JPH0351250B2 - - Google Patents
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- JPH0351250B2 JPH0351250B2 JP6684785A JP6684785A JPH0351250B2 JP H0351250 B2 JPH0351250 B2 JP H0351250B2 JP 6684785 A JP6684785 A JP 6684785A JP 6684785 A JP6684785 A JP 6684785A JP H0351250 B2 JPH0351250 B2 JP H0351250B2
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Landscapes
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
Description
[発明の技術分野]
本発明はCu−Cr系およびCu−Ti系合金を用い
た真空バルブ用接点材料の製造方法の改良に関す
る。 [発明の技術的背景とその問題点] 真空バルブ用接点材料に要求される特性として
は、耐溶着、耐電圧、しや断に対する各性能で示
される基本三要件とこの他に温度上昇、接触抵抗
が低く安定していることが重要な要件となつてい
る。しかしながら、これらの要件の中には相反す
るものがある関係上、単一の金属種によつて全て
の要件を満足させることは不可能である。このた
め、実用されている多くの接点材料においては、
不足する性能を相互に補えるような2種以上の元
素を組合せ、かつ大電流用あるいは高電圧用等の
ように特定の用途に適した接点材料の開発が行な
われ、それなりに優れた特性を有するものが開発
されているが、さらに強まる高耐圧化および大電
流化の要求を充分満足する充分バルブ用接点材料
は未だ得られていないのが実情である。 たとえば、大電流化を指向した接点材料とし
て、Biのような溶着防止成分を5%以下の量で
含有するCu−Bi合金が知られている(特公昭41
−12131号公報)が、Cu母相に対するBiの溶解度
が極めて低いため、しばしば偏折を生じ、しや断
後の表面荒れが大きく、加工成形が困難である等
の問題点を有している。また、大電流化を指向し
た他の接点材料として、Cu−Te合金も知られて
いる(特公昭44−23751号公報)。 この合金は、Cu−Bi系合金が持つ上記問題点
を緩和してはいるが、Cu−Bi系合金に比較して
雰囲気に対し、より敏感なため接触抵抗等の安定
性に欠ける。さらに、これらCu−Te、Cu−Bi等
の接点の共通的特徴として、耐溶着性に優れてい
るものの、耐電圧特性が従来の中電圧クラスへの
適用には充分であるとしても、これ以上高い電圧
分野への応用に対しては、必ずしも満足でないこ
とが明らかとなつてきた。 一方、高耐圧化を指向した接点材料として、
Cu(またはAg)等の高導電成分とCrとの焼結合
金が知られている。しかしながら、Cuは極めて
酸化しやすい金属であるため、粉末あるいは成形
体の管理が重要であることはいうまでもないが、
仮焼結、溶浸時の雰囲気の条件も材料特性を左右
する。例えば、仮焼結、溶浸時の温度や時間を充
分管理して得られたCu−Cr合金でも、接触抵抗
或いは温度上昇特性にばらつきや不安定性がある
のが実情であり、これらのばらつきをなくし安定
性のあるものが望まれている。 [発明の目的] 本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、
接触抵抗特性および温度上昇特性を安定させ得る
真空バルブ用接点材料の製造方法を提供すること
を目的とする。 [発明の概要] 本発明は、充分脱ガスされ、かつ表面が清浄化
された10〜90重量%のCr又は/及びTiよりなる
耐弧性材料と、残部がCu又は/及びAgよりなる
導電性材料とから形成される真空バルブ用材料を
焼結し溶浸材を溶浸する前工程と、この前工程で
処理された真空バルブ用材料を冷却し、かつこの
冷却過程中に前記真空バルブ用材料に対して冷却
過程の冷却温度区間800℃から400℃のうち所定温
度差間100℃を真空バルブ用材料の温度上昇特性
を改善させる冷却速度毎分0.6℃から6℃でもつ
て冷却する冷却工程とを有している。又、本発明
は前工程で処理された真空バルブ用材料を冷却
し、かつこの冷却過程中に真空バルブ用材料に対
して冷却過程の冷却温度区間800℃から400℃のう
ちいずれかの温度で真空バルブ用材料の導電率を
高くする少なくとも0.25時間だけ加熱保持する加
熱保持工程とを有している。 又、本発明は前工程で処理された真空バルブ用
材料を常温まで冷却する冷却工程と、この冷却工
程終了後にこの冷却での冷却温度区間800℃から
400℃のうちいずれかの温度で少なくとも0.25時
間真空バルブ用材料を再加熱する再加熱工程とを
有している。 さらに本発明は、前工程で処理された真空バル
ブ用材料をこの真空バルブ用材料の温度上昇特性
を改善させる冷却速度で冷却する冷却工程と、こ
の冷却工程終了後に真空バルブ用材料を冷却工程
での冷却温度区間における所定温度でもつて真空
バルブ用材料の導電率を高くする時間だけ加熱保
持する加熱保持工程と、この加熱保持工程終了後
に真空バルブ用材料を冷却工程での冷却温度区間
における所定温度でもつて再加熱する再加熱工程
とを有している。 [発明の実施例] 以下、本発明に係る真空バルブ用接点材料の製
