JPH0351080B2 - - Google Patents
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- JPH0351080B2 JPH0351080B2 JP58222766A JP22276683A JPH0351080B2 JP H0351080 B2 JPH0351080 B2 JP H0351080B2 JP 58222766 A JP58222766 A JP 58222766A JP 22276683 A JP22276683 A JP 22276683A JP H0351080 B2 JPH0351080 B2 JP H0351080B2
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Description
【発明の詳細な説明】
イ 産業上の利用分野
本発明は交流電界の印加によつてEL(Electro
Luminescence)発光を呈する薄膜EL素子を使用
したEL表示パネルに対して有効な技術となる薄
膜EL素子保護用流体の注入孔封止構造に関する
ものである。
Luminescence)発光を呈する薄膜EL素子を使用
したEL表示パネルに対して有効な技術となる薄
膜EL素子保護用流体の注入孔封止構造に関する
ものである。
ロ 従来技術
従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光
層に規則的に高い電界(106V/cm程度)を印加
し、絶縁耐圧、発光効率及び動作の安定性等を高
めるために、0.1〜2.0Wt%のMn(あるいはCn、
Al、Br等)をドープしたZnS、ZnSe等の半導体
発光層をY2O3、TiO2等の誘電体薄膜でサンドイ
ツチした三層構造ZnS:Mn(又はZnSe:Mn)
EL素子が開発され、発光諸特性の向上が確かめ
られている。この薄膜EL素子は数KHzの交流電
界印加によつて高輝度発光し、しかも長寿命であ
るという特徴を有している。
層に規則的に高い電界(106V/cm程度)を印加
し、絶縁耐圧、発光効率及び動作の安定性等を高
めるために、0.1〜2.0Wt%のMn(あるいはCn、
Al、Br等)をドープしたZnS、ZnSe等の半導体
発光層をY2O3、TiO2等の誘電体薄膜でサンドイ
ツチした三層構造ZnS:Mn(又はZnSe:Mn)
EL素子が開発され、発光諸特性の向上が確かめ
られている。この薄膜EL素子は数KHzの交流電
界印加によつて高輝度発光し、しかも長寿命であ
るという特徴を有している。
薄膜EL素子の1例としてZnS:Mn薄膜EL素
子の基本的構造を第1図に示す。
子の基本的構造を第1図に示す。
第1図に基いて薄膜EL素子の構造を具体的に
説明すると、ガラス基板1上にIn2O3、SnO2等の
透明電極2、更にその上に積層してY2O3、
TiO2、Al2O3、Si3N4、SiO2等からなる第1の誘
電体層3がスパツタあるいは電子ビーム蒸着法等
により重畳形成されている。第1の誘電体層3上
にはZnS:Mn焼結ペレツトを電子ビーム蒸着す
ることにより得られるZnS発光層4が形成されて
いる。この時蒸着用のZnS:Mn焼結ペレツトに
は活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定
されたペレツトが使用される。ZnS発光層4上に
は第1の誘電体層3と同様の材質から成る第2の
誘電体層5が積層され、更にその上にA1等から
成る背面電極6が蒸着形成されている。透明電極
2と背面電極6は第2図に示すように帯状に成形
され、互いに直交する如く複数本配列されたマト
リツクス電極構造が採用されており、透明電極2
と背面電極6が平面図的に見て交叉した位置がパ
ネルの1画素に相当する。透明電極2と背面電極
6は交流電源7に接続され、薄膜EL素子が駆動
される。
説明すると、ガラス基板1上にIn2O3、SnO2等の
透明電極2、更にその上に積層してY2O3、
TiO2、Al2O3、Si3N4、SiO2等からなる第1の誘
