JPH0351822A - 非線形素子の製造方法 - Google Patents
非線形素子の製造方法Info
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アクティブマトリックス方式液晶表示パネル
において液晶スイッチング素子に用いられる金属−絶縁
体−金属構造を有する非線形素子（以下、ＭＩＭ素子と
記す）の製造方法に関する。
において液晶スイッチング素子に用いられる金属−絶縁
体−金属構造を有する非線形素子（以下、ＭＩＭ素子と
記す）の製造方法に関する。
液晶表示パネルは実用化が進み、現在では高品質高密度
化が望まれている。これは、ＭＩＭ素子を用いたアクテ
ィブマトリンクス方式において可能である。
化が望まれている。これは、ＭＩＭ素子を用いたアクテ
ィブマトリンクス方式において可能である。
ＭＩＭ素子においては、導電体は金属としてみなすこと
ができ、例えばタンタル（Ｔａ）−ｅ化タンタル（Ｔａ
ｇ）−酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような金属−絶
縁体一導電体（金属）構造のＭＩＭ素子を液晶表示パネ
ルに使用する場合、次のような工程により製造すること
ができる。
ができ、例えばタンタル（Ｔａ）−ｅ化タンタル（Ｔａ
ｇ）−酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような金属−絶
縁体一導電体（金属）構造のＭＩＭ素子を液晶表示パネ
ルに使用する場合、次のような工程により製造すること
ができる。
第２図（ａ）は液晶表示パネルを示す平面図、第２図（
ｂ）は第２図（ａ）におけるＡ−Ｂ断面の拡大した断面
図である。以下、第２図（ａ）、（ｂ）を交互に参照し
て説明する。
ｂ）は第２図（ａ）におけるＡ−Ｂ断面の拡大した断面
図である。以下、第２図（ａ）、（ｂ）を交互に参照し
て説明する。
ガラス基板１の全面にＴａをスパッタリング法により形
成し、さらに全面に感光性樹脂を形成する。フォトリソ
グラフィにより感光性樹脂を下層金属２と配線７とのパ
ターン形状にパターニングし、前記の感光性樹脂をエツ
チングマスクとしてＴａをエツチングし下層金属２と配
線７とを形成する。
成し、さらに全面に感光性樹脂を形成する。フォトリソ
グラフィにより感光性樹脂を下層金属２と配線７とのパ
ターン形状にパターニングし、前記の感光性樹脂をエツ
チングマスクとしてＴａをエツチングし下層金属２と配
線７とを形成する。
次に、感光性樹脂を除去後、陽極酸化法によりＴａ表面
に絶縁体４としてＴａＯを形成する。
に絶縁体４としてＴａＯを形成する。
次に、全面にスパッタリング法によりＩＴＯを形成し、
さらに全面に感光性樹脂を形成する。フォトリソグラフ
ィにより感光性樹脂を上層金属５と液晶駆動用画素電極
８とのパターン形状にパターニングし、前記の感光性樹
脂をエツチングマスクとしてＩＴＯをエツチングし上層
金属５と液晶駆動用画素電極８とを形成する。
さらに全面に感光性樹脂を形成する。フォトリソグラフ
ィにより感光性樹脂を上層金属５と液晶駆動用画素電極
８とのパターン形状にパターニングし、前記の感光性樹
脂をエツチングマスクとしてＩＴＯをエツチングし上層
金属５と液晶駆動用画素電極８とを形成する。
その際、上層金属５であるＩＴＯと感光性樹脂との密着
が非常に悪いため、第３図（ａｌに示すようにＩＴＯか
らなる上層金属５と感光性樹脂６の界面にエツチング液
が入り込み、上層金属５のサイドエッチが進行し、上層
金属５のエツチングバラツキが生じる。そのため感光性
樹脂６の密着力を向上させる一般的な方法である。感光
性樹脂パターニング後の熱処理温度を高（する方法を用
いてＩＴＯのパターニングを行っている。
が非常に悪いため、第３図（ａｌに示すようにＩＴＯか
らなる上層金属５と感光性樹脂６の界面にエツチング液
が入り込み、上層金属５のサイドエッチが進行し、上層
金属５のエツチングバラツキが生じる。そのため感光性
樹脂６の密着力を向上させる一般的な方法である。感光
性樹脂パターニング後の熱処理温度を高（する方法を用
いてＩＴＯのパターニングを行っている。
感光性樹脂パターニング後の熱処理温度を高（する方法
を用いると、感光性樹脂の密着力は向上するが、第３図
（ｂ）に示すように、熱により感光性樹脂６自身の形状
が変化する。そのため、感光性樹脂６のバターニング性
が悪化し、第３図（ａｌを用いて説明したと同様に上層
