JPH0348659B2 - - Google Patents
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- JPH0348659B2 JPH0348659B2 JP59232084A JP23208484A JPH0348659B2 JP H0348659 B2 JPH0348659 B2 JP H0348659B2 JP 59232084 A JP59232084 A JP 59232084A JP 23208484 A JP23208484 A JP 23208484A JP H0348659 B2 JPH0348659 B2 JP H0348659B2
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- Japan
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- weight
- epoxy resin
- equivalent
- parts
- semiconductor device
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
- H10W74/473—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins containing a filler
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置に係り、その目的は透過
水の電気伝導度を低下させることによりアルミ電
極やアルミ配線の耐腐食性を向上させ、耐湿性に
優れると同時に高温特性の劣化が無いエポキシ樹
脂組成物を用いて封止した半導体装置の提供にあ
る。 （従来の技術） 近年、トランジスタ素子や集積回路等の半導体
装置は勿論メモリ、マイクロコンピータ等の
VLSI（超高密度集積回路）に至るまでエポキシ樹
脂等の熱硬化性樹脂を用いた樹脂封止方式によつ
て製造される半導体装置が主流となつている。 この樹脂封止方式による半導体装置は従来の金
属やセラミツク材料によるハーメチツク封止方式
に比べ封止操作が簡単で経済性、作業性等に優れ
るという利点がある反面高湿時における信頼性が
劣るという欠陥があつた。 この現象は封止された半導体装置のアルミ配線
あるいはアルミ電極が吸湿によつて腐食し、この
腐食によつてアルミ配線が断線したりして半導体
装置の不良が発生するものであつた。 その原因は封止材料とリードフレームとの界面
から半導体装置内に水が浸入し、その浸入した水
が封止樹脂中を透過する際に封止樹脂中のイオン
性不純物の運び役となつて、このイオン性不純物
がアルミ配線あるいはアルミ電極の腐食を発生さ
せるものと考えられている。 そこで従来より封止材料に使用されるエポキシ
樹脂の耐湿性を改善せんと、特にアルミ配線及び
アルミ電極の腐食を防止するためにイオン性不純
物を除去せんとする改良が種々試みられ既に公開
されている。 例えば、エポキシ樹脂からなる封止材組成物に
カチオン発生物質（亜鉛、マグネシウム、錫、
鉛、ベリリユウム、ビスマス）を添加する方法或
いはイオン交換体を添加する方法、さらには酸化
マグネシウム、水酸化マグネシウム、酸化カルシ
ウム、水酸化カルシウム、酸化アルミニウム、水
酸化アルミニウム等の固体塩基或いはその水和物
を添加する方法等が良く知られている。 これらは主として封止材組成物の原料であるエ
ポキシ樹脂の製造工程に由来して存在する加水分
解性塩素やあるいはイオン性不純物である塩素等
を、前記添加物によつて加水分解性塩素やイオン
性不純物である塩素を捕捉して、結果これら不純
物をイオン状で透過水への浸透するのを防止し、
延いては封止電極やアルミ配線の腐食を防止せん
とするものである。 ところがこれらの従来における耐湿性を改善し
た封止材料は透過水中に溶解するのを防止する目
的で配合するカチオン等の過水分解性塩素封止剤
の配合量が組成系全体に対し相当量配合する必要
があり、特に固体塩基或いはその水和物を添加す
る方法においては0.1乃至20重量％もの大量含有
させる必要があるため、なるほど耐湿性において
は半導体装置の耐腐食特性を改善することはでき
るけれども一方において半導体装置の高温特性
等、例えば高温ρV特性、煮沸後ρV特性、煮沸吸
