JPH0350345B2 - - Google Patents
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Description
〔技術分野〕
本発明は、光ビームにより記録再生を行なうこ
とが可能な光学的磁気記録媒体に関する。 〔従来技術〕 従来、光熱磁気記録媒体としては、MnBi，
MnCuBiなどの多結晶薄膜、GdCo，GdFe，
TbFe，DyFe，GdTbFe，TbDyFeなどの非晶質
薄膜TbFeO3などの単結晶薄膜などが知られてい
る。 これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍
の温度で製作する際の成膜性、信号を小さな光熱
エネルギーで書き込むための書き込み効率および
書き込まれた信号をＳ／Ｎ比よく読み出すための
読み出し効率等を勘案すると、最近では前記非晶
質薄膜が光熱記録媒体として優れていると考えら
れている。特にGd，Tb，Fe非晶質薄膜はカー回
転角も大きく、150℃前後のキユーリー点を持つ
ので光熱磁気記録媒体として適している。更に発
明者はカー回転角を向上させる検討を続けた結
果、GdTbFeCo非晶質薄膜はカー回転角が充分
に大きく、Ｓ／Ｎ比の良い読み出しが可能な光学
的磁気記録媒体であることを見い出した。 このように記録層である磁性材料の特性の改良
検討を進め、記録効率、再生効率を向上させる一
方、照射される光エネルギーを有効に利用して記
録効率、再生効率を向上させるために、記録層と
プラスチツク基板との間に反射防止層を設ける試
みがなされてきた。しかし、従来の単層からなる
反射防止層は次のような種々の欠点を生じること
が少なくなかつた。すなわち、反射防止効果を果
すために十分な屈折率を有してはいるが基板との
密着性が悪く剥離、クラツクが発生し易かつた
り、あるいは密着性は良いが屈折率が低く十分な
反射防止効果が得られないなどの欠点が反射防止
層を構成する材料によつて生じ、十分満足できる
ような反射防止層は未だ得られていなかつた。そ
こで発明者らは、複数層からなる反射防止層によ
り上記の欠点を排除する検討を実施した結果、例
えば、プラスチツク基板上に設けられる反射防止
層としてSiO膜、記録層に近い反射防止層として
TiO2膜またはZrO2膜からなる二層の反射防止層
を配設することにより上記の欠点がかなり解消さ
れることを見い出し、特願昭58−18929号として
先に提案した。特にSiOはプラスチツクとの密着
性に極めて優れ、汎用性のある物質なので複数層
の反射防止層のうちプラスチツク基板上に設けら
れた反射防止層を構成する材料としては、満足の
できるものであつた。しかし記録層に近い側の反
射防止層を構成する材料に関してはまだ検討の余
地が残されていた。 〔発明の目的〕 本発明は以上の問題点に鑑みなされたものであ
り、本発明の目的は、複数層の反射防止層として
新たな材料を使用し、記録光及び再生光のエネル
ギーを有効に利用し記録効率及び再生効率の向上
した磁気記録媒体を提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明の上記目的は、プラスチツク基板上に、
磁性膜から成る記録層を設けて成る光学的磁気記
録媒体において、前記基板と前記記録層との間
に、二層以上の膜から成る反射防止層が設けら
れ、これらの膜のうち、基板に相接した膜が酸化
ケイ素から形成され、その他の膜の少なくとも１
つが窒化ケイ素から形成されたことを特徴とする
光学的磁気記録媒体によつて達成される。 以下、図面を参照にして本発明の光学的磁気記
録媒体を詳細に説明する。 第１図は本発明に係る光学的磁気記録媒体の１
実施例を示す膜式断面図である。 １ａは、プラスチツク基板であり、例えばアク
リル樹脂、ポリカーボネート等を材料として使用
できる。 ２は記録層であり、従来公知の非晶質磁性膜、
例えばGdCo，GdFe，GdTbFe，TbDyFe，
GdTbFeCo等の非晶質薄膜が使用できる。特に
GdTbFe，GdTbFeCoはカー回転角が大きく、キ
ユリー点も低いので効率よく記録ができ、また
Ｓ／Ｎ比の良い読み出しが可能なので望ましい。
記録層２の膜厚は、通常100Å〜200Å程度が好ま
しい。 ３ａ及び３ｂは、反射防止層である。これらの
反射防止層３ａ，３ｂは照射する記録光、再生光
を記録媒体上で有効に利用するためのものであ