造方法について説明する。ここで実施例の具体的
な説明前に本発明にいたるまでの経緯について簡
単に説明する。以下の説明においては、便宜上
Cu又は/及びAgよりなる導電性材料と、Cr又
は/及びTiよりなる耐弧性材料とから形成され
た真空バルブ用材料をCu−Cr系として説明する。 研究によれば、Cu−Cr系接点材料の上記不安
定性は、Cu−Cr合金中の組成の変動、Cr粒
子の粒径、粒度分布、偏析の程度、合金中に存
在する空孔の程度に依存することが判明した。そ
して、これらの解決は原料Crの選択と焼結技術
の管理が有効であることを認めたが、より一層の
安定性の維持を向上させるためには上記、、
に加えて更に細かな焼結技術の管理が必要であ
ることが判つた。すなわち、上記特性の不安定性
はCu中にわずかに含まれるCrの量の差異と相関
性があることを見出した。つまり、Cu−Cr合金
中のCu部分に含まれるCrの量をX線微小分析法
による半定量法によつて推定すると前述特性が不
安定な値を示したCu−Cr合金では、一般に0.5〜
0.2wt%の範囲にばらついているのに対し後述す
る本発明技術により、安定して特性を示すCu−
Cr合金のそれは、0.2%以下代表値として0.1%以
下を示していた。この差異はCu−Cr合金の特に
焼結又は溶浸後の熱履歴に依存することを認める
と共に、この条件を細かく管理することにより
Cu−Cr合金の導電率の改良とそのばらつき幅の
縮小化に効果が大きいことを明らかにした。な
お、ここで言う焼結又は溶浸後の熱履歴とは、実
質的に接点自体が受ける冷却速度特性で代表して
表わすことができる。すなわち接点の大きさ、炉
の特性によつてばらついている冷却速度を所定条
件に管理することを指すものである。 本発明者らは、このような好ましくない前記特
性を軽減する方法として材料の導電率特性の改良
とそのばらつき幅の縮小化の効果の寄与が、その
軽減に有効であることを確認した。すなわちCu
−Cr接点合金の製造プロセスに於いて、Cu中へ
のCr又は/及びTiの浸入を極力少なくすること
が各接点間のばらつきを少なくするために好まし
いと判つた。 次に本発明の製造方法について具体的に説明す
る。 本発明に於いて使用する原料は、充分脱ガスさ
れかつ表面に清浄化されたCrおよびTi粉の両方
またはいずれか一方からなる耐弧性材料と、Cu
およびAgの両方またはいずれか一方からなる導
電性材料とから成る。なお、これらCr、Ti、Cu、
Agの他に接点用途に応じ10%程度以下のTe、
Bi、Sbなど耐溶着性材料、W、Mo、Vなどの耐
弧性材料を補助成分として添加してもよい。Cr、
Tiの粒径は、250μmを越えると純Cu、Ag部同志
の接触の確率が高くなり溶着問題の点で好ましく
ないが、粒径の下限は、本発明方法の効果を発揮
させる上での粒径の下限は存在しなく、むしろ活
性度が増すなど取扱上で決定される。 また、接点合金を得る為の加熱条件はCu、Ag
の溶融点以下で完了する方式と、Cu、Agの溶融
点以上に加熱しこれを溶浸させる方式のいずれに
対してもその冷却過程又は冷却後に本発明方法に
よる条件を適用することによつてその効果を発揮
する。拡散速度の大きい後者の方式によつて得た
接点に対する寄与が大きい。 一方、スケルトンはCr、Tiのみよりなるスケ
ルトン及びCr、Tiにあらかじめ少量のCu、Agを
配合したスケルトンのいずれの場合であつても本
発明条件の適用による効果は同様に得られる。 なお、本発明における接触抵抗特性および温度
上昇特性は次のようにして求めている。接触抵抗
特性は、表面荒さを5μmに仕上げた直径20mmの
フラツト電極と同じ表面荒さを持つ曲率半径
100Rの凸状電極とを対向させ、両電極を開閉機
構を持つ10-5Torrの真空容器内に取付け3Kgの
荷重を与える。そして両電極間に10Aの交流を与
えたときの電位降下から接触抵抗を求める。な
お、接触抵抗値は測定回路を構成する配線材、開
閉器、測定器などの抵抗又は接触抵抗を回路定数
として含んだ値である。 一方、温度上昇特性は、上記と同じ電極条件の
電極を対向させ、10-5Torrの真空容器のなかで
接触力30Kg、開離力20Kgで400Aの電流を20回開
閉後、固定側電極の側面にあらかじめ穿つてある
直径1.5mm、深さ4mm測定穴に熱電対を挿入し測
定したものである。尚、温度値は周囲温度約25℃
を含んだものであり、かつ電極を取りつけるホル
ダーの熱容量の影響も含んだ比較値である。数値
は、試料数3個の最大と最小を示したものであ
る。 次に本発明の第1の実施例について第1表を参
照して説明する。
た真空バルブ用接点材料の製造方法の改良に関す
る。 [発明の技術的背景とその問題点] 真空バルブ用接点材料に要求される特性として
は、耐溶着、耐電圧、しや断に対する各性能で示
される基本三要件とこの他に温度上昇、接触抵抗
が低く安定していることが重要な要件となつてい
る。しかしながら、これらの要件の中には相反す
るものがある関係上、単一の金属種によつて全て
の要件を満足させることは不可能である。このた
め、実用されている多くの接点材料においては、
不足する性能を相互に補えるような2種以上の元
素を組合せ、かつ大電流用あるいは高電圧用等の
ように特定の用途に適した接点材料の開発が行な
われ、それなりに優れた特性を有するものが開発
されているが、さらに強まる高耐圧化および大電
流化の要求を充分満足する充分バルブ用接点材料
は未だ得られていないのが実情である。 たとえば、大電流化を指向した接点材料とし
