JPS62140216A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS62140216A JPS62140216A JP28171485A JP28171485A JPS62140216A JP S62140216 A JPS62140216 A JP S62140216A JP 28171485 A JP28171485 A JP 28171485A JP 28171485 A JP28171485 A JP 28171485A JP S62140216 A JPS62140216 A JP S62140216A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- magnetic head
- magnetic
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は高密度記録に適した巻線型薄膜磁気ヘッドの構
造に関し、特に導電体コイルに使用される導電体材料に
関するものである。
造に関し、特に導電体コイルに使用される導電体材料に
関するものである。
〈従来技術〉
近年、軟磁性体バルク材料を加工して作成する磁気ヘッ
ドと比較して、狭トラック化、狭ギャップ化、多素子化
が容易なことから高密度記録用ヘッドとして薄膜磁気ヘ
ッドが重要視されている。この薄膜磁気ヘッドにおいて
、高密度記録を達成するためには、狭トラック化、狭ギ
ャップ化およびマルヂターンによる高効率化が必要とさ
れている。
ドと比較して、狭トラック化、狭ギャップ化、多素子化
が容易なことから高密度記録用ヘッドとして薄膜磁気ヘ
ッドが重要視されている。この薄膜磁気ヘッドにおいて
、高密度記録を達成するためには、狭トラック化、狭ギ
ャップ化およびマルヂターンによる高効率化が必要とさ
れている。
このような場合、多トラツク磁気ヘッドにおいては導電
体コイルの配置スペースが小さく、またトラック数の少
ない磁気ヘッドにおいてもマルヂターンのため、いずれ
も導電体コイルは非常に微細な構造に加工形成する必要
がある。
体コイルの配置スペースが小さく、またトラック数の少
ない磁気ヘッドにおいてもマルヂターンのため、いずれ
も導電体コイルは非常に微細な構造に加工形成する必要
がある。
この様な微細構造のコイルを加工形成するには通常のエ
ツチング液による湿式エツチング液や電着法では十分に
行なえないので、イオンミリング法のようなドライエツ
チング法を採用する必要がある。イオンミリング法は、
他のスバツタエッヂング等のドライエツチング法に比し
て、制御し得るパラメータが多いため最適条件を得られ
やすく、またメタルマスクを使用することなく通常のレ
ジストをマスクとして使用できるため、工程が簡単にな
るという特徴がある。この様なイオンミリング法を用い
てコイルを加工する場合、コイルを構成する導電体材料
の満たすべき条件としては薄膜磁気ヘッドの記録動作時
に於いて、コイルへの通電により発生するジュール熱を
極小にし、発熱による断線を防止する為に電気低抗率が
小さいこと、およびエッヂング速度がマスクとなるレジ
ストより十分大きいことが挙げられる。このような条件
を満足する導電体材料としてはＣｕが適しているが、Ｃ
ｕを用いて実際にコイルを形成した場合、コイルを電気
的に絶縁するために用いられるＳｉＯ７層等との密着強
度が低いという欠点がある。
ツチング液による湿式エツチング液や電着法では十分に
行なえないので、イオンミリング法のようなドライエツ
チング法を採用する必要がある。イオンミリング法は、
他のスバツタエッヂング等のドライエツチング法に比し
て、制御し得るパラメータが多いため最適条件を得られ
やすく、またメタルマスクを使用することなく通常のレ
ジストをマスクとして使用できるため、工程が簡単にな
るという特徴がある。この様なイオンミリング法を用い
てコイルを加工する場合、コイルを構成する導電体材料
の満たすべき条件としては薄膜磁気ヘッドの記録動作時
に於いて、コイルへの通電により発生するジュール熱を
極小にし、発熱による断線を防止する為に電気低抗率が
小さいこと、およびエッヂング速度がマスクとなるレジ
