JPH0778911B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0778911B2 JPH0778911B2 JP61233213A JP23321386A JPH0778911B2 JP H0778911 B2 JPH0778911 B2 JP H0778911B2 JP 61233213 A JP61233213 A JP 61233213A JP 23321386 A JP23321386 A JP 23321386A JP H0778911 B2 JPH0778911 B2 JP H0778911B2
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- Japan
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- magneto
- optical recording
- sio
- recording medium
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ビームにより記録、再生を行なうことが可
能な光学的記録媒体に関し、中でも室温において高い保
磁力と低いキュリー温度を有する記録層と、室温におい
て低い保磁力と高いキュリー温度を有する読み出し層か
らなる交換結合した二層構造を有する光磁気記録層を備
えた光磁気記録媒体に関するものである。
能な光学的記録媒体に関し、中でも室温において高い保
磁力と低いキュリー温度を有する記録層と、室温におい
て低い保磁力と高いキュリー温度を有する読み出し層か
らなる交換結合した二層構造を有する光磁気記録層を備
えた光磁気記録媒体に関するものである。
従来より、光磁気記録媒体の読み出し特性を改善する各
種の試みが成されており、その一つに光磁気記録層とし
て記録特性が良い膜と読み出し特性が良い膜からなる交
換結合二層膜を用いて、読み出し特性を改善したものが
知られている（例えば特開昭57-78652号公報）。従来、
このような交換結合二層膜では、記録層にはTb-Fe、Dy-
Fe等が、読み出し層にはGd-Fe、Gd-Fe-Co等が用いられ
ている。
種の試みが成されており、その一つに光磁気記録層とし
て記録特性が良い膜と読み出し特性が良い膜からなる交
換結合二層膜を用いて、読み出し特性を改善したものが
知られている（例えば特開昭57-78652号公報）。従来、
このような交換結合二層膜では、記録層にはTb-Fe、Dy-
Fe等が、読み出し層にはGd-Fe、Gd-Fe-Co等が用いられ
ている。
しかしながら、前記Tb-Fe、Dy-Fe等をはじめとする非晶
質磁性体は、耐蝕性が悪いという欠点を有している。す
なわち、大気や水蒸気に触れると磁気特性が劣化し、最
終的には完全に酸化されて透明化し、磁気特性を失って
しまうのである。
質磁性体は、耐蝕性が悪いという欠点を有している。す
なわち、大気や水蒸気に触れると磁気特性が劣化し、最
終的には完全に酸化されて透明化し、磁気特性を失って
しまうのである。
このような欠点を除去するため、光磁気記録層の上また
は下に、例えばSiO2、SiO、Al2Ｏ3、Si3Ｎ4、ZnSなどの
透明物質等からなる保護層を設けることが一般に行なわ
れている。これら物質の中でも、ZnSは耐蝕性に優れる
ことから上記光磁気記録媒体の保護層として広く用いら
れている。しかしながら、ZnSはプラスチック等の吸湿
性のある基板に対しては密着性に欠けるため、このよう
な基板を用いると、光磁気記録層にクラックを生じた
り、層間にハガレを生じることがあった。特に、光磁気
記録媒体の耐久性の評価方法として採用されている環境
条件、例えば温度45℃、相対湿度95％といったような高
温、高湿下では、前記のようなクラックやハガレの問題
は避けられなかった。
は下に、例えばSiO2、SiO、Al2Ｏ3、Si3Ｎ4、ZnSなどの
透明物質等からなる保護層を設けることが一般に行なわ
れている。これら物質の中でも、ZnSは耐蝕性に優れる
ことから上記光磁気記録媒体の保護層として広く用いら
れている。しかしながら、ZnSはプラスチック等の吸湿
性のある基板に対しては密着性に欠けるため、このよう