て、Biのような溶着防止成分を5%以下の量で
含有するCu−Bi合金が知られている(特公昭41
−12131号公報)が、Cu母相に対するBiの溶解度
が極めて低いため、しばしば偏折を生じ、しや断
後の表面荒れが大きく、加工成形が困難である等
の問題点を有している。また、大電流化を指向し
た他の接点材料として、Cu−Te合金も知られて
いる(特公昭44−23751号公報)。 この合金は、Cu−Bi系合金が持つ上記問題点
を緩和してはいるが、Cu−Bi系合金に比較して
雰囲気に対し、より敏感なため接触抵抗等の安定
性に欠ける。さらに、これらCu−Te、Cu−Bi等
の接点の共通的特徴として、耐溶着性に優れてい
るものの、耐電圧特性が従来の中電圧クラスへの
適用には充分であるとしても、これ以上高い電圧
分野への応用に対しては、必ずしも満足でないこ
とが明らかとなつてきた。 一方、高耐圧化を指向した接点材料として、
Cu(またはAg)等の高導電成分とCrとの焼結合
金が知られている。しかしながら、Cuは極めて
酸化しやすい金属であるため、粉末あるいは成形
体の管理が重要であることはいうまでもないが、
仮焼結、溶浸時の雰囲気の条件も材料特性を左右
する。例えば、仮焼結、溶浸時の温度や時間を充
分管理して得られたCu−Cr合金でも、接触抵抗
或いは温度上昇特性にばらつきや不安定性がある
のが実情であり、これらのばらつきをなくし安定
性のあるものが望まれている。 [発明の目的] 本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、
接触抵抗特性および温度上昇特性を安定させ得る
真空バルブ用接点材料の製造方法を提供すること
を目的とする。 [発明の概要] 本発明は、充分脱ガスされ、かつ表面が清浄化
された10〜90重量%のCr又は/及びTiよりなる
耐弧性材料と、残部がCu又は/及びAgよりなる
導電性材料とから形成される真空バルブ用材料を
焼結し溶浸材を溶浸する前工程と、この前工程で
処理された真空バルブ用材料を冷却し、かつこの
冷却過程中に前記真空バルブ用材料に対して冷却
過程の冷却温度区間800℃から400℃のうち所定温
度差間100℃を真空バルブ用材料の温度上昇特性
を改善させる冷却速度毎分0.6℃から6℃でもつ
て冷却する冷却工程とを有している。又、本発明
は前工程で処理された真空バルブ用材料を冷却
し、かつこの冷却過程中に真空バルブ用材料に対
して冷却過程の冷却温度区間800℃から400℃のう
ちいずれかの温度で真空バルブ用材料の導電率を
高くする少なくとも0.25時間だけ加熱保持する加
熱保持工程とを有している。 又、本発明は前工程で処理された真空バルブ用
材料を常温まで冷却する冷却工程と、この冷却工
程終了後にこの冷却での冷却温度区間800℃から
400℃のうちいずれかの温度で少なくとも0.25時
間真空バルブ用材料を再加熱する再加熱工程とを
有している。 さらに本発明は、前工程で処理された真空バル
ブ用材料をこの真空バルブ用材料の温度上昇特性
を改善させる冷却速度で冷却する冷却工程と、こ
の冷却工程終了後に真空バルブ用材料を冷却工程
での冷却温度区間における所定温度でもつて真空
バルブ用材料の導電率を高くする時間だけ加熱保
持する加熱保持工程と、この加熱保持工程終了後
に真空バルブ用材料を冷却工程での冷却温度区間
における所定温度でもつて再加熱する再加熱工程
とを有している。 [発明の実施例] 以下、本発明に係る真空バルブ用接点材料の製
造方法について説明する。ここで実施例の具体的
な説明前に本発明にいたるまでの経緯について簡
単に説明する。以下の説明においては、便宜上
Cu又は/及びAgよりなる導電性材料と、Cr又
は/及びTiよりなる耐弧性材料とから形成され
た真空バルブ用材料をCu−Cr系として説明する。 研究によれば、Cu−Cr系接点材料の上記不安
定性は、Cu−Cr合金中の組成の変動、Cr粒
子の粒径、粒度分布、偏析の程度、合金中に存
在する空孔の程度に依存することが判明した。そ
して、これらの解決は原料Crの選択と焼結技術
の管理が有効であることを認めたが、より一層の
安定性の維持を向上させるためには上記、、
に加えて更に細かな焼結技術の管理が必要であ
ることが判つた。すなわち、上記特性の不安定性
はCu中にわずかに含まれるCrの量の差異と相関
性があることを見出した。つまり、Cu−Cr合金
中のCu部分に含まれるCrの量をX線微小分析法
による半定量法によつて推定すると前述特性が不
安定な値を示したCu−Cr合金では、一般に0.5〜
0.2wt%の範囲にばらついているのに対し後述す
る本発明技術により、安定して特性を示すCu−
Cr合金のそれは、0.2%以下代表値として0.1%以
下を示していた。この差異はCu−Cr合金の特に
焼結又は溶浸後の熱履歴に依存することを認める
と共に、この条件を細かく管理することにより
Cu−Cr合金の導電率の改良とそのばらつき幅の
縮小化に効果が大きいことを明らかにした。な
お、ここで言う焼結又は溶浸後の熱履歴とは、実
質的に接点自体が受ける冷却速度特性で代表して
表わすことができる。すなわち接点の大きさ、炉
の特性によつてばらついている冷却速度を所定条
件に管理することを指すものである。 本発明者らは、このような好ましくない前記特
性を軽減する方法として材料の導電率特性の改良
とそのばらつき幅の縮小化の効果の寄与が、その
軽減に有効であることを確認した。すなわちCu
−Cr接点合金の製造プロセスに於いて、Cu中へ
のCr又は/及びTiの浸入を極力少なくすること