水率等、において劣化するという現象が見られ好
ましくなかつた。 （発明が解決しようとする問題点） この発明は以上のような事情に照らし、封止樹
脂であるエポキシ樹脂組成系の耐湿性即ち半導体
装置の耐腐食特性を改善するとともに半導体装置
の高温特性等、例えば高温ρV特性、煮沸後ρV特
性、煮沸吸水率等、の劣化をもたらさない封止樹
脂であるエポキシ樹脂組成系によつて封止された
半導体装置を提供せんとしてなされたものであ
る。 （問題点を解決するための手段） この発明者らは、上記目的のために鋭意検討を
重ねた結果、封止材料であるエポキシ樹脂、エポ
キシ樹脂硬化剤及び無機質充填剤等からなるエポ
キシ樹脂組成物系にアルカリ金属及び／又はアル
カリ土類金属の水酸化物を0.001乃至0.015ｇ当
量／Kg含むことを特徴とする樹脂組成物にて封止
されてなる半導体装置とすることにより、半導体
装置の耐湿性を改善する即ちアルカリ金属及び／
又はアルカリ土類金属の水酸化物を0.001ｇ当
量／Kg以上添加することにより透過水の電気伝導
度を低下させ、延いてはアルミ電極等の耐腐食性
を向上し結果耐蝕性を改善し、更にアルカリ金属
及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物の添加量
を0.015ｇ当量／Kg未満とすることにより高温ρV
特性、煮沸後ρV特性及び煮沸吸水率等の低下を
みることがない半導体装置を完成しこの発明に到
達した。 （発明の構成） この発明で使用するエポキシ樹脂としては、１
分子中に２個以上のエポキシ基を有するものであ
つて例えばビスフエノールＡ型エポキシ樹脂、フ
エノールノボラツク型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラツク型エポキシ樹脂など一般に樹脂封止用
成形材料として用いられているものであればいず
れも好適に使用できる。 この発明において使用するエポキシ樹脂硬化剤
としてはアミン系硬化剤、フエノールノボラツク
樹脂、クレゾールノボラツク樹脂等のノボラツク
系硬化剤、酸無水物などが例示できる。 この発明において使用する無機充填剤を例示す
れば、結晶性シリカ粉、石英ガラス粉、タルク、
ケイ酸カルシウム粉、ガラス繊維などがあり特に
結晶性シリカ粉、石英ガラス粉が好ましく使用で
きる。 この発明において使用するアリカリ金属又はア
ルカリ土類金属の水酸化物としては、水酸化リチ
ウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸
化カルシウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バ
リウム、水酸化マグネシウムなどを列挙できる。 この発明においては、前記のようなエポキシ樹
脂、エポキシ樹脂硬化剤及び無機充填剤等からな
る組成系に上記アルカリ金属又はアルカリ土金属
の水酸化物を0.001ｇ当量乃至0.015ｇ当量／Kgを
添加する。 その理由は0.001ｇ当量未満の含有量では透過
水によるアルミ電極、アルミ配線等の耐腐食効果
を有効に発揮させることが難しく、叉一方0.015
ｇ当量を越えて含有させると従来の如く半導体装
置の高温ρV特性、煮沸後ρV特性及び煮沸吸水率
などが著しく劣化するからである。 この発明に係る半導体装置に使用する封止樹脂
組成系には、通常配合される他の添加剤例えば離
型剤、カツプリング剤、難熱剤、硬化促進剤等の
成分を含有させてもよい。 以上のような組成物を用いてこの発明に係る半
導体装置を製造するには、常法に準じて行えばよ
く例えばエポキシ樹脂にエポキシ樹脂硬化剤、無
機質充填剤、アルカリ金属又はアルカリ土金属の
水酸化物所定量を混練し、トランスフアー成形等
で所要の封止部を封止すれば耐湿性にすぐれかつ
高温特性等の劣化がないこの発明に係る半導体装
置が得られる。 （実施例） 以下実施例及び比較例を記載することによりこ
の発明を詳説する。 実施例 １ クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂 160重量部 臭素化エポキシ樹脂 20重量部 フエノールノボラツク 90重量部 結晶性シリカ粉末 700重量部 三酸化アンチモン 20重量部 ２メチルイミダゾール ６重量部 カルナバワツクス ５重量部 カーボンブラツク ３重量部 水酸化ナトリウム 0.16重量部 （0.004ｇ当量／Kg） 以上の組成物を混合し、ロール混練機を用いて