電体層3がスパツタあるいは電子ビーム蒸着法等
により重畳形成されている。第1の誘電体層3上
にはZnS:Mn焼結ペレツトを電子ビーム蒸着す
ることにより得られるZnS発光層4が形成されて
いる。この時蒸着用のZnS:Mn焼結ペレツトに
は活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定
されたペレツトが使用される。ZnS発光層4上に
は第1の誘電体層3と同様の材質から成る第2の
誘電体層5が積層され、更にその上にA1等から
成る背面電極6が蒸着形成されている。透明電極
2と背面電極6は第2図に示すように帯状に成形
され、互いに直交する如く複数本配列されたマト
リツクス電極構造が採用されており、透明電極2
と背面電極6が平面図的に見て交叉した位置がパ
ネルの1画素に相当する。透明電極2と背面電極
6は交流電源7に接続され、薄膜EL素子が駆動
される。
電極2,6間にAC電圧を印加すると、ZnS発
光層4の両側の誘電体層3,5間に上記AC電圧
が誘起されることになり、従つてZnS発光層4内
に発生した電界によつて伝導体に励起され、かつ
加速されて充分なエネルギーを得た電子が、直接
Mn発光センターを励起し、励起されたMn発光
センターが基底状態に戻る際に黄色の発光を行な
う。即ち高電界で加速された電子がZnS発光層4
中の発光センターであるZnサイトに入つたMn原
子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々
5850Åをピークに幅広い波長領域で強い発光を呈
する。
光層4の両側の誘電体層3,5間に上記AC電圧
が誘起されることになり、従つてZnS発光層4内
に発生した電界によつて伝導体に励起され、かつ
加速されて充分なエネルギーを得た電子が、直接
Mn発光センターを励起し、励起されたMn発光
センターが基底状態に戻る際に黄色の発光を行な
う。即ち高電界で加速された電子がZnS発光層4
中の発光センターであるZnサイトに入つたMn原
子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々
5850Åをピークに幅広い波長領域で強い発光を呈
する。
上記の如き構造を有する薄膜EL素子はスペー
スフアクタの利点を生かした平面薄型デイスプレ
イ・デバイスとして、文字及び図形を含むコンピ
ユーターの出力表示端末機器その他種々の表示装
置に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手段
とし利用することができ非常に有効なものであ
る。
スフアクタの利点を生かした平面薄型デイスプレ
イ・デバイスとして、文字及び図形を含むコンピ
ユーターの出力表示端末機器その他種々の表示装
置に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手段
とし利用することができ非常に有効なものであ
る。
しかしながら薄膜EL素子の誘電体層は製造工
程途中で発生した多数のピンホールやマイクロク
ラツク等を含み、これらの欠陥を通してZnS発光
層4に湿気等が侵入するため、EL発光損失によ
る発熱、層間剥離、素子特性の劣化等を招来す
る。
程途中で発生した多数のピンホールやマイクロク
ラツク等を含み、これらの欠陥を通してZnS発光
層4に湿気等が侵入するため、EL発光損失によ
る発熱、層間剥離、素子特性の劣化等を招来す
る。
上記問題を解決することを目的として、第3図
に示すように、薄膜EL素子特有の不完全さ、即
ちピンホール等によつて通電時に生じるブレーク
ダウンのため起る微小な熱損傷領域の拡大を防
止、固定化し、大気環境下での湿気保護、放熱効
果、さらに振動、たわみに対しても有効となる薄
膜ELパネル8が知られている。
に示すように、薄膜EL素子特有の不完全さ、即
ちピンホール等によつて通電時に生じるブレーク
ダウンのため起る微小な熱損傷領域の拡大を防
止、固定化し、大気環境下での湿気保護、放熱効
