JPH04202321A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH04202321A JPH04202321A JP32956190A JP32956190A JPH04202321A JP H04202321 A JPH04202321 A JP H04202321A JP 32956190 A JP32956190 A JP 32956190A JP 32956190 A JP32956190 A JP 32956190A JP H04202321 A JPH04202321 A JP H04202321A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は高集積度IC封止用樹脂組成物に適する耐湿性
に優れたエポキシ樹脂組成物に関するものである。
に優れたエポキシ樹脂組成物に関するものである。
(従来の技術)
近年、IC,LSIなどの半導体素子を安価に封止する
ためにはセラミック封止や金属封止に代わり熱硬化性樹
脂成形材料を用いて樹脂封止する方法が行われている。
ためにはセラミック封止や金属封止に代わり熱硬化性樹
脂成形材料を用いて樹脂封止する方法が行われている。
この封止用成形材料としては低圧成形用エポキシ樹脂成
形材料が最も一般的に用いられている。
形材料が最も一般的に用いられている。
この樹脂封止化に伴い封止樹脂の信頼性、特に耐湿性の
向上が強く要求されている。
向上が強く要求されている。
封止樹脂の耐湿性は、その配合組成によるところが太き
(バルク透湿、界面よりの水の浸入、不純物レベル、電
気特性などが支配要因と考えられる。また、近年、自動
車などの用途には高温下における信頼性の要求も強まっ
ている。
(バルク透湿、界面よりの水の浸入、不純物レベル、電
気特性などが支配要因と考えられる。また、近年、自動
車などの用途には高温下における信頼性の要求も強まっ
ている。
封止樹脂の耐湿性試験でAL配線腐食要因となる不純物
としては、ナトリウム、塩素、臭素などが挙げられる。
としては、ナトリウム、塩素、臭素などが挙げられる。
この中でナトリウムについては、原料の精製により耐湿
性はほぼ問題のない水準に到達している。臭素について
は使用している難燃剤が発生源である。この臭素は高温
下における信頼性、即ち金線とアルミバットの接合部の
断線を誘発するものと考えられている。臭素系以外の難
燃剤も数種提案されているが成形性、信頼性、価格など
のバランスから現在の半導体封止用エポキシ樹脂の難燃
剤としては臭素化エポキン樹脂/三酸化アンチモン系が
最も一般的である。しかし、高温高湿下または高温保管
(200°C以上)での信頼性を向上するために臭素含
有量を低減すると耐燃性が下がり両特性を両立させた樹
脂組成物系を得ることは困難であった。
性はほぼ問題のない水準に到達している。臭素について
は使用している難燃剤が発生源である。この臭素は高温
下における信頼性、即ち金線とアルミバットの接合部の
断線を誘発するものと考えられている。臭素系以外の難
燃剤も数種提案されているが成形性、信頼性、価格など
のバランスから現在の半導体封止用エポキシ樹脂の難燃
剤としては臭素化エポキン樹脂/三酸化アンチモン系が
最も一般的である。しかし、高温高湿下または高温保管
(200°C以上)での信頼性を向上するために臭素含
有量を低減すると耐燃性が下がり両特性を両立させた樹
脂組成物系を得ることは困難であった。
塩素イオンについては原料のエポキシ樹脂の高純度化に
より改善されているがエポキシ樹脂の精製時に除去でき
ない加水分解性塩素はおよそ1100pp存在しており
、この塩素が高温高湿下または高温保管時に解離し信頼
性を低下させる要因と考えられている。
より改善されているがエポキシ樹脂の精製時に除去でき
ない加水分解性塩素はおよそ1100pp存在しており
、この塩素が高温高湿下または高温保管時に解離し信頼
性を低下させる要因と考えられている。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は高温高湿下または高温保管(2006C)時の
信頼性が極めて優れ且つ成形性、難燃性等の低特性も優
れた樹脂組成物を提供するものである。
信頼性が極めて優れ且つ成形性、難燃性等の低特性も優
れた樹脂組成物を提供するものである。
(課題を解決するための手段)
本発明者はこれらの問題を解決するために鋭意検討した
結果 (A)エポキシ樹脂 (B)臭素化エポキシ樹脂 (C)ノボラック型フェノール樹脂 (D)硬化促進剤 (E)アンチモン化合物 (F)ハロゲンイオン交換体 を主成分とする組成物において(A)と(B)と(F)
または(A)と(B)と(F)と(E)を予め溶融した
混合物を配合する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を見
いだした。