混練した後粉砕して成形材料とした。 実施例 ２ 実施例１で使用した水酸化ナトリウムを0.16重
量部（0.004ｇ当量／Kg）から0.08重量部（0.002
ｇ当量／Kg）に減少した以外は実施例１と全く同
様にして成形材料を得た。 実施例 ３ 実施例１で使用した水酸化ナトリウムを0.16重
量部（0.004ｇ当量／Kg）から0.5重量部（0.0125
ｇ当量／Kg）に減少した以外は実施例１と全く同
様にして成形材料を得た。 実施例 ４ 実施例１で使用した水酸化ナトリウム0.16重量
部（0.004ｇ当量／Kg）の代わり水酸化バリウム
0.64重量部（0.004ｇ当量／Kg）を使用した以外
は実施例１と全く同様にして成形材料を得た。 比較例 １ 実施例１で使用した水酸化ナトリウムを全く使
用しない以外は実施例１と全く同様にして成形材
料を得た。 比較例 ２ 実施例１で使用した水酸化ナトリウムを0.16重
量部（0.004ｇ当量／Kg）から0.02重量部（0.0005
ｇ当量／Kg）に減少した以外は実施例１と全く同
様にして成形材料を得た。 比較例 ３ 実施例１で使用した水酸化ナトリウムを0.16重
量部（0.004ｇ当量／Kg）から0.8重量部（0.02ｇ
当量／Kg）に減少した以外は実施例１と全く同様
にして成形材料を得た。 これら実施例１〜４及び比較例１〜３で得られ
たこの成形材料及び成形材料を用いて、170℃、
２分間の条件でトランスフアー成形して試験用素
子を封止した。 それぞれの試験において、試験用素子及び成形
片は各20個調製した。 試験方法 NTTF試験 144.8℃の雰囲気で、10Vバイアス電圧を印加
し、プレツシヤークツカーバイアステストを実施
した。 このテストはアルミ配線あるいはアルミ電極の
腐食による断線の起こる時間を測定し、評価し
た。 耐湿性試験 耐湿性試験は前記実施例１〜４及び比較例１〜
３で得た粉砕成形物５ｇに対して50mlの純水を加
え、吸湿容器において140℃、160℃、20℃の温度
条件で抽出を行い、この抽出液の電気伝導度を測
定した。 尚、同時にこの抽出水のPHを測定した。 電気特性すなわち高温ρV、煮沸ρVはJIS Ｋ−
6911に従い、煮沸吸水率は重量変化により算出
し、ガラス転移温度は線膨張係数の変化する温度
として求めた。 これらの試験結果を第１表に示す。
水の電気伝導度を低下させることによりアルミ電
極やアルミ配線の耐腐食性を向上させ、耐湿性に
優れると同時に高温特性の劣化が無いエポキシ樹
脂組成物を用いて封止した半導体装置の提供にあ
る。 （従来の技術） 近年、トランジスタ素子や集積回路等の半導体
装置は勿論メモリ、マイクロコンピータ等の
VLSI（超高密度集積回路）に至るまでエポキシ樹
脂等の熱硬化性樹脂を用いた樹脂封止方式によつ
て製造される半導体装置が主流となつている。 この樹脂封止方式による半導体装置は従来の金
属やセラミツク材料によるハーメチツク封止方式
に比べ封止操作が簡単で経済性、作業性等に優れ
るという利点がある反面高湿時における信頼性が
劣るという欠陥があつた。 この現象は封止された半導体装置のアルミ配線
あるいはアルミ電極が吸湿によつて腐食し、この
腐食によつてアルミ配線が断線したりして半導体
装置の不良が発生するものであつた。 その原因は封止材料とリードフレームとの界面
から半導体装置内に水が浸入し、その浸入した水
が封止樹脂中を透過する際に封止樹脂中のイオン
性不純物の運び役となつて、このイオン性不純物
がアルミ配線あるいはアルミ電極の腐食を発生さ
せるものと考えられている。 そこで従来より封止材料に使用されるエポキシ
樹脂の耐湿性を改善せんと、特にアルミ配線及び
アルミ電極の腐食を防止するためにイオン性不純
物を除去せんとする改良が種々試みられ既に公開
されている。 例えば、エポキシ樹脂からなる封止材組成物に
カチオン発生物質（亜鉛、マグネシウム、錫、
鉛、ベリリユウム、ビスマス）を添加する方法或
いはイオン交換体を添加する方法、さらには酸化
マグネシウム、水酸化マグネシウム、酸化カルシ
ウム、水酸化カルシウム、酸化アルミニウム、水
酸化アルミニウム等の固体塩基或いはその水和物
を添加する方法等が良く知られている。 これらは主として封止材組成物の原料であるエ
ポキシ樹脂の製造工程に由来して存在する加水分