が各接点間のばらつきを少なくするために好まし
いと判つた。 次に本発明の製造方法について具体的に説明す
る。 本発明に於いて使用する原料は、充分脱ガスさ
れかつ表面に清浄化されたCrおよびTi粉の両方
またはいずれか一方からなる耐弧性材料と、Cu
およびAgの両方またはいずれか一方からなる導
電性材料とから成る。なお、これらCr、Ti、Cu、
Agの他に接点用途に応じ10%程度以下のTe、
Bi、Sbなど耐溶着性材料、W、Mo、Vなどの耐
弧性材料を補助成分として添加してもよい。Cr、
Tiの粒径は、250μmを越えると純Cu、Ag部同志
の接触の確率が高くなり溶着問題の点で好ましく
ないが、粒径の下限は、本発明方法の効果を発揮
させる上での粒径の下限は存在しなく、むしろ活
性度が増すなど取扱上で決定される。 また、接点合金を得る為の加熱条件はCu、Ag
の溶融点以下で完了する方式と、Cu、Agの溶融
点以上に加熱しこれを溶浸させる方式のいずれに
対してもその冷却過程又は冷却後に本発明方法に
よる条件を適用することによつてその効果を発揮
する。拡散速度の大きい後者の方式によつて得た
接点に対する寄与が大きい。 一方、スケルトンはCr、Tiのみよりなるスケ
ルトン及びCr、Tiにあらかじめ少量のCu、Agを
配合したスケルトンのいずれの場合であつても本
発明条件の適用による効果は同様に得られる。 なお、本発明における接触抵抗特性および温度
上昇特性は次のようにして求めている。接触抵抗
特性は、表面荒さを5μmに仕上げた直径20mmの
フラツト電極と同じ表面荒さを持つ曲率半径
100Rの凸状電極とを対向させ、両電極を開閉機
構を持つ10-5Torrの真空容器内に取付け3Kgの
荷重を与える。そして両電極間に10Aの交流を与
えたときの電位降下から接触抵抗を求める。な
お、接触抵抗値は測定回路を構成する配線材、開
閉器、測定器などの抵抗又は接触抵抗を回路定数
として含んだ値である。 一方、温度上昇特性は、上記と同じ電極条件の
電極を対向させ、10-5Torrの真空容器のなかで
接触力30Kg、開離力20Kgで400Aの電流を20回開
閉後、固定側電極の側面にあらかじめ穿つてある
直径1.5mm、深さ4mm測定穴に熱電対を挿入し測
定したものである。尚、温度値は周囲温度約25℃
を含んだものであり、かつ電極を取りつけるホル
ダーの熱容量の影響も含んだ比較値である。数値
は、試料数3個の最大と最小を示したものであ
る。 次に本発明の第1の実施例について第1表を参
照して説明する。
【表】
まず、本発明の製造方法を適用する前工程とし
て、平均125μmのCrを2トン/cm2の圧力で成型
して得られた成型体をカーボン容器に収納し真空
中1000℃1時間で仮焼結を行なう。この仮焼結体
の下側にCuからなる溶浸材を配置し、この後、
真空1200℃、1時間で行なう溶浸工程に移す。次
に溶浸工程終了後、接点合金素材を1200℃より冷
却する。 さて、この冷却工程では、冷却温度区間800℃
から400℃のうち所定温度差間100℃を冷却速度毎
分0.6℃から6℃でもつて冷却し、Cu−Crの温度
上昇特性を改善させる。この方法で冷却した結果
を他の条件で冷却した結果とを比較してみると、
比較例1、2に示すように、冷却温度区間1200℃
より800℃間を3.5℃/分で冷却後700℃より500℃
の間を冷却速度80℃/分〜24℃/分で冷却する
と、後述する条件で測定した温度上昇特性が100
℃近傍に上昇(特性が悪くなる)しているのに対
し、本発明のように冷却速度6℃/分〜0.6℃/
分で冷却(効果例1、2)すると、温度上昇特性
は80℃近傍かそれ以下で前者より低い(好まし
い)ことが分る。この傾向は冷却温度区間1200℃
より800℃間の冷却速度が著しく速い40℃/分と
しても同じ状態を示す(効果例3、4、5)。更
に1200℃より800℃に冷却し、それ以降の冷却が
700℃〜500℃間(効果例6)でも有効な傾向を示
すことから、冷却温度区間800℃から400℃間を任
意に選んだ100℃の温度差間を通過する冷却速度
に依存していることを示している。また接触抵抗
特性も60μΩ近傍のグループ(効果例1〜6)と
70μΩ以上のグループ(比較例1、2)に区分さ
れ温度上昇抵抗と対応している。なお、冷却速度
が0.6℃/分より遅い場合には生産性が劣る。 約5%に相当するCuを予め74μmのTi粉に配合
し2.5トン/cm2で成形体を得て、真空中1100℃、
2時間の仮焼結して得たスケルトンの上部にCu
を配置し真空中1250℃、1時間で溶浸作業を行
う。溶浸工程終了後の冷却工程における700℃か
ら500℃までの温度区間を特に3.5℃/分(効果例
6)の冷却速度で冷却したとき同区域を24℃/分
(比較例3)の冷却速度で冷却して得たCu−Ti素
材と比較して導電率が1.35〜1.47倍向上したもの
が得た。 次に本発明の第2の実施例について第2表を参
照して説明する。
て、平均125μmのCrを2トン/cm2の圧力で成型
して得られた成型体をカーボン容器に収納し真空
中1000℃1時間で仮焼結を行なう。この仮焼結体
の下側にCuからなる溶浸材を配置し、この後、
真空1200℃、1時間で行なう溶浸工程に移す。次
に溶浸工程終了後、接点合金素材を1200℃より冷
却する。 さて、この冷却工程では、冷却温度区間800℃
から400℃のうち所定温度差間100℃を冷却速度毎
分0.6℃から6℃でもつて冷却し、Cu−Crの温度
上昇特性を改善させる。この方法で冷却した結果