結果 (A)エポキシ樹脂 (B)臭素化エポキシ樹脂 (C)ノボラック型フェノール樹脂 (D)硬化促進剤 (E)アンチモン化合物 (F)ハロゲンイオン交換体 を主成分とする組成物において(A)と(B)と(F)
または(A)と(B)と(F)と(E)を予め溶融した
混合物を配合する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を見
いだした。
(作用)
本発明に用いるエポキシ樹脂としては1分子中に2個以
上のエポキシ基を有するものであればいかなるものでも
良く、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキン樹脂、クレゾールノラック型エポキシ樹脂、脂環
式エポキシ樹脂等が挙げられこれらのエポキシ樹脂は1
種または2種以上混合して用いることもてきる。
上のエポキシ基を有するものであればいかなるものでも
良く、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキン樹脂、クレゾールノラック型エポキシ樹脂、脂環
式エポキシ樹脂等が挙げられこれらのエポキシ樹脂は1
種または2種以上混合して用いることもてきる。
臭素化エポキシ樹脂は、ビスフェノール型臭素化エポキ
シ樹脂、フェノールノボラック型臭素化エポキシ樹脂等
臭素、エポキシ基を有するものであれば良い。
シ樹脂、フェノールノボラック型臭素化エポキシ樹脂等
臭素、エポキシ基を有するものであれば良い。
硬化剤のノボラック型フェノール樹脂はフェノールノボ
ラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂およびこれらの
変性樹脂が挙げられ、これらは1種または2種以上混合
して用いることもできる。
ラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂およびこれらの
変性樹脂が挙げられ、これらは1種または2種以上混合
して用いることもできる。
硬化促進剤はエポキシ基とフェノール性水酸基との反応
を促進するものであればよく、一般に封止用材料に使用
されているものを広く使用することができ、例えばBD
MA等の第3級アミン類、イミダゾール類、DBU、
トリフェニルホスフィン等の有機リン化合物等が挙げ
られ単独もしくは2種以上混合して用いても良い。
を促進するものであればよく、一般に封止用材料に使用
されているものを広く使用することができ、例えばBD
MA等の第3級アミン類、イミダゾール類、DBU、
トリフェニルホスフィン等の有機リン化合物等が挙げ
られ単独もしくは2種以上混合して用いても良い。
本発明で用いられる無機充填材としては結晶ンリカ、溶
融シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、タルク、マイカ
、ガラス繊維等が挙げられる。
融シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、タルク、マイカ
、ガラス繊維等が挙げられる。
その他必要に応じてワックス類等の離型剤、カーホンブ
ラック、ベンガラ等の着色剤、ンランカップリング剤そ
の低熱可塑性樹脂等を適宜添加配合することができる。
ラック、ベンガラ等の着色剤、ンランカップリング剤そ
の低熱可塑性樹脂等を適宜添加配合することができる。
上記の原料中に含まれるアルカリ金属およびハロゲン
等の不純物は極めて少ないことが必須である。
等の不純物は極めて少ないことが必須である。
アンチモン化合物は三酸化アンチモン、四酸化アンチモ
ンが挙げられる。
ンが挙げられる。
本発明で用いられるハロケンイオン交換体には、ハイド
ロタルサイト、鉄酸、炭酸、スズ酸、ジルコニウム酸、
ビスマス酸等の含水酸化物などを挙げることができる。
ロタルサイト、鉄酸、炭酸、スズ酸、ジルコニウム酸、
ビスマス酸等の含水酸化物などを挙げることができる。
このハロゲンイオン交換体、エポキシ樹脂臭素化エポキ
シ樹脂および必要によりアンチモン化合物をニーダ−あ
るいは反応釜に仕込み温度100〜200℃で真空(1
−10−3torr)下、マタハ常圧下において20分
〜2時間溶融混合する。この過程で遊離の臭素イオン、
塩素イオンあるいは加水分解性の塩素はハロゲンイオン
交換体に捕捉されると同時に一部蒸発もする。
シ樹脂および必要によりアンチモン化合物をニーダ−あ
るいは反応釜に仕込み温度100〜200℃で真空(1
−10−3torr)下、マタハ常圧下において20分
〜2時間溶融混合する。この過程で遊離の臭素イオン、
塩素イオンあるいは加水分解性の塩素はハロゲンイオン
交換体に捕捉されると同時に一部蒸発もする。
樹脂組成物として配合する各成分の割合は全エポキシ樹
脂量を100重量部として、これに対して臭素化エポキ
ン樹脂、ハロケンイオン交換体およびアンチモン化合物
の量はそれぞれ5〜25重量部、1〜25重量部、5〜
25重量部である。
脂量を100重量部として、これに対して臭素化エポキ
