JPH0348824A - Ｍｉｍ型非線形スイッチング素子の製造方法 - Google Patents
Ｍｉｍ型非線形スイッチング素子の製造方法Info
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- JPH0348824A JPH0348824A JP1185335A JP18533589A JPH0348824A JP H0348824 A JPH0348824 A JP H0348824A JP 1185335 A JP1185335 A JP 1185335A JP 18533589 A JP18533589 A JP 18533589A JP H0348824 A JPH0348824 A JP H0348824A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示装置に設置されるスイッチング素子
のうち、金属−絶縁体−金属の３層構造からなる素子（
Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ、以下Ｍ
Ｉ Ｍ素子と呼ぶ）の製造方法に関するものである。
のうち、金属−絶縁体−金属の３層構造からなる素子（
Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ、以下Ｍ
Ｉ Ｍ素子と呼ぶ）の製造方法に関するものである。
ＭＩＭ素子は、印加電圧が低い場合には高抵抗、印加電
圧が高い場合には低抵抗となる電気的特性を有し、ガラ
ス基板上にも容易に形成できるため、液晶表示装置のス
イッチング素子として利用することが提案されている。
圧が高い場合には低抵抗となる電気的特性を有し、ガラ
ス基板上にも容易に形成できるため、液晶表示装置のス
イッチング素子として利用することが提案されている。
従来例におけるこのＭ Ｉ Ｍ素子の製造方法を第３図
を用いて説明する。
を用いて説明する。
まずガラス基板１上の全面に金属２を形成する。
その後全面に感光性樹脂を形成し、マスクを用いて露光
現像を行ないこの感光性樹脂をバターニングし、このバ
ターニングした感光性樹脂をエツチングマスクにして金
属２をエツチングする、いわゆるフォトエツチングによ
り金属２をエツチングする。
現像を行ないこの感光性樹脂をバターニングし、このバ
ターニングした感光性樹脂をエツチングマスクにして金
属２をエツチングする、いわゆるフォトエツチングによ
り金属２をエツチングする。
次にこの金属２上に陽極酸化法や熱酸化法等を用いて絶
縁体６を形成する。
縁体６を形成する。
その後基板上に全面に透明導電膜４を形成しフォトエツ
チングを用いてこの透明画素電極をパタニングして、Ｍ
ＩＭ素子を製造している。
チングを用いてこの透明画素電極をパタニングして、Ｍ
ＩＭ素子を製造している。
（特開昭５７−１９６２９０号報）
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら前述したＭＩＭ素子の製造方法においては
、下記のような課題を有している。
、下記のような課題を有している。
（イ）絶縁体６と透明導電膜４、およびガラス基板１と
透明導電膜４との密着に問題がある。
透明導電膜４との密着に問題がある。
（ロ）第３図の内部１０に示したような、前述の密着性
に起因する金属２０段差破覆部において透明導電膜４の
サイドエツチングが発生し、断線が多発する。
に起因する金属２０段差破覆部において透明導電膜４の
サイドエツチングが発生し、断線が多発する。
ｅ→ 同様に前述の密着性に起因する透明導電膜４のパ
ターニング時の寸法バラツキが大きいためＭＩＭ素子の
面積バラツキが大きい。
ターニング時の寸法バラツキが大きいためＭＩＭ素子の
面積バラツキが大きい。
巨）前述の素子面積バラツキに起因するＭ Ｉ Ｍ素子
の電流−電圧特性、特に高電圧側でのバラツキが大きい
。
の電流−電圧特性、特に高電圧側でのバラツキが大きい
。
（ホ）前述の電流−電圧特性のバラツキに起因する電流
−電圧特性の安定性、再現性が著しく低下する。
−電圧特性の安定性、再現性が著しく低下する。
本発明の目的は、絶縁膜と透明導電膜との密着不良、お
よびガラス基板と透明導電膜との密着不良を解決し、透
明導電膜のサイドエッチをなくし、第１の金属の段差被
覆部における透明導電膜の断線を防止でき、ＭＩＭ素子