り、かつ従来の単層の反射防止層のもつ欠点を防
止する近い側に配設された反射防止層３ｂは、
Si3N4を使用して形成されたものである。プラス
チツク基板１と接して設けられる反射防止層３ａ
はプラスチツク基板１との密着性に優れる材質か
らなるものであり、発明者らがすでに見い出した
SiO膜等が好適に利用できる。記録層２側に設け
られた反射防止層３ｂの材料であるSi3N4はプラ
スチツクとの密着性は悪いが屈折率が極めて高
い。従つて、この二層の反射防止層を一体として
見れば、プラスチツク基板１との密着性及び反射
防止効果の極めて優れた反射防止層となる。反射
防止層３ｂにこのSi3N4を使用すると、発明者ら
が先に提案したTiO2，ZrO2を使用したものより
も反射防止効果が向上する。 また、反射防止層３ａ，３ｂは、記録層２が水
分や酸素等により劣化されるのを防ぐ作用も持
つ。すなわち、記録層２（特に膜厚が数百Å程度
に薄い場合）は、基板１からの水分や酸素等によ
り磁気特性が劣化するが、本発明の光学的磁気記
録媒体では、二層の反射防止層３ａ，３ｂが水分
や酸素の透過を妨げるために記録層２の劣化を防
ぎ耐食性を向上させる。第１図に示す例に於いて
は、反射防止層が二層からなり、そのうちの一層
は透湿性の小さいSi3N4からなつているので、従
来公知の単層の反射防止層または発明者らが既に
提案した二層の反射防止層よりも記録層２の耐食
性を向上させることができる。反射防止層３ａと
３ｂの膜厚の比は１：１程度が好ましい。 ４はスペーサー層であり、磁気記録媒体全体の
膜厚を調整する機能を有し、また耐食性を向上さ
せる機能も有する。このスペーサー層４の材料と
してSi3N4，AlN，SiO，SiO2，Al2O3，Cr2O3等
が利用できる。 ５は反射層であり、再生の際に、記録層２を透
過した光をここで反射させその反射光を記録層２
で反射した光に一体化させる作用を果す。前者の
反射光はフアラデー効果を受け後者の反射光はカ
ー効果を受けているので、一体化した光を検出す
ればみかけのカー回転角は向上している。この反
射層に使用できる材料としてAu，Cu，Al等を挙
げることができる。 反射防止層３ａ，３ｂ、記録層２、スペーサー
層４及び反射層５は、各層を構成する材料成分を
１つの蒸着源又は多元蒸着源とするイオンプレー
テイング法、スパツタリング法、電子ビーム蒸着
法等の成膜法によつて順次、形成することができ
る。 １ａは接着層６を介して反射層５上に設けられ
たプラスチツク基板である。 スペーサー層４、反射層５及びプラスチツク、
基板１ｂのそれぞれ必ずしも本発明の光学的磁気
記録媒体には必要ではないが、記録効率や再生効
率あるいは耐食性をいつそう向上させるためにこ
れらがあることが、実用上は好ましい。 第２図は、反射防止層が３ａ，３ｂ，３ｃと三
層から構成されている本発明の他の態様を示す。
反射防止層３ｂ，３ｃのうち３ｃがSi3N4からな
り３ｂは例えばSiO，SiO2，等からなる。また反
射防止層３ａは第１図で示した光学的磁気記録媒
体の反射防止層３ａと同様な材料が使用できる。
このような三層の反射防止層により、二層の反射
防止層と同様な、あるいは更に向上した反射防止
効果、耐食性、耐久性を得ることができる。 以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明
する。 〔実施例 １〕 アクリル樹脂基板１ａ上に、真空蒸着法により
膜厚が記録、再生時の使用波長6328Åの1/2とな
るようSiOの反射防止層３ａを成膜し、同様にし
て屈折率約1.9のSi3N4の反射防止層３ｂを成膜し
た。この上に、記録層２として、スパツタリング
法により膜厚約200ÅGdTbFeCo四元系非晶質膜
を成膜した。次に、この上に、スペーサー層４と
して膜厚約800ÅのSiO膜、反射膜５として膜厚
約600ÅのAl膜を順に真空蒸着法により成膜し
た。更に、この反射膜５の上にシリコン系接着材
６を介してアクリル樹脂基板１ｂを貼り合せ本発
明の光学的磁気記録媒体を作製した。 反射防止層３ｂの膜厚を種々変えて、この光学
的磁気記録媒体を各種作製し、それらのカー回転
角及び反射率を測定した。結果を第３図に示す、
この図において、反射防止層３ｂの膜厚を位相δ
に換算した値を横軸にとつてある。位相δ（＝
4πnd／入）は使用波長6328Åの1/2の膜厚が2πに
相当する。縦軸はカー回転角（θk）、反射率
