JPH0351333Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0351333Y2 JPH0351333Y2 JP16969683U JP16969683U JPH0351333Y2 JP H0351333 Y2 JPH0351333 Y2 JP H0351333Y2 JP 16969683 U JP16969683 U JP 16969683U JP 16969683 U JP16969683 U JP 16969683U JP H0351333 Y2 JPH0351333 Y2 JP H0351333Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- airtight container
- film forming
- mounting surface
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は成膜装置用加熱体に係り、特に真空蒸
着装置やスパツタリング装置及びCVD装置等、
真空中或いは生成ガス中で基板表面に膜を形成す
る装置に使用する成膜装置用加熱体に関する。
着装置やスパツタリング装置及びCVD装置等、
真空中或いは生成ガス中で基板表面に膜を形成す
る装置に使用する成膜装置用加熱体に関する。
(ロ) 従来技術
基板の加熱手段として、赤外線ヒータが使用さ
れており、その際の基板表面の温度測定には例え
ばヒートラベル等が使用されている。
れており、その際の基板表面の温度測定には例え
ばヒートラベル等が使用されている。
しかし、かかる加熱手段は一般的には温度の正
確な測定乃至コントロールは困難である。
確な測定乃至コントロールは困難である。
又、固定ヒータ等の固定加熱体に直接基板を接
触させる方法もあるが、上記した赤外線ヒータに
比べて温度測定の精度は良くなる反面、蒸着金属
のまわりこみの為、前記加熱体の汚れが早くな
り、成膜性能の低下と成膜した基板の品質劣化を
生じることが多かつた。
触させる方法もあるが、上記した赤外線ヒータに
比べて温度測定の精度は良くなる反面、蒸着金属
のまわりこみの為、前記加熱体の汚れが早くな
り、成膜性能の低下と成膜した基板の品質劣化を
生じることが多かつた。
そのために、防着板等で前記熱源を囲む等の対
策を講じたタイプのものもあるが、未だ完全なも
のはない。
策を講じたタイプのものもあるが、未だ完全なも
のはない。
また、近年の成膜装置は次第に大型化し、例え
ば独立した成膜室を複数個縦設し、その成膜室を
通過する自動搬送台車を具備し、オートマチツク
に基板を処理する大型の自動成膜装置が出現して
いる。かかる装置にあつては、隣接する成膜室に
台車を移行せしめる間は加熱電源から切り離すの
が一般的であるから、加熱体の温度を一定に維持
する観点からは自動搬送台車に載せた基板を加熱
する加熱体はその熱容量が大きいことが要請され
ることとなる。
ば独立した成膜室を複数個縦設し、その成膜室を
通過する自動搬送台車を具備し、オートマチツク
に基板を処理する大型の自動成膜装置が出現して
いる。かかる装置にあつては、隣接する成膜室に
台車を移行せしめる間は加熱電源から切り離すの
が一般的であるから、加熱体の温度を一定に維持
する観点からは自動搬送台車に載せた基板を加熱
する加熱体はその熱容量が大きいことが要請され
ることとなる。
上記要請にもかかわらず、熱容量の大きい加熱
体は従来なかつた。
体は従来なかつた。
(ハ) 目的
本考案は温度測定精度が良好で、汚れたあとの
洗浄が簡単にできる成膜装置用加熱体を提供する
ことを目的としている。
洗浄が簡単にできる成膜装置用加熱体を提供する
ことを目的としている。
本考案は熱容量の大きい加熱体を提供すること
をも目的としている。
をも目的としている。
(ニ) 構成
本考案は熱源である電熱線を内蔵したシースヒ
ータを熱良導体に埋設装着し、これを密閉した容
器に着接して熱容量の増大を図るとともに基板が
前記成膜室を移動するときの温度低下を防ぐよう
になつている。
ータを熱良導体に埋設装着し、これを密閉した容
器に着接して熱容量の増大を図るとともに基板が
前記成膜室を移動するときの温度低下を防ぐよう
になつている。
また、温度精度向上を図るため、前記基板の装
着面は鏡面仕上げとなつており、さらに適宜洗浄
ができるように密閉容器のタイプになつている。
着面は鏡面仕上げとなつており、さらに適宜洗浄