ン樹脂、ハロケンイオン交換体およびアンチモン化合物
の量はそれぞれ5〜25重量部、1〜25重量部、5〜
25重量部である。
予め溶融する溶融混合物に用いるエポキシ樹脂量は樹脂
組成物に配合する全エポキシ樹脂量を100重量部とし
、その50〜100%を使用し、臭素化エポキシ樹脂5
〜25重量部でハロゲンイオン交換体は1〜25重量部
で、必要によりアンチモン化合物を5〜25重量部添加
してもよい。
組成物に配合する全エポキシ樹脂量を100重量部とし
、その50〜100%を使用し、臭素化エポキシ樹脂5
〜25重量部でハロゲンイオン交換体は1〜25重量部
で、必要によりアンチモン化合物を5〜25重量部添加
してもよい。
臭素化エポキシ樹脂が25重量部を越えると高温保管特
性および耐湿性が悪化する。5重量部未満だと耐燃性が
悪化する。ハロゲンイオン交換体が25重量部を越える
と粘度が高くなり成形性が悪くなり、1重量部未満だと
イオン交換体の効果が発揮されない。上記溶融混合物に
配合するエポキシ樹脂量が樹脂組成物に配合する全エポ
キシ樹脂量を100重量部として50%(50重量部)
未満だと高温保管特性、耐湿性が悪化する。
性および耐湿性が悪化する。5重量部未満だと耐燃性が
悪化する。ハロゲンイオン交換体が25重量部を越える
と粘度が高くなり成形性が悪くなり、1重量部未満だと
イオン交換体の効果が発揮されない。上記溶融混合物に
配合するエポキシ樹脂量が樹脂組成物に配合する全エポ
キシ樹脂量を100重量部として50%(50重量部)
未満だと高温保管特性、耐湿性が悪化する。
従って、樹脂組成物中に占めるエポキシ樹脂成分は全量
または1部を溶融混合物でまかなえる。
または1部を溶融混合物でまかなえる。
このように予め溶融した混合物を使用することにより、
単に各成分を配合した樹脂組成物に較べて臭素および塩
素イオンを減少でき、特に臭素イオンを大幅に減少でき
る。
単に各成分を配合した樹脂組成物に較べて臭素および塩
素イオンを減少でき、特に臭素イオンを大幅に減少でき
る。
本発明の半導体対土用エポキシ樹脂組成物を製造するに
は一般的な方法として、所定の配合比の原料をミキサー
によって十分に混合した後、更にロールやニーダ−等に
より溶融混練処理し、次いで冷却固化せて適当な大きさ
に粉砕することにより容易に製造することができる。
は一般的な方法として、所定の配合比の原料をミキサー
によって十分に混合した後、更にロールやニーダ−等に
より溶融混練処理し、次いで冷却固化せて適当な大きさ
に粉砕することにより容易に製造することができる。
[実施例コ
以下、本発明を実施例で示す。配合割合は重量部を示す
。
。
製造例P1〜P7
第1表に示した配合割合の各成分を反応釜に仕込み溶融
混合条件で溶融する。
混合条件で溶融する。
実施例1〜7、比較例1
第2表に示したそれぞれの配合割合の組成物を常温で十
分に混合し、更に95〜100℃で2軸ロールにより混
練し、冷却後粉砕して成形材料とし、これをタブレット
化して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
分に混合し、更に95〜100℃で2軸ロールにより混
練し、冷却後粉砕して成形材料とし、これをタブレット
化して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
この材料をトランスファー成形機(成形条件。
金型温度175℃、硬化時間2分)を用いて成形し、得
られた成形品を175℃、8時間で後硬化し評価した。
られた成形品を175℃、8時間で後硬化し評価した。
結果を第2表に示す。
評価方法
*1、塩素イオン。*2、臭素イオン
樹脂組成物を175℃、4時間で加熱させた後100メ
ツシユ以下に微粉砕した材料3gをエチルアルコール3
mlと共に47m1の蒸留水中に入れ、該混合液を密閉
容器に入れ、125℃、20時間加熱処理する。処理後
、上澄液中の両イオンをイオンクロマトグラフィーで測
定する。
ツシユ以下に微粉砕した材料3gをエチルアルコール3
mlと共に47m1の蒸留水中に入れ、該混合液を密閉
容器に入れ、125℃、20時間加熱処理する。処理後
、上澄液中の両イオンをイオンクロマトグラフィーで測
定する。
*3、加水分解性塩素
樹脂組成物をジオキサンに溶かし、1規定苛性ソーダを
加え煮沸する。その後濃硝酸、蒸留水を加えて、115
00規定または1/100規定の硝酸銀のイソプロピル
アルコール標準溶液て電位差滴定する。
加え煮沸する。その後濃硝酸、蒸留水を加えて、115
00規定または1/100規定の硝酸銀のイソプロピル
アルコール標準溶液て電位差滴定する。
*4、耐湿性
成形品(チップサイズ36mm2、パ。
ケーン厚2mm)20個を125℃、100%RHの条
件でプレッシャークツカー試験をし、回路オープン不良
率が50%を越えた時間を示す。
件でプレッシャークツカー試験をし、回路オープン不良
率が50%を越えた時間を示す。
*5高温(200’C)保管特性