（Ｒ）を示す。７はカー回転角を示す曲線、８は
反射率を示す曲線である。 カー回転角、反射率の特性は2πを周期に繰り
返す。 〔比較例〕 実施例１における反射防止層３ａ及び３ｂの代
わりに使用波長の1/4の膜厚のSiO2からなる反射
防止層を真空蒸着法で形成したこと及びスペーサ
ー層４の膜厚を種々変えた以外は実施例１と同様
にしてスペーサー層４の膜厚の異なる各種の光学
的磁気記録媒体を作製し、カー回転角、反射率を
測定した。結果を第４図に示す。この図に於いて
も横軸、縦軸は第３図と同じものを示し、９の曲
線はカー回転角、１０の曲線は反射率を示す。 実施例１と比較例１とを比べると、SiO2の単
層を有する従来の光学的磁気記録媒体はカー回転
角（θk）は1゜以下であるが、本発明ではθkは1゜〜
2゜であり、明らかにθkが向上したことがわかるま
た反射率も本発明の方が向上したことも明らかで
ある。 〔実施例 ２〕 実施例１における反射防止層３ａ及び３ｂの代
わりにプラスチツク基板１ａ側から順に使用波長
に対し1/4の膜厚のSiO膜、同様な膜厚のSiO2膜
及び各種の膜厚のSi3N4膜からなる反射防止層３
ａ，３ｂ及び３ｃを成膜以した以外は、実施例１
と同様にして、反射防止層３ｃの膜厚の異なる
種々の光学的磁気記録媒体を作製し、カー回転
角、反射率を測定した。結果を第５図に示す。こ
の図においても横軸、縦軸は第３図と同じものを
示す。１１はカー回転角を示す曲線、１２は反射
率を示す曲線である。 反射防止層３ｃの膜厚が600〜700Åのときにカ
ー回転角は3゜程度であり、カー回転角の向上した
ことがわかる。また反射率も向上したことも明ら
かである。 〔実施例 ３〕 実施例１と比較例とで作製した各種の光学的磁
気記録媒体のうち、スペーサー層の膜厚と反射防
止層全体の膜厚が同一のものを取り出し、温度45
℃、湿度95％の恒温恒湿槽中に500時間放置し、
その後保磁力の測定をした。結果を表１に示す。
数値は初期の保磁力を１としたときの500時間後
の相対値である。
とが可能な光学的磁気記録媒体に関する。 〔従来技術〕 従来、光熱磁気記録媒体としては、MnBi，
MnCuBiなどの多結晶薄膜、GdCo，GdFe，
TbFe，DyFe，GdTbFe，TbDyFeなどの非晶質
薄膜TbFeO3などの単結晶薄膜などが知られてい
る。 これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍
の温度で製作する際の成膜性、信号を小さな光熱
エネルギーで書き込むための書き込み効率および
書き込まれた信号をＳ／Ｎ比よく読み出すための
読み出し効率等を勘案すると、最近では前記非晶
質薄膜が光熱記録媒体として優れていると考えら
れている。特にGd，Tb，Fe非晶質薄膜はカー回
転角も大きく、150℃前後のキユーリー点を持つ
ので光熱磁気記録媒体として適している。更に発
明者はカー回転角を向上させる検討を続けた結
果、GdTbFeCo非晶質薄膜はカー回転角が充分
に大きく、Ｓ／Ｎ比の良い読み出しが可能な光学
的磁気記録媒体であることを見い出した。 このように記録層である磁性材料の特性の改良
検討を進め、記録効率、再生効率を向上させる一
方、照射される光エネルギーを有効に利用して記
録効率、再生効率を向上させるために、記録層と
プラスチツク基板との間に反射防止層を設ける試
みがなされてきた。しかし、従来の単層からなる
反射防止層は次のような種々の欠点を生じること
が少なくなかつた。すなわち、反射防止効果を果
すために十分な屈折率を有してはいるが基板との
密着性が悪く剥離、クラツクが発生し易かつた
り、あるいは密着性は良いが屈折率が低く十分な
反射防止効果が得られないなどの欠点が反射防止
層を構成する材料によつて生じ、十分満足できる
ような反射防止層は未だ得られていなかつた。そ
こで発明者らは、複数層からなる反射防止層によ
り上記の欠点を排除する検討を実施した結果、例
えば、プラスチツク基板上に設けられる反射防止
層としてSiO膜、記録層に近い反射防止層として
TiO2膜またはZrO2膜からなる二層の反射防止層
を配設することにより上記の欠点がかなり解消さ
れることを見い出し、特願昭58−18929号として
先に提案した。特にSiOはプラスチツクとの密着
性に極めて優れ、汎用性のある物質なので複数層
の反射防止層のうちプラスチツク基板上に設けら
れた反射防止層を構成する材料としては、満足の