解性塩素やあるいはイオン性不純物である塩素等
を、前記添加物によつて加水分解性塩素やイオン
性不純物である塩素を捕捉して、結果これら不純
物をイオン状で透過水への浸透するのを防止し、
延いては封止電極やアルミ配線の腐食を防止せん
とするものである。 ところがこれらの従来における耐湿性を改善し
た封止材料は透過水中に溶解するのを防止する目
的で配合するカチオン等の過水分解性塩素封止剤
の配合量が組成系全体に対し相当量配合する必要
があり、特に固体塩基或いはその水和物を添加す
る方法においては0.1乃至20重量％もの大量含有
させる必要があるため、なるほど耐湿性において
は半導体装置の耐腐食特性を改善することはでき
るけれども一方において半導体装置の高温特性
等、例えば高温ρV特性、煮沸後ρV特性、煮沸吸
水率等、において劣化するという現象が見られ好
ましくなかつた。 （発明が解決しようとする問題点） この発明は以上のような事情に照らし、封止樹
脂であるエポキシ樹脂組成系の耐湿性即ち半導体
装置の耐腐食特性を改善するとともに半導体装置
の高温特性等、例えば高温ρV特性、煮沸後ρV特
性、煮沸吸水率等、の劣化をもたらさない封止樹
脂であるエポキシ樹脂組成系によつて封止された
半導体装置を提供せんとしてなされたものであ
る。 （問題点を解決するための手段） この発明者らは、上記目的のために鋭意検討を
重ねた結果、封止材料であるエポキシ樹脂、エポ
キシ樹脂硬化剤及び無機質充填剤等からなるエポ
キシ樹脂組成物系にアルカリ金属及び／又はアル
カリ土類金属の水酸化物を0.001乃至0.015ｇ当
量／Kg含むことを特徴とする樹脂組成物にて封止
されてなる半導体装置とすることにより、半導体
装置の耐湿性を改善する即ちアルカリ金属及び／
又はアルカリ土類金属の水酸化物を0.001ｇ当
量／Kg以上添加することにより透過水の電気伝導
度を低下させ、延いてはアルミ電極等の耐腐食性
を向上し結果耐蝕性を改善し、更にアルカリ金属
及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物の添加量
を0.015ｇ当量／Kg未満とすることにより高温ρV
特性、煮沸後ρV特性及び煮沸吸水率等の低下を
みることがない半導体装置を完成しこの発明に到
達した。 （発明の構成） この発明で使用するエポキシ樹脂としては、１
分子中に２個以上のエポキシ基を有するものであ
つて例えばビスフエノールＡ型エポキシ樹脂、フ
エノールノボラツク型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラツク型エポキシ樹脂など一般に樹脂封止用
成形材料として用いられているものであればいず
れも好適に使用できる。 この発明において使用するエポキシ樹脂硬化剤
としてはアミン系硬化剤、フエノールノボラツク
樹脂、クレゾールノボラツク樹脂等のノボラツク
系硬化剤、酸無水物などが例示できる。 この発明において使用する無機充填剤を例示す
れば、結晶性シリカ粉、石英ガラス粉、タルク、
ケイ酸カルシウム粉、ガラス繊維などがあり特に
結晶性シリカ粉、石英ガラス粉が好ましく使用で
きる。 この発明において使用するアリカリ金属又はア
ルカリ土類金属の水酸化物としては、水酸化リチ
ウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸
化カルシウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バ
リウム、水酸化マグネシウムなどを列挙できる。 この発明においては、前記のようなエポキシ樹
脂、エポキシ樹脂硬化剤及び無機充填剤等からな
る組成系に上記アルカリ金属又はアルカリ土金属
の水酸化物を0.001ｇ当量乃至0.015ｇ当量／Kgを
添加する。 その理由は0.001ｇ当量未満の含有量では透過
水によるアルミ電極、アルミ配線等の耐腐食効果
を有効に発揮させることが難しく、叉一方0.015
ｇ当量を越えて含有させると従来の如く半導体装
置の高温ρV特性、煮沸後ρV特性及び煮沸吸水率
などが著しく劣化するからである。 この発明に係る半導体装置に使用する封止樹脂
組成系には、通常配合される他の添加剤例えば離
型剤、カツプリング剤、難熱剤、硬化促進剤等の
成分を含有させてもよい。 以上のような組成物を用いてこの発明に係る半
導体装置を製造するには、常法に準じて行えばよ