果、さらに振動、たわみに対しても有効となる薄
膜ELパネル8が知られている。
この薄膜ELパネル8を第3図に基いて説明す
ると、1は第1図に示すガラス基板であり、ガラ
ス基板1上に透明電極2が帯状に一定ピツチ間隔
をもつて平行配列され、薄膜EL素子9が構成さ
れている。この薄膜EL素子9を収納する如く皿
状の背面ガラス板10がガラス基板1上に重畳さ
れ、その内部間隙に薄膜EL素子9が内蔵される。
ガラス基板1と背面ガラス板10の接合部は光硬
化性樹脂(フオトボンド)等の接着剤で密封され
ている。即ち、ガラス基板1と背面ガラス板10
は薄膜EL素子9に対する外囲器11を構成する。
そして外囲器11内には薄膜EL素子9が内蔵さ
れると共にシリコンオイル、真空グリース等の薄
膜EL素子9保護用の絶縁性保護流体12が充填
封入されている。絶縁性保護流体12に要求され
る条件としてはピンホールへの浸透性があり、絶
縁耐圧が高く、耐熱性、耐湿性に優れ、薄膜EL
素子構成膜と反応せず、蒸気圧、熱膨張係数の小
さい流動性物質であることが望ましいが特にピン
ホールへの浸透性があり絶縁耐圧がある程度高い
こと及び薄膜EL素子構成膜と反応しないことを
要する。
ると、1は第1図に示すガラス基板であり、ガラ
ス基板1上に透明電極2が帯状に一定ピツチ間隔
をもつて平行配列され、薄膜EL素子9が構成さ
れている。この薄膜EL素子9を収納する如く皿
状の背面ガラス板10がガラス基板1上に重畳さ
れ、その内部間隙に薄膜EL素子9が内蔵される。
ガラス基板1と背面ガラス板10の接合部は光硬
化性樹脂(フオトボンド)等の接着剤で密封され
ている。即ち、ガラス基板1と背面ガラス板10
は薄膜EL素子9に対する外囲器11を構成する。
そして外囲器11内には薄膜EL素子9が内蔵さ
れると共にシリコンオイル、真空グリース等の薄
膜EL素子9保護用の絶縁性保護流体12が充填
封入されている。絶縁性保護流体12に要求され
る条件としてはピンホールへの浸透性があり、絶
縁耐圧が高く、耐熱性、耐湿性に優れ、薄膜EL
素子構成膜と反応せず、蒸気圧、熱膨張係数の小
さい流動性物質であることが望ましいが特にピン
ホールへの浸透性があり絶縁耐圧がある程度高い
こと及び薄膜EL素子構成膜と反応しないことを
要する。
又、薄膜EL素子9の透明電極2及び背面電極
6のリード端子部はガラス基板1と背面ガラス板
10の接合部を介して外囲器11外部のガラス基
板1上へその一端が延設され、駆動制御用回路
(図示せず)と電気的に接続されている。
6のリード端子部はガラス基板1と背面ガラス板
10の接合部を介して外囲器11外部のガラス基
板1上へその一端が延設され、駆動制御用回路
(図示せず)と電気的に接続されている。
上記構成から成る薄膜ELパネル8において絶
縁性保護流体12は背面ガラス板10に設けられ
ている注入孔13から注入されて封止されるので
あるが、その工程手順を以下に示す。(特公昭57
−47559、特開昭57−191991)まず第4図に示す
ように背面ガラス板10としては厚さ3mmのソー
ダガラスが使用され、EL素子構造部の収納部分
がサンドエツチングにより深さ1mm程度に凹陥成
形されている。凹陥成形領域の隅部1箇所には流
体注入用の注入孔13が形成され、中空の注入用
パイプ14が挿入固定されている。注入用パイプ
14は金属製で、注入孔13に接着固定されてい
る。
縁性保護流体12は背面ガラス板10に設けられ
ている注入孔13から注入されて封止されるので
あるが、その工程手順を以下に示す。(特公昭57
−47559、特開昭57−191991)まず第4図に示す
ように背面ガラス板10としては厚さ3mmのソー
ダガラスが使用され、EL素子構造部の収納部分
がサンドエツチングにより深さ1mm程度に凹陥成
形されている。凹陥成形領域の隅部1箇所には流
体注入用の注入孔13が形成され、中空の注入用
パイプ14が挿入固定されている。注入用パイプ
14は金属製で、注入孔13に接着固定されてい
る。
流体注入及び封止は第5図a,b、及び第6図
a,b,cに示す操作を介して行なわれる。
