の破壊につながり、また容器本体2とキャッ
プ6の接着強度が弱くなり、しかも、キャップ6の位置
ずれが生じる等の問題がある. 本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置を提供す
ることにある。
の接着面が平坦であるため、特に小型の半導体装置の場
合に容器本体2とキャップ6の接着時において、シール
材3が流れ出すことがあり、最悪の場合、内部の半導体
素子8側への流れ込み、ボンディングワイヤー7の切断
及び素子8の破壊につながり、また容器本体2とキャッ
プ6の接着強度が弱くなり、しかも、キャップ6の位置
ずれが生じる等の問題がある. 本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置を提供す
ることにある。
上述した従来の半導体装置に対し、本発明は容器本体と
キャップのそれぞれの接着面にシール材の流れ止めと、
容器本体とキャップのかみ合わせを設けるという相違点
を有する。
キャップのそれぞれの接着面にシール材の流れ止めと、
容器本体とキャップのかみ合わせを設けるという相違点
を有する。
前記目的を達成するため、本発明の半導体装置は半導体
素子を搭載する容器本体と、該容器本体を覆うキャップ
とをシール材にて接着して気密封止した半導体装置にお
いて、容器本体とキ々ツプとの接着部を凹凸結合したも
のである。 [実施例] 次に本発明について図面を参照して説明する。 (実施例1) 第1図は本発明の実施例1を示すセラミック容器タイプ
の半導体装置を示す縦断面図である.図において、容器
本体l2とキャップl6の接着部は容器本体12側で凹
状のくぼみ14を有し、キャップ16側で凸状の突起l
5を半導体素子l8及びボンディングワイヤーl7より
外周側に位置させてそれぞれ有している, 11は外部
導出端子である.容器本体l2とキャップl6の接着は
、容器本体l2側の凹状のくばみl4、又は、キャップ
l6側の凸状突起l5に予めシール材13を塗布し、キ
ャップl6をかぶせてくぼみ14と突起l5とを凹凸結
合させシール材l3で接着する。容器本体I2の凹状の
くぼみ14に設けるシール材l3の量は多ければ多いほ
ど接着強度は強くなるが、容器本体l2の凹状のくぼみ
l4の半導体素子l8側の側面上部には、シール材13
がせり出さない程度のシール材量とする必要がある。 (実施例2) 第2図は本発明の実施例2を示す縦断面図である。 前実施例l(第1図)では容器本体12とキャップl6
との接着部は容器本体12側で凹状のくぼみl4を有し
、キャップ16側で凸状の突起15を有していたが、第
2図に示す本実施例では容器本体l2側で凸状の突起l
5を有し、キャップI6側で凹状のくぼみ14を有して
おり、実施例lと同様の効果が得られる.この場合、シ
ール材13の予め塗布することについては実施例1と同
様である。
素子を搭載する容器本体と、該容器本体を覆うキャップ
とをシール材にて接着して気密封止した半導体装置にお
いて、容器本体とキ々ツプとの接着部を凹凸結合したも
のである。 [実施例] 次に本発明について図面を参照して説明する。 (実施例1) 第1図は本発明の実施例1を示すセラミック容器タイプ
の半導体装置を示す縦断面図である.図において、容器
本体l2とキャップl6の接着部は容器本体12側で凹
状のくぼみ14を有し、キャップ16側で凸状の突起l
5を半導体素子l8及びボンディングワイヤーl7より
外周側に位置させてそれぞれ有している, 11は外部
導出端子である.容器本体l2とキャップl6の接着は
、容器本体l2側の凹状のくばみl4、又は、キャップ
l6側の凸状突起l5に予めシール材13を塗布し、キ
ャップl6をかぶせてくぼみ14と突起l5とを凹凸結
合させシール材l3で接着する。容器本体I2の凹状の
くぼみ14に設けるシール材l3の量は多ければ多いほ
ど接着強度は強くなるが、容器本体l2の凹状のくぼみ
l4の半導体素子l8側の側面上部には、シール材13
がせり出さない程度のシール材量とする必要がある。 (実施例2) 第2図は本発明の実施例2を示す縦断面図である。 前実施例l(第1図)では容器本体12とキャップl6
との接着部は容器本体12側で凹状のくぼみl4を有し
、キャップ16側で凸状の突起15を有していたが、第
2図に示す本実施例では容器本体l2側で凸状の突起l
5を有し、キャップI6側で凹状のくぼみ14を有して
おり、実施例lと同様の効果が得られる.この場合、シ
ール材13の予め塗布することについては実施例1と同
様である。
以上説明したように本発明は気密封止型半導体装置の容
器本体とキャップの接着部を凹凸結合させたことにより
、容器本体とキャップの接着部より内側のシール材の流
れ込みを防ぎ、容器本体とキャップの接着強度はさらに
強くなるとともにキャップ位置ずれを防止できる効果が
ある.
器本体とキャップの接着部を凹凸結合させたことにより
、容器本体とキャップの接着部より内側のシール材の流
れ込みを防ぎ、容器本体とキャップの接着強度はさらに
強くなるとともにキャップ位置ずれを防止できる効果が
ある.
Claims (1)
- (1)半導体素子を搭載する容器本体と、該容器本体を
覆うキャップとをシール材にて接着して気密封止した半
導体装置において、容器本体とキャップとの接着部を凹
凸結合したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183891A JPH0348446A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183891A JPH0348446A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348446A true JPH0348446A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16143623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1183891A Pending JPH0348446A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0348446A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302852A (en) * | 1992-02-27 | 1994-04-12 | Nec Corporation | Semiconductor device package having a low profile structure and high strength |
| US6218730B1 (en) * | 1999-01-06 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Apparatus for controlling thermal interface gap distance |
| JP2007073711A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気密封止パッケージおよび光サブモジュール |
| JP2011066566A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動デバイス及び圧電振動デバイスの製造方法 |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP1183891A patent/JPH0348446A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302852A (en) * | 1992-02-27 | 1994-04-12 | Nec Corporation | Semiconductor device package having a low profile structure and high strength |
| US6218730B1 (en) * | 1999-01-06 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Apparatus for controlling thermal interface gap distance |
| JP2007073711A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気密封止パッケージおよび光サブモジュール |
| JP2011066566A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動デバイス及び圧電振動デバイスの製造方法 |
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