を他の条件で冷却した結果とを比較してみると、
比較例1、2に示すように、冷却温度区間1200℃
より800℃間を3.5℃/分で冷却後700℃より500℃
の間を冷却速度80℃/分〜24℃/分で冷却する
と、後述する条件で測定した温度上昇特性が100
℃近傍に上昇(特性が悪くなる)しているのに対
し、本発明のように冷却速度6℃/分〜0.6℃/
分で冷却(効果例1、2)すると、温度上昇特性
は80℃近傍かそれ以下で前者より低い(好まし
い)ことが分る。この傾向は冷却温度区間1200℃
より800℃間の冷却速度が著しく速い40℃/分と
しても同じ状態を示す(効果例3、4、5)。更
に1200℃より800℃に冷却し、それ以降の冷却が
700℃〜500℃間(効果例6)でも有効な傾向を示
すことから、冷却温度区間800℃から400℃間を任
意に選んだ100℃の温度差間を通過する冷却速度
に依存していることを示している。また接触抵抗
特性も60μΩ近傍のグループ(効果例1〜6)と
70μΩ以上のグループ(比較例1、2)に区分さ
れ温度上昇抵抗と対応している。なお、冷却速度
が0.6℃/分より遅い場合には生産性が劣る。 約5%に相当するCuを予め74μmのTi粉に配合
し2.5トン/cm2で成形体を得て、真空中1100℃、
2時間の仮焼結して得たスケルトンの上部にCu
を配置し真空中1250℃、1時間で溶浸作業を行
う。溶浸工程終了後の冷却工程における700℃か
ら500℃までの温度区間を特に3.5℃/分(効果例
6)の冷却速度で冷却したとき同区域を24℃/分
(比較例3)の冷却速度で冷却して得たCu−Ti素
材と比較して導電率が1.35〜1.47倍向上したもの
が得た。 次に本発明の第2の実施例について第2表を参
照して説明する。
【表】
この方法は、冷却温度区間800℃から400℃にお
ける所定温度でもつて真空バルブ用材料の導電率
を高くする時間すなわち少なくとも0.25時間だけ
加熱保持するものである。具体的には、平均粒径
74μmのCrをカーボン容器に自然充填し、水素中
900℃、1時間で仮焼結を行う。この仮焼結体の
上側に0.1%のBiを含有するCuからなる溶浸材を
配置した後、真空中1150℃、1時間で行う溶浸工
程に移す。次に溶浸工程の終つた接点合金素材を
1150℃より各保持温度まで13.3℃/分の速度で冷
却する。 さて、この冷却の後、所定の時間保持した各接
点片の温度上昇特性および接触抵抗特性を求め
た。これは本発明の方法が最良であることを示す
ためである。比較例4に示すように保持温度が
1000℃の場合、Cu中へのCrの固溶量が多く導電
率が20〜25%IACS程度であるのに対し効果例7、
8、9に示すように保持温度が800℃、600℃、
400℃ではCu中へのCrの固溶量の減少が主因とな
つて導電率が30%IACS近傍又はそれ以上に向上
する。また、効果例10、11に示すように保持温度
を700℃に一定として保持時間の影響を考察する
と効果例10、11のように、1〜0.25時間では30%
IACS近傍又はそれ以上の導電率を示しているの
に対して比較例5に示すように保持時間0.1時間
ではCu中へのCrの固溶状態が未だ維持されてい
ることにより導電率30%IACS以下である。温度
上昇特性も導電率の差異と対応し80℃以下のグル
ープ(効果例7〜11)と90℃以上のグループ(比
較例4、5)に区分される。また、接触抵抗特性
も同様に60μΩ以下のグループ(効果例7〜11)
と70μΩ以上のグループ(比較例4、5)に区分
された。保持温度が400℃より低い場合には一層
の長い保持時間を要するため得策でない。又、第
2表に示すCu−Ti合金においてほぼ同じCu含有
量の接点(効果例12)、(比較例6)のように保持
時間の差異で導電率、温度上昇特性、接触抵抗特
性に差がみられ、Cu−Ti合金においても本発明
効果が奏せられる。 次に本発明の第3の実施例について第3表を参
照して説明する。
ける所定温度でもつて真空バルブ用材料の導電率
を高くする時間すなわち少なくとも0.25時間だけ
加熱保持するものである。具体的には、平均粒径
74μmのCrをカーボン容器に自然充填し、水素中
900℃、1時間で仮焼結を行う。この仮焼結体の
上側に0.1%のBiを含有するCuからなる溶浸材を
配置した後、真空中1150℃、1時間で行う溶浸工
程に移す。次に溶浸工程の終つた接点合金素材を
1150℃より各保持温度まで13.3℃/分の速度で冷
却する。 さて、この冷却の後、所定の時間保持した各接
点片の温度上昇特性および接触抵抗特性を求め
た。これは本発明の方法が最良であることを示す
ためである。比較例4に示すように保持温度が
1000℃の場合、Cu中へのCrの固溶量が多く導電
率が20〜25%IACS程度であるのに対し効果例7、
8、9に示すように保持温度が800℃、600℃、
400℃ではCu中へのCrの固溶量の減少が主因とな
つて導電率が30%IACS近傍又はそれ以上に向上
する。また、効果例10、11に示すように保持温度
を700℃に一定として保持時間の影響を考察する
と効果例10、11のように、1〜0.25時間では30%
IACS近傍又はそれ以上の導電率を示しているの
に対して比較例5に示すように保持時間0.1時間
ではCu中へのCrの固溶状態が未だ維持されてい
ることにより導電率30%IACS以下である。温度
上昇特性も導電率の差異と対応し80℃以下のグル
ープ(効果例7〜11)と90℃以上のグループ(比
較例4、5)に区分される。また、接触抵抗特性