a,b,cに示す操作を介して行なわれる。
ガラス基板1と背面ガラス板10で構成される
外囲器11と流体収納槽15を第5図aに示す如
く真空槽16内に設置する。この時外囲器11の
注入パイプ14の先端は流体収納槽15内の注入
流体と離反している。この状態で真空槽16内を
減圧し、注入流体及び薄膜EL素子9のガス出し
を行なう。次に真空保持のまま流体収納槽15を
上昇させ、第5図bに示す如く、注入パイプ14
の先端を注入流体内へ挿入させる。この後、真空
槽16を大気圧下に戻し、これによつて外囲器1
1内へ流体収納槽15内の注入流体が注入パイプ
14を介して流入される。
外囲器11と流体収納槽15を第5図aに示す如
く真空槽16内に設置する。この時外囲器11の
注入パイプ14の先端は流体収納槽15内の注入
流体と離反している。この状態で真空槽16内を
減圧し、注入流体及び薄膜EL素子9のガス出し
を行なう。次に真空保持のまま流体収納槽15を
上昇させ、第5図bに示す如く、注入パイプ14
の先端を注入流体内へ挿入させる。この後、真空
槽16を大気圧下に戻し、これによつて外囲器1
1内へ流体収納槽15内の注入流体が注入パイプ
14を介して流入される。
この時真空槽16内を必要に応じて昇温させ、
注入流体の流動性を高めることもできる。
注入流体の流動性を高めることもできる。
注入流体の注入操作が完了すると、第5図bに
示す状態で第6図aに示す如く注入パイプ14の
外囲器11接合部近傍部分を圧着し、仮封止を行
なう。その後仮封止部の注入パイプ14を第6図
bに示す如く切断し、切断部をエポキシ系樹脂1
7により第6図cに示す如く封止補強する。
示す状態で第6図aに示す如く注入パイプ14の
外囲器11接合部近傍部分を圧着し、仮封止を行
なう。その後仮封止部の注入パイプ14を第6図
bに示す如く切断し、切断部をエポキシ系樹脂1
7により第6図cに示す如く封止補強する。
次にこの注入パイプ14封止部を内設可能な凹
陥部を有するガラスキヤツプ18を注入パイプ1
4封止部の背面ガラス板10上に接着剤を介して
被冠し、第7図に示す如く注入流体に対する二重
封止構造を構成する。ガラスキヤツプ18を背面
ガラス板10に接着する接着剤としては光硬化性
接着剤(フオトボンド)等が用いられる。以上に
より封入操作工程が完了する。
陥部を有するガラスキヤツプ18を注入パイプ1
4封止部の背面ガラス板10上に接着剤を介して
被冠し、第7図に示す如く注入流体に対する二重
封止構造を構成する。ガラスキヤツプ18を背面
ガラス板10に接着する接着剤としては光硬化性
接着剤(フオトボンド)等が用いられる。以上に
より封入操作工程が完了する。
ところが、薄膜ELパネル8における絶縁性保
護流体12の上記従来の注入封止構造によれば、
流体注入用パイプ14は注入孔13に接着固定さ
れるため上記封入操作工程を繰り返す度に新たな
注入用パイプ14の接着固定が必要であり工程が
煩雑となる。
護流体12の上記従来の注入封止構造によれば、
流体注入用パイプ14は注入孔13に接着固定さ
れるため上記封入操作工程を繰り返す度に新たな
注入用パイプ14の接着固定が必要であり工程が
煩雑となる。
又、外囲器11内に封入された保護流体12は
密閉状態にあるため、熱サイクルテスト時、動作
時のようにパネル温度上昇の際、保護流体12の
熱膨張が生じ注入パイプ14の前記仮封止部から
保護流体12が漏洩することがある。この漏洩保
護流体はガラスキヤツプ18の凹陥部に貯溜され
るのであるが、注入用パイプ14の仮封止部から
の保護流体12の漏洩は耐湿上好ましくないし、
逆に熱膨張した保護流体12の収縮時、漏れた保
護流体12が元へ戻りにくく、ガラスキヤツプ1
8内の気体を吸い込む不利もある。
密閉状態にあるため、熱サイクルテスト時、動作
時のようにパネル温度上昇の際、保護流体12の
熱膨張が生じ注入パイプ14の前記仮封止部から
保護流体12が漏洩することがある。この漏洩保
護流体はガラスキヤツプ18の凹陥部に貯溜され
るのであるが、注入用パイプ14の仮封止部から
