JPH0351246B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0351246B2 JPH0351246B2 JP27505485A JP27505485A JPH0351246B2 JP H0351246 B2 JPH0351246 B2 JP H0351246B2 JP 27505485 A JP27505485 A JP 27505485A JP 27505485 A JP27505485 A JP 27505485A JP H0351246 B2 JPH0351246 B2 JP H0351246B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- membered heterocyclic
- oxidizing agent
- heterocyclic compound
- base material
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は異方導電性表面を形成する方法に関す
る。さらに詳しくは基材表面に複素５員環式化合
物重合体を生成させて異方導電性を有する表面を
形成する方法に関する。
る。さらに詳しくは基材表面に複素５員環式化合
物重合体を生成させて異方導電性を有する表面を
形成する方法に関する。
複素５員環式化合物の重合体は比較的安定な導
電性高分子であつて、電池材料、センサー材料、
オプトエレクトロニクス材料、エレクトロニクス
デバイスなどの種々の機能素子などに利用できる
有機導電性材料として最近注目されている。これ
らの複素５員環式化合物重合体を用いてフイルム
表面に異方導電性を持たせる方法として、電気化
学的重合法を利用して絶縁高分子フイルム中にポ
リピロールをパターン状に形成する方法が提示さ
れている。〔Hikita et al.、Japan J.Appl.Phys.
Lett.24 L79（1985）〕。しかしながら、この方法
では、特殊な電極を必要とし、可溶性の高分子膜
上にしか形成できず、しかも膜厚が数ミクロンの
ものしか得られない。
電性高分子であつて、電池材料、センサー材料、
オプトエレクトロニクス材料、エレクトロニクス
デバイスなどの種々の機能素子などに利用できる
有機導電性材料として最近注目されている。これ
らの複素５員環式化合物重合体を用いてフイルム
表面に異方導電性を持たせる方法として、電気化
学的重合法を利用して絶縁高分子フイルム中にポ
リピロールをパターン状に形成する方法が提示さ
れている。〔Hikita et al.、Japan J.Appl.Phys.
Lett.24 L79（1985）〕。しかしながら、この方法
では、特殊な電極を必要とし、可溶性の高分子膜
上にしか形成できず、しかも膜厚が数ミクロンの
ものしか得られない。
本発明の目的は、叙上の観点にたつて、簡便に
基材上に異方導電性表面を形成する方法を提供す
ることにある。
基材上に異方導電性表面を形成する方法を提供す
ることにある。
本発明者らは上記問題点を解決するために鋭意
検討し、本発明を完成した。
検討し、本発明を完成した。
すなわち本発明は
表面に一方向に平行線状のみぞが刻まれた基材
を用い、そのみぞ中に液状または溶剤に溶解した
酸化剤を流延した後、複素５員環式化合物と接触
させて基材表面に平行線状に複素５員環式化合物
重合体を生成させることを特徴とする異方導電性
表面の形成方法である。
を用い、そのみぞ中に液状または溶剤に溶解した
酸化剤を流延した後、複素５員環式化合物と接触
させて基材表面に平行線状に複素５員環式化合物
重合体を生成させることを特徴とする異方導電性
表面の形成方法である。
本発明の方法において使用される基材の材質と
しては特に制限はなく、半導体から絶縁体まで、
ほとんどの材料が使用でき、またその形状として
は薄膜、厚膜をはじめ任意の形状の成形体を用い
ることができる。
しては特に制限はなく、半導体から絶縁体まで、
ほとんどの材料が使用でき、またその形状として
は薄膜、厚膜をはじめ任意の形状の成形体を用い
ることができる。
本発明の方法においてはこれらの基材の表面に
あらかじめ一方向に平行線状にみぞを加工形成し
ておくことが必要であるが、みぞを形成する方法
は、通常の加工技術を用いて行なえば良く、その
方法については特に制限はない。またここで平行
線状とは、互いにまじわらないという意味であつ
て、幾何学的に正確に平行である必要はない。
あらかじめ一方向に平行線状にみぞを加工形成し
ておくことが必要であるが、みぞを形成する方法
は、通常の加工技術を用いて行なえば良く、その
方法については特に制限はない。またここで平行
線状とは、互いにまじわらないという意味であつ
て、幾何学的に正確に平行である必要はない。
本発明の方法において酸化剤としては無機酸、
金属の化合物、あるいは無機や有機の酸化物、過