も同様に60μΩ以下のグループ(効果例7〜11)
と70μΩ以上のグループ(比較例4、5)に区分
された。保持温度が400℃より低い場合には一層
の長い保持時間を要するため得策でない。又、第
2表に示すCu−Ti合金においてほぼ同じCu含有
量の接点(効果例12)、(比較例6)のように保持
時間の差異で導電率、温度上昇特性、接触抵抗特
性に差がみられ、Cu−Ti合金においても本発明
効果が奏せられる。 次に本発明の第3の実施例について第3表を参
照して説明する。
【表】
この方法は、真空バルブ用材料の冷却過程終了
後冷却温度区間400℃から800℃までのうちいずれ
かの再加熱温度で少なくとも0.25時間再加熱する
ものである。具体的に説明すると、平均粒径44μ
mのCu粉の上部にCu塊を設置し一体としてカー
ボン容器に収納し、真空中950℃、3時間の仮焼
結後、冷却せず引続き真空中125℃に昇温し1時
間の溶浸作業を行う。次に常温まで24℃/分の平
均冷却速度で冷却し接点素材を得る。 この接点素材を常温から第3表に示すように各
所定の保持温度まで再加熱したところ再加熱温度
400℃以上800℃の間での再加熱によつて、再加熱
前の導電率が26.0〜30.9%IACS程度であつたも
のがCuからのCrの析出によつて40%IACS近傍に
増加した(効果例16〜18)。しかしさらに再加熱
温度を900、1000℃に増加すると、若干の増加は
示すものの導電率は30%IACS近傍に止まつた
(比較例8〜9)。なお、比較例10に示すように再
加熱温度が200℃ではCu中からのCrの移動が未だ
十分行なわれず本実験加熱時間内では効果が認め
られなかつた。以上のことは前述したようにCu
中のCrの存在量とよく対応している。温度上昇
特性は、70℃近傍又はそれ以下のグループに分別
され、それぞれ導電率の挙動と対応している。ま
た、接触抵抗特性も同様に50μΩ近傍のグループ
(効果例16〜18)と60μΩ近傍又はそれ以上のグ
ループ(比較例8〜10)に分別され、夫々導電率
の挙動と対応している。再加熱中の保持時間は効
果例13〜15に示すように0.25時間以上ならば37%
IACS以上の導電率で70℃近傍又はそれ以上の温
度上昇特性さらに50μΩ以下の接触抵抗特性を維
持するのに対し、比較例7のように保持時間0.1
時間では十分な前記特性が得られない。 又、Cu−Ti合金に於て第3表に示すように同
じCu−Ti接点を用い再加熱処理時の保持温度が
700℃(効果例19)と1000℃(比較例11)では前
者の方が同表のように諸特性が優れ、本発明の効
果が認められた。 以上から冷却終了後の再加熱処理によつて特性
の改善が可能であるが、その温度は400℃〜800℃
の間で、かつその保持時間は0.25時間以上を要す
ることが判明した。 次に本発明の第4の実施例について第4表を参
照して説明する。
後冷却温度区間400℃から800℃までのうちいずれ
かの再加熱温度で少なくとも0.25時間再加熱する
ものである。具体的に説明すると、平均粒径44μ
mのCu粉の上部にCu塊を設置し一体としてカー
ボン容器に収納し、真空中950℃、3時間の仮焼
結後、冷却せず引続き真空中125℃に昇温し1時
間の溶浸作業を行う。次に常温まで24℃/分の平
均冷却速度で冷却し接点素材を得る。 この接点素材を常温から第3表に示すように各
所定の保持温度まで再加熱したところ再加熱温度
400℃以上800℃の間での再加熱によつて、再加熱
前の導電率が26.0〜30.9%IACS程度であつたも
のがCuからのCrの析出によつて40%IACS近傍に
増加した(効果例16〜18)。しかしさらに再加熱
温度を900、1000℃に増加すると、若干の増加は
示すものの導電率は30%IACS近傍に止まつた
(比較例8〜9)。なお、比較例10に示すように再
加熱温度が200℃ではCu中からのCrの移動が未だ
十分行なわれず本実験加熱時間内では効果が認め
られなかつた。以上のことは前述したようにCu
中のCrの存在量とよく対応している。温度上昇
特性は、70℃近傍又はそれ以下のグループに分別
され、それぞれ導電率の挙動と対応している。ま
た、接触抵抗特性も同様に50μΩ近傍のグループ
(効果例16〜18)と60μΩ近傍又はそれ以上のグ
ループ(比較例8〜10)に分別され、夫々導電率
の挙動と対応している。再加熱中の保持時間は効
果例13〜15に示すように0.25時間以上ならば37%
IACS以上の導電率で70℃近傍又はそれ以上の温
度上昇特性さらに50μΩ以下の接触抵抗特性を維
持するのに対し、比較例7のように保持時間0.1
時間では十分な前記特性が得られない。 又、Cu−Ti合金に於て第3表に示すように同
じCu−Ti接点を用い再加熱処理時の保持温度が
700℃(効果例19)と1000℃(比較例11)では前
者の方が同表のように諸特性が優れ、本発明の効
果が認められた。 以上から冷却終了後の再加熱処理によつて特性
の改善が可能であるが、その温度は400℃〜800℃
の間で、かつその保持時間は0.25時間以上を要す
ることが判明した。 次に本発明の第4の実施例について第4表を参
照して説明する。
【表】
この製造方法は、溶浸工程終了後の真空バルブ
用材料に対して加熱保持工程および再加熱工程を
加えたものである。すなわち、149μmCr粉と同
一径のCu粉を95:5の割合で混合したものを1.5
トン/cm2で成型した真空中1150℃で仮焼結を行な
い、この後アルミナボートに0.1%のSbを含有し
