JPH0384892A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JPH0384892A JPH0384892A JP1219795A JP21979589A JPH0384892A JP H0384892 A JPH0384892 A JP H0384892A JP 1219795 A JP1219795 A JP 1219795A JP 21979589 A JP21979589 A JP 21979589A JP H0384892 A JPH0384892 A JP H0384892A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- charge injection
- injection layer
- substrate
- layer
- Prior art date
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- Pending
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は有機発光物質を用いた発光素子の発光層の構成
に関する。
に関する。
［従来の技術］
従来、有機発光物質を用いた発光素子の電荷注入層の形
成法としては塗布法、蒸着法などが知られている（応用
物理学会１９８９年春季年会予稿集３ａ−Ｇ−７など）
。
成法としては塗布法、蒸着法などが知られている（応用
物理学会１９８９年春季年会予稿集３ａ−Ｇ−７など）
。
塗布法ではスピンコード法やロールコート法などがある
。蒸着法では抵抗加熱法が一般に用いられる。
。蒸着法では抵抗加熱法が一般に用いられる。
［発明が解決しようとする課Ｍ］
しかし塗布法では膜厚制御が難しく、蒸着法では蒸着物
質にかなりの熱が印加されるため蒸着物質が分解される
恐れがある。また、有機化合物は比較的蒸気圧が高いた
め昇華し易く、蒸着法により成膜しにくい、更にこれら
の方法では膜厚制御を数十五のオーダーで制御するこ、
とは非常に難しい、となれば膜厚を厚くしなければなら
ず、膜厚が厚くなれば、電界降下が生じ発光層に電界が
充分印加されなくなる。また、基板と化学的に結合して
いる訳ではないので電極との密着性に欠ける。
質にかなりの熱が印加されるため蒸着物質が分解される
恐れがある。また、有機化合物は比較的蒸気圧が高いた
め昇華し易く、蒸着法により成膜しにくい、更にこれら
の方法では膜厚制御を数十五のオーダーで制御するこ、
とは非常に難しい、となれば膜厚を厚くしなければなら
ず、膜厚が厚くなれば、電界降下が生じ発光層に電界が
充分印加されなくなる。また、基板と化学的に結合して
いる訳ではないので電極との密着性に欠ける。
そこで本発明は、電荷注入層としてａＫするための必要
最小限の膜厚で均一に塗布できて、しかも基板との密着
性に優れた電荷注入層を備えた発光素子を提供すること
を目的とする。
最小限の膜厚で均一に塗布できて、しかも基板との密着
性に優れた電荷注入層を備えた発光素子を提供すること
を目的とする。
［課題を解決するための手段］
■有機発光層及び電荷注入層とこれを挟持してなる１組
の電極及び基板とからなる発光素子において、前記電荷
注入層が電極上の極薄膜からなることを特徴とする。
の電極及び基板とからなる発光素子において、前記電荷
注入層が電極上の極薄膜からなることを特徴とする。
■上記電荷注入層が、電荷注入物質に表面改質剤に用い
られるカップリング剤を結合させた化合物からなること
を特徴とする。
られるカップリング剤を結合させた化合物からなること
を特徴とする。
［作用コ
本発明の上記の構成によれば、カップリング剤付き電荷
注入物質溶液に電極付き基板を浸すだけで電極表面に単
分子に近い電荷性、大層を形成でき、この基板を加熱す
れば電極と電荷注入物質の間に共有結合が生成する。そ
のため物理的化学的強度が高い電荷注入層となる。また
電荷注入層が単分子に近くなるために印加電圧が低くて
も発光層に充分電界が印加され発光する。
注入物質溶液に電極付き基板を浸すだけで電極表面に単
分子に近い電荷性、大層を形成でき、この基板を加熱す
れば電極と電荷注入物質の間に共有結合が生成する。そ
のため物理的化学的強度が高い電荷注入層となる。また
電荷注入層が単分子に近くなるために印加電圧が低くて
も発光層に充分電界が印加され発光する。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
［実施例１］
す発光素子の断面図である。ここでは、発光物質として
ビニルアントラセンを用い、正孔注入層として、 を用いた例を示す。
ビニルアントラセンを用い、正孔注入層として、 を用いた例を示す。
透明電極（ＩＴＯ）付きガラス基板上に（Ａ）の０．２
％アルコール溶液を塗布し、１０分間放置後アルコール
にて基板を洗浄した。この基板を１００℃にて５分間焼
成したのち、ビニルアントラセンの５％アルコール溶液
をスピンコードし、発光層の厚さを２０００人とした０
発光層の厚みは５００人〜１μｍの間であればよい、５
００Ａ以下であると、電界を印加した際ショートする可
能性がある。１μｍ以上であると、印加電圧が高くなり
実用的でない、こうして得られた発光素子に直流電圧１
０ボルト印加したところ発光が認められた。有機発光物
質はビニルアントラセンの他、アントラセン、ピレン、
ベンズアントラセン、ペリレン、テトラセン、ナフタセ
ン、コロネン、クマリン、シクロペンタジェン、キノリ
ン、及びこマリン、シクロペンタジェン、キノリン、及
びこれら有機発光物質の誘導体などが同様に利用できる
。これらの物質を混合して用いることにより様々な色調
の発光を得ることができた。
％アルコール溶液を塗布し、１０分間放置後アルコール
にて基板を洗浄した。この基板を１００℃にて５分間焼
成したのち、ビニルアントラセンの５％アルコール溶液
をスピンコードし、発光層の厚さを２０００人とした０
発光層の厚みは５００人〜１μｍの間であればよい、５
００Ａ以下であると、電界を印加した際ショートする可
能性がある。１μｍ以上であると、印加電圧が高くなり
実用的でない、こうして得られた発光素子に直流電圧１
０ボルト印加したところ発光が認められた。有機発光物
質はビニルアントラセンの他、アントラセン、ピレン、
