JPH0351248B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0351248B2 JPH0351248B2 JP27505585A JP27505585A JPH0351248B2 JP H0351248 B2 JPH0351248 B2 JP H0351248B2 JP 27505585 A JP27505585 A JP 27505585A JP 27505585 A JP27505585 A JP 27505585A JP H0351248 B2 JPH0351248 B2 JP H0351248B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- oxidizing agent
- membered heterocyclic
- heterocyclic compound
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基材の表面に導電化されたパターンを
形成する方法に関する。さらに詳しくは基材表面
にパターン状に複素５員環式化合物重合体を生成
させて、導電性パターンを形成する方法に関す
る。
形成する方法に関する。さらに詳しくは基材表面
にパターン状に複素５員環式化合物重合体を生成
させて、導電性パターンを形成する方法に関す
る。
複素５員環式化合物の重合体は比較的安定な導
電性高分子であつて、電池材料、センサー材料、
オプトエレクトロニクス材料、エレクトロニクス
デバイスなどの種々の機能素子などに利用できる
有機導電性材料として最近注目されている。これ
らの機能素子に利用する場合、これらの複素５員
環式化合物重合体がデバイスパターン状に形成さ
れれば、非常に応用範囲が広くなる。このような
方法として電気化学的な方法で、絶縁高分子フイ
ルム中にポリピロールをパターン状に形成する方
法が提案されている。〔Hikita et al.、Japan J.
Appl.Phys.Lett.24 L79（1985）〕。しかしながら、
この方法では、特殊な電極を必要とし、可溶性の
高分子膜上にしか形成できず、しかも膜厚が数ミ
クロンのものしか得られない。
電性高分子であつて、電池材料、センサー材料、
オプトエレクトロニクス材料、エレクトロニクス
デバイスなどの種々の機能素子などに利用できる
有機導電性材料として最近注目されている。これ
らの機能素子に利用する場合、これらの複素５員
環式化合物重合体がデバイスパターン状に形成さ
れれば、非常に応用範囲が広くなる。このような
方法として電気化学的な方法で、絶縁高分子フイ
ルム中にポリピロールをパターン状に形成する方
法が提案されている。〔Hikita et al.、Japan J.
Appl.Phys.Lett.24 L79（1985）〕。しかしながら、
この方法では、特殊な電極を必要とし、可溶性の
高分子膜上にしか形成できず、しかも膜厚が数ミ
クロンのものしか得られない。
本発明の目的は、叙上の観点にたつて、簡便に
基材の上に導電性パターンを形成する方法を提供
することにある。
基材の上に導電性パターンを形成する方法を提供
することにある。
本発明者らは上記問題点を解決するため鋭意検
討し、本発明を完成した。
討し、本発明を完成した。
すなわち本発明は
表面にパターン状にみぞが加工形成された基材
を用い、そのみぞ中に液状または溶剤に溶解した
酸化剤を流延した後、複素５員環式化合物と接触
させて基材表面にパターン状に複素５員環式化合
物重合体を生成させることを特徴とする導電性パ
ターンの形成方法である。
を用い、そのみぞ中に液状または溶剤に溶解した
酸化剤を流延した後、複素５員環式化合物と接触
させて基材表面にパターン状に複素５員環式化合
物重合体を生成させることを特徴とする導電性パ
ターンの形成方法である。
本発明の方法において使用される基材の材質と
しては特に制限はなく、半導体から絶縁体まで、
ほとんどの材料が使用でき、またその形状として
は薄膜、厚膜をはじめ任意の形状の成形体を用い
ることができる。
しては特に制限はなく、半導体から絶縁体まで、
ほとんどの材料が使用でき、またその形状として
は薄膜、厚膜をはじめ任意の形状の成形体を用い
ることができる。
本発明の方法においてはこれらの基材の表面に
あらかじめパターン状にみぞを加工形成しておく
ことが必要であるが、みぞを形成する方法は、通
常の加工技術を用いて行なえば良く、その方法に
ついては特に制限はない。
あらかじめパターン状にみぞを加工形成しておく
ことが必要であるが、みぞを形成する方法は、通
常の加工技術を用いて行なえば良く、その方法に
ついては特に制限はない。
本発明の方法において酸化剤としては無機酸、
金属の化合物、あるいは無機や有機の酸化物、過
酸化物などが用いられる。具体的には例えば塩
酸、硫酸、硝酸、クロルスルホン酸などの無機酸
類、チタン、ジルコニウム、クロム、モリブデ
ン、タングステン、マンガン、鉄、ルテニウム、
パラジウム、白金、銅、アルミニウム、スズなど
の金属のハロゲン化物、あるいはそれらの金属の
無機酸塩類が挙げられ、殊にこれらの金属の化合
物でもルイス酸として知られている化合物が好適