の電流−電圧特性のバラツキをなくシ、従ってこの電流
−電圧特性の再現性、安定性を向上させる事のできるＭ
Ｉ Ｍ素子の製造方法を提供するものである。
よびガラス基板と透明導電膜との密着不良を解決し、透
明導電膜のサイドエッチをなくし、第１の金属の段差被
覆部における透明導電膜の断線を防止でき、ＭＩＭ素子
の電流−電圧特性のバラツキをなくシ、従ってこの電流
−電圧特性の再現性、安定性を向上させる事のできるＭ
Ｉ Ｍ素子の製造方法を提供するものである。
上記目的を達成するために、本発明のＭＩＭ素子の製造
方法においては、絶縁膜形成後に酸洗浄処理を施すか、
スパッタライトエツチング処理を施すか、またはスパッ
タライトエツチング処理と酸洗浄処理の両方を施すこと
を特徴とする。
方法においては、絶縁膜形成後に酸洗浄処理を施すか、
スパッタライトエツチング処理を施すか、またはスパッ
タライトエツチング処理と酸洗浄処理の両方を施すこと
を特徴とする。
〔実施例１〕
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳述する。
第１図は本発明の一実施例におけるＭＩＭ素子の製造方
法を工程順に示す断面図であり、第２図は本発明のＭＩ
Ｍ素子を示す平面図である。以下第１図と第２図とを参
照して説明する。
法を工程順に示す断面図であり、第２図は本発明のＭＩ
Ｍ素子を示す平面図である。以下第１図と第２図とを参
照して説明する。
まず第１図（ａ）に示すように、金属２としてガラス基
板１上にスパッタリング法や蒸着法等を用いてタンタル
（Ｔａ ）を１００ ｎｍ〜５００ ｎ、ｍの厚さで形
成し、第１図（ｂ）に示すように、フォトエツチングを
用いて金属２をバターニングする。
板１上にスパッタリング法や蒸着法等を用いてタンタル
（Ｔａ ）を１００ ｎｍ〜５００ ｎ、ｍの厚さで形
成し、第１図（ｂ）に示すように、フォトエツチングを
用いて金属２をバターニングする。
その後第１図（ｃ）に示すように絶縁体６を得るために
、金属２であるタンタルを０．５ｇ／’ｌ〜５０ ｇ／
１１のクエン酸溶液中における陽極酸化法を行う。ある
いはこの陽極酸化法の代わりに、温度２００°Ｃ〜４５
０℃の酸素雰囲気中で熱処理するいわゆる熱酸化法を行
なう。陽極酸化あるいは熱酸化にて形成する絶縁体３と
しての酸化タンタルは５ｎｍ〜ＩＱＯｎｍの厚さで形成
する。または、スパッタリング法や蒸着法や化学気相成
長法等を用いて酸化タンタル、酸化硅素、窒化硅素等を
５ｎｍ〜１１００ｎ全面に形成する。
、金属２であるタンタルを０．５ｇ／’ｌ〜５０ ｇ／
１１のクエン酸溶液中における陽極酸化法を行う。ある
いはこの陽極酸化法の代わりに、温度２００°Ｃ〜４５
０℃の酸素雰囲気中で熱処理するいわゆる熱酸化法を行
なう。陽極酸化あるいは熱酸化にて形成する絶縁体３と
しての酸化タンタルは５ｎｍ〜ＩＱＯｎｍの厚さで形成
する。または、スパッタリング法や蒸着法や化学気相成
長法等を用いて酸化タンタル、酸化硅素、窒化硅素等を
５ｎｍ〜１１００ｎ全面に形成する。
その後１％〜３８％の塩酸溶液中に浸して洗浄を行なう
。上記の塩酸の代わりに塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、リン
酸のうちの１種類、もしくは少なくとも２種類以上の混
合液、もしくはこれらに過酸化水素水、及び水のうちど
ちらか一方もしくは両方を加えた溶液を用いて行なって
も同様の効果を得ることが可能である。
。上記の塩酸の代わりに塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、リン
酸のうちの１種類、もしくは少なくとも２種類以上の混
合液、もしくはこれらに過酸化水素水、及び水のうちど
ちらか一方もしくは両方を加えた溶液を用いて行なって
も同様の効果を得ることが可能である。
最後に、第１図（（１）に示すように、透明画素電極を
形成するために、透明導電膜４として例えばＩ ＴＯ（
Ｉ ｎ２ ｏ３ ａ Ｓ ｎｏｔ ）を５０ｎｍ〜５０
０ｎｍの厚さスパッタリング法や蒸着法等を用いて形成
し、フォトエツチング法によりバターニングして当該へ
・ｉＩＭ素子を得る。このＭ Ｉ Ｍ素子の平面図を第
２図に示す。
形成するために、透明導電膜４として例えばＩ ＴＯ（
Ｉ ｎ２ ｏ３ ａ Ｓ ｎｏｔ ）を５０ｎｍ〜５０
０ｎｍの厚さスパッタリング法や蒸着法等を用いて形成