ベンズアントラセン、ペリレン、テトラセン、ナフタセ
ン、コロネン、クマリン、シクロペンタジェン、キノリ
ン、及びこマリン、シクロペンタジェン、キノリン、及
びこれら有機発光物質の誘導体などが同様に利用できる
。これらの物質を混合して用いることにより様々な色調
の発光を得ることができた。
［実施例２］
ここでは、発光物質としてビニルアントラセンを用い、
電子注入層として、 （ＯＥｔ）ｓｓｉ（ＣＨ）４−Ｐ Ｖ １’ ｅ ｎ
ｅ −−−（Ｂ ）を用いた例を示す。
電子注入層として、 （ＯＥｔ）ｓｓｉ（ＣＨ）４−Ｐ Ｖ １’ ｅ ｎ
ｅ −−−（Ｂ ）を用いた例を示す。
アルミニウム電極付き基板の上に（Ｂ）の０゜２％アル
コール溶液を塗布し、１０分間放置後アルコールにて基
板を洗浄した。この基板を１００°Ｃにて５分間焼成し
たのち、透明、電極（ＩＴＯ）付きガラス基板と対向さ
せ基板間距離を０． ５μｍに固定して、この間隙にビ
ニルアントラセンを８０℃にて封入した。 発光層の
厚みは５００λ〜１μｍの間であればよい。５００Ａ以
下であると、電界を印加した際ショートする可能性があ
る。
コール溶液を塗布し、１０分間放置後アルコールにて基
板を洗浄した。この基板を１００°Ｃにて５分間焼成し
たのち、透明、電極（ＩＴＯ）付きガラス基板と対向さ
せ基板間距離を０． ５μｍに固定して、この間隙にビ
ニルアントラセンを８０℃にて封入した。 発光層の
厚みは５００λ〜１μｍの間であればよい。５００Ａ以
下であると、電界を印加した際ショートする可能性があ
る。
１μｍ以上であると、印加電圧が高くなり実用的でない
、こうして得られた発光素子に直流電圧３発光物質はビ
ニルアントラセンの他、アントラセン、ピレン、ベンズ
アントラセン、ペリレン、テトラセン、ナフタセン、コ
ロネン、クマリン、シクロペンタジェン、キノリン、及
びこれら有機発光物質の誘導体などが同様に利用できる
。これらの物質を混合して用いることにより様々な色調
の発光を得ることができた。
、こうして得られた発光素子に直流電圧３発光物質はビ
ニルアントラセンの他、アントラセン、ピレン、ベンズ
アントラセン、ペリレン、テトラセン、ナフタセン、コ
ロネン、クマリン、シクロペンタジェン、キノリン、及
びこれら有機発光物質の誘導体などが同様に利用できる
。これらの物質を混合して用いることにより様々な色調
の発光を得ることができた。
［実施例３］
ここでは、発光物質としてビニルアントラセンを用い、
電子注入層として、 （ＯＥｔ）３ｓｉ（ＣＨ）４−Ｐ ｙ ｒ ｅ ｎ ｅ
−−−（Ｂ ）正孔注入層として、 （ＯＥｔ）３ｓｉ（Ｃ）］］ｈＮｏ−Ｚ−、ｑＮＥｔｈ
−（Ａ）を用いた例を示す。
電子注入層として、 （ＯＥｔ）３ｓｉ（ＣＨ）４−Ｐ ｙ ｒ ｅ ｎ ｅ
−−−（Ｂ ）正孔注入層として、 （ＯＥｔ）３ｓｉ（Ｃ）］］ｈＮｏ−Ｚ−、ｑＮＥｔｈ
−（Ａ）を用いた例を示す。
アルミニウム電極付き基板の上に（Ｂ）の０゜２％アル
コール溶液を塗布し、１０分間放置後アルコールにて基
板を洗浄し、１００℃にて５分間焼成した。つぎに透明
電極（ＩＴＯ）付きガラス基板に（Ａ）の０． ２％ア
ルコール溶液を塗布し、１０分間放置後アルコールにて
基板を洗浄し、１１０分間放直後アルコールにて基板を
洗浄し、１００°Ｃにて５分間焼成した。これら２枚の
基板を対向させ基板間距離を０． ５μｍに固定して、
この間隙にビニルアントラセンを８０℃にて封入した。
コール溶液を塗布し、１０分間放置後アルコールにて基
板を洗浄し、１００℃にて５分間焼成した。つぎに透明
電極（ＩＴＯ）付きガラス基板に（Ａ）の０． ２％ア
ルコール溶液を塗布し、１０分間放置後アルコールにて
基板を洗浄し、１１０分間放直後アルコールにて基板を
洗浄し、１００°Ｃにて５分間焼成した。これら２枚の
基板を対向させ基板間距離を０． ５μｍに固定して、
この間隙にビニルアントラセンを８０℃にて封入した。
ｌ！！光層の厚みは５００Å〜１μｍの間であればよい
、５００λ以下であると、電界を印加した際ショートす
る可能性がある。１μｍ以上であると、印加電圧が高く
なり実用的でない、こうして得られた発光素子に直流電
圧２５ボルト印加したところ発光が認められた。有機発
光物質はビニルアントラセンの他、アントラセン、ピレ
ン、ベンズアントラセン、ペリレン、テトラセン、ナフ
タセン、コロネン、クマリン、シクロペンタジェン、キ
ノリン、及びこれら有機発光物質の誘導体などが同様に
利用できる。これらの物質を混合して用いることにより
様々な色調の発光を得ることができた。
、５００λ以下であると、電界を印加した際ショートす
る可能性がある。１μｍ以上であると、印加電圧が高く
なり実用的でない、こうして得られた発光素子に直流電
圧２５ボルト印加したところ発光が認められた。有機発
光物質はビニルアントラセンの他、アントラセン、ピレ
ン、ベンズアントラセン、ペリレン、テトラセン、ナフ
タセン、コロネン、クマリン、シクロペンタジェン、キ
ノリン、及びこれら有機発光物質の誘導体などが同様に
利用できる。これらの物質を混合して用いることにより
様々な色調の発光を得ることができた。
以上実施例を述べたが、電荷注入層に用いた物質はここ
に示したものに限らない、また電極に用いた物質もここ
に示したものに限らない。
に示したものに限らない、また電極に用いた物質もここ
に示したものに限らない。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、電荷注入層に表面処
理剤に用いるカップリング剤を用いることにより、発光
効率のよい素子を容易に作製することができるようにな
った。
理剤に用いるカップリング剤を用いることにより、発光
効率のよい素子を容易に作製することができるようにな
った。
第１図は、本発明の基本構成を表す発光素子の断面図で
ある。 １・・・基板 ２・・・電極 ３・・・電子注入層 ４・・・発光層 ５・・・正孔注入層 ６・・・電極 ７・・・基板 以 上
ある。 １・・・基板 ２・・・電極 ３・・・電子注入層 ４・・・発光層 ５・・・正孔注入層 ６・・・電極 ７・・・基板 以 上
Claims (2)
- （１）有機発光層及び電荷注入層とこれを挟持してなる
１組の電極及び基板とからなる発光素子において、前記
電荷注入層が電極上の極薄膜からなることを特徴とする
発光素子。 - （２）上記電荷注入層が、電荷注入物質に表面改質剤に
用いられるカップリング剤を結合させた化合物からなる
ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1219795A JPH0384892A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1219795A JPH0384892A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384892A true JPH0384892A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16741150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1219795A Pending JPH0384892A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0384892A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000208254A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ表示装置 |
| JP2000323276A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物 |
| US6456003B1 (en) | 1999-01-28 | 2002-09-24 | Nec Corporation | Organic electroluminescent devices and panels |
| JP2002313577A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 表示デバイス |
| JPWO2004054325A1 (ja) * | 2002-12-12 | 2006-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、製造装置、成膜方法、およびクリーニング方法 |
| US7201859B2 (en) | 2001-06-25 | 2007-04-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Hole transport layer and method for manufacturing the organic EL device by using the same |
| JP2007103381A (ja) * | 2006-12-08 | 2007-04-19 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物 |
| US7285904B2 (en) | 2001-08-01 | 2007-10-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic EL display with an organic compound derivative layer |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP1219795A patent/JPH0384892A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000208254A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ表示装置 |
| US6456003B1 (en) | 1999-01-28 | 2002-09-24 | Nec Corporation | Organic electroluminescent devices and panels |
| JP2000323276A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物 |
| JP2002313577A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 表示デバイス |
| US7201859B2 (en) | 2001-06-25 | 2007-04-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Hole transport layer and method for manufacturing the organic EL device by using the same |
| US7285904B2 (en) | 2001-08-01 | 2007-10-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic EL display with an organic compound derivative layer |
| JPWO2004054325A1 (ja) * | 2002-12-12 | 2006-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、製造装置、成膜方法、およびクリーニング方法 |
| JP5072184B2 (ja) * | 2002-12-12 | 2012-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法 |
| US8709540B2 (en) | 2002-12-12 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, film-forming method and manufacturing apparatus thereof, and cleaning method of the manufacturing apparatus |
| JP2007103381A (ja) * | 2006-12-08 | 2007-04-19 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物 |
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