の保護流体12の漏洩は耐湿上好ましくないし、
逆に熱膨張した保護流体12の収縮時、漏れた保
護流体12が元へ戻りにくく、ガラスキヤツプ1
8内の気体を吸い込む不利もある。
ハ 発明の目的
本発明の目的は透光性前面基板と背面板とから
成る外囲器内に薄膜EL素子とその絶縁性保護流
体を収納した薄膜ELパネルにおいて保護流体の
封入操作に用いられる注入用パイプの反復使用を
可能にし、かつ注入孔の封止部を伸縮自在に変位
させることにより保護流体の熱膨張時の体積増圧
力を吸収して封止部からの保護流体の漏洩を防止
することである。
成る外囲器内に薄膜EL素子とその絶縁性保護流
体を収納した薄膜ELパネルにおいて保護流体の
封入操作に用いられる注入用パイプの反復使用を
可能にし、かつ注入孔の封止部を伸縮自在に変位
させることにより保護流体の熱膨張時の体積増圧
力を吸収して封止部からの保護流体の漏洩を防止
することである。
ニ 発明の構成
本発明は、透光性前面基板と背面板とから成る
外囲器内に薄膜EL素子及び該薄膜EL素子に対す
る絶縁性保護流体を収納した薄膜ELパネルにお
いて、前記外囲器に設けられた前記保護流体の注
入孔に該注入孔よりも小径の孔を有するパツキン
材を同心配置して接着固定し前記保護流体の注入
後、前記パツキン材の孔を変形可能な薄板で封止
し、かつ前記薄板を凹部付キヤツプで被冠・封止
したことを特徴とする。
外囲器内に薄膜EL素子及び該薄膜EL素子に対す
る絶縁性保護流体を収納した薄膜ELパネルにお
いて、前記外囲器に設けられた前記保護流体の注
入孔に該注入孔よりも小径の孔を有するパツキン
材を同心配置して接着固定し前記保護流体の注入
後、前記パツキン材の孔を変形可能な薄板で封止
し、かつ前記薄板を凹部付キヤツプで被冠・封止
したことを特徴とする。
ホ 実施例
本発明に係る薄膜ELパネルの実施例をその保
護流体注入封止構造の製造工程順に従つて説明す
る。まず薄膜ELパネルの背面ガラス板10とし
て、第8図に示すように所定厚さのソーダガラス
板を加熱加圧成型し乃至はサンドエツチングによ
りEL素子構造部の収納部分が所定深さに凹陥成
形される。そして凹陥成形領域の隅部1個所には
流体注入用の注入孔13が形成される。
護流体注入封止構造の製造工程順に従つて説明す
る。まず薄膜ELパネルの背面ガラス板10とし
て、第8図に示すように所定厚さのソーダガラス
板を加熱加圧成型し乃至はサンドエツチングによ
りEL素子構造部の収納部分が所定深さに凹陥成
形される。そして凹陥成形領域の隅部1個所には
流体注入用の注入孔13が形成される。
次に第9図に示すように注入孔13に孔を有す
るパツキン材19を同心配置して接着固定する
が、パツキン材19の孔径は注入孔13よりも小
径に成形される。又、パツキン材19として第1
0図に示すように注入孔13内周面を覆う形状に
成形してもよい。
るパツキン材19を同心配置して接着固定する
が、パツキン材19の孔径は注入孔13よりも小
径に成形される。又、パツキン材19として第1
0図に示すように注入孔13内周面を覆う形状に
成形してもよい。
そして第11図に示すようにパツキン材19の
孔に流体注入用の外部注入管20を挿入するが、
外部注入管20は注入孔13に接着固定されず、
流体注入が終了すれば、注入孔13から抜き取ら
れる。従つて外部注入管20の反復使用が可能と
なり、同時にパツキン材19により流体注入時、
及び外部注入管20抜き取り時の流体漏れが防止
される。
孔に流体注入用の外部注入管20を挿入するが、
外部注入管20は注入孔13に接着固定されず、
流体注入が終了すれば、注入孔13から抜き取ら
れる。従つて外部注入管20の反復使用が可能と
なり、同時にパツキン材19により流体注入時、
及び外部注入管20抜き取り時の流体漏れが防止
される。
外部注入管20の挿入された背面ガラス板10
とガラス基板1により薄膜EL素子9を収納する
外囲器11を構成すれば、従来同様第12図a,
bに示すように外囲器11内に絶縁性保護流体1
2が注入される。即ち、まず外囲器11と流体収