ストより十分大きいことが挙げられる。このような条件
を満足する導電体材料としてはＣｕが適しているが、Ｃ
ｕを用いて実際にコイルを形成した場合、コイルを電気
的に絶縁するために用いられるＳｉＯ７層等との密着強
度が低いという欠点がある。
従来このような欠点を改善するため、Ｃｕ膜とＳ＋Ｏｔ
層との間にＴｉ膜を設けて密着強度を向上させていたが
、薄膜磁気ヘッドの信頼性向上のために従来の樹脂モー
ルドからガラスモールドに変更する場合、あるいは軟磁
性薄膜にＦｅＡ、２Ｓｉ合金を用いて特性改善を図る場
合には、最終的に薄膜磁気ヘッドは５００〜６００℃の
高温まで加熱されることになり、従来の密着層にＴ１膜
を使用した構造では、ＣｕがＴｉを通ってＴｉ膜とＳｉ
Ｏ２層との間に析出し、密着強度を低下させるという欠
点があった。
層との間にＴｉ膜を設けて密着強度を向上させていたが
、薄膜磁気ヘッドの信頼性向上のために従来の樹脂モー
ルドからガラスモールドに変更する場合、あるいは軟磁
性薄膜にＦｅＡ、２Ｓｉ合金を用いて特性改善を図る場
合には、最終的に薄膜磁気ヘッドは５００〜６００℃の
高温まで加熱されることになり、従来の密着層にＴ１膜
を使用した構造では、ＣｕがＴｉを通ってＴｉ膜とＳｉ
Ｏ２層との間に析出し、密着強度を低下させるという欠
点があった。
〈発明の目的〉
本発明は、」二連した従来の問題点に鑑みなされたもの
で、微細加工が可能で、かつ熱的にも安定な導電体コイ
ルを有する薄膜磁気へ・ソドを提供することを目的とす
るものである。
で、微細加工が可能で、かつ熱的にも安定な導電体コイ
ルを有する薄膜磁気へ・ソドを提供することを目的とす
るものである。
〈発明の構成〉
上記目的を達成するため、本発明の薄膜磁気へ・ｙドは
、磁性体基板もしくは軟磁性薄膜を被覆した非磁性基板
よりなる下部磁気コアと軟磁性薄膜にりなる上部磁気コ
アの間に絶縁層を介して導電体材料よりなるコイルを挾
設してなる薄膜磁気へ・ソドにして、前記導電体材料を
Ｃｕ膜の両側にＮｂ膜を設けて形成したことを特徴とし
ている。
、磁性体基板もしくは軟磁性薄膜を被覆した非磁性基板
よりなる下部磁気コアと軟磁性薄膜にりなる上部磁気コ
アの間に絶縁層を介して導電体材料よりなるコイルを挾
設してなる薄膜磁気へ・ソドにして、前記導電体材料を
Ｃｕ膜の両側にＮｂ膜を設けて形成したことを特徴とし
ている。
〈作 用〉
前記Ｎｂ膜は熱的に安定であるから、加熱処理がなされ
ても、ＣｕがＮｂ膜を通って絶縁層との間に析出するこ
とがなく、したがって導電体材料と絶縁層との密着強度
が向上する。
ても、ＣｕがＮｂ膜を通って絶縁層との間に析出するこ
とがなく、したがって導電体材料と絶縁層との密着強度
が向上する。
〈実施例〉
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの導電体コイルの一
実施例について図面を用いて詳細に説明する。
実施例について図面を用いて詳細に説明する。
第１図（ａ）で示すように、結晶化ガラス基板１」−に
ＦｅＡｊ２．Ｓｉ合金膜２をスパッタ法等にて積層した
下側磁気コア上に５ｉ０２絶縁層３を介してＮｂ膜４を
５００人、Ｃｕ膜５を１μｍ５Ｎｂ膜６を５００人の膜
厚で順次真空蒸着法等にて積層する。
ＦｅＡｊ２．Ｓｉ合金膜２をスパッタ法等にて積層した
下側磁気コア上に５ｉ０２絶縁層３を介してＮｂ膜４を
５００人、Ｃｕ膜５を１μｍ５Ｎｂ膜６を５００人の膜
厚で順次真空蒸着法等にて積層する。
次いで第１図（ｂ）で示すように、Ｎｂ膜６上にフォト
レジスト膜７にて所望のパターンを形成し、このフォト
レジスト膜７をマスク層としてイオンミリング法により
Ｎｂ膜６．Ｃｕ膜５およびＮｂ膜４を同時にエツチング
する。フォトレジスト膜７として例えばＡＺ１３５０Ｊ
を使用し、イオンミリングの条件を適当に設定すること
によりＣｕ膜とＡＺ１３５０Ｊの選択比は容易に３以上
となり、従ってＮｂ膜のミリング時間を考慮しても、フ
ォトレジスト膜７の膜厚は２μｍ程度あれば十分であり
、レジストパターンを精度良く形成することができる。
レジスト膜７にて所望のパターンを形成し、このフォト
レジスト膜７をマスク層としてイオンミリング法により
Ｎｂ膜６．Ｃｕ膜５およびＮｂ膜４を同時にエツチング