な基板を用いると、光磁気記録層にクラックを生じた
り、層間にハガレを生じることがあった。特に、光磁気
記録媒体の耐久性の評価方法として採用されている環境
条件、例えば温度45℃、相対湿度95％といったような高
温、高湿下では、前記のようなクラックやハガレの問題
は避けられなかった。
このような問題を解消するため、基板との密着性に勝る
SiOよりなる下引き層を基板上に設けた後、更にその上
にZnSよりなる保護層を設けて耐久性の向上をはかる試
みもなされている。
SiOよりなる下引き層を基板上に設けた後、更にその上
にZnSよりなる保護層を設けて耐久性の向上をはかる試
みもなされている。
しかしながら、これにしてもより厳しい環境条件下、例
えば温度60℃、相対湿度90％といったような条件下で
は、前記のようなクラックやハガレの問題を生じてい
た。
えば温度60℃、相対湿度90％といったような条件下で
は、前記のようなクラックやハガレの問題を生じてい
た。
本発明は上記の諸点に鑑み成されたものであって、本発
明の目的とするところは、交換結合二層膜を有する従来
の光磁気記録媒体の耐環境性の改善をはかることにあ
る。
明の目的とするところは、交換結合二層膜を有する従来
の光磁気記録媒体の耐環境性の改善をはかることにあ
る。
本発明の上記目的は、以下の本発明によって達成され
る。
る。
室温において高い保磁力と低いキュリー温度を有する記
録層と、室温において低い保磁力と高いキュリー温度を
有する読み出し層とからなる交換結合した二層構造を有
する光磁気記録層をプラスチック基板上に備えた光磁気
記録媒体において、前記基板と前記光磁気記録層との間
に、基板に相接してSiO1+X（但し、０＜Ｘ＜１）からな
る下引き層と、この下引き層に積層してZnSからなる保
護層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。
録層と、室温において低い保磁力と高いキュリー温度を
有する読み出し層とからなる交換結合した二層構造を有
する光磁気記録層をプラスチック基板上に備えた光磁気
記録媒体において、前記基板と前記光磁気記録層との間
に、基板に相接してSiO1+X（但し、０＜Ｘ＜１）からな
る下引き層と、この下引き層に積層してZnSからなる保
護層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。
本発明の光磁記録媒体は、基板に相接してSiO1+x（但
し、０＜ｘ＜１、好ましくは0.4＜ｘ＜0.9）なる下引き
層と、この下引き層に積層してZnSからなる保護層を有
し、前述したような環境条件下、例えば温度45℃、相対
湿度95％といった条件下はもとより、これよりも更に厳
しい温度60℃、相対湿度90％といった条件下において
も、前述したクラックやハガレ等の問題を生じることが
なく、極めて優れた耐環境性を有するものである。
し、０＜ｘ＜１、好ましくは0.4＜ｘ＜0.9）なる下引き
層と、この下引き層に積層してZnSからなる保護層を有
し、前述したような環境条件下、例えば温度45℃、相対
湿度95％といった条件下はもとより、これよりも更に厳
しい温度60℃、相対湿度90％といった条件下において
も、前述したクラックやハガレ等の問題を生じることが
なく、極めて優れた耐環境性を有するものである。
すなわち前述のようにSiOよりなる下引き層を基板上に
設けた後、更にその上にZnSよりなる保護層を設けた場
合には、下引き層のSiOはその未結合手がプラスチック
基板を構成する原子（ポリカーボネイト基板の場合は酸
素原子や炭素原子）と共有結合するため密着性に優れ
る。しかし、酸素原子が欠乏しているために構造的に緻
密ではなく、水分を透過し易い。そして、透過した水分
がZnSとの境界に達するとZnSとSiOとの密着性が悪化
し、ZnSが膜剥れを起こしてしまうという欠点がある。
設けた後、更にその上にZnSよりなる保護層を設けた場
合には、下引き層のSiOはその未結合手がプラスチック
基板を構成する原子（ポリカーボネイト基板の場合は酸
素原子や炭素原子）と共有結合するため密着性に優れ
る。しかし、酸素原子が欠乏しているために構造的に緻
密ではなく、水分を透過し易い。そして、透過した水分
がZnSとの境界に達するとZnSとSiOとの密着性が悪化