納槽21を第12図aに示すように真空槽22内
に設置する。この時外囲器11の外部注入管20
の先端は流体収納槽21内の注入流体と離反して
いる。この状態で真空槽22内を減圧し、注入流
体及び薄膜EL素子9のガス出しを行なう。次に
真空保持のまま流体収納槽21を上昇させ、第1
2図bに示すように外部注入管20の先端を注入
流体内へ挿入させる。この後、真空槽22にN2
ガスを常圧まで導入し、これによつて外囲器11
内へ流体収納槽21内の注入流体が外部注入管2
0を介して注入される。
とガラス基板1により薄膜EL素子9を収納する
外囲器11を構成すれば、従来同様第12図a,
bに示すように外囲器11内に絶縁性保護流体1
2が注入される。即ち、まず外囲器11と流体収
納槽21を第12図aに示すように真空槽22内
に設置する。この時外囲器11の外部注入管20
の先端は流体収納槽21内の注入流体と離反して
いる。この状態で真空槽22内を減圧し、注入流
体及び薄膜EL素子9のガス出しを行なう。次に
真空保持のまま流体収納槽21を上昇させ、第1
2図bに示すように外部注入管20の先端を注入
流体内へ挿入させる。この後、真空槽22にN2
ガスを常圧まで導入し、これによつて外囲器11
内へ流体収納槽21内の注入流体が外部注入管2
0を介して注入される。
注入流体の上記注入操作が完了すると、外囲器
11から外囲注入管20を抜き取る。この時、パ
ツキン材19の封止後に外囲器11内に気体が残
らないよう外部注入管20の抜き取り後、流体補
充などを行い第13図に示すように流体表面がパ
ツキン材19の表面レベルより低下しないように
する。この工程はN2ガス雰囲気中で実施するこ
とが望ましい。
11から外囲注入管20を抜き取る。この時、パ
ツキン材19の封止後に外囲器11内に気体が残
らないよう外部注入管20の抜き取り後、流体補
充などを行い第13図に示すように流体表面がパ
ツキン材19の表面レベルより低下しないように
する。この工程はN2ガス雰囲気中で実施するこ
とが望ましい。
そして第14図に示すようにパツキン材19の
孔を薄板23で封止して保護流体12を外囲器1
1内に密閉する。薄板23は保護流体12の膨
張・収縮に応じて変形できるように伸縮自在でな
ければならず、その形状は第15図a,bに示す
ようにゴム製の薄い平板のもの、第16図a,b
に示すように金属製平板にひだを設けたものなど
である。即ち薄板23は伸縮自在であるため流体
熱膨張時の流体封止部の損傷が防止され、同時に
流体漏洩も防止される。
孔を薄板23で封止して保護流体12を外囲器1
1内に密閉する。薄板23は保護流体12の膨
張・収縮に応じて変形できるように伸縮自在でな
ければならず、その形状は第15図a,bに示す
ようにゴム製の薄い平板のもの、第16図a,b
に示すように金属製平板にひだを設けたものなど
である。即ち薄板23は伸縮自在であるため流体
熱膨張時の流体封止部の損傷が防止され、同時に
流体漏洩も防止される。
更に第17図に示すように凹部を有するキヤツ
プ24を注入孔13封止部の背面ガラス板10上
に接着剤を介して被冠し、注入流体に対する二重
封止構造を構成する。キヤツプ24は第18図に
示すように2段凹部を有し、第1封止面24aと
第2封止面24bが形成される。即ちキヤツプ2
4の被冠時、第1封止面24aは薄板23とパツ
キン材19を圧接して封止し、第2封止面24b
は背面ガラス板10に接着されて封止する。ここ
で第19図に示すように第1封止面24aに突起
24cを設ければ、薄板23の圧接がより強固に
なつて封止をより確実にする。又、背面ガラス板
10上からの第1封止面24aの高さを薄板23
とパツキン材19の厚さよりも小さくすることに
より薄板23の圧接を強くすることも可能であ
る。従つて第1封止面24aの上記高さ寸法を所
定範囲内に許容できる。そして第2封止面24b
の接着には光硬化性樹脂等が用いられる。
プ24を注入孔13封止部の背面ガラス板10上
に接着剤を介して被冠し、注入流体に対する二重
封止構造を構成する。キヤツプ24は第18図に