金属５のエツチングバラツキが生じる。
を用いると、感光性樹脂の密着力は向上するが、第３図
（ｂ）に示すように、熱により感光性樹脂６自身の形状
が変化する。そのため、感光性樹脂６のバターニング性
が悪化し、第３図（ａｌを用いて説明したと同様に上層
金属５のエツチングバラツキが生じる。
ＭＩＭ素子の場合、素子面積は、絶縁体４を介して下層
金属２と上層金属５とが重なった領域である。上層金属
６のエツチングバラツキは、すなわち、素子面積バラツ
キとなり、素子特性が不均一になる。
金属２と上層金属５とが重なった領域である。上層金属
６のエツチングバラツキは、すなわち、素子面積バラツ
キとなり、素子特性が不均一になる。
本発明の目的は、このような課題を解決し素子特性が均
一な、高品質高密度の液晶表示パネルの製造方法を提供
することである。
一な、高品質高密度の液晶表示パネルの製造方法を提供
することである。
上記の目的は、下層金属−絶縁体−上層金属構造の非線
形素子の製造方法において、上層金属を形成後、上層金
属表面にスパッタエツチング処理、あるいはりアクティ
ブイオンエツチング処理、あるいは上層金属のエツチン
グ液によりエツチング処理を施すことによって解決され
る。
形素子の製造方法において、上層金属を形成後、上層金
属表面にスパッタエツチング処理、あるいはりアクティ
ブイオンエツチング処理、あるいは上層金属のエツチン
グ液によりエツチング処理を施すことによって解決され
る。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
〔実施例１〕
第１図ｔａ＋〜（ｄｌは、本実施例により製作したＭＩ
Ｍ素子を用いた液晶表示パネルの製造方法を工程順に示
す断面図であり、第２図（ａ）におけるＡ−Ｂ断面に相
当する。以下、第１図（ａ）〜（ｄ）と第２図（ａ）と
を参照して説明する。
Ｍ素子を用いた液晶表示パネルの製造方法を工程順に示
す断面図であり、第２図（ａ）におけるＡ−Ｂ断面に相
当する。以下、第１図（ａ）〜（ｄ）と第２図（ａ）と
を参照して説明する。
第１図（ａｔに示すように、ガラス基板１の全面にＴａ
をスパッタリング法により形成し、さらに全面に感光性
樹脂６を形成する。フォトリングラフィにより感光性樹
脂６を第２図（ａ）に示す下層金属２と配線７のパター
ン形状にパターニングし、感光性樹脂６をエツチングマ
スクとしてＴａをエツチングし下層金属２と配線７とを
形成する。
をスパッタリング法により形成し、さらに全面に感光性
樹脂６を形成する。フォトリングラフィにより感光性樹
脂６を第２図（ａ）に示す下層金属２と配線７のパター
ン形状にパターニングし、感光性樹脂６をエツチングマ
スクとしてＴａをエツチングし下層金属２と配線７とを
形成する。
次に、ｉｆ図（ｂ）に示すように、感光性樹脂３を除去
後、クエン酸０．１％水溶液中、３０Ｖの電圧で、Ｔａ
を陽極酸化し、下層金属２表面に絶縁体４としてＴａＯ
を形成する。
後、クエン酸０．１％水溶液中、３０Ｖの電圧で、Ｔａ
を陽極酸化し、下層金属２表面に絶縁体４としてＴａＯ
を形成する。
次に第１図（ｃ）に示すように、全面にスパッタリング
法により上層金属５としてＩＴＯを形成し、その後下記
に記載する条件により上層金属５表面にスパッタエツチ
ング処理を施す。
法により上層金属５としてＩＴＯを形成し、その後下記
に記載する条件により上層金属５表面にスパッタエツチ
ング処理を施す。
ガス種：Ａ「またはＮまたはＨｅまたはこれらの混合ガ
ス ガス圧：１帥ｔｏｒｒ〜８胴ｔｏｒｒ １１、Ｆ電カニ ０．０５Ｗ／ｃｎｔ〜０．５Ｗ／ｃｎ
ｉ処理時間： １ｍ１ｎ〜１０ｍ１ｎ 次に、全面に感光性樹脂６を形成し、フォトリングラフ
ィにより感光性樹脂６を第２図（ａｌに示す上層金属５
と液晶駆動用画素電極８とのパターン形状にパターニン
グし、感光性樹脂６のエツチングマスクとして下記に記
載する条件により、第１図（ｄ）に示すようにＩＴＯを
エツチングし上層金属５と液晶駆動用画素電極８とを形
成する。
ス ガス圧：１帥ｔｏｒｒ〜８胴ｔｏｒｒ １１、Ｆ電カニ ０．０５Ｗ／ｃｎｔ〜０．５Ｗ／ｃｎ
ｉ処理時間： １ｍ１ｎ〜１０ｍ１ｎ 次に、全面に感光性樹脂６を形成し、フォトリングラフ
ィにより感光性樹脂６を第２図（ａｌに示す上層金属５
と液晶駆動用画素電極８とのパターン形状にパターニン
グし、感光性樹脂６のエツチングマスクとして下記に記
載する条件により、第１図（ｄ）に示すようにＩＴＯを