し、フォトエツチング法によりバターニングして当該へ
・ｉＩＭ素子を得る。このＭ Ｉ Ｍ素子の平面図を第
２図に示す。
〔実施例２〕
実施例１に述べた方法を用いて金属２をバターニングし
絶縁体６を形成する。
絶縁体６を形成する。
その後、第４図に示すようなアルゴンガスを導入した真
空槽６１内において圧力Ｏ】〜５０Ｐａ、投入電力密度
０１〜１０ Ｗ ／ ａｔ：、処理時間１０砂〜３０分
の範囲でスパッタライトエツチング処理をガラス基板１
の全面に施す。アルゴンガスの代わりにネオン（Ｎｅ）
、クリプトン（Ｋｒ ）等の不活性ガスを用いても同様
の効果を得られる。
空槽６１内において圧力Ｏ】〜５０Ｐａ、投入電力密度
０１〜１０ Ｗ ／ ａｔ：、処理時間１０砂〜３０分
の範囲でスパッタライトエツチング処理をガラス基板１
の全面に施す。アルゴンガスの代わりにネオン（Ｎｅ）
、クリプトン（Ｋｒ ）等の不活性ガスを用いても同様
の効果を得られる。
尚、前述のスパッタライトエツチング処理を施す際に、
基板ホルダー６４として例えばアルミナ、酸化硅素、炭
素、硅素、チタン等の低スパツタ率の物質でできたもの
や、もしくはこれらの物質で覆われたものを用いると、
基板の汚染を効果的に防ぐことができる。さらに基板を
５０℃〜４００°Ｃの間で加熱しながら行なったり、第
５図に示すように投入する高周波電力６６に−１０〜−
１００ＯＶＯ間で直流成分６７を印加したり、高周波電
力６６として例えばマイクロ波を用いろと、スパッタエ
ツチング速度が大きくなるので、より効果的にスパッタ
ライトエツチング処理を行なうことが可能である。
基板ホルダー６４として例えばアルミナ、酸化硅素、炭
素、硅素、チタン等の低スパツタ率の物質でできたもの
や、もしくはこれらの物質で覆われたものを用いると、
基板の汚染を効果的に防ぐことができる。さらに基板を
５０℃〜４００°Ｃの間で加熱しながら行なったり、第
５図に示すように投入する高周波電力６６に−１０〜−
１００ＯＶＯ間で直流成分６７を印加したり、高周波電
力６６として例えばマイクロ波を用いろと、スパッタエ
ツチング速度が大きくなるので、より効果的にスパッタ
ライトエツチング処理を行なうことが可能である。
最後に、実施例１で述べた方法で透明導電膜４を形成し
て当該ＭＩＭ素子を得る。
て当該ＭＩＭ素子を得る。
〔実施例３〕
実施例１で述べた方法で第１の金属２をバターニングし
た後、絶縁体６を形成する。
た後、絶縁体６を形成する。
その後、実施例２で述べた方法でスパッタライトエツチ
ング処理を施す。
ング処理を施す。
その後、実施例１で述べた方法で酸洗浄処理を施す。
最後に、実施例１で述べた方法で透明導電膜４を形成し
て当該ＭＩＭ素子を得る。
て当該ＭＩＭ素子を得る。
尚、酸洗浄処理を施した後にスパッタライトエツチング
処理を施しても同様の効果が得られる。
処理を施しても同様の効果が得られる。
以」二の説明で明らかなように、本発明によればガラス
基板と透明導電膜、及び絶縁膜３と透明導電膜の密着が
良好で、Ｍ Ｉ Ｍ素子の素子面積バラツキもなく、段
差被覆部分におけるサイドエッチも発生せず、断線を防
止し電流−電圧特性のバラツキがなく安定性、再現性を
著しく向上させたＭ、 Ｉ Ｍ素子の製造が可能となる
。本発明を液晶表示装置の製造等に応用すれば、その効
果は絶大である。
基板と透明導電膜、及び絶縁膜３と透明導電膜の密着が
良好で、Ｍ Ｉ Ｍ素子の素子面積バラツキもなく、段
差被覆部分におけるサイドエッチも発生せず、断線を防
止し電流−電圧特性のバラツキがなく安定性、再現性を
著しく向上させたＭ、 Ｉ Ｍ素子の製造が可能となる
。本発明を液晶表示装置の製造等に応用すれば、その効
果は絶大である。
第１図（ａ、）〜（ｄ）は本発明の一実施例におけるＭ
Ｉ Ｍ素子の製造方法を工程順に示す断面図、第２図
は本発明の一実施例におけるＭＩＭ素子の平面図、第３
図は従来例によるＭＩＭ素子の斜視図、第４図は本発明
の実施例におけるスパッタライトエツチング処理を行な
うときの状態を表す模式図、第５図は本発明の実施例中
における高周波電力に直流成分を印加しスパッタエツチ
ング処理を行なうときの状態を表す模式図である。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・金属、 ６・・・・・・絶縁体、 ４・・・・・・透明導電膜。 第２図 第３図