く例えばエポキシ樹脂にエポキシ樹脂硬化剤、無
機質充填剤、アルカリ金属又はアルカリ土金属の
水酸化物所定量を混練し、トランスフアー成形等
で所要の封止部を封止すれば耐湿性にすぐれかつ
高温特性等の劣化がないこの発明に係る半導体装
置が得られる。 （実施例） 以下実施例及び比較例を記載することによりこ
の発明を詳説する。 実施例 １ クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂 160重量部 臭素化エポキシ樹脂 20重量部 フエノールノボラツク 90重量部 結晶性シリカ粉末 700重量部 三酸化アンチモン 20重量部 ２メチルイミダゾール ６重量部 カルナバワツクス ５重量部 カーボンブラツク ３重量部 水酸化ナトリウム 0.16重量部 （0.004ｇ当量／Kg） 以上の組成物を混合し、ロール混練機を用いて
混練した後粉砕して成形材料とした。 実施例 ２ 実施例１で使用した水酸化ナトリウムを0.16重
量部（0.004ｇ当量／Kg）から0.08重量部（0.002
ｇ当量／Kg）に減少した以外は実施例１と全く同
様にして成形材料を得た。 実施例 ３ 実施例１で使用した水酸化ナトリウムを0.16重
量部（0.004ｇ当量／Kg）から0.5重量部（0.0125
ｇ当量／Kg）に減少した以外は実施例１と全く同
様にして成形材料を得た。 実施例 ４ 実施例１で使用した水酸化ナトリウム0.16重量
部（0.004ｇ当量／Kg）の代わり水酸化バリウム
0.64重量部（0.004ｇ当量／Kg）を使用した以外
は実施例１と全く同様にして成形材料を得た。 比較例 １ 実施例１で使用した水酸化ナトリウムを全く使
用しない以外は実施例１と全く同様にして成形材
料を得た。 比較例 ２ 実施例１で使用した水酸化ナトリウムを0.16重
量部（0.004ｇ当量／Kg）から0.02重量部（0.0005
ｇ当量／Kg）に減少した以外は実施例１と全く同
様にして成形材料を得た。 比較例 ３ 実施例１で使用した水酸化ナトリウムを0.16重
量部（0.004ｇ当量／Kg）から0.8重量部（0.02ｇ
当量／Kg）に減少した以外は実施例１と全く同様
にして成形材料を得た。 これら実施例１〜４及び比較例１〜３で得られ
たこの成形材料及び成形材料を用いて、170℃、
２分間の条件でトランスフアー成形して試験用素
子を封止した。 それぞれの試験において、試験用素子及び成形
片は各20個調製した。 試験方法 NTTF試験 144.8℃の雰囲気で、10Vバイアス電圧を印加
し、プレツシヤークツカーバイアステストを実施
した。 このテストはアルミ配線あるいはアルミ電極の
腐食による断線の起こる時間を測定し、評価し
た。 耐湿性試験 耐湿性試験は前記実施例１〜４及び比較例１〜
３で得た粉砕成形物５ｇに対して50mlの純水を加
え、吸湿容器において140℃、160℃、20℃の温度
条件で抽出を行い、この抽出液の電気伝導度を測
定した。 尚、同時にこの抽出水のPHを測定した。 電気特性すなわち高温ρV、煮沸ρVはJIS Ｋ−
6911に従い、煮沸吸水率は重量変化により算出
し、ガラス転移温度は線膨張係数の変化する温度
として求めた。 これらの試験結果を第１表に示す。
【表】
（発明の効果）
以上詳述した如くこの発明に係る半導体装置は
エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び無機質充
填剤等からなるエポキシ樹脂組成物系にアルカリ
金属及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物を
0.001乃至0.015ｇ当量１Kg含むことを特徴とする
樹脂組成物にて封止されてなる半導体装置である
から、この半導体中に浸透された透過水によつて
不純物が過水分解されてイオン化して透過水に溶
解しても封止樹脂組成物系に添加されたアルカリ
金属及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物によ
つて特に水素イオンの存在によつて透過水内で中
和され、従つてこの透過水中の水素イオン量を低
減させ、結果PHを中性に近づけるとともにアルカ
リ金属又はアルカリ土金属イオンの濃度が増加す
るにもかかわらず水素カチオンイオン量を減少さ
せることによつて透過水中の電気伝導度を低下さ
せ、従つてアルミ配線あるいはアルミ電極の腐食