な酸化剤として挙げられ、さらにそれらの金属の
アセチルアセトナートなどの配位化合物も挙げら
れる。さらにはまたペルオキソ二硫酸や過炭酸な
どの過酸の塩類や、ベンゾキノンや有機過酸化物
も挙げられる。これらの酸化剤は単独でも、また
２種以上の混合物としても用いることができる。
金属の化合物、あるいは無機や有機の酸化物、過
酸化物などが用いられる。具体的には例えば塩
酸、硫酸、硝酸、クロルスルホン酸などの無機酸
類、チタン、ジルコニウム、クロム、モリブデ
ン、タングステン、マンガン、鉄、ルテニウム、
パラジウム、白金、銅、アルミニウム、スズなど
の金属のハロゲン化物、あるいはそれらの金属の
無機酸塩類が挙げられ、殊にこれらの金属の化合
物でもルイス酸として知られている化合物が好適
な酸化剤として挙げられ、さらにそれらの金属の
アセチルアセトナートなどの配位化合物も挙げら
れる。さらにはまたペルオキソ二硫酸や過炭酸な
どの過酸の塩類や、ベンゾキノンや有機過酸化物
も挙げられる。これらの酸化剤は単独でも、また
２種以上の混合物としても用いることができる。
また本発明の方法において酸化剤は液状で使用
することが必要であつて、液体の酸化剤を使用す
るか、あるいは酸化剤を溶剤に溶解して使用す
る。使用する溶剤としては酸化剤を溶解するもの
であれば特に制限はなく、例えばアルコール類、
ハロゲン化炭化水素類、芳香族炭化水素類、ニト
ロ化炭化水素類、エーテル類、ニトリル類、水な
どが挙げられる。またこの時に溶剤中に種々のポ
リマーやオリゴマーをバインダーとして加えてお
くこともできる。
することが必要であつて、液体の酸化剤を使用す
るか、あるいは酸化剤を溶剤に溶解して使用す
る。使用する溶剤としては酸化剤を溶解するもの
であれば特に制限はなく、例えばアルコール類、
ハロゲン化炭化水素類、芳香族炭化水素類、ニト
ロ化炭化水素類、エーテル類、ニトリル類、水な
どが挙げられる。またこの時に溶剤中に種々のポ
リマーやオリゴマーをバインダーとして加えてお
くこともできる。
本発明の方法で使用される複素５員環式化合物
とは４個の炭素原子と１個のヘテロ原子を有する
不飽和５員環を基本骨格とする化合物であつて、
たとえばピロール、チオフエン、フラン、セレノ
フエン、テルロフエンおよびそれらの誘導体であ
る。これらの化合物は単独でも、また２種以上を
用いることもできる。
とは４個の炭素原子と１個のヘテロ原子を有する
不飽和５員環を基本骨格とする化合物であつて、
たとえばピロール、チオフエン、フラン、セレノ
フエン、テルロフエンおよびそれらの誘導体であ
る。これらの化合物は単独でも、また２種以上を
用いることもできる。
本発明における重合方法はまずパターン状に形
成されたみぞに液状または溶剤に溶解した酸化剤
を流延する。流延方法には特別な制限はなく、一
般の方法が用いられる。例えば基材の表面に液状
の酸化剤を全面に流延したのち、余分の酸化剤を
ぬぐいさるなどの方法が用いられる。
成されたみぞに液状または溶剤に溶解した酸化剤
を流延する。流延方法には特別な制限はなく、一
般の方法が用いられる。例えば基材の表面に液状
の酸化剤を全面に流延したのち、余分の酸化剤を
ぬぐいさるなどの方法が用いられる。
ついで複素５員環式化合物と接触させる。この
接触方法としては基材及び酸化剤を溶解しない溶
媒中に複素５員環式化合物を溶解し、その中に上
記基材を浸す方法や、あるいは複素５員環式化合
物の蒸気中に上記基材をさらす方法などが用いら
れ、特に基材と複素５員環式化合物の蒸気を接触
させる方法が好適である。
接触方法としては基材及び酸化剤を溶解しない溶
媒中に複素５員環式化合物を溶解し、その中に上
記基材を浸す方法や、あるいは複素５員環式化合
物の蒸気中に上記基材をさらす方法などが用いら
れ、特に基材と複素５員環式化合物の蒸気を接触
させる方法が好適である。
かくして基材表面にパターン状に複素５員環式
化合物を生成させることができ、導電性パターン
を形成することができる。
化合物を生成させることができ、導電性パターン
を形成することができる。
以下実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
ポリメチルメタクリル酸の板（２cm×５cm、厚
さ２mm）の表面に巾50ミクロン、長さ３mm、深さ
30ミクロンのみぞを100ミクロン間隔で刻み、か
つ連結した第１図に示したパターンを形成した。
なお図中Ａ，Ｂは蒸着した金を示し、Ｃは導電性
パターンを形成後取り除いた部分を示す。塩化鉄
（）・６水和物１ｇをメタノール50mlに溶解した
溶液を酸化剤として用い、上記板上に流延したの
ち余分の酸化剤をふき取つた。この板をデシケー
タ中に入れ、ピロールで飽和した窒素ガスを流通
させたところ第１図に示したパターンに従つてポ
リピロールがパターン状に重合しており、Ａ、Ｂ
間の抵抗値は19KΩであり、図のＣ部を取り除い
た時の抵抗値20MΩ以上であつた。
さ２mm）の表面に巾50ミクロン、長さ３mm、深さ
30ミクロンのみぞを100ミクロン間隔で刻み、か
つ連結した第１図に示したパターンを形成した。
なお図中Ａ，Ｂは蒸着した金を示し、Ｃは導電性
パターンを形成後取り除いた部分を示す。塩化鉄