成形品20個を175℃、8時間後硬化した後、185
℃の高温釜に放置し、成形品リートピン間の抵抗を測定
しリードピン間の抵抗が1オ一ム以上になった場合不良
と判定。リードピン間の抵抗不良率が50%を越えた時
間。
℃の高温釜に放置し、成形品リートピン間の抵抗を測定
しリードピン間の抵抗が1オ一ム以上になった場合不良
と判定。リードピン間の抵抗不良率が50%を越えた時
間。
*6燃焼性
試験片127mmX12.7mmX3.2mmを使用し
UL−94のV−Qレベルのものが○。
UL−94のV−Qレベルのものが○。
*7成形性
得られた成形品のベント部の樹脂パリの長さが1.0m
m未満が○、1. 0mm以上が×。
m未満が○、1. 0mm以上が×。
(発明の効果)
本発明の方法に従うと遊離の臭素イオン、塩素イオンあ
るいは加水分解性の塩素イオンを効果的に捕捉すること
ができ高温高湿下あるいは高温(200℃以上)保管下
での信頼性が極めて優れた半導体対土用エポキシ樹脂組
成物を得ることができる。
るいは加水分解性の塩素イオンを効果的に捕捉すること
ができ高温高湿下あるいは高温(200℃以上)保管下
での信頼性が極めて優れた半導体対土用エポキシ樹脂組
成物を得ることができる。
Claims (1)
- (1)(A)エポキシ樹脂 (B)臭素化エポキシ樹脂 (C)ノボラック型フェノール樹脂 (D)硬化促進剤 (E)アンチモン化合物 (F)ハロゲンイオン交換体 を主成分とする組成物において(A)と(B)と(F)
または(A)と(B)と(F)と(E)を予め溶融した
混合物を配合することを特徴とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32956190A JPH04202321A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32956190A JPH04202321A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04202321A true JPH04202321A (ja) | 1992-07-23 |
Family
ID=18222733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32956190A Pending JPH04202321A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04202321A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07173372A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| WO1996031574A1 (en) * | 1995-04-04 | 1996-10-10 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive, adhesive film and adhesive-backed metal foil |
| US6794031B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-09-21 | Ube Industries, Ltd. | Cover-lay film and printed circuit board having the same |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP32956190A patent/JPH04202321A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07173372A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| WO1996031574A1 (en) * | 1995-04-04 | 1996-10-10 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive, adhesive film and adhesive-backed metal foil |
| CN1089356C (zh) * | 1995-04-04 | 2002-08-21 | 日立化成工业株式会社 | 粘合剂、胶膜及带粘合剂底面的金属箔 |
| US6794031B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-09-21 | Ube Industries, Ltd. | Cover-lay film and printed circuit board having the same |
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