速度を著しく減少しひいては耐湿性に優れた半導
体装置とすることができると同時にこのアルカリ
金属叉はアルカリ土類金属の水酸化物の添加量を
0.015ｇ当量／Kg以下とすることによつて半導体
封止樹脂そのものの高温ρV特性、煮沸ρV特性及
び煮沸吸水率などの特性を劣化させることないと
いう効果を併せ奏する半導体装置である。
エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び無機質充
填剤等からなるエポキシ樹脂組成物系にアルカリ
金属及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物を
0.001乃至0.015ｇ当量１Kg含むことを特徴とする
樹脂組成物にて封止されてなる半導体装置である
から、この半導体中に浸透された透過水によつて
不純物が過水分解されてイオン化して透過水に溶
解しても封止樹脂組成物系に添加されたアルカリ
金属及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物によ
つて特に水素イオンの存在によつて透過水内で中
和され、従つてこの透過水中の水素イオン量を低
減させ、結果PHを中性に近づけるとともにアルカ
リ金属又はアルカリ土金属イオンの濃度が増加す
るにもかかわらず水素カチオンイオン量を減少さ
せることによつて透過水中の電気伝導度を低下さ
せ、従つてアルミ配線あるいはアルミ電極の腐食
速度を著しく減少しひいては耐湿性に優れた半導
体装置とすることができると同時にこのアルカリ
金属叉はアルカリ土類金属の水酸化物の添加量を
0.015ｇ当量／Kg以下とすることによつて半導体
封止樹脂そのものの高温ρV特性、煮沸ρV特性及
び煮沸吸水率などの特性を劣化させることないと
いう効果を併せ奏する半導体装置である。
Claims (1)
- １ エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び無機
質充填剤等からなるエポキシ樹脂組成物系１Kg中
にアルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属の水
酸化物を0.001乃至0.015ｇ当量含むことを特徴と
する樹脂組成物にて封止されてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232084A JPS61110451A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232084A JPS61110451A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110451A JPS61110451A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH0348659B2 true JPH0348659B2 (ja) | 1991-07-25 |
Family
ID=16933743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59232084A Granted JPS61110451A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61110451A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03157448A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH0647646B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1994-06-22 | 住友ベークライト株式会社 | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP59232084A patent/JPS61110451A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61110451A (ja) | 1986-05-28 |
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