し、ZnSが膜剥れを起こしてしまうという欠点がある。
一方、下引き層がSiO2よりなる場合は、Siに未結合手が
存在しないためにSiがプラスチック基板を構成する原子
と共有結合することがなく基板との密着性には劣る。し
かし、構造的には緻密でありZnSとの境界に水分が透過
するようなことはない。よって、ZnSが膜剥れを起こす
ようなことはない。
存在しないためにSiがプラスチック基板を構成する原子
と共有結合することがなく基板との密着性には劣る。し
かし、構造的には緻密でありZnSとの境界に水分が透過
するようなことはない。よって、ZnSが膜剥れを起こす
ようなことはない。
以上のように下引き層がSiO、SiO2のいずれからなる場
合でも一長一短があり、耐環境性に優れているとは言い
難い。
合でも一長一短があり、耐環境性に優れているとは言い
難い。
これに対し、本発明の下引き層はSiO1+X（但し、０＜Ｘ
＜１）よりなるためSiに未結合手が存在し、そのSiの未
結合手がプラスチック基板を構成する原子と共有結合し
密着性に優れる。又、SiOに比べると酸素が多く存在す
るため、構造的にも緻密でありZnSよりなる保護層への
透湿防止効果にも優れている。このように、SiO1+X（但
し、０＜Ｘ＜１）はSiO、SiO2両者の優れた特性を共に
備え、かつ、欠点は抑制されるために耐環境性には非常
に優れているのである。
＜１）よりなるためSiに未結合手が存在し、そのSiの未
結合手がプラスチック基板を構成する原子と共有結合し
密着性に優れる。又、SiOに比べると酸素が多く存在す
るため、構造的にも緻密でありZnSよりなる保護層への
透湿防止効果にも優れている。このように、SiO1+X（但
し、０＜Ｘ＜１）はSiO、SiO2両者の優れた特性を共に
備え、かつ、欠点は抑制されるために耐環境性には非常
に優れているのである。
上記SiO1+x（但し、０＜ｘ＜１）の組成よりなる下引き
層の形成は、例えばSiOを出発原料として、Ｏ2雰囲気中
で真空蒸着する、あるいはSiOとSiO2とを出発原料とし
て、これらを同時に蒸着もしくはスパッタリングする等
によるとよい。
層の形成は、例えばSiOを出発原料として、Ｏ2雰囲気中
で真空蒸着する、あるいはSiOとSiO2とを出発原料とし
て、これらを同時に蒸着もしくはスパッタリングする等
によるとよい。
このような下引き層およびこれに接するZnSからなる保
護層を有する本発明の光磁気記録媒体の一例を第１図に
示す。この光磁気記録媒体は、書き込み用基板1aに相接
してSiO1+x（但し、０＜ｘ＜１）よりなる下引き層２を
設け、その上に更にZnSからなる保護層３、室温におい
て低い保磁力と高いキュリー温度を有する読み出し層4
a、室温において高い保磁力と低いキュリー温度を有す
る記録層4b、保護層５および接着層６を順次積層した
後、保護用基板1bを接着形成したものである。
護層を有する本発明の光磁気記録媒体の一例を第１図に
示す。この光磁気記録媒体は、書き込み用基板1aに相接
してSiO1+x（但し、０＜ｘ＜１）よりなる下引き層２を
設け、その上に更にZnSからなる保護層３、室温におい
て低い保磁力と高いキュリー温度を有する読み出し層4
a、室温において高い保磁力と低いキュリー温度を有す
る記録層4b、保護層５および接着層６を順次積層した
後、保護用基板1bを接着形成したものである。
交換結合した読み出し層と記録層とを構成する材料とし
ては、この種の技術で利用されている各種の磁性材料を
用いることができ、例えば読み出し層として好適なもの
として前述したGd-Fe、Gd-Fe-Coなどを、記録層として
好適なものとしてTb-Fe、Dy-Feなどを挙げることができ
る。保護層５および保護用基板1bは耐環境性をより向上
する等の目的で設けたもので、必要に応じて設ければよ
い。
ては、この種の技術で利用されている各種の磁性材料を
用いることができ、例えば読み出し層として好適なもの
として前述したGd-Fe、Gd-Fe-Coなどを、記録層として
好適なものとしてTb-Fe、Dy-Feなどを挙げることができ
る。保護層５および保護用基板1bは耐環境性をより向上
する等の目的で設けたもので、必要に応じて設ければよ
い。
本発明を更に具体的に説明するため、以下に本発明の実
施例を示す。
施例を示す。