できるものであつた。しかし記録層に近い側の反
射防止層を構成する材料に関してはまだ検討の余
地が残されていた。 〔発明の目的〕 本発明は以上の問題点に鑑みなされたものであ
り、本発明の目的は、複数層の反射防止層として
新たな材料を使用し、記録光及び再生光のエネル
ギーを有効に利用し記録効率及び再生効率の向上
した磁気記録媒体を提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明の上記目的は、プラスチツク基板上に、
磁性膜から成る記録層を設けて成る光学的磁気記
録媒体において、前記基板と前記記録層との間
に、二層以上の膜から成る反射防止層が設けら
れ、これらの膜のうち、基板に相接した膜が酸化
ケイ素から形成され、その他の膜の少なくとも１
つが窒化ケイ素から形成されたことを特徴とする
光学的磁気記録媒体によつて達成される。 以下、図面を参照にして本発明の光学的磁気記
録媒体を詳細に説明する。 第１図は本発明に係る光学的磁気記録媒体の１
実施例を示す膜式断面図である。 １ａは、プラスチツク基板であり、例えばアク
リル樹脂、ポリカーボネート等を材料として使用
できる。 ２は記録層であり、従来公知の非晶質磁性膜、
例えばGdCo，GdFe，GdTbFe，TbDyFe，
GdTbFeCo等の非晶質薄膜が使用できる。特に
GdTbFe，GdTbFeCoはカー回転角が大きく、キ
ユリー点も低いので効率よく記録ができ、また
Ｓ／Ｎ比の良い読み出しが可能なので望ましい。
記録層２の膜厚は、通常100Å〜200Å程度が好ま
しい。 ３ａ及び３ｂは、反射防止層である。これらの
反射防止層３ａ，３ｂは照射する記録光、再生光
を記録媒体上で有効に利用するためのものであ
り、かつ従来の単層の反射防止層のもつ欠点を防
止する近い側に配設された反射防止層３ｂは、
Si3N4を使用して形成されたものである。プラス
チツク基板１と接して設けられる反射防止層３ａ
はプラスチツク基板１との密着性に優れる材質か
らなるものであり、発明者らがすでに見い出した
SiO膜等が好適に利用できる。記録層２側に設け
られた反射防止層３ｂの材料であるSi3N4はプラ
スチツクとの密着性は悪いが屈折率が極めて高
い。従つて、この二層の反射防止層を一体として
見れば、プラスチツク基板１との密着性及び反射
防止効果の極めて優れた反射防止層となる。反射
防止層３ｂにこのSi3N4を使用すると、発明者ら
が先に提案したTiO2，ZrO2を使用したものより
も反射防止効果が向上する。 また、反射防止層３ａ，３ｂは、記録層２が水
分や酸素等により劣化されるのを防ぐ作用も持
つ。すなわち、記録層２（特に膜厚が数百Å程度
に薄い場合）は、基板１からの水分や酸素等によ
り磁気特性が劣化するが、本発明の光学的磁気記
録媒体では、二層の反射防止層３ａ，３ｂが水分
や酸素の透過を妨げるために記録層２の劣化を防
ぎ耐食性を向上させる。第１図に示す例に於いて
は、反射防止層が二層からなり、そのうちの一層
は透湿性の小さいSi3N4からなつているので、従
来公知の単層の反射防止層または発明者らが既に
提案した二層の反射防止層よりも記録層２の耐食
性を向上させることができる。反射防止層３ａと
３ｂの膜厚の比は１：１程度が好ましい。 ４はスペーサー層であり、磁気記録媒体全体の
膜厚を調整する機能を有し、また耐食性を向上さ
せる機能も有する。このスペーサー層４の材料と
してSi3N4，AlN，SiO，SiO2，Al2O3，Cr2O3等
が利用できる。 ５は反射層であり、再生の際に、記録層２を透
過した光をここで反射させその反射光を記録層２
で反射した光に一体化させる作用を果す。前者の
反射光はフアラデー効果を受け後者の反射光はカ
ー効果を受けているので、一体化した光を検出す
ればみかけのカー回転角は向上している。この反
射層に使用できる材料としてAu，Cu，Al等を挙
げることができる。 反射防止層３ａ，３ｂ、記録層２、スペーサー
層４及び反射層５は、各層を構成する材料成分を
１つの蒸着源又は多元蒸着源とするイオンプレー
テイング法、スパツタリング法、電子ビーム蒸着
法等の成膜法によつて順次、形成することができ
る。 １ａは接着層６を介して反射層５上に設けられ
たプラスチツク基板である。 スペーサー層４、反射層５及びプラスチツク、
基板１ｂのそれぞれ必ずしも本発明の光学的磁気
記録媒体には必要ではないが、記録効率や再生効
率あるいは耐食性をいつそう向上させるためにこ
