JPH0350186A - イントリンジック・ゲッタリング方法 - Google Patents
イントリンジック・ゲッタリング方法Info
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- JPH0350186A JPH0350186A JP18260189A JP18260189A JPH0350186A JP H0350186 A JPH0350186 A JP H0350186A JP 18260189 A JP18260189 A JP 18260189A JP 18260189 A JP18260189 A JP 18260189A JP H0350186 A JPH0350186 A JP H0350186A
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- Japan
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- oxygen
- epitaxial growth
- wafer
- heat treatment
- intrinsic gettering
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、エピタキシャルウェハのイントリンジック・
ゲッタリング方法に関する。
ゲッタリング方法に関する。
イントリンジック・ゲッタリングはシリコン基板内に溶
解している酸素を部分的に析出させ、その周囲に発生す
るひずみ場によって表面近傍に存在する重金属汚染を吸
収してしまう方法である。
解している酸素を部分的に析出させ、その周囲に発生す
るひずみ場によって表面近傍に存在する重金属汚染を吸
収してしまう方法である。
従来エピタキシャルウェハのイントリンジック・ゲッタ
リング処理は第２図に工程図を示すように、エピタキシ
ャル成長の後にデニューデッド・ゾーン形成熱処理（約
１１００℃で約２時間）及び酸素析出核形成熱処理（約
８００℃で約１０時間）を行っていた。
リング処理は第２図に工程図を示すように、エピタキシ
ャル成長の後にデニューデッド・ゾーン形成熱処理（約
１１００℃で約２時間）及び酸素析出核形成熱処理（約
８００℃で約１０時間）を行っていた。
第３図はこのような酸素析出核形成処理時間と格子間酸
素減少量Δｏｉ （ｐｐｍ）との関係を示すものである
。酸素減少量ΔＯｉ （ｐｐｍ）はＡＳＴＭＦ１２１−
７９に示されているＦＴＩＲ（赤外吸収量）による測定
値である。
素減少量Δｏｉ （ｐｐｍ）との関係を示すものである
。酸素減少量ΔＯｉ （ｐｐｍ）はＡＳＴＭＦ１２１−
７９に示されているＦＴＩＲ（赤外吸収量）による測定
値である。
以上のように、従来の方法ではエピタキシャル成長後に
イントリンジック・ゲッタリングのために約１２時間も
の熱処理を行っており、これにより、エピタキシャルウ
ェハにスリップや積層欠陥が多く発生していた。
イントリンジック・ゲッタリングのために約１２時間も
の熱処理を行っており、これにより、エピタキシャルウ
ェハにスリップや積層欠陥が多く発生していた。
エピタキシャル層はその中に含まれる酸素濃度が１ｘｌ
ｏ１５／ｃｍ３程度と小さい、しかし従来エピタキシャ
ル成長工程の後に長時間の熱処理を行うため、このとき
サブストレートウェハから酸素が拡散によって浸入し欠
陥が生ずる。このようなサブストレートウェハからの酸
素拡散がなげれば酸素の析出が生じることはない。
ｏ１５／ｃｍ３程度と小さい、しかし従来エピタキシャ
ル成長工程の後に長時間の熱処理を行うため、このとき
サブストレートウェハから酸素が拡散によって浸入し欠
陥が生ずる。このようなサブストレートウェハからの酸
素拡散がなげれば酸素の析出が生じることはない。
本発明はエピタキシャルウェハにスリップや積層欠陥を
生ずるような熱処理を行わない方法を提供することを目
的とする。
生ずるような熱処理を行わない方法を提供することを目
的とする。
〔課題を解決するための手段］
本発明は、デニューデッド・ゾーン形成のための１１０
０℃付近での熱処理に代り、エピタキシャル成長の前に
７５０〜９００℃での熱処理を行い、酸素析出核を形成
することを特徴とするイントリンジック・ゲッタリング
方法である。
０℃付近での熱処理に代り、エピタキシャル成長の前に
７５０〜９００℃での熱処理を行い、酸素析出核を形成
することを特徴とするイントリンジック・ゲッタリング
方法である。
〔作用１
本発明はデニューデッド・ゾーン形成熱処理を省略する
と共に、酸素析出核形成処理をエピタキシャル成長前に
実施することにより構成される。
と共に、酸素析出核形成処理をエピタキシャル成長前に
実施することにより構成される。
第１図はこれを示すものである。エピタキシャル成長前
に予め酸素析出核形成熱処理を行っておけば、エピタキ
シャル成長時の熱処理中にエピタキシャル層にサブスト
レートウェハから酸素の拡散があっても、エピタキシャ
ル層内には酸素析出核が形成されることはなく、後のデ
バイス工程においてもエピタキシャル層内には酸素の析
出は生じることはない。
に予め酸素析出核形成熱処理を行っておけば、エピタキ
シャル成長時の熱処理中にエピタキシャル層にサブスト
レートウェハから酸素の拡散があっても、エピタキシャ
ル層内には酸素析出核が形成されることはなく、後のデ
バイス工程においてもエピタキシャル層内には酸素の析
出は生じることはない。
本発明では酸素析出核形成はエピタキシャル成長工程の
前に予め行い、エピタキシャル成長工程の後のデニュー
デッド・ゾーン形成熱処理を省略する。第４図は本発明
のエピタキシャル成長工程前の酸素析出核形成熱処理に
よるΔＯ１を示すもので、第４図に示すように約４時間
でその効果が現われる。また、第５図に示すように本発
明の酸素析出核形成熱処理は７５０〜９００℃で効果が
大きく、７５０℃未満９００℃を越える区域では効果が
少ないので、この温度範囲に限定する。
前に予め行い、エピタキシャル成長工程の後のデニュー
デッド・ゾーン形成熱処理を省略する。第４図は本発明
のエピタキシャル成長工程前の酸素析出核形成熱処理に
よるΔＯ１を示すもので、第４図に示すように約４時間
でその効果が現われる。また、第５図に示すように本発
明の酸素析出核形成熱処理は７５０〜９００℃で効果が
大きく、７５０℃未満９００℃を越える区域では効果が
少ないので、この温度範囲に限定する。
〔実施例１
本発明を実施した例を第１図に示す、これによって熱処
理の時間がエピタキシャル成長を含めて５時間に短縮さ
れる。第２図は従来の高品質のデバイスを得るための従
来の工程である。熱処理時間は１２時間に及ぶ。
理の時間がエピタキシャル成長を含めて５時間に短縮さ
れる。第２図は従来の高品質のデバイスを得るための従
来の工程である。熱処理時間は１２時間に及ぶ。
実施例と従来法による比較例の製品の欠陥を第１表に示
した。第１表に見られるように、スリップと積層欠陥は
従来例よりも減少している。
した。第１表に見られるように、スリップと積層欠陥は
従来例よりも減少している。
第 １ 表
Ｅ発明の効果ｊ