実施例１ 第１図に例示の光磁気メモリ媒体を以下のようにして作
成した。
成した。
厚さ1.2mmのポリカーボネイトよりなるプラスチック板
を基板1aとし、該基板1a上に厚さ約1300ÅのSiO1+x（但
し、０＜ｘ＜１）よりなる下引き層２を真空蒸着により
形成した。
を基板1aとし、該基板1a上に厚さ約1300ÅのSiO1+x（但
し、０＜ｘ＜１）よりなる下引き層２を真空蒸着により
形成した。
下引き層２の形成は、蒸着とスパッタリングをともに行
なうことが可能な周知の成膜装置の真空槽内に基板1aを
挿入した後、該真空槽内を５×10-6Torr以下まで排気
し、その後Ｏ2ガスを導入して、１×10-4Torrの圧力で
出発原料としてのSiOを蒸発させることによって行なっ
た。この際、下引き層２の屈折率が1.55±0.02となるよ
うに蒸着速度を制御して膜形成を行なったところ、基板
1a上にSiO1+x（但し、ｘ＝0.8）の組成の下引き層２が
得られた。
なうことが可能な周知の成膜装置の真空槽内に基板1aを
挿入した後、該真空槽内を５×10-6Torr以下まで排気
し、その後Ｏ2ガスを導入して、１×10-4Torrの圧力で
出発原料としてのSiOを蒸発させることによって行なっ
た。この際、下引き層２の屈折率が1.55±0.02となるよ
うに蒸着速度を制御して膜形成を行なったところ、基板
1a上にSiO1+x（但し、ｘ＝0.8）の組成の下引き層２が
得られた。
次ぎに、真空槽の真空を保持したまま上記下引き層２上
に、厚さ約900ÅのZnSよりなる保護層３をスパッタリン
グにより形成した。
に、厚さ約900ÅのZnSよりなる保護層３をスパッタリン
グにより形成した。
次ぎに、上記と同様に真空槽の真空を破ることなく、高
周波スパッタリングによってGdFeCoよりなる膜厚約400
Åの読み出し層4aを上記保護層３上に形成した後、引き
続いてこの読み出し層4a上にTbFeよりなる膜厚約400Å
の記録層4bを形成することにより交換結合した二層構成
の光磁気記録層を構成した。
周波スパッタリングによってGdFeCoよりなる膜厚約400
Åの読み出し層4aを上記保護層３上に形成した後、引き
続いてこの読み出し層4a上にTbFeよりなる膜厚約400Å
の記録層4bを形成することにより交換結合した二層構成
の光磁気記録層を構成した。
その後、真空を破ることなく上記と同様のスパッタリン
グにより、膜厚900ÅのZnSよりなる保護層５を上記記録
層4b上に形成した。
グにより、膜厚900ÅのZnSよりなる保護層５を上記記録
層4b上に形成した。
最後に、上記各層を形成した基板1aを真空槽内より取り
出し、接着層６としてホットメルト接着剤を用いて、保
護用プラスチック基板1bと貼り合わせて光磁気記録媒体
を完成した。
出し、接着層６としてホットメルト接着剤を用いて、保
護用プラスチック基板1bと貼り合わせて光磁気記録媒体
を完成した。
こうして得られた光磁気記録媒体を温度60℃、相対湿度
90％の恒温恒湿槽に保持して1000時間の耐環境試験を実
施したところ、この光磁気記録媒体は1000時間の経過後
にも外観上の変化は特に見られず、クラックや膜ハガレ
も全く発生していず、従来にない優れた耐環境性を有し
ていることが分った。
90％の恒温恒湿槽に保持して1000時間の耐環境試験を実
施したところ、この光磁気記録媒体は1000時間の経過後
にも外観上の変化は特に見られず、クラックや膜ハガレ
も全く発生していず、従来にない優れた耐環境性を有し
ていることが分った。
実施例２ 下引き層２形成時のＯ2をそれぞれ５×10-5Torrおよび
８×10-5Torrとする以外は実施例１と同様にして、下引
き層２がSiO1+x（但し、ｘ＝0.45）およびSiO1+x（但
し、ｘ＝0.7）の組成の光磁気記録媒体をそれぞれ得
た。
８×10-5Torrとする以外は実施例１と同様にして、下引
き層２がSiO1+x（但し、ｘ＝0.45）およびSiO1+x（但
し、ｘ＝0.7）の組成の光磁気記録媒体をそれぞれ得
た。
これら光磁気記録媒体について実施例１と同様の耐環境
試験を施したところ、いずれの場合にも実施例１と同様
に1000時間の経過後にもクラックや膜ハガレは見られ
ず、優れた耐環境性を有するものであった。
試験を施したところ、いずれの場合にも実施例１と同様
