JPH0349011A - 薄膜磁気ヘッドとその製法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドとその製法Info
- Publication number
- JPH0349011A JPH0349011A JP18379189A JP18379189A JPH0349011A JP H0349011 A JPH0349011 A JP H0349011A JP 18379189 A JP18379189 A JP 18379189A JP 18379189 A JP18379189 A JP 18379189A JP H0349011 A JPH0349011 A JP H0349011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- photoresist
- coil
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度磁気記録に適する薄膜磁気へラドに係
り、記録再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドとその製造方
法に関する。
り、記録再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドとその製造方
法に関する。
従来の薄膜磁気ヘッドにおいて、基板上に下部磁性膜が
スパッタリング法やめっき法によって形成され、この下
部磁性膜の上には一端にはギャップ層を介し、また、他
端ではバックキャップ部において直接、下部磁性膜と接
触していて、スパッタリング法やめっき法によって上部
磁性膜が形成されている。この上部磁性膜と下部磁性膜
の間には、ホトレジスト等の有機絶縁層によって絶縁さ
れたコイルが形成されている。
スパッタリング法やめっき法によって形成され、この下
部磁性膜の上には一端にはギャップ層を介し、また、他
端ではバックキャップ部において直接、下部磁性膜と接
触していて、スパッタリング法やめっき法によって上部
磁性膜が形成されている。この上部磁性膜と下部磁性膜
の間には、ホトレジスト等の有機絶縁層によって絶縁さ
れたコイルが形成されている。
上記従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、上層絶縁膜の形
成に際し、コイル形成後、ホトレジストを所定形状にパ
ターニングし、所定の温度でベークすることにより絶縁
膜先端をテーバ形状になるように形成する。この方法の
ままでは、チーツク角が大きくなりすぎる傾向がある。
成に際し、コイル形成後、ホトレジストを所定形状にパ
ターニングし、所定の温度でベークすることにより絶縁
膜先端をテーバ形状になるように形成する。この方法の
ままでは、チーツク角が大きくなりすぎる傾向がある。
そこで、テーパ角をさらに小さくするためホトレジスト
をパターニング後、紫外光を照射した後ベークする方法
（後露光法）を採用した。後露光法を採用することによ
り、ホトレジスト中に含まれる感光剤の濃度を低減でき
ベーク中のホトレジスト樹脂の硬化の度合いを低減でき
るため、樹脂の流動性が増しテーパ角を小さくすること
が可能となった。
をパターニング後、紫外光を照射した後ベークする方法
（後露光法）を採用した。後露光法を採用することによ
り、ホトレジスト中に含まれる感光剤の濃度を低減でき
ベーク中のホトレジスト樹脂の硬化の度合いを低減でき
るため、樹脂の流動性が増しテーパ角を小さくすること
が可能となった。
このようにして絶縁層を形成すると、テーノ＜角を小さ
くすることは可能となったが、あらたに、ベーク後の絶
縁膜形状が、中心部で盛り上がる上に凸な形状になりそ
の結果、コイル先端の部分で上部磁性膜との距離が小さ
くなり、十分絶縁が保てない状態となり、問題が生じた
。
くすることは可能となったが、あらたに、ベーク後の絶
縁膜形状が、中心部で盛り上がる上に凸な形状になりそ
の結果、コイル先端の部分で上部磁性膜との距離が小さ
くなり、十分絶縁が保てない状態となり、問題が生じた
。
そこで、本発明は、絶縁層のテーノ（角を所定の角度に
保ちつつ、コイル先端と上部磁性膜との絶縁距離を十分
確保できる薄膜磁気ヘッドとその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
保ちつつ、コイル先端と上部磁性膜との絶縁距離を十分
確保できる薄膜磁気ヘッドとその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明では、基板上に絶縁
層を有し、その絶縁層上に下部磁性膜、ギャップ層、多
層の有機絶縁膜及び上部磁性膜が積層され、下部及び上