する。フォトレジスト膜７として例えばＡＺ１３５０Ｊ
を使用し、イオンミリングの条件を適当に設定すること
によりＣｕ膜とＡＺ１３５０Ｊの選択比は容易に３以上
となり、従ってＮｂ膜のミリング時間を考慮しても、フ
ォトレジスト膜７の膜厚は２μｍ程度あれば十分であり
、レジストパターンを精度良く形成することができる。
次いで第１図（Ｃ）のように、フォトレシスト膜７を除
去した後、第２のＳ ｉ Ｏ、絶縁層８を介してＦｅＡ
１．、Ｓｉ合金膜９をスパッタ法等にて積層し、上側磁
気コアを形成して薄膜磁気ヘッドが得られる。
去した後、第２のＳ ｉ Ｏ、絶縁層８を介してＦｅＡ
１．、Ｓｉ合金膜９をスパッタ法等にて積層し、上側磁
気コアを形成して薄膜磁気ヘッドが得られる。
このようにして得られる薄膜磁気ヘッドは６００℃で１
時間熱処理を行っても、ＣｕがＮｂ膜を通ってＮｂ膜と
ＳｉＯ２層間に析出することはなく、従って密着強度が
低下することはない。よって、高精度かつ微細なコイル
構造が得られる。
時間熱処理を行っても、ＣｕがＮｂ膜を通ってＮｂ膜と
ＳｉＯ２層間に析出することはなく、従って密着強度が
低下することはない。よって、高精度かつ微細なコイル
構造が得られる。
〈発明の効果〉
本発明によれば、コイルを構成する導電体材料をＣｕと
し、絶縁層との密着層にＮｂ膜を使用しているので、高
精度かつ微細なコイル構造が実現されると同時に、ガラ
スモールド等にも十分対応できるほど熱的にも安定な薄
膜磁気ヘッドを得ることができる。
し、絶縁層との密着層にＮｂ膜を使用しているので、高
精度かつ微細なコイル構造が実現されると同時に、ガラ
スモールド等にも十分対応できるほど熱的にも安定な薄
膜磁気ヘッドを得ることができる。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）は本発明に係る薄膜
磁気ヘッドの一実施例を製造する為の工程説明図を示オ
６ ■・・・結晶化ガラス基板、２，９・・・ＦｅＡ、ＪＳ
＋合金膜、３，８・・５ｉＯｚ絶縁層、４，６・・・Ｎ
ｂ膜、５・・・Ｃｕ膜、７ フォ）・レジスト膜。
磁気ヘッドの一実施例を製造する為の工程説明図を示オ
６ ■・・・結晶化ガラス基板、２，９・・・ＦｅＡ、ＪＳ
＋合金膜、３，８・・５ｉＯｚ絶縁層、４，６・・・Ｎ
ｂ膜、５・・・Ｃｕ膜、７ フォ）・レジスト膜。
Claims (1)
- （１）磁性体基板もしくは軟磁性薄膜を被覆した非磁性
基板よりなる下部磁気コアと軟磁性薄膜よりなる上部磁
気コアの間に絶縁層を介して導電体材料よりなるコイル
を挾設してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記導電体材
料がＣｕ膜の両側にＮｂ膜を設けて形成されていること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28171485A JPS62140216A (ja) | 1985-12-14 | 1985-12-14 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28171485A JPS62140216A (ja) | 1985-12-14 | 1985-12-14 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62140216A true JPS62140216A (ja) | 1987-06-23 |
Family
ID=17642959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28171485A Pending JPS62140216A (ja) | 1985-12-14 | 1985-12-14 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62140216A (ja) |
-
1985
- 1985-12-14 JP JP28171485A patent/JPS62140216A/ja active Pending
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