酸化物などが用いられる。具体的には例えば塩
酸、硫酸、硝酸、クロルスルホン酸などの無機酸
類、チタン、ジルコニウム、クロム、モリブデ
ン、タングステン、マンガン、鉄、ルテニウム、
パラジウム、白金、銅、アルミニウム、スズなど
の金属のハロゲン化物、あるいはそれらの金属の
無機酸塩類が挙げられ、殊にこれらの金属の化合
物でもルイス酸として知られている化合物が好適
な酸化剤として挙げられ、さらにはそれらの金属
のアセチルアセトナートなどの配位化合物も挙げ
られる。さらにはまたペルオキソ二硫酸や過炭酸
などの過酸の塩類や、ベンゾキノンや有機過酸化
物も挙げられる。これらの酸化剤は単独でも、ま
た２種以上の混合としても用いることができる。
金属の化合物、あるいは無機や有機の酸化物、過
酸化物などが用いられる。具体的には例えば塩
酸、硫酸、硝酸、クロルスルホン酸などの無機酸
類、チタン、ジルコニウム、クロム、モリブデ
ン、タングステン、マンガン、鉄、ルテニウム、
パラジウム、白金、銅、アルミニウム、スズなど
の金属のハロゲン化物、あるいはそれらの金属の
無機酸塩類が挙げられ、殊にこれらの金属の化合
物でもルイス酸として知られている化合物が好適
な酸化剤として挙げられ、さらにはそれらの金属
のアセチルアセトナートなどの配位化合物も挙げ
られる。さらにはまたペルオキソ二硫酸や過炭酸
などの過酸の塩類や、ベンゾキノンや有機過酸化
物も挙げられる。これらの酸化剤は単独でも、ま
た２種以上の混合としても用いることができる。
また本発明の方法において酸化剤は液状で使用
することが必要であつて、液体の酸化剤を使用す
るか、あるいは酸化剤を溶剤に溶解して使用す
る。使用する溶剤としては酸化剤を溶解するもの
であれば特に制限はなく、例えばアルコール類、
ハロゲン化炭化水素類、芳香族炭化水素類、ニト
ロ化炭化水素類、エーテル類、ニトリル類、水な
どが挙げられる。またこの時に溶剤中に種々のポ
リマーやオリゴマーをバインダーとして加えてお
くこともできる。
することが必要であつて、液体の酸化剤を使用す
るか、あるいは酸化剤を溶剤に溶解して使用す
る。使用する溶剤としては酸化剤を溶解するもの
であれば特に制限はなく、例えばアルコール類、
ハロゲン化炭化水素類、芳香族炭化水素類、ニト
ロ化炭化水素類、エーテル類、ニトリル類、水な
どが挙げられる。またこの時に溶剤中に種々のポ
リマーやオリゴマーをバインダーとして加えてお
くこともできる。
本発明の方法で使用される複素５員環式化合物
とは４個の炭素原子と１個のヘテロ原子を有する
不飽和５員環を基本骨格とする化合物であつて、
たとえばピロール、チオフエン、フラン、セレノ
フエン、テルロフエンおよびそれらの誘導体であ
る。これらの化合物は単独でも、また２種以上を
用いることもできる。
とは４個の炭素原子と１個のヘテロ原子を有する
不飽和５員環を基本骨格とする化合物であつて、
たとえばピロール、チオフエン、フラン、セレノ
フエン、テルロフエンおよびそれらの誘導体であ
る。これらの化合物は単独でも、また２種以上を
用いることもできる。
本発明における重合方法はまず上記基材の平行
線状のみぞに液状または溶剤に溶解した酸化剤を
流延する。流延方法には特別な制限はなく、一般
の方法が用いられる。例えば基材の表面に液状の
酸化剤を全面に流延したのち、余分の酸化剤をぬ
ぐいさるなどの方法が用いられる。
線状のみぞに液状または溶剤に溶解した酸化剤を
流延する。流延方法には特別な制限はなく、一般
の方法が用いられる。例えば基材の表面に液状の
酸化剤を全面に流延したのち、余分の酸化剤をぬ
ぐいさるなどの方法が用いられる。
ついで複素５員環式化合物と接触させる。この
接触方法としては基材及び酸化剤を溶解しない溶
媒中に複素５員環式化合物を溶解し、その中に上
記基材を浸す方法や、あるいは複素５員環式化合
物の蒸気中に上記基材をさらす方法などが用いら
れ、特に基材と複素５員環式化合物の蒸気を接触
させる方法が好適である。
接触方法としては基材及び酸化剤を溶解しない溶
媒中に複素５員環式化合物を溶解し、その中に上
記基材を浸す方法や、あるいは複素５員環式化合
物の蒸気中に上記基材をさらす方法などが用いら
れ、特に基材と複素５員環式化合物の蒸気を接触
させる方法が好適である。
かくして基材表面に平行線状に複素５員環式化
合物を生成させることができ、異方性導電性表面
を形成することができる。
合物を生成させることができ、異方性導電性表面
を形成することができる。
以下実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
ポリメチルメタクリル酸の板（２cm×５cm、厚
さ２mm）の表面に巾100ミクロン、深さ50ミクロ
ンのみぞを100ミクロン間隔で平行に刻んだ。塩
化鉄（）・６水和物１ｇをメタノール50mlに溶
解した溶液を酸化剤として用い、上記板上に流延