たCu合金塊と共に挿入し真空中1200℃で溶浸を
行う。この溶浸終了後1200℃から800℃までを24
℃/分で冷却後、冷却温度区間800℃〜600℃の間
を効果例3のように冷却速度3.5℃/分により更
に600℃まで冷却する。この冷却のとき効果例7
に示したように保持温度600℃を用いて作製した
ところ、効果例20に示すように安定した諸特性が
得られた。この後、上記の試料を冷却後500℃で
再加熱したが同様に安定した特性が得られた(実
施例21)。以上の結果から溶浸工程終了後の冷却
速度を所定条件に調節した上で、更に加熱保持工
程および再加熱処理工程を重畳させることは、特
性の一層の向上・安定に有効であつた。 以上説明したように本発明の実施例においては
冷却温度区間800℃から400℃のうち所定温度差間
100℃を冷却速度毎分0.6℃でもつて冷却する冷却
手段、冷却温度区間800℃から400℃のうちいずれ
かの温度で少なくとも0.25時間だけ加熱保持する
加熱保持手段および冷却温度区間400℃から800℃
のうちいずれかの温度で少なくとも0.25時間だけ
再加熱を行なう再加熱手段とを有し、これら各手
段のうちいずれか1手段または組合わせて製造を
行なうので、Cu−Cr合金の温度上昇特性および
接触抵抗特性を向上させ、かつ安定性をも向上さ
せることができる。この結果、真空バルブ用接点
材料として要求される特性を全て満足することが
でき最良の接点材料を得ることができる。 なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はない。例えばCuの一部または全部をAgに換え
ても上記実施例と同一の効果を奏することができ
る。 以上説明したように本発明の実施例によれば
Cu−Cr合金の温度上昇特性および接触抵抗特性
を向上させ、かつ安定性をも向上させることがで
きる。この結果、真空バルブ用接点材料としての
要求される特性を全て満足することができ最良の
接点材料を得ることができる。 なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はない。例えばCuの一部または全部をAgに換え
ても上記実施例と同一の効果を奏することができ
る。 又、本発明の効果はCu(Ag)とCr(Ti)との比
率が極めて広範囲の合金に対して奏することが判
明された。これに対して真空バルブ用接点材料の
他の特徴、例えばしや断性能の面から90%以上の
Cr(Ti)、耐溶着性の面から90%以上のCu(Ag)
の合金は避けるのが良い。 [発明の効果] 以上詳記したように本発明によれば、接触抵抗
特性および温度上昇特性を安定させ得る真空バル
ブ用接点材料の製造方法を提供できる。
用材料に対して加熱保持工程および再加熱工程を
加えたものである。すなわち、149μmCr粉と同
一径のCu粉を95:5の割合で混合したものを1.5
トン/cm2で成型した真空中1150℃で仮焼結を行な
い、この後アルミナボートに0.1%のSbを含有し
たCu合金塊と共に挿入し真空中1200℃で溶浸を
行う。この溶浸終了後1200℃から800℃までを24
℃/分で冷却後、冷却温度区間800℃〜600℃の間
を効果例3のように冷却速度3.5℃/分により更
に600℃まで冷却する。この冷却のとき効果例7
に示したように保持温度600℃を用いて作製した
ところ、効果例20に示すように安定した諸特性が
得られた。この後、上記の試料を冷却後500℃で
再加熱したが同様に安定した特性が得られた(実
施例21)。以上の結果から溶浸工程終了後の冷却
速度を所定条件に調節した上で、更に加熱保持工
程および再加熱処理工程を重畳させることは、特
性の一層の向上・安定に有効であつた。 以上説明したように本発明の実施例においては
冷却温度区間800℃から400℃のうち所定温度差間
100℃を冷却速度毎分0.6℃でもつて冷却する冷却
手段、冷却温度区間800℃から400℃のうちいずれ
かの温度で少なくとも0.25時間だけ加熱保持する
加熱保持手段および冷却温度区間400℃から800℃
のうちいずれかの温度で少なくとも0.25時間だけ
再加熱を行なう再加熱手段とを有し、これら各手
段のうちいずれか1手段または組合わせて製造を
行なうので、Cu−Cr合金の温度上昇特性および
接触抵抗特性を向上させ、かつ安定性をも向上さ
せることができる。この結果、真空バルブ用接点
材料として要求される特性を全て満足することが
でき最良の接点材料を得ることができる。 なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はない。例えばCuの一部または全部をAgに換え
ても上記実施例と同一の効果を奏することができ
る。 以上説明したように本発明の実施例によれば
Cu−Cr合金の温度上昇特性および接触抵抗特性
を向上させ、かつ安定性をも向上させることがで
きる。この結果、真空バルブ用接点材料としての
要求される特性を全て満足することができ最良の
接点材料を得ることができる。 なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はない。例えばCuの一部または全部をAgに換え
ても上記実施例と同一の効果を奏することができ
る。 又、本発明の効果はCu(Ag)とCr(Ti)との比
率が極めて広範囲の合金に対して奏することが判
明された。これに対して真空バルブ用接点材料の
他の特徴、例えばしや断性能の面から90%以上の
Cr(Ti)、耐溶着性の面から90%以上のCu(Ag)