エツチングし上層金属５と液晶駆動用画素電極８とを形
成する。
エツチング液：ＦｅＣｌ３とＨＣＩとＨ，Ｏとの混合液
液 温 度＝ ３０℃〜６０°Ｃ
第１図（Ｃ）に示すように、上層金属５表面にスパッタ
エツチング処理を施すことにより、上層金属５表面が適
度に荒れ、上層金属５と感光性樹脂６との密着性が向上
する。これにより第３図（ａｌに示すように上層金属５
と感光性樹脂６の界面にエツチング液が入り込むことが
なくなり、上層金属５のエツチングバラツキ、すなわち
、素子面積のバラツキがなくなり、均一な素子特性が得
られる。
エツチング処理を施すことにより、上層金属５表面が適
度に荒れ、上層金属５と感光性樹脂６との密着性が向上
する。これにより第３図（ａｌに示すように上層金属５
と感光性樹脂６の界面にエツチング液が入り込むことが
なくなり、上層金属５のエツチングバラツキ、すなわち
、素子面積のバラツキがなくなり、均一な素子特性が得
られる。
〔実施例２〕
〔実施例１〕のスパッタエツチング処理の代わ９として
、上層金属５表面を下記に記載する条件により、リアク
ティブイオンエツチング処理を施すことにより〔実施例
１〕と同様な効果が得られる。
、上層金属５表面を下記に記載する条件により、リアク
ティブイオンエツチング処理を施すことにより〔実施例
１〕と同様な効果が得られる。
活性ガス種： ＣＦＸＨ，ｘ（Ｘ＝１〜４）またはｃ
ｔ Ｆ、Ｈ６−ｘ （Ｘ＝１〜６ ）またはＳ Ｆ ａ
／ＨｅまたはＮ Ｆ ｓ ／Ｈｅ ｆたはこれらの混
合ガス ガ ス 圧 ；５Ｐａ 〜１００Ｐａ投入電カニ〇
、ＩＷ／ｃ！！ｔ〜１０Ｗ／ｄ処理時間：１騙〜１０龍 〔実施例３〕 〔実施例１〕のスパッタエツチング処理の代わりとして
、上層金属５であるＩＴＯ表面を下記に記載する条件に
より、エツチング処理を施すことにより〔実施例１〕と
同様な効果が得られる。
ｔ Ｆ、Ｈ６−ｘ （Ｘ＝１〜６ ）またはＳ Ｆ ａ
／ＨｅまたはＮ Ｆ ｓ ／Ｈｅ ｆたはこれらの混
合ガス ガ ス 圧 ；５Ｐａ 〜１００Ｐａ投入電カニ〇
、ＩＷ／ｃ！！ｔ〜１０Ｗ／ｄ処理時間：１騙〜１０龍 〔実施例３〕 〔実施例１〕のスパッタエツチング処理の代わりとして
、上層金属５であるＩＴＯ表面を下記に記載する条件に
より、エツチング処理を施すことにより〔実施例１〕と
同様な効果が得られる。
エツチング液 ：ＦｅＣ６，とＨＣＩとＨ２Ｏとの混合
液 液温度：３０℃〜６０°Ｃ 処理時間：１ｍｍ〜３朋 本実施例では、絶縁体の形成方法として陽極酸化法を用
いた例で説明したが、スパッタリング法またはプラズマ
化学気相成長法などを用いても、酸化シリコン膜や窒化
シリコン膜等からなる絶縁体を形成しても良い。
液 液温度：３０℃〜６０°Ｃ 処理時間：１ｍｍ〜３朋 本実施例では、絶縁体の形成方法として陽極酸化法を用
いた例で説明したが、スパッタリング法またはプラズマ
化学気相成長法などを用いても、酸化シリコン膜や窒化
シリコン膜等からなる絶縁体を形成しても良い。
また本実施例では、下層金属２としてＴａ上層金属５と
してＩＴＯ，絶縁体４としてＴａＯを用いたが、上層及
び下層金属として、アルミニウム、クロム、タングステ
ン、ニッケルなどの他の金属、絶縁体として窒化シリコ
ンや酸化シ替コン等を用いてもＭＩＭ素子を製造するこ
とができる。
してＩＴＯ，絶縁体４としてＴａＯを用いたが、上層及
び下層金属として、アルミニウム、クロム、タングステ
ン、ニッケルなどの他の金属、絶縁体として窒化シリコ
ンや酸化シ替コン等を用いてもＭＩＭ素子を製造するこ
とができる。
以上の説明で明らかなよ５に、本発明によれば、上層金
属と感光性樹脂との密着が向上し、上層金属と感光性樹
脂の界面のエツチング液浸入による上層金属のサイドエ
ッチを防ぐことができる。そのため、上層金属のエツチ
ングバラツキ、すなわち、素子面積のバラツキがなくな
り、均一な素子特性を得ることができる。
属と感光性樹脂との密着が向上し、上層金属と感光性樹
脂の界面のエツチング液浸入による上層金属のサイドエ
ッチを防ぐことができる。そのため、上層金属のエツチ
ングバラツキ、すなわち、素子面積のバラツキがなくな
り、均一な素子特性を得ることができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明におけるＭＩＭ素子の製
造方法を工程順に示す断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示パネルを示し、第２図（ａ