部磁性膜が一端で接し、もう一端には下部磁性膜と上部
磁性膜の間に磁気ギャップを有し、上部及び下部磁性膜
の結合した部分を巻回するコイルを有する薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、上部磁性膜とコイル間の絶縁にホトレジス
トを用い、そのホトレジスト絶縁膜の導体コイルに接す
る少なくとも一層を硬化処理したものを用いたものであ
る。
層を有し、その絶縁層上に下部磁性膜、ギャップ層、多
層の有機絶縁膜及び上部磁性膜が積層され、下部及び上
部磁性膜が一端で接し、もう一端には下部磁性膜と上部
磁性膜の間に磁気ギャップを有し、上部及び下部磁性膜
の結合した部分を巻回するコイルを有する薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、上部磁性膜とコイル間の絶縁にホトレジス
トを用い、そのホトレジスト絶縁膜の導体コイルに接す
る少なくとも一層を硬化処理したものを用いたものであ
る。
また、上記目的を達成するために、本発明では、上記の
薄膜磁気ヘッドの製造方法として、基板上に下部磁性膜
を形成する工程と、その上にギャップＡＩｚＯｓを形成
する工程と、その上にホトレジスト絶縁膜（第一層目）
を形成する工程と、その上に上部磁性膜と下部磁性膜が
結合している部分を巻回する導体コイル（第一層目）を
形成する工程と、その上にホトレジスト絶縁膜（第二層
目）を形成する工程と、その上に導体コイル（第二層目
）を形成する工程と、該コイルを覆うようにホトレジス
トパターンを形成し、このホトレジストパターンを硬化
する工程、その上に該パターンを覆うようにホトレジス
トをパターニングし、後露光しベークすることにより絶
縁膜を形成する工程、及びこれらの上に上部磁性膜を形
成する工程を有することにより、製造したものである。
薄膜磁気ヘッドの製造方法として、基板上に下部磁性膜
を形成する工程と、その上にギャップＡＩｚＯｓを形成
する工程と、その上にホトレジスト絶縁膜（第一層目）
を形成する工程と、その上に上部磁性膜と下部磁性膜が
結合している部分を巻回する導体コイル（第一層目）を
形成する工程と、その上にホトレジスト絶縁膜（第二層
目）を形成する工程と、その上に導体コイル（第二層目
）を形成する工程と、該コイルを覆うようにホトレジス
トパターンを形成し、このホトレジストパターンを硬化
する工程、その上に該パターンを覆うようにホトレジス
トをパターニングし、後露光しベークすることにより絶
縁膜を形成する工程、及びこれらの上に上部磁性膜を形
成する工程を有することにより、製造したものである。
次に、本発明を第１図を用いて詳しく説明する。
第１図は、本発明により形成された薄膜磁気ヘッドの断
面図である。第１図において、■はセラミック基板で、
その上にギャップ層＾ＩＪｓ２、第一下部磁性膜３、第
二下部磁性ｆ１１４及びギャップ＾ＩＪｓ５が順次積層
され、さらに、第−層絶縁膜６、第−層導体コイル７及
び第二絶縁膜８が順に積層されている。そして、その上
に最上層導体コイル９が形成され、あらかじめ、最上層
コイル９周辺にホトレジスト１０を、コイル上の膜厚が
上部磁性膜との間の絶縁を十分保つことが出来るだけの
膜厚になるように、パターニング形成し、このホトレジ
ス）１０に遠紫外光を照射する等の処理により硬化する
。次に、この上に更にホトレジスト１１を塗布し、所定
形状にパターニングした後、先端テーバ角を目的の値に
することができる量の後露光（ベーク前紫外光照射）を
行い、べ一りして、最上部の絶縁膜１１を得る。そして
、その上に上部磁性膜を形成することにより、本発明の
薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
面図である。第１図において、■はセラミック基板で、
その上にギャップ層＾ＩＪｓ２、第一下部磁性膜３、第
二下部磁性ｆ１１４及びギャップ＾ＩＪｓ５が順次積層
され、さらに、第−層絶縁膜６、第−層導体コイル７及
び第二絶縁膜８が順に積層されている。そして、その上
に最上層導体コイル９が形成され、あらかじめ、最上層
コイル９周辺にホトレジスト１０を、コイル上の膜厚が
上部磁性膜との間の絶縁を十分保つことが出来るだけの
膜厚になるように、パターニング形成し、このホトレジ
ス）１０に遠紫外光を照射する等の処理により硬化する
。次に、この上に更にホトレジスト１１を塗布し、所定
形状にパターニングした後、先端テーバ角を目的の値に
することができる量の後露光（ベーク前紫外光照射）を
行い、べ一りして、最上部の絶縁膜１１を得る。そして
、その上に上部磁性膜を形成することにより、本発明の
薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