に1000時間の経過後にもクラックや膜ハガレは見られ
ず、優れた耐環境性を有するものであった。
比較例 出発原料をそれぞれSiOおよびSiO2とし、酸素を導入し
ない以外は実施例１と同様にして、それぞれ第１図にお
ける下引き層２をSiOおよびSiO2とした従来構成の光磁
気記録媒体を得た。
ない以外は実施例１と同様にして、それぞれ第１図にお
ける下引き層２をSiOおよびSiO2とした従来構成の光磁
気記録媒体を得た。
これら光磁気記録媒体について実施例１と同様の耐環境
試験を行なったところ、SiOよりなる下引き層２を有す
るものでは300時間経過後、SiO2よりなる下引き層２を
有するものでは400時間経過後に膜ハガレおよびクラッ
クが発生した。
試験を行なったところ、SiOよりなる下引き層２を有す
るものでは300時間経過後、SiO2よりなる下引き層２を
有するものでは400時間経過後に膜ハガレおよびクラッ
クが発生した。
以上に説明したように、本発明によって、交換結合二層
膜を有する光磁気記録媒体の耐環境性を従来よりも大幅
に向上することができた。
膜を有する光磁気記録媒体の耐環境性を従来よりも大幅
に向上することができた。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の一例の概略断面図で
ある。 1a、1b……基板、２……下引き層 ３、５……保護層 4a……読み出し層、4b……記録層 ６……接着層
ある。 1a、1b……基板、２……下引き層 ３、５……保護層 4a……読み出し層、4b……記録層 ６……接着層
Claims (1)
- 【請求項１】室温において高い保磁力と低いキュリー温
度を有する記録層と、室温において低い保磁力と高いキ
ュリー温度を有する読み出し層とからなる交換結合した
二層構造を有する光磁気記録層をプラスチック基板上に
備えた光磁気記録媒体において、前記基板と前記光磁気
記録層との間に、基板に相接してSiO1+X（但し、０＜Ｘ
＜１）からなる下引き層と、この下引き層に積層してZn
Sからなる保護層を設けたことを特徴とする光磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61233213A JPH0778911B2 (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61233213A JPH0778911B2 (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390041A JPS6390041A (ja) | 1988-04-20 |
| JPH0778911B2 true JPH0778911B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=16951528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61233213A Expired - Fee Related JPH0778911B2 (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778911B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0236112A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Kuraray Co Ltd | パック被覆材 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2543832B2 (ja) * | 1986-09-03 | 1996-10-16 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP61233213A patent/JPH0778911B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6390041A (ja) | 1988-04-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |