JPH0350778A - 電子放出素子 - Google Patents
電子放出素子Info
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- JPH0350778A JPH0350778A JP1184579A JP18457989A JPH0350778A JP H0350778 A JPH0350778 A JP H0350778A JP 1184579 A JP1184579 A JP 1184579A JP 18457989 A JP18457989 A JP 18457989A JP H0350778 A JPH0350778 A JP H0350778A
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- organic thin
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- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は、金属／絶縁層／金属（ＭＩＭ）型構造電子放
出素子に関する。
出素子に関する。
［従来の技術］
従来、ＡＩ／Ａ１ｚＯ５／Ａｕのように、Ａｔ、 Ｔａ
等の自然酸化膜あるいは陽極酸化により形成された酸化
膜を薄い絶縁層として有するＭＩＭ型電子放出素子があ
る。
等の自然酸化膜あるいは陽極酸化により形成された酸化
膜を薄い絶縁層として有するＭＩＭ型電子放出素子があ
る。
しかしながら従来のＭＩＭ型電子放出素子の電子放出効
率は１Ｏ−６〜１０−４程度であり、実用的ではなく、
また素子ごとのバラツキが生じるという問題があった。
率は１Ｏ−６〜１０−４程度であり、実用的ではなく、
また素子ごとのバラツキが生じるという問題があった。
本発明の目的は、高い放出効率を有し、かつ素子ごとの
特性のバラツキが小さい電子放出素子を提供することで
ある。
特性のバラツキが小さい電子放出素子を提供することで
ある。
本発明は一対の電極と該電極間に配置した絶縁層を有し
、かつ一方の電極の該絶縁層とは反対側の面に有機薄膜
を有する電子放出素子である。
、かつ一方の電極の該絶縁層とは反対側の面に有機薄膜
を有する電子放出素子である。
すなわち、本発明によれば、ＭＩＭ構造を有する電子放
出素子の電子放出都電極上に、有機化合物の薄膜を形成
することにより、電子放出効率が大幅に向上する。
出素子の電子放出都電極上に、有機化合物の薄膜を形成
することにより、電子放出効率が大幅に向上する。
第１図のように、本発明の電子放出素子は基板１の上に
一対の電極（上部電極４、下部電極２）とこの電極間に
配置された絶縁層３が設けられ、さらに上部電極４上に
有機薄膜５が形成されてなる。
一対の電極（上部電極４、下部電極２）とこの電極間に
配置された絶縁層３が設けられ、さらに上部電極４上に
有機薄膜５が形成されてなる。
有機薄膜の厚さは、４人〜５００人、好ましくは４人〜
１００人である。更に有機薄膜面内及び膜厚方向の均質
性の良いものが素子特性、安定性に優れる。
１００人である。更に有機薄膜面内及び膜厚方向の均質
性の良いものが素子特性、安定性に優れる。
有機薄膜の形成には、蒸着法やクラスターイオンビーム
法等の適用も可能であるが、制御性、容易性そして再現
性からＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法が特に好
ましい。
法等の適用も可能であるが、制御性、容易性そして再現
性からＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法が特に好
ましい。
ＬＢ法は、分子内に親水性部位と疎水性部位とを有する
構造の分子において、両親媒性のバランスが適度に保た
れているとき、分子は水面上で親水性基を下に向けて単
分子層になることを利用して単分子膜またはその累積膜
を作製する方法である。このＬＢ法によれば、１分子中
に疎水性部位と親水性部位とを有する有機化合物の単分
子膜またはその累積膜を、任意の電極上、乃至は任意の
電極を含む任意の基板上に容易に形成することができ、
分子長オーダーの膜厚を有し、かつ大面積にわたって均
一、均質な有機超薄膜を安定に作製することができる。
構造の分子において、両親媒性のバランスが適度に保た
れているとき、分子は水面上で親水性基を下に向けて単
分子層になることを利用して単分子膜またはその累積膜
を作製する方法である。このＬＢ法によれば、１分子中
に疎水性部位と親水性部位とを有する有機化合物の単分
子膜またはその累積膜を、任意の電極上、乃至は任意の
電極を含む任意の基板上に容易に形成することができ、
分子長オーダーの膜厚を有し、かつ大面積にわたって均
一、均質な有機超薄膜を安定に作製することができる。
疎水性部位を構成する基としては、一般によく知られて
いる飽和及び不飽和炭化水素や縮合多環芳香族基及び鎖
状多環フェニル基等の各種疎水基が挙げられる。これら
は各々単独またはその複数が組み合わされて疎水性部位
を構成する。
いる飽和及び不飽和炭化水素や縮合多環芳香族基及び鎖
状多環フェニル基等の各種疎水基が挙げられる。これら
は各々単独またはその複数が組み合わされて疎水性部位
を構成する。
一方、親水性部位の構成要素としては、例えばカルボキ
シル基、エステル基、酸アミド基、イミド基、ヒドロキ
シル基、スルホニル基、リン酸基、アミン基（１，２，
３および４級）等の親水性基を挙げることができる。
シル基、エステル基、酸アミド基、イミド基、ヒドロキ
シル基、スルホニル基、リン酸基、アミン基（１，２，
３および４級）等の親水性基を挙げることができる。
これらの疎水性基と親水性基をバランス良く併有する分
子であれば、水面上で単分子膜を形成することが可能で
ある。例として下記のごとき分子を挙げることができる
。
子であれば、水面上で単分子膜を形成することが可能で
ある。例として下記のごとき分子を挙げることができる
。
（１）脂肪酸類
長鎖アルキル基を有するカルボン酸及びカルボン酸塩乃
至はこれらのフッ素置換体、少なくとも一本の長鎖アル
キル基を有するエステル、スルホン酸及びその塩、リン
酸及びその塩乃至はこれらのフッ素置換体等。
至はこれらのフッ素置換体、少なくとも一本の長鎖アル
キル基を有するエステル、スルホン酸及びその塩、リン
酸及びその塩乃至はこれらのフッ素置換体等。
これらの化合物のうち特に耐熱性の観点からはフタロシ
アニン等の大環状化合物が望ましい。
アニン等の大環状化合物が望ましい。
（２）π電子準位を有する分子
フタロシアニン、テトラフェニルポルフィリン等のポル
フィリン骨格を有する色素、スクアリリウム基及びクロ
コニックメチン基を結合鎖として持つアズレン系色素及
びキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール等
の２個の含窒素複素環スクアリリウム基及びクロコニッ
クメチン基により結合したシアニン系類似の色素、また
はシアニン色素、アントラセン、ピレン等の縮合多環芳
香族及び芳香環乃至複素環化合物が縮合した鎖状化合物
等。
フィリン骨格を有する色素、スクアリリウム基及びクロ
コニックメチン基を結合鎖として持つアズレン系色素及
びキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール等
の２個の含窒素複素環スクアリリウム基及びクロコニッ
クメチン基により結合したシアニン系類似の色素、また
はシアニン色素、アントラセン、ピレン等の縮合多環芳
香族及び芳香環乃至複素環化合物が縮合した鎖状化合物
等。
（３）高分子化合物
ポリイミド誘導体、ポリアミック酸誘導体、ポリアミド
誘導体各種フマル酸共重合体、ポリアクリル酸誘導体、
各種アクリル酸共重合体、ポリジアセチレン誘導体、各
種ビニル化合物、・合成ポリペプチド類、バタテリオロ
ドブシンやチトクロームＣのごとき生体高分子化合物等
。
誘導体各種フマル酸共重合体、ポリアクリル酸誘導体、
各種アクリル酸共重合体、ポリジアセチレン誘導体、各
種ビニル化合物、・合成ポリペプチド類、バタテリオロ
ドブシンやチトクロームＣのごとき生体高分子化合物等
。
本発明には、上記以外でもＬＢ法に適している材料であ
れば適用できる。
れば適用できる。
また本発明において、絶縁層３は無機酸化物に限らず、
有機薄膜で形成することができる。
有機薄膜で形成することができる。
絶縁層に用いる有機薄膜の形成に関しても、蒸着法やク
ラスターイオンビーム法等公知の成膜方法が適用できる
が、特にＬＢ法が好適である。
ラスターイオンビーム法等公知の成膜方法が適用できる
が、特にＬＢ法が好適である。
基板１は金属、ガラス、セラミックス材料等何れの材料
でも良く、更に、耐熱性の著しく低い生体材料も使用で
きる。
でも良く、更に、耐熱性の著しく低い生体材料も使用で
きる。
基板１の形状は平板が好ましいが、任意である。ＬＢ法
では、任意の基板の形状通りに膜を形成できるからであ
る。
では、任意の基板の形状通りに膜を形成できるからであ
る。
電極の材料は高い電気伝導性を有するものであれば良く
、例えばＡｕ、 Ｐｔ％Ａｇ、 Ｐｄ％ＡＩ％Ｉｎ、釦
、ｐｂ等の金属やこれらの合金、更にはグラファイトや
シリサイド、また更にはＩＴＯなどの導電性酸化物を始
めとして数多くの材料゛が使用できる。
、例えばＡｕ、 Ｐｔ％Ａｇ、 Ｐｄ％ＡＩ％Ｉｎ、釦
、ｐｂ等の金属やこれらの合金、更にはグラファイトや
シリサイド、また更にはＩＴＯなどの導電性酸化物を始
めとして数多くの材料゛が使用できる。
電極の形成法は、公知の薄膜技術でよい。また基板上に
直接形成される電極材料はその電極表面がＬＢ膜形成の
際、絶縁性の酸化膜を作らない導電材料、例えば貴金属
やＩＴＯ等の酸化物導電体を用いることが好ましい。
直接形成される電極材料はその電極表面がＬＢ膜形成の
際、絶縁性の酸化膜を作らない導電材料、例えば貴金属
やＩＴＯ等の酸化物導電体を用いることが好ましい。
トンネル電子を電極外に取り出すためには電極の厚さは
５００Å以下が好ましく、２００Å以下が更に好適であ
る。
５００Å以下が好ましく、２００Å以下が更に好適であ
る。
実施例１
以下に示す手順で、第１図に示すＭＩＭ型電子電子放出
素子製した。
素子製した。
まず洗浄したガラス基板（コーニング＃７０６９）上に
真空蒸着法によりＡＩを３００人堆積させ、幅１ｍｍの
ストライブ状の下部電極を形成した。
真空蒸着法によりＡＩを３００人堆積させ、幅１ｍｍの
ストライブ状の下部電極を形成した。
次にｐｈ５．５の３％酒石酸アンモニウム水溶液中で、
電流密度２００μＡ／ｃｍ”以下の定電流方式による陽
極酸化を行い、Ａｌ２Ｏ３の無機絶縁層を形成した。
Ａ１１０３の厚さは化成電圧（約１．４ｍｍ／Ｖ ）で
制御し、２００人とした。
電流密度２００μＡ／ｃｍ”以下の定電流方式による陽
極酸化を行い、Ａｌ２Ｏ３の無機絶縁層を形成した。
Ａ１１０３の厚さは化成電圧（約１．４ｍｍ／Ｖ ）で
制御し、２００人とした。
その後、Ａｕを真空蒸着法により形成し、厚さ３００人
、幅１ｍｍの上部電極とした。
、幅１ｍｍの上部電極とした。
係る基板な担体として、ＬＢ法によりステアリン酸（Ｃ
，ａ）の単分子膜を形成した。形成方法の詳細を以下に
記す。Ｃ１０を濃度２ Ｘ １０−３Ｍで溶かしたクロ
ロホルム溶液を水温２０℃の水相上に展開し、水面上に
単分子膜を形成した。溶媒の蒸発除去を待って、係る単
分子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、さらにこれを
一定に保ちながら、予め浸漬しておいた前記基板を水面
に横切る方向に速度５ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ、
１層の単分子膜を素子上に形成した。
，ａ）の単分子膜を形成した。形成方法の詳細を以下に
記す。Ｃ１０を濃度２ Ｘ １０−３Ｍで溶かしたクロ
ロホルム溶液を水温２０℃の水相上に展開し、水面上に
単分子膜を形成した。溶媒の蒸発除去を待って、係る単
分子膜の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、さらにこれを
一定に保ちながら、予め浸漬しておいた前記基板を水面
に横切る方向に速度５ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ、
１層の単分子膜を素子上に形成した。
以上のようにして作製した電子放出素子を２×１Ｏ−６
Ｔｏｒｒの真空下に設置し、素子−蛍光体間の加速電圧
を３ｋＶとして試料の上下電極間に電圧を印加した時の
電流特性（Ｖ−Ｉ特性）を測定したところ、電圧制御型
負荷抵抗特性（ＶＣＮＲ）を示す電子放出が確認された
。この時の放出効率は７Ｘ １０−’であった。
Ｔｏｒｒの真空下に設置し、素子−蛍光体間の加速電圧
を３ｋＶとして試料の上下電極間に電圧を印加した時の
電流特性（Ｖ−Ｉ特性）を測定したところ、電圧制御型
負荷抵抗特性（ＶＣＮＲ）を示す電子放出が確認された
。この時の放出効率は７Ｘ １０−’であった。
実施例２
ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の飽和蒸気中に一
昼夜放置して疎水処理したガラス基板（コーニング＃
７０５９）上にｐｔを真空蒸着法により厚さ３００人堆
積させ、幅１ｍｍの下部電極とした。
昼夜放置して疎水処理したガラス基板（コーニング＃
７０５９）上にｐｔを真空蒸着法により厚さ３００人堆
積させ、幅１ｍｍの下部電極とした。
次にＬＢ法により、ポリイミド単分子膜の４０層（膜厚
約１６０人）を形成し、絶縁層とした。
約１６０人）を形成し、絶縁層とした。
以下ポリアミド単分子累積膜の作製方法の詳細を記す。
式１のポリアミド酸をＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド−
ベンゼン混合溶媒（１：ｌｖ／ｖ）に溶解させた（単量
体換算濃度ｌＸｌ０−’Ｍ）後、別途調製したＮ、Ｎ−
ジメチルオクタデシルアミンの同溶媒によるＩ Ｘ １
０−３Ｍ溶液とを１：２（ｖ／ｖ）に混合して式２のポ
リアミド酸オクタデシルアミン塩溶液を調製した。
ベンゼン混合溶媒（１：ｌｖ／ｖ）に溶解させた（単量
体換算濃度ｌＸｌ０−’Ｍ）後、別途調製したＮ、Ｎ−
ジメチルオクタデシルアミンの同溶媒によるＩ Ｘ １
０−３Ｍ溶液とを１：２（ｖ／ｖ）に混合して式２のポ
リアミド酸オクタデシルアミン塩溶液を調製した。
ＨＮ （ＣＨ３）２
（ＣＨ，）、、ＣＨ３
係る溶液を水温２０℃の純水からなる水相上に展開し、
水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発除去後、係る単
分子膜の表面圧を２５ｍＮ／ｍまで高め、更に表面圧を
一定に保ちながら、係る基板を水面を横切る方向に３
ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬したのち、続いて３ ｍｍ／
ｍｉｎで静かに引き上げて２層のＹ型単分子累積膜を作
製した。係る操作を繰返して４０層のポリイミド酸オク
タデシルアミン塩の単分子累積膜を作製した０次に係る
基板を３００℃で１０分間加熱し、ポリイミド酸オクタ
デシルアミン塩を熱イミド化しく式３）、ポリイミド単
分子累積膜を得た。
水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発除去後、係る単
分子膜の表面圧を２５ｍＮ／ｍまで高め、更に表面圧を
一定に保ちながら、係る基板を水面を横切る方向に３
ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬したのち、続いて３ ｍｍ／
ｍｉｎで静かに引き上げて２層のＹ型単分子累積膜を作
製した。係る操作を繰返して４０層のポリイミド酸オク
タデシルアミン塩の単分子累積膜を作製した０次に係る
基板を３００℃で１０分間加熱し、ポリイミド酸オクタ
デシルアミン塩を熱イミド化しく式３）、ポリイミド単
分子累積膜を得た。
ＨＮ （ＣＨ３）２
（ＣＨ２） １７ ＣＨｓ
次に係る膜面上に、幅１ｍｍのストライブ状にＡＩを真
空蒸着し、膜厚３００人の上部電極とした。
空蒸着し、膜厚３００人の上部電極とした。
係る基板な担体として、ポリイミド酸オクタデシルアミ
ン塩の２層の単分子累積膜の形成及びイミド化を上記と
同様に行い、ポリイミド単分子累積膜を得た。以上のよ
うに作製した電子放出素子について実施例１と同様に放
出効率を測定したところＶＣＮＲを示し、放出効率は７
Ｘ１０−’であった。
ン塩の２層の単分子累積膜の形成及びイミド化を上記と
同様に行い、ポリイミド単分子累積膜を得た。以上のよ
うに作製した電子放出素子について実施例１と同様に放
出効率を測定したところＶＣＮＲを示し、放出効率は７
Ｘ１０−’であった。
実施例３
ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の飽和蒸気中に一
昼夜放置して疎水処理したガラス基板（コーニング＃
７０５９）上に下引き層としてＣｒを真空蒸着法により
厚さ５００人堆積させ、更にＡｕを同法により蒸着し、
膜厚１０００人、幅１ｍｍの下部電極とした。
昼夜放置して疎水処理したガラス基板（コーニング＃
７０５９）上に下引き層としてＣｒを真空蒸着法により
厚さ５００人堆積させ、更にＡｕを同法により蒸着し、
膜厚１０００人、幅１ｍｍの下部電極とした。
係る基板な担体としてＬＢ法によりスクリリウムビス−
６一才クチルアズレン（ＳＯＡＺ）単分子膜の累積を行
った。累積方法の詳細を以下に記す。５ＯＡＺを濃度４
×ｌＯ″”Ｍで溶かしたクロロホルム溶液を水温２０℃
の水相上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒
の蒸発除去を待つて、係る単分子膜の表面圧を２０ｍＮ
／ｍまで高め、さらにこれを一定に保ちながら、前記基
板を水面を横切る方向に速度５ ｍｍ／ｍｉｎで静かに
浸漬したのち速度５ ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ、
２層のＹ型単分子膜を形成した。係る操作を適当回繰返
すことによって、前記基板上に１２．１６．２０．２４
層の累積膜を形成した。成膜直後、２０℃、Ｉ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒの真空乾燥を２０分間行った。
６一才クチルアズレン（ＳＯＡＺ）単分子膜の累積を行
った。累積方法の詳細を以下に記す。５ＯＡＺを濃度４
×ｌＯ″”Ｍで溶かしたクロロホルム溶液を水温２０℃
の水相上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒
の蒸発除去を待つて、係る単分子膜の表面圧を２０ｍＮ
／ｍまで高め、さらにこれを一定に保ちながら、前記基
板を水面を横切る方向に速度５ ｍｍ／ｍｉｎで静かに
浸漬したのち速度５ ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ、
２層のＹ型単分子膜を形成した。係る操作を適当回繰返
すことによって、前記基板上に１２．１６．２０．２４
層の累積膜を形成した。成膜直後、２０℃、Ｉ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒの真空乾燥を２０分間行った。
次に係る膜面上に下部電極と直交するように幅１ｍｍの
ストライブ状のＡＩ電極（膜厚３００人）を基板温度を
室温以下に保持し、真空蒸着して上部電極を形成した。
ストライブ状のＡＩ電極（膜厚３００人）を基板温度を
室温以下に保持し、真空蒸着して上部電極を形成した。
次に、係る基板を担体としてＬＢ法によりアラキシン酸
（Ｃ２゜）の単分子膜の累積を行った。
（Ｃ２゜）の単分子膜の累積を行った。
Ｃ２゜を濃度３ Ｘ １０−’Ｍで溶かしたクロロホル
ム溶液を水温２０℃の水相上に展開し、水面上に単分子
膜を形成した。溶媒の蒸発除去を待って、係る単分子膜
の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、さらにこれを一定に
保ちながら、予め浸漬しておいた前記基板を水面に横切
る方向に速度５ ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ、１層
の単分子膜を素子上に形成した。
ム溶液を水温２０℃の水相上に展開し、水面上に単分子
膜を形成した。溶媒の蒸発除去を待って、係る単分子膜
の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、さらにこれを一定に
保ちながら、予め浸漬しておいた前記基板を水面に横切
る方向に速度５ ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ、１層
の単分子膜を素子上に形成した。
実施例１と同様に、以上のようにして作製した試料のＶ
−Ｉ特性を測定したところ、電圧制御型負荷抵抗特性（
ＶＣＮＲ）を示す電子放出が確認された。放出効率は７
Ｘ １０−’であり、電子放出が始まるしきい値電圧
は絶縁層の層数が増すと高くなる傾向を示した。
−Ｉ特性を測定したところ、電圧制御型負荷抵抗特性（
ＶＣＮＲ）を示す電子放出が確認された。放出効率は７
Ｘ １０−’であり、電子放出が始まるしきい値電圧
は絶縁層の層数が増すと高くなる傾向を示した。
実施例４
実施例３と同様にしてＡｕ／ Ｓ ＯＡ Ｚ ／ ＡＩ
／ Ｃ２゜構成の素子を作製した。ただしＣ２０の層数
を１．３．５．７層とした。
／ Ｃ２゜構成の素子を作製した。ただしＣ２０の層数
を１．３．５．７層とした。
係る素子につき、実施例１と同様に放出効率を測定した
ところ、Ｃ２゜がｌＮのときの放出効率は７ Ｘ ｔｏ
−３であり、Ｃ２゜の層数が増加するにともない放出効
率は減少する傾向が見られた。
ところ、Ｃ２゜がｌＮのときの放出効率は７ Ｘ ｔｏ
−３であり、Ｃ２゜の層数が増加するにともない放出効
率は減少する傾向が見られた。
実施例５
実施例３と同様にしてＡｕ／ Ｓ ＯＡ Ｚ ／ ＡＩ
／ Ｃ２゜構成の素子を作製した。ただしＡＩの膜厚を
１００．２００．４００．６００人とした。
／ Ｃ２゜構成の素子を作製した。ただしＡＩの膜厚を
１００．２００．４００．６００人とした。
係る素子につき、実施例１と同様に放出効率を測定した
ところ、ＡＩが１００人のときの放出効率は６ Ｘ １
０−’であり、ＡＩの膜厚が増加するにともない放出効
率は減少する傾向が見られた。
ところ、ＡＩが１００人のときの放出効率は６ Ｘ １
０−’であり、ＡＩの膜厚が増加するにともない放出効
率は減少する傾向が見られた。
実施例６
実施例２と同様にして、ｐｔ、膜厚３００人、幅１ｍｍ
の下部電極を形成した。
の下部電極を形成した。
係る基板を担体としてＬＢ法によりルテチウムシフタロ
ジアニン（Ｌｕ）ｌ （ＰＣ） ２）の単分子膜の累積
を行った。Ｌｕ）Ｉ （Ｐｃ） ｚの濃度は３ Ｘ １
０−’Ｍ、溶媒はクロロホルム／トリメチルベンゼン／
アセトンの１／１／２混合溶媒を用いた。係る溶液をｐ
Ｈ６，８に調整したＣｄＣ１ｚ濃度４ Ｘ １０−’Ｍ
％ＮａＨＣＯ３濃度５ Ｘ １０−’Ｍ 、水温２０℃
の水相上に展開した。溶媒の蒸発除去後、表面圧を２０
ｍＮ／ｍまで高め、水相上に単分子膜を形成した。表面
圧を一定に保ちながら前記基板を水面を横切る方向に速
度５ ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬したのち、速度３ ｍ
ｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ、２層の単分子膜を形成し
た。係る操作を繰返し、２０層の累積膜を形成した。
ジアニン（Ｌｕ）ｌ （ＰＣ） ２）の単分子膜の累積
を行った。Ｌｕ）Ｉ （Ｐｃ） ｚの濃度は３ Ｘ １
０−’Ｍ、溶媒はクロロホルム／トリメチルベンゼン／
アセトンの１／１／２混合溶媒を用いた。係る溶液をｐ
Ｈ６，８に調整したＣｄＣ１ｚ濃度４ Ｘ １０−’Ｍ
％ＮａＨＣＯ３濃度５ Ｘ １０−’Ｍ 、水温２０℃
の水相上に展開した。溶媒の蒸発除去後、表面圧を２０
ｍＮ／ｍまで高め、水相上に単分子膜を形成した。表面
圧を一定に保ちながら前記基板を水面を横切る方向に速
度５ ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬したのち、速度３ ｍ
ｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ、２層の単分子膜を形成し
た。係る操作を繰返し、２０層の累積膜を形成した。
次に係る膜面上に下部電極と直交するように、幅１ ｍ
ｍのストライブ状のＡｌ電極（膜厚２５０人）を真空蒸
着して上部電極を形成した。
ｍのストライブ状のＡｌ電極（膜厚２５０人）を真空蒸
着して上部電極を形成した。
さらに、係る基板を担体としてＬＢ法によりステアリン
酸（Ｃ，、）の単分子膜を形成した。Ｃ＋ａを濃度３
Ｘ １０”３Ｍで溶かしたクロロホルム溶液をｐＨ６，
８に調整したＣｄＣ１ｇ濃度４ Ｘ １０−’Ｍ、温度
２０℃の水相上に展開し、水面上に単分子膜を形成した
。溶媒の除去を待って、係る単分子膜の表面圧を２０ｍ
Ｎ／ｍまで高め、さらにこれを一定に保ちながら、予め
浸漬しておいた前記基板を水面に横切る方向に速度５
ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ、１層の単分子膜を素子