コイル周辺に形成したホトレジストを、ベーク前に真空
中で遠紫外光照射等の処理をすることにより、ホトレジ
ストが光架橋反応を起こし硬化する。この遠紫外光照射
等の処理により、硬化したホトレジストパターンは以後
、例えば３５０℃の高温で熱処理を行ってもパターンの
形状は変わることが無く、また膜厚減少も起こさない。
中で遠紫外光照射等の処理をすることにより、ホトレジ
ストが光架橋反応を起こし硬化する。この遠紫外光照射
等の処理により、硬化したホトレジストパターンは以後
、例えば３５０℃の高温で熱処理を行ってもパターンの
形状は変わることが無く、また膜厚減少も起こさない。
従って、この遠紫外光照射等で処理したホトレジストパ
ターンの上に形成したホトレジストパターンを、ベーク
し熱流動を起こさせる際にも、この遠紫外光照射等で処
理したホトレジストパターンは、熱流動を起こすこと無
く形状を維持している。
ターンの上に形成したホトレジストパターンを、ベーク
し熱流動を起こさせる際にも、この遠紫外光照射等で処
理したホトレジストパターンは、熱流動を起こすこと無
く形状を維持している。
以下、本発明の実施例を図面により説明するが、本発明
はこれらの実施例に限定されない。
はこれらの実施例に限定されない。
実施例１
まず、本発明を第２図を用いて説明する。第２図は本発
明の製造方法を工程図で示している。
明の製造方法を工程図で示している。
セラミックス基板１にＡ１１ｂｉ絶縁層２をスバ・・・
タリングにより形成し、その上に、パーマロイ下部磁性
膜３をスパッタリングにより形成する。この下部磁性ｗ
Ｘ３を、イオンミリングにより磁気コア形状にパターニ
ングを行った後、磁気ギャップ層４をスパッタリング法
により形成する。二の上に、ポジ型ホトレジスト （Ｏ
ＦＰＲ−８００１導京応化製）を約４μｍ塗布し、ブリ
ベーク後、所定の形状にパターニングを行い、２５０℃
で１時間ベークし、第１層絶縁膜５を形成する。
タリングにより形成し、その上に、パーマロイ下部磁性
膜３をスパッタリングにより形成する。この下部磁性ｗ
Ｘ３を、イオンミリングにより磁気コア形状にパターニ
ングを行った後、磁気ギャップ層４をスパッタリング法
により形成する。二の上に、ポジ型ホトレジスト （Ｏ
ＦＰＲ−８００１導京応化製）を約４μｍ塗布し、ブリ
ベーク後、所定の形状にパターニングを行い、２５０℃
で１時間ベークし、第１層絶縁膜５を形成する。
次に、第工層導体コイル６をフレームめっき法により形
成する（ａ）。コイル高さは約３μｍである。
成する（ａ）。コイル高さは約３μｍである。
次に、ポジ型ホトレジスト （ＯＦＰＲ−８００＞を塗
布し、所定の形状にパターニング後、２５０℃で１時間
ベークし、第２層絶縁膜７を形成するｂ）。次に、第二
導体コイル８をフレームめっき法により形成する。（Ｃ
）。コイル高さは約３．０μｍである。
布し、所定の形状にパターニング後、２５０℃で１時間
ベークし、第２層絶縁膜７を形成するｂ）。次に、第二
導体コイル８をフレームめっき法により形成する。（Ｃ
）。コイル高さは約３．０μｍである。
次に、ポジ型ホトレジスト （ＯＦＰＲ−８００）を第
２導体コイル上の膜厚が約１．５μｍになるようにコイ
ル周辺を覆うように、パターニングする（ｄ）。このよ
うにして形成された、ホトレジストパターン９ （第３
層絶縁膜）に真空中で遠紫外光（波長：２５３ｎｍ）を
ステージ温度８０℃にして、５分間照射（約１３０００
＋ｎＪ／ｃ＋＋＋２）する。
２導体コイル上の膜厚が約１．５μｍになるようにコイ
ル周辺を覆うように、パターニングする（ｄ）。このよ
うにして形成された、ホトレジストパターン９ （第３
層絶縁膜）に真空中で遠紫外光（波長：２５３ｎｍ）を
ステージ温度８０℃にして、５分間照射（約１３０００
＋ｎＪ／ｃ＋＋＋２）する。
次に、ポジ型ホトレジスト （ＯＦＰＲ−８００）を塗
布し、所定の形状にパターニングする（ｅ）。紫外光を
約５００ ｍＪ／ ｃｍ”照射し、２５０℃で１時間ベ
ークし、第４絶縁膜１０を形成する。次に、上部磁性膜
１１をスパッタリング及びイオンミリングにより、形成
する（ｆ）。
布し、所定の形状にパターニングする（ｅ）。紫外光を
約５００ ｍＪ／ ｃｍ”照射し、２５０℃で１時間ベ
ークし、第４絶縁膜１０を形成する。次に、上部磁性膜
１１をスパッタリング及びイオンミリングにより、形成
する（ｆ）。
この様にして形成した素子の断面をＳＥＭ観察したとこ
ろ、第２層コイル端部と上部磁性膜との距離は約２μｍ
であり、十分絶縁が保たれている。
ろ、第２層コイル端部と上部磁性膜との距離は約２μｍ
であり、十分絶縁が保たれている。
また、第４絶縁膜の先端テーバ角は約５０度であり、磁
気特性上も好ましいものとなっている。
気特性上も好ましいものとなっている。