れらがあることが、実用上は好ましい。 第２図は、反射防止層が３ａ，３ｂ，３ｃと三
層から構成されている本発明の他の態様を示す。
反射防止層３ｂ，３ｃのうち３ｃがSi3N4からな
り３ｂは例えばSiO，SiO2，等からなる。また反
射防止層３ａは第１図で示した光学的磁気記録媒
体の反射防止層３ａと同様な材料が使用できる。
このような三層の反射防止層により、二層の反射
防止層と同様な、あるいは更に向上した反射防止
効果、耐食性、耐久性を得ることができる。 以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明
する。 〔実施例 １〕 アクリル樹脂基板１ａ上に、真空蒸着法により
膜厚が記録、再生時の使用波長6328Åの1/2とな
るようSiOの反射防止層３ａを成膜し、同様にし
て屈折率約1.9のSi3N4の反射防止層３ｂを成膜し
た。この上に、記録層２として、スパツタリング
法により膜厚約200ÅGdTbFeCo四元系非晶質膜
を成膜した。次に、この上に、スペーサー層４と
して膜厚約800ÅのSiO膜、反射膜５として膜厚
約600ÅのAl膜を順に真空蒸着法により成膜し
た。更に、この反射膜５の上にシリコン系接着材
６を介してアクリル樹脂基板１ｂを貼り合せ本発
明の光学的磁気記録媒体を作製した。 反射防止層３ｂの膜厚を種々変えて、この光学
的磁気記録媒体を各種作製し、それらのカー回転
角及び反射率を測定した。結果を第３図に示す、
この図において、反射防止層３ｂの膜厚を位相δ
に換算した値を横軸にとつてある。位相δ（＝
4πnd／入）は使用波長6328Åの1/2の膜厚が2πに
相当する。縦軸はカー回転角（θk）、反射率
（Ｒ）を示す。７はカー回転角を示す曲線、８は
反射率を示す曲線である。 カー回転角、反射率の特性は2πを周期に繰り
返す。 〔比較例〕 実施例１における反射防止層３ａ及び３ｂの代
わりに使用波長の1/4の膜厚のSiO2からなる反射
防止層を真空蒸着法で形成したこと及びスペーサ
ー層４の膜厚を種々変えた以外は実施例１と同様
にしてスペーサー層４の膜厚の異なる各種の光学
的磁気記録媒体を作製し、カー回転角、反射率を
測定した。結果を第４図に示す。この図に於いて
も横軸、縦軸は第３図と同じものを示し、９の曲
線はカー回転角、１０の曲線は反射率を示す。 実施例１と比較例１とを比べると、SiO2の単
層を有する従来の光学的磁気記録媒体はカー回転
角（θk）は1゜以下であるが、本発明ではθkは1゜〜
2゜であり、明らかにθkが向上したことがわかるま
た反射率も本発明の方が向上したことも明らかで
ある。 〔実施例 ２〕 実施例１における反射防止層３ａ及び３ｂの代
わりにプラスチツク基板１ａ側から順に使用波長
に対し1/4の膜厚のSiO膜、同様な膜厚のSiO2膜
及び各種の膜厚のSi3N4膜からなる反射防止層３
ａ，３ｂ及び３ｃを成膜以した以外は、実施例１
と同様にして、反射防止層３ｃの膜厚の異なる
種々の光学的磁気記録媒体を作製し、カー回転
角、反射率を測定した。結果を第５図に示す。こ
の図においても横軸、縦軸は第３図と同じものを
示す。１１はカー回転角を示す曲線、１２は反射
率を示す曲線である。 反射防止層３ｃの膜厚が600〜700Åのときにカ
ー回転角は3゜程度であり、カー回転角の向上した
ことがわかる。また反射率も向上したことも明ら
かである。 〔実施例 ３〕 実施例１と比較例とで作製した各種の光学的磁
気記録媒体のうち、スペーサー層の膜厚と反射防
止層全体の膜厚が同一のものを取り出し、温度45
℃、湿度95％の恒温恒湿槽中に500時間放置し、
その後保磁力の測定をした。結果を表１に示す。
数値は初期の保磁力を１としたときの500時間後
の相対値である。
【表】
この表から明らかなように、本発明の光学的磁
気記録媒体は従来のものと比べて極めて耐食性に
優れている。 以上説明したように、本発明はプラスチツク基
板上に、磁性膜から成る記録層を設けて成る光学
的磁気記録媒体において、前記基板と前記記録層
との間に、二層以上の膜から成る反射防止層を設
け、これらの膜のうち、基板に相接した膜を酸化
ケイ素から形成し、その他の膜の少なくとも１つ
を窒化ケイ素から形成したので、記録光および再
生光のエネルギーを有効に利用して、記録効率お
よび再生効率を向上させるとともに、媒体の耐食
性を高める効果が得られる。
気記録媒体は従来のものと比べて極めて耐食性に