示すように2段凹部を有し、第1封止面24aと
第2封止面24bが形成される。即ちキヤツプ2
4の被冠時、第1封止面24aは薄板23とパツ
キン材19を圧接して封止し、第2封止面24b
は背面ガラス板10に接着されて封止する。ここ
で第19図に示すように第1封止面24aに突起
24cを設ければ、薄板23の圧接がより強固に
なつて封止をより確実にする。又、背面ガラス板
10上からの第1封止面24aの高さを薄板23
とパツキン材19の厚さよりも小さくすることに
より薄板23の圧接を強くすることも可能であ
る。従つて第1封止面24aの上記高さ寸法を所
定範囲内に許容できる。そして第2封止面24b
の接着には光硬化性樹脂等が用いられる。
上記封入操作工程を経て薄膜ELパネルは作成
される。
される。
尚、キヤツプ24は図示例のように2段凹部を
有するもののみならず、単純な皿状のものでよ
い。
有するもののみならず、単純な皿状のものでよ
い。
ヘ 発明の効果
本発明によれば、透光性前面基板と背面板とか
ら成る外囲器内に薄膜EL素子とその絶縁性保護
流体を収納した薄膜ELパネルにおいて流体封入
操作に用いられる流体注入用の注入管を1本で反
復使用できるようにしたから、製造工程の簡略化
が図れる。又、流体注入孔の封止に伸縮自在の薄
板を用い、かつ薄板に凹部付キヤツプを被冠して
封止したから、流体熱膨張時の注入孔封止部の損
傷が防止され、封止が確実となつてパネルの耐湿
性が向上する。更に注入孔に注入孔より小径の孔
を有するパツキン材を接着固定したから、流体注
入時及び注入管抜き取り時の流体漏れが防止さ
れ、しかもパツキン材の厚さにより薄板を被冠す
る凹部付キヤツプのキヤツプ高さの寸法公差を許
容するのに有利となる。
ら成る外囲器内に薄膜EL素子とその絶縁性保護
流体を収納した薄膜ELパネルにおいて流体封入
操作に用いられる流体注入用の注入管を1本で反
復使用できるようにしたから、製造工程の簡略化
が図れる。又、流体注入孔の封止に伸縮自在の薄
板を用い、かつ薄板に凹部付キヤツプを被冠して
封止したから、流体熱膨張時の注入孔封止部の損
傷が防止され、封止が確実となつてパネルの耐湿
性が向上する。更に注入孔に注入孔より小径の孔
を有するパツキン材を接着固定したから、流体注
入時及び注入管抜き取り時の流体漏れが防止さ
れ、しかもパツキン材の厚さにより薄板を被冠す
る凹部付キヤツプのキヤツプ高さの寸法公差を許
容するのに有利となる。
第1図は薄膜EL素子の概略側断面図、第2図
はその透明電極と背面電極の概略平面図、第3図
は従来の薄膜ELパネルの概略側断面図、第4図
はその流体注入操作工程における背面ガラス板の
側断面図、第5図a,bはその流体注入操作の説
明図、第6図a,b,cはその流体注入管の封止
操作の説明図、第7図はその封止部を凹部付キヤ
ツプで2重に封止した封止部の側断面図、第8図
は本発明に係る薄膜ELパネルに用いられる背面
ガラス板、第9図と第10図はその背面ガラス板
にパツキン材を接着固定した時の背面ガラス板の
部分側断面図、第11図はその背面ガラス板に外
部注入管を挿入した時の背面ガラス板の部分側断
面図、第12図a,bは本発明に係る薄膜ELパネ
ルの流体注入操作の説明図で、第13図はその注
入操作終了後の薄膜ELパネルの部分概略側断面
図、第14図は注入孔を薄板で封止した本発明に
係る薄膜ELパネルの部分概略側断面図、第15
図aはその薄板の一例の側面図で、第15図bは
その平面図、第16図aはその他の形状の薄板の
断面図で、第16図bはその平面図、第17図は
その薄板を凹部付キヤツプで2重に封止した本発
明に係る薄膜ELパネルの部分概略側断面図、第
18図はその凹部付キヤツプの一例の断面図、第
19図はその他の形状を有する凹部付キヤツプの
断面図である。 1……透光性前面基板、9……薄膜EL素子、
10……背面板、11……外囲器、12……絶縁
性保護流体、13……注入孔、19……パツキン
材、23……薄板、24……凹部付キヤツプ。
はその透明電極と背面電極の概略平面図、第3図