本発明は全体の熱処理時間が短縮することによりイント
リンジック・ゲッタリングを施したエピタキシャルウェ
ハのスリップと積層欠陥を減少させる効果を奏する。
リンジック・ゲッタリングを施したエピタキシャルウェ
ハのスリップと積層欠陥を減少させる効果を奏する。
第１図は本発明の実施例の工程図、第２図は従来の工程
図、第３図は従来の酸素核形成熱処理のグラフ、第４図
は実施例の酸素核形成熱処理のグラフ、第５図は酸素核
形成熱処理温度の適正範囲を示すグラフである。 １・・−サブストレートウェハ ２・・・酸素析出核形成熱処理 ３・・・エピタキシャル成長 ４・・・デバイス工程 １１・・・従来のデニューデッド・ゾーン形成熱処理
図、第３図は従来の酸素核形成熱処理のグラフ、第４図
は実施例の酸素核形成熱処理のグラフ、第５図は酸素核
形成熱処理温度の適正範囲を示すグラフである。 １・・−サブストレートウェハ ２・・・酸素析出核形成熱処理 ３・・・エピタキシャル成長 ４・・・デバイス工程 １１・・・従来のデニューデッド・ゾーン形成熱処理
Claims (1)
- １、エピタキシャル成長の前に７５０〜９００℃での熱
処理を行い、酸素析出核を形成することを特徴とするイ
ントリンジック・ゲッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18260189A JPH0350186A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | イントリンジック・ゲッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18260189A JPH0350186A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | イントリンジック・ゲッタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350186A true JPH0350186A (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=16121141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18260189A Pending JPH0350186A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | イントリンジック・ゲッタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350186A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10229093A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Sumitomo Sitix Corp | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2002076006A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | エピタキシャルウェーハを製造する方法及びその方法により製造されたエピタキシャルウェーハ |
| US6641888B2 (en) | 1999-03-26 | 2003-11-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Silicon single crystal, silicon wafer, and epitaxial wafer. |
| US6878451B2 (en) | 1999-07-28 | 2005-04-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Silicon single crystal, silicon wafer, and epitaxial wafer |
| EP0954018A4 (en) * | 1996-12-03 | 2006-07-19 | Sumitomo Mitsubishi Silicon | METHOD FOR PRODUCING AN EPITACTIC WAFERS OF SEMICONDUCTIVE SILICON AND SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT |
| JP2006332689A (ja) * | 2006-07-10 | 2006-12-07 | Sumco Corp | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP18260189A patent/JPH0350186A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0954018A4 (en) * | 1996-12-03 | 2006-07-19 | Sumitomo Mitsubishi Silicon | METHOD FOR PRODUCING AN EPITACTIC WAFERS OF SEMICONDUCTIVE SILICON AND SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT |
| JPH10229093A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Sumitomo Sitix Corp | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US6641888B2 (en) | 1999-03-26 | 2003-11-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Silicon single crystal, silicon wafer, and epitaxial wafer. |
| US6878451B2 (en) | 1999-07-28 | 2005-04-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Silicon single crystal, silicon wafer, and epitaxial wafer |
| JP2002076006A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | エピタキシャルウェーハを製造する方法及びその方法により製造されたエピタキシャルウェーハ |
| JP2006332689A (ja) * | 2006-07-10 | 2006-12-07 | Sumco Corp | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
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