優れている。 以上説明したように、本発明はプラスチツク基
板上に、磁性膜から成る記録層を設けて成る光学
的磁気記録媒体において、前記基板と前記記録層
との間に、二層以上の膜から成る反射防止層を設
け、これらの膜のうち、基板に相接した膜を酸化
ケイ素から形成し、その他の膜の少なくとも１つ
を窒化ケイ素から形成したので、記録光および再
生光のエネルギーを有効に利用して、記録効率お
よび再生効率を向上させるとともに、媒体の耐食
性を高める効果が得られる。
第１図及び第２図は本発明の光学的磁気記録媒
体の実施例を示す模式断面図である。第３図、第
５図は順に第１図、第２図に示した光学的磁気記
録媒体のカー回転角、反射率の特性を示す図、第
４図は従来の光学的磁気記録媒体のカー回転角、
反射率の特性を示す図である。 １ａ，１ｂ：プラスチツク基板、２：記録層、
３ａ，３ｂ，３ｃ：反射防止層、４：スペーサー
層、５：反射層、６：接着層、７，９，１１：カ
ー回転角を示す曲線、８，１０，１２：反射率を
示す曲線。
体の実施例を示す模式断面図である。第３図、第
５図は順に第１図、第２図に示した光学的磁気記
録媒体のカー回転角、反射率の特性を示す図、第
４図は従来の光学的磁気記録媒体のカー回転角、
反射率の特性を示す図である。 １ａ，１ｂ：プラスチツク基板、２：記録層、
３ａ，３ｂ，３ｃ：反射防止層、４：スペーサー
層、５：反射層、６：接着層、７，９，１１：カ
ー回転角を示す曲線、８，１０，１２：反射率を
示す曲線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラスチツク基板上に、磁性膜から成る記録
層を設けて成る光学的磁気記録媒体において、 前記基板と前記記録層との間に、二層以上の膜
から成る反射防止層が設けられ、これらの膜のう
ち、基板に相接した膜が酸化ケイ素から形成さ
れ、その他の膜の少なくとも１つが窒化ケイ素か
ら形成されたことを特徴とする光学的磁気記録媒
体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14440284A JPS6124041A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光学的磁気記録媒体 |
| US06/749,631 US4711821A (en) | 1984-07-13 | 1985-06-28 | Opto-magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14440284A JPS6124041A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光学的磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124041A JPS6124041A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH0350345B2 true JPH0350345B2 (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=15361331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14440284A Granted JPS6124041A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光学的磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4711821A (ja) |
| JP (1) | JPS6124041A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129435A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-02-10 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0721883B2 (ja) * | 1985-01-24 | 1995-03-08 | セイコーエプソン株式会社 | 光記録媒体 |
| US4861671A (en) * | 1985-10-23 | 1989-08-29 | Kerdix, Inc. | Magneto-optic recording media with protective layer |
| DE3716736A1 (de) * | 1987-05-19 | 1988-12-01 | Basf Ag | Flaechenfoermiges, mehrschichtiges, magneto-optisches aufzeichnungsmaterial |
| US5240171A (en) * | 1987-05-21 | 1993-08-31 | Lanxide Technology Company, Lp | Method for surface bonding of ceramic bodies |
| US5571629A (en) * | 1987-07-10 | 1996-11-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JP2646398B2 (ja) * | 1989-09-20 | 1997-08-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 光磁気記録媒体 |
| US5156909A (en) * | 1989-11-28 | 1992-10-20 | Battelle Memorial Institute | Thick, low-stress films, and coated substrates formed therefrom, and methods for making same |
| JP2955112B2 (ja) * | 1992-03-13 | 1999-10-04 | シャープ株式会社 | 光磁気記憶媒体 |
| JP3414823B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2003-06-09 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2001023245A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Sony Corp | 光記録媒体および光記録装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4042341A (en) * | 1973-10-15 | 1977-08-16 | General Electric Company | Magnetic films of transition metal-rare earth alloys |
| US4414650A (en) * | 1980-06-23 | 1983-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory element |
| US4525028A (en) * | 1981-04-23 | 1985-06-25 | Raytheon Company | Enhanced magnetic mirror |
| JPS5956242A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Canon Inc | 光磁気記録読取系 |
| JPS59175049A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-10-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気デイスク用基板 |
| JPS6129437A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP14440284A patent/JPS6124041A/ja active Granted
-
1985
- 1985-06-28 US US06/749,631 patent/US4711821A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6124041A (ja) | 1986-02-01 |
| US4711821A (en) | 1987-12-08 |
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