の合金は避けるのが良い。 [発明の効果] 以上詳記したように本発明によれば、接触抵抗
特性および温度上昇特性を安定させ得る真空バル
ブ用接点材料の製造方法を提供できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 充分脱ガスされ、かつ表面が清浄化された10
〜90重量%のCr又は/及びTiよりなる耐弧性材
料と、残部がCu又は/及びAgよりなる導電性材
料とから形成される真空バルブ用材料を焼結し溶
浸材を溶浸する前工程と、この前工程で処理され
た前記真空バルブ用材料を冷却し、かつこの冷却
過程中に前記真空バルブ用材料に対して前記冷却
過程の冷却温度区間800℃から400℃のうち、所定
温度差間100℃を前記真空バルブ用材料の温度上
昇特性を改善させる冷却速度毎分0.6℃から6℃
でもつて低下する冷却工程とを有することを特徴
とする真空バルブ用接点材料の製造方法。 2 充分脱ガスされ、かつ表面が清浄化された10
〜90重量%のCr又は/及びTiよりなる耐弧性材
料と、残部がCu又は/及びAgよりなる導電性材
料とから形成される真空バルブ用材料を焼結し溶
浸材を溶浸する前工程と、この前工程で処理され
た前記真空バルブ用材料を冷却し、かつこの冷却
過程中に前記真空バルブ用材料に対して前記冷却
過程の冷却温度区間800℃から400℃のうち、いず
れかの温度で前記真空バルブ用材料の導電率を高
くする少なくとも0.25時間だけ加熱保持する加熱
保持工程とを有することを特徴とする真空バルブ
用接点材料の製造方法。 3 充分脱ガスされ、かつ表面が清浄化された10
〜90重量%のCr又は/及びTiよりなる耐弧性材
料と、残部がCu又は/及びAgよりなる導電性材
料とから形成される真空バルブ用材料を焼結し溶
浸材を溶浸する前工程と、この前工程で処理され
た前記真空バルブ用材料を常温まで冷却する冷却
工程と、この冷却工程終了後にこの冷却での冷却
温度区間800℃から400℃のうち、いずれかの温度
で少なくとも0.25時間前記真空バルブ用材料を再
加熱する再加熱工程とを有することを特徴とする
真空バルブ用接点材料の製造方法。 4 充分脱ガスされ、かつ表面が清浄化された10
〜90重量%のCr又は/及びTiよりなる耐弧性材
料と、残部がCu又は/及びAgよりなる導電性材
料とから形成される真空バルブ用材料を焼結し溶
浸材を溶浸する前工程と、この前工程で処理され
た前記真空バルブ用材料をこの真空バルブ用材料
の温度上昇特性を改善させる冷却速度で冷却する
冷却工程と、この冷却工程終了後に前記真空バル
ブ用材料を前記冷却工程での冷却温度区間におけ
る所定温度でもつて前記真空バルブ用材料の導電
率を高くする時間だけ加熱保持する加熱保持工程
と、この加熱保持工程終了後に前記真空バルブ用
材料を前記冷却工程での冷却温度区間における所
定温度でもつて再加熱する再加熱工程とを有する
ことを特徴とする真空バルブ用接点材料の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6684785A JPS61227330A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 真空バルブ用接点材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6684785A JPS61227330A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 真空バルブ用接点材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61227330A JPS61227330A (ja) | 1986-10-09 |
| JPH0351250B2 true JPH0351250B2 (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=13327644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6684785A Granted JPS61227330A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 真空バルブ用接点材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61227330A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0760623B2 (ja) * | 1986-01-21 | 1995-06-28 | 株式会社東芝 | 真空バルブ用接点合金 |
| JP2010061935A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Hitachi Ltd | 電気接点とその製造方法および電力開閉器 |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP6684785A patent/JPS61227330A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61227330A (ja) | 1986-10-09 |
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