）は平面間、第２図（ｂ）は第２図（ａ）におけるＡ−
Ｂ断面の断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来例におけ
る問題点を説明するための断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・下層金属、 ４・・・・・・絶縁体、 ５・・・・・・上層金属。 第１図 （Ｇ） （ｂ） 第２図 （ａ） （ｂ） 第１図 （Ｃ） （ｄ） 第３図 （Ｇ） （ｂ）
造方法を工程順に示す断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示パネルを示し、第２図（ａ
）は平面間、第２図（ｂ）は第２図（ａ）におけるＡ−
Ｂ断面の断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来例におけ
る問題点を説明するための断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・下層金属、 ４・・・・・・絶縁体、 ５・・・・・・上層金属。 第１図 （Ｇ） （ｂ） 第２図 （ａ） （ｂ） 第１図 （Ｃ） （ｄ） 第３図 （Ｇ） （ｂ）
Claims (3)
- （１）ガラス基板上に下層金属を形成し、その後前記下
層金属上に絶縁体形成し、その後前記絶縁体上に上層金
属を形成する非線形素子の製造方法において、前記上層
金属を形成後、前記上層金属表面にスパッタエッチング
処理を施すことを特徴とする非線形素子の製造方法。 - （２）請求項１記載の非線形素子の製造方法において、
上層金属表面にリアクティブイオンエッチング処理を施
すことを特徴とする非線形素子の製造方法。 - （３）請求項１記載の非線形素子の製造方法において、
上層金属表面を前記上層金属のエッチング液によりエッ
チング処理を施すことを特徴とする非線形素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188108A JPH0351822A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 非線形素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188108A JPH0351822A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 非線形素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0351822A true JPH0351822A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16217844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1188108A Pending JPH0351822A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 非線形素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0351822A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8570300B2 (en) | 2010-09-24 | 2013-10-29 | Japan Display West, Inc. | Touch detection function display device and electronic apparatus |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1188108A patent/JPH0351822A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8570300B2 (en) | 2010-09-24 | 2013-10-29 | Japan Display West, Inc. | Touch detection function display device and electronic apparatus |
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