したのち余分の酸化剤をふき取つた。この板をデ
シケータ中に入れ、ピロールで飽和した窒素ガス
を流通させたところポリビニールがパターン状に
重合しており、みぞ方向の表面抵抗は900Ωであ
り、みぞに垂直方向の表面抵抗は20MΩ以上であ
つた。
さ２mm）の表面に巾100ミクロン、深さ50ミクロ
ンのみぞを100ミクロン間隔で平行に刻んだ。塩
化鉄（）・６水和物１ｇをメタノール50mlに溶
解した溶液を酸化剤として用い、上記板上に流延
したのち余分の酸化剤をふき取つた。この板をデ
シケータ中に入れ、ピロールで飽和した窒素ガス
を流通させたところポリビニールがパターン状に
重合しており、みぞ方向の表面抵抗は900Ωであ
り、みぞに垂直方向の表面抵抗は20MΩ以上であ
つた。
実施例 ２
ガラス板（２cm×５cm、厚さ0.5mm）表面に巾
50ミクロン、深さ20ミクロンのみぞを100ミクロ
ン間隔で平行にエツチングした。酸化剤溶液とし
て無水塩化鉄（）を飽和したニトロメタン溶液
を使用して上記ガラス板上に流延したのち余分の
酸化剤をふき取つた。このガラス板をデシケータ
中に入れ、チオフエンで飽和した窒素ガスを流通
させたところポリチオフエンがパターン状に重合
しており、みぞ方向の表面抵抗は460Ωであり、
みぞに垂直方向の表面抵抗は20MΩ以上であつ
た。
50ミクロン、深さ20ミクロンのみぞを100ミクロ
ン間隔で平行にエツチングした。酸化剤溶液とし
て無水塩化鉄（）を飽和したニトロメタン溶液
を使用して上記ガラス板上に流延したのち余分の
酸化剤をふき取つた。このガラス板をデシケータ
中に入れ、チオフエンで飽和した窒素ガスを流通
させたところポリチオフエンがパターン状に重合
しており、みぞ方向の表面抵抗は460Ωであり、
みぞに垂直方向の表面抵抗は20MΩ以上であつ
た。
実施例 ３、４
実施例２において、チオフエンの代りにフラン
及びセレノフエンを用いた以外は実施例２と同様
に行なつたところそれぞれポリフラン、ポリセレ
ノフエンがパターン状に重合した。みぞ方向の表
面抵抗はそれぞれ9MΩ、350KΩであり、みぞに
垂直方向の表面抵抗はどちらも20MΩ以上であつ
た。
及びセレノフエンを用いた以外は実施例２と同様
に行なつたところそれぞれポリフラン、ポリセレ
ノフエンがパターン状に重合した。みぞ方向の表
面抵抗はそれぞれ9MΩ、350KΩであり、みぞに
垂直方向の表面抵抗はどちらも20MΩ以上であつ
た。
本発明の方法によれば種々の基材の上に容易に
かつ工業的に有利に異方導電性表面を形成させる
ことができる。
かつ工業的に有利に異方導電性表面を形成させる
ことができる。
Claims (1)
- １ 表面に一方向に平行線状のみぞが刻まれた基
材を用い、そのみぞ中に液状または溶剤に溶解し
た酸化剤を流延した後、複素５員環式化合物と接
触させて基材表面に平行線状に複素５員環式化合
物重合体を生成させることを特徴とする異方導電
性表面の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27505485A JPS62136708A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 異方導電性表面の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27505485A JPS62136708A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 異方導電性表面の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136708A JPS62136708A (ja) | 1987-06-19 |
| JPH0351246B2 true JPH0351246B2 (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=17550200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27505485A Granted JPS62136708A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 異方導電性表面の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136708A (ja) |
-
1985
- 1985-12-09 JP JP27505485A patent/JPS62136708A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62136708A (ja) | 1987-06-19 |
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