実施例２
実施例２を第３図に示す。第３図は本発明の一実施例の
部分断面図である。
部分断面図である。
セラミックス基板１上に、＾１，０３絶縁層２をスパッ
タリングにより形成する。その上に、パーマロイ下部磁
性膜３．４をスパッタリングにより形成する。その上に
、ギャップＡｌ２Ｏ３５を形成する。
タリングにより形成する。その上に、パーマロイ下部磁
性膜３．４をスパッタリングにより形成する。その上に
、ギャップＡｌ２Ｏ３５を形成する。
その上に、ポジ型ホトレジスト （ＯＦＰＲ−８００）
を塗布・パターニングし、２５０℃で１時間ベークする
ことにより、第１層絶縁膜６を形成する。
を塗布・パターニングし、２５０℃で１時間ベークする
ことにより、第１層絶縁膜６を形成する。
その上に、導体コイル７をフレームめっき法により形成
する。
する。
次に、ポジ型ホトレジスト （ＯＦＰＲ−８００）をコ
イル上の膜厚が約１．５μｍになる様にフィル周辺を覆
うようにパターニングする。このホトレジストパターン
８に、真空中で遠紫外光をステージ温度８０℃、５分間
（約１３０００ ｍＪ／ｃｍ２）照射する。次に、ポジ
型ホトレジスト （ＯＦ Ｐ Ｒ−８００）を塗布・パ
ターニングし、紫外光を約５００ ｍＪ／ ｃｍ”照射
し、２５０℃で１時ＩＩベークし、第３絶縁膜９を形成
する。次に、上部磁性膜１０をスパッタリング及びイオ
ンミリングにより形成する。
イル上の膜厚が約１．５μｍになる様にフィル周辺を覆
うようにパターニングする。このホトレジストパターン
８に、真空中で遠紫外光をステージ温度８０℃、５分間
（約１３０００ ｍＪ／ｃｍ２）照射する。次に、ポジ
型ホトレジスト （ＯＦ Ｐ Ｒ−８００）を塗布・パ
ターニングし、紫外光を約５００ ｍＪ／ ｃｍ”照射
し、２５０℃で１時ＩＩベークし、第３絶縁膜９を形成
する。次に、上部磁性膜１０をスパッタリング及びイオ
ンミリングにより形成する。
実施例３
実施例３を第４図に示す。第４図は本発明の他の実施例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
セラミックス基板１上にＡｌ２Ｏ３絶縁層２を、スパッ
タリングにより形成する。その上に、パーマロイ下部磁
性膜３．４をスパッタリング及びイオンミリングにより
形成する。その上に、ギャップ＾１２０．５を形成する
。その上に、ポジ型ホトレジスト（ＯＦ Ｐ Ｒ〜８０
０ 東京応化！ＩＩ）を塗布・パターニングし、２５０
℃で１時間ベークすることにより、第１層絶縁膜６を形
成する。その上に、第１層導体コイル７をフレームめっ
き法により形成する。
タリングにより形成する。その上に、パーマロイ下部磁
性膜３．４をスパッタリング及びイオンミリングにより
形成する。その上に、ギャップ＾１２０．５を形成する
。その上に、ポジ型ホトレジスト（ＯＦ Ｐ Ｒ〜８０
０ 東京応化！ＩＩ）を塗布・パターニングし、２５０
℃で１時間ベークすることにより、第１層絶縁膜６を形
成する。その上に、第１層導体コイル７をフレームめっ
き法により形成する。
次に、ポジ型ホトレジスト （ＯＦＰＲ−８００）を、
コイル７上の膜厚が約１．５μｍになる様にコイル周辺
を覆うようにパターニングする。このホキレジストパタ
ーン８に、真空中で遠紫外光をステージ温度８０℃にし
て約５分間照射（約１３０００ｍＪ／ ｃｍ” ）する
。次に、第２層導体コイル９をフレームめっき法により
形成する。次に、ポジ型ホトレジスト （ＯＦＰＲ−８
００）を、コイル９上の膜厚が約１．５μｍになる様に
コイル周辺をＰｌう様にパターニング形成し、このホト
レジストパターン１０に真空中で遠紫外光をステージ温
度８０℃にして約５分間照射（約１３０００ｍＪ／ｃｍ
２）する。
コイル７上の膜厚が約１．５μｍになる様にコイル周辺
を覆うようにパターニングする。このホキレジストパタ
ーン８に、真空中で遠紫外光をステージ温度８０℃にし
て約５分間照射（約１３０００ｍＪ／ ｃｍ” ）する
。次に、第２層導体コイル９をフレームめっき法により
形成する。次に、ポジ型ホトレジスト （ＯＦＰＲ−８
００）を、コイル９上の膜厚が約１．５μｍになる様に
コイル周辺をＰｌう様にパターニング形成し、このホト
レジストパターン１０に真空中で遠紫外光をステージ温
度８０℃にして約５分間照射（約１３０００ｍＪ／ｃｍ
２）する。
次に、ポジ型ホトレジスト （ＯＦＰＲ−８００）を絶
縁膜８．１０を覆う様にパターニング形成し、紫外光を
約？ ００ ｍＪ／ ｃｍ’照射した後、２５０℃で１
時間ベークすることにより、第４層絶縁膜１１を形成す
る。次に、パーマロイ上部磁性膜１２をスパッタリング
及びイオンミリングにより形成する。
縁膜８．１０を覆う様にパターニング形成し、紫外光を
約？ ００ ｍＪ／ ｃｍ’照射した後、２５０℃で１