は従来の薄膜ELパネルの概略側断面図、第4図
はその流体注入操作工程における背面ガラス板の
側断面図、第5図a,bはその流体注入操作の説
明図、第6図a,b,cはその流体注入管の封止
操作の説明図、第7図はその封止部を凹部付キヤ
ツプで2重に封止した封止部の側断面図、第8図
は本発明に係る薄膜ELパネルに用いられる背面
ガラス板、第9図と第10図はその背面ガラス板
にパツキン材を接着固定した時の背面ガラス板の
部分側断面図、第11図はその背面ガラス板に外
部注入管を挿入した時の背面ガラス板の部分側断
面図、第12図a,bは本発明に係る薄膜ELパネ
ルの流体注入操作の説明図で、第13図はその注
入操作終了後の薄膜ELパネルの部分概略側断面
図、第14図は注入孔を薄板で封止した本発明に
係る薄膜ELパネルの部分概略側断面図、第15
図aはその薄板の一例の側面図で、第15図bは
その平面図、第16図aはその他の形状の薄板の
断面図で、第16図bはその平面図、第17図は
その薄板を凹部付キヤツプで2重に封止した本発
明に係る薄膜ELパネルの部分概略側断面図、第
18図はその凹部付キヤツプの一例の断面図、第
19図はその他の形状を有する凹部付キヤツプの
断面図である。 1……透光性前面基板、9……薄膜EL素子、
10……背面板、11……外囲器、12……絶縁
性保護流体、13……注入孔、19……パツキン
材、23……薄板、24……凹部付キヤツプ。
Claims (1)
- 1 透光性前面基板と背面板とから成る外囲器内
に薄膜EL素子及び該薄膜EL素子に対する絶縁性
保護流体を収納した薄膜ELパネルにおいて、前
記外囲器に設けられた前記保護流体の注入孔に該
注入孔よりも小径の孔を有するパツキン材を同心
配置して接着して、前記パツキン材の孔を変形可
能な薄板で封止し、かつ前記薄板を凹部付キヤツ
プで封止したことを特徴とする薄膜ELパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222766A JPS60115192A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 薄膜elパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222766A JPS60115192A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 薄膜elパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60115192A JPS60115192A (ja) | 1985-06-21 |
| JPH0351080B2 true JPH0351080B2 (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=16787557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222766A Granted JPS60115192A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 薄膜elパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60115192A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352297U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 |
-
1983
- 1983-11-25 JP JP58222766A patent/JPS60115192A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60115192A (ja) | 1985-06-21 |
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