上に形成した。
酸（Ｃ，、）の単分子膜を形成した。Ｃ＋ａを濃度３
Ｘ １０”３Ｍで溶かしたクロロホルム溶液をｐＨ６，
８に調整したＣｄＣ１ｇ濃度４ Ｘ １０−’Ｍ、温度
２０℃の水相上に展開し、水面上に単分子膜を形成した
。溶媒の除去を待って、係る単分子膜の表面圧を２０ｍ
Ｎ／ｍまで高め、さらにこれを一定に保ちながら、予め
浸漬しておいた前記基板を水面に横切る方向に速度５
ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ、１層の単分子膜を素子
上に形成した。
以上のようにして作製した電子放出素子について、実施
例１と同様に放出効率を測定したところ、ＶＣＮＲを示
し、放出効率は８ Ｘ １０−３であった。
例１と同様に放出効率を測定したところ、ＶＣＮＲを示
し、放出効率は８ Ｘ １０−３であった。
比較例
電子放出素子上にポリイミド単分子累積膜を形成しなか
った以外は実施例２と同様にして、ＭＩＭ型電子放出素
子を作製した。係る素子について実施例１と同様にｖ−
■特性を測定したところ、ＶＣＮＲを示す電子放出が確
認された。しかし放出効率はｓ ｘ ｉｏ−’であった
。
った以外は実施例２と同様にして、ＭＩＭ型電子放出素
子を作製した。係る素子について実施例１と同様にｖ−
■特性を測定したところ、ＶＣＮＲを示す電子放出が確
認された。しかし放出効率はｓ ｘ ｉｏ−’であった
。
［発明の効果１
本発明によれば、ＭＩＭ型電子放出素子の上部電極に、
有機薄膜層を設けることにより、従来に比べ、放出効率
が１桁以上向上する。またこの有機薄膜をＬＢ法により
形成することにより、分子オーダーの膜厚制御が容易に
でき、制御性が優れているため、素子間のバラツキを小
さくすることができる。
有機薄膜層を設けることにより、従来に比べ、放出効率
が１桁以上向上する。またこの有機薄膜をＬＢ法により
形成することにより、分子オーダーの膜厚制御が容易に
でき、制御性が優れているため、素子間のバラツキを小
さくすることができる。
第１図は本発明の電子放出素子の概念的断面図である。
１：基板 ２：下部電極
３：絶縁層 ４：上部電極
５：有機薄膜
Claims (2)
- （１）一対の電極と該電極間に配置した絶縁層を有し、
かつ一方の電極の該絶縁層とは反対側の面に有機薄膜を
有する電子放出素子。 - （２）前記有機薄膜がラングミュア−ブロジェット法に
より形成された単分子膜または該単分子膜の累積膜であ
ることを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1184579A JPH0350778A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 電子放出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1184579A JPH0350778A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 電子放出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350778A true JPH0350778A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16155679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1184579A Pending JPH0350778A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 電子放出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350778A (ja) |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1184579A patent/JPH0350778A/ja active Pending
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