時間ベークすることにより、第４層絶縁膜１１を形成す
る。次に、パーマロイ上部磁性膜１２をスパッタリング
及びイオンミリングにより形成する。
本発明によれば、上部磁性膜と上層コイル間の距離をあ
る一定距離以上に保ちつつ、絶縁膜の先端のテーバ角を
小さくすることができ、絶縁破壊を起こすことのない記
録再生特性の良い薄膜磁気ヘッドを作製可能である。
る一定距離以上に保ちつつ、絶縁膜の先端のテーバ角を
小さくすることができ、絶縁破壊を起こすことのない記
録再生特性の良い薄膜磁気ヘッドを作製可能である。
第１図は本発明により形成された薄膜磁気ヘッド断面図
であり、第２図は、本発明の製造方法を示す工程図であ
り、第３図と第４図は、本発明の一実施例を示す部分断
面図である。 １・・・セラミックス基板、２・・・Ａｌｔｏｓギャッ
プ層、３・・・第一下部磁性膜、４・・・第二下部磁性
膜、５・・・Ａｌ２Ｏ５ギャップ層、６・・・第１層絶
縁膜、７・・・第１層導体コイル、８・・・第２層絶縁
膜、９・・・第２層導体コイル、１０・・・第３層絶縁
膜、１１・・・第４層絶縁膜、１２・・・上部磁性膜第
１図
であり、第２図は、本発明の製造方法を示す工程図であ
り、第３図と第４図は、本発明の一実施例を示す部分断
面図である。 １・・・セラミックス基板、２・・・Ａｌｔｏｓギャッ
プ層、３・・・第一下部磁性膜、４・・・第二下部磁性
膜、５・・・Ａｌ２Ｏ５ギャップ層、６・・・第１層絶
縁膜、７・・・第１層導体コイル、８・・・第２層絶縁
膜、９・・・第２層導体コイル、１０・・・第３層絶縁
膜、１１・・・第４層絶縁膜、１２・・・上部磁性膜第
１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に絶縁層を有し、その絶縁層上に下部磁性膜
、ギャップ層、多層の有機絶縁膜及び上部磁性膜が積層
され、下部及び上部磁性膜が一端で接し、もう一端には
下部磁性膜と上部磁性膜の間に磁気ギャップを有し、上
部及び下部磁性膜の結合した部分を巻回するコイルを有
する薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜とコイル間の
絶縁にホトレジストを用い、そのホトレジスト絶縁膜の
導体コイルに接する少なくとも一層を硬化処理をしたも
のを用いたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、前記硬化処理が、遠紫外光照射硬化処理である請求
項１記載の薄膜磁気ヘッド。 ３、硬化処理されたホトレジスト絶縁膜が、最上層コイ
ルを被覆する絶縁膜である請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 ４、基板上に下部磁性膜を形成する工程と、その上にギ
ャップＡｌ＿２Ｏ＿３を形成する工程と、その上にホト
レジスト絶縁膜（第一層目）を形成する工程と、その上
に上部磁性膜と下部磁性膜が結合している部分を巻回す
る導体コイル（第一層目）を形成する工程と、その上に
ホトレジスト絶縁膜（第二層目）を形成する工程と、そ
の上に導体コイル（第二層目）を形成する工程と、該コ
イルを覆うようにホトレジストパターンを形成し、この
ホトレジストパターンを硬化する工程、その上に該パタ
ーンを覆うようにホトレジストをパターニングし、後露
光しベークすることにより絶縁膜を形成する工程、及び
これらの上に上部磁性膜を形成する工程を有することを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ５、前記硬化を、遠紫外光照射して行う請求項４記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18379189A JPH0349011A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 薄膜磁気ヘッドとその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18379189A JPH0349011A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 薄膜磁気ヘッドとその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0349011A true JPH0349011A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16141991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18379189A Pending