Ｉ Ｍ素子の製造方法を工程順に示す断面図、第２図
は本発明の一実施例におけるＭＩＭ素子の平面図、第３
図は従来例によるＭＩＭ素子の斜視図、第４図は本発明
の実施例におけるスパッタライトエツチング処理を行な
うときの状態を表す模式図、第５図は本発明の実施例中
における高周波電力に直流成分を印加しスパッタエツチ
ング処理を行なうときの状態を表す模式図である。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・金属、 ６・・・・・・絶縁体、 ４・・・・・・透明導電膜。 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）ガラス基板上の全面に金属を形成し第１番目のフ
ォトエッチングにより該金属をパターニングする工程と
、前記金属の表面に絶縁体を形成する工程と、全面に酸
洗浄処理を施す工程と、全面に透明導電膜を形成し第２
番目のフォトエッチングにより該透明導電膜を透明画素
電極の形状にパターニングする工程とを有することを特
徴とするＭＩＭ型非線形スイッチング素子の製造方法。 - （２）ガラス基板上の全面に金属を形成し第１番目のフ
ォトエッチングにより該金属をパターニングする工程と
、前記金属の表面に絶縁体を形成する工程と、全面にス
パッタライトエッチング処理を施す工程と、全面に透明
導電膜を形成し第２番目のフォトエッチングにより該透
明導電膜を透明画素電極の形状にパターニングする工程
とを有することを特徴とするＭＩＭ型非線形スイッチン
グ素子の製造方法。 - （３）ガラス基板上の全面に金属を形成し第１番目のフ
ォトエッチングにより該金属をパターニングする工程と
、前記金属の表面に絶縁体を形成する工程と、全面に酸
洗浄処理とスパッタライトエッチング処理とを施す工程
と、全面に透明導電膜を形成し第２番目のフォトエッチ
ングにより該透明導電膜を透明画素電極の形状にパター
ニングする工程とを有することを特徴とするＭＩＭ型非
線形スイッチング素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185335A JPH0348824A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | Ｍｉｍ型非線形スイッチング素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185335A JPH0348824A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | Ｍｉｍ型非線形スイッチング素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348824A true JPH0348824A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16169006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1185335A Pending JPH0348824A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | Ｍｉｍ型非線形スイッチング素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0348824A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008112671A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Omron Corp | スイッチ |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP1185335A patent/JPH0348824A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008112671A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Omron Corp | スイッチ |
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