（）・６水和物１ｇをメタノール50mlに溶解した
溶液を酸化剤として用い、上記板上に流延したの
ち余分の酸化剤をふき取つた。この板をデシケー
タ中に入れ、ピロールで飽和した窒素ガスを流通
させたところ第１図に示したパターンに従つてポ
リピロールがパターン状に重合しており、Ａ、Ｂ
間の抵抗値は19KΩであり、図のＣ部を取り除い
た時の抵抗値20MΩ以上であつた。
実施例 ２
ガラス板（２cm×５cm、厚さ0.5mm）表面に巾
50ミクロン、深さ20ミクロンのみぞで第１図に示
したパターンをエツチングした。酸化剤溶液とし
て無水塩化鉄（）を飽和したニトロメタン溶液
を使用して上記ガラス板上に流延したのち、余分
の酸化剤をふき取つた。このガラス板をデシケー
タ中に入れ、チオフエンで飽和した窒素ガスを流
通させたところポリチオフエンがパターン状に重
合しており、Ａ、Ｂ間の抵抗値は4KΩであり、
Ｃ部を取り除いたあとの抵抗値は20MΩ以上であ
つた。
50ミクロン、深さ20ミクロンのみぞで第１図に示
したパターンをエツチングした。酸化剤溶液とし
て無水塩化鉄（）を飽和したニトロメタン溶液
を使用して上記ガラス板上に流延したのち、余分
の酸化剤をふき取つた。このガラス板をデシケー
タ中に入れ、チオフエンで飽和した窒素ガスを流
通させたところポリチオフエンがパターン状に重
合しており、Ａ、Ｂ間の抵抗値は4KΩであり、
Ｃ部を取り除いたあとの抵抗値は20MΩ以上であ
つた。
実施例 ３、４
実施例２において、チオフエンの代りにフラン
及びセレノフエンを用いた以外は実施例２と同様
に行なつたところそれぞれポリフラン、ポリセレ
ノフエンがパターン状に重合した。Ａ、Ｂ間の抵
抗値はそれぞれ15MΩ、850KΩであり、Ｃを取
り除いたあとの抵抗はどちらも20MΩ以上であつ
た。
及びセレノフエンを用いた以外は実施例２と同様
に行なつたところそれぞれポリフラン、ポリセレ
ノフエンがパターン状に重合した。Ａ、Ｂ間の抵
抗値はそれぞれ15MΩ、850KΩであり、Ｃを取
り除いたあとの抵抗はどちらも20MΩ以上であつ
た。
本発明の方法によれば種々の材質の基剤の表面
に容易にかつ工業的に有利に導電性パターンを形
成することができる。
に容易にかつ工業的に有利に導電性パターンを形
成することができる。
第１図は本発明の導電性パターンの一例を示
す。
す。
Claims (1)
- １ 表面にパターン状にみぞが加工形成された基
材を用い、そのみぞ中に液状または溶剤に溶解し
た酸化剤を流延した後、複素５員環式化合物と接
触させて基材表面にパターン状に複素５員環式化
合物重合体を生成させることを特徴とする導電性
パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27505585A JPS62136709A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 導電性パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27505585A JPS62136709A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 導電性パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136709A JPS62136709A (ja) | 1987-06-19 |
| JPH0351248B2 true JPH0351248B2 (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=17550213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27505585A Granted JPS62136709A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 導電性パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136709A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960014476B1 (ko) * | 1988-03-03 | 1996-10-15 | 블라스베르그 오베르플래첸테크닉 게엠베하 | 신규의 통과구멍이 도금된 인쇄 회로판 및 그 제조방법 |
| JP2002340306A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Babcock Hitachi Kk | 固体燃料燃焼用バーナおよび該バーナを備えた燃焼装置 |
-
1985
- 1985-12-09 JP JP27505585A patent/JPS62136709A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62136709A (ja) | 1987-06-19 |
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