JPH0349011A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 薄膜磁気ヘッドとその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0349011A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6901638B2 (en) | 2000-09-12 | 2005-06-07 | Thuou Hatujyo Kougyou Kabusiki Kaisya | Burglarproof retainer clip and method of manufacturing the retainer clip |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP18379189A patent/JPH0349011A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6901638B2 (en) | 2000-09-12 | 2005-06-07 | Thuou Hatujyo Kougyou Kabusiki Kaisya | Burglarproof retainer clip and method of manufacturing the retainer clip |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5998316A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0349011A (ja) | 薄膜磁気ヘッドとその製法 | |
| JPH09198624A (ja) | 複合型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS5877016A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0447886B2 (ja) | ||
| JP3216252B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2000294443A (ja) | 薄膜デバイスの製造方法及び薄膜デバイス | |
| JPS61246908A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS60247815A (ja) | 垂直磁化記録用薄膜ヘツドの製造方法 | |
| JP2654147B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0447368B2 (ja) | ||
| JP2677411B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH06150253A (ja) | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 | |
| JPS60173712A (ja) | 薄膜パタ−ン付設基板の表面平担化方法 | |
| JPH04102208A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2714146B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2578196B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS58224422A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS61271609A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP2517479B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6111914A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH03156712A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH01202876A (ja) | ジョセフソン接合素子の作製方法 | |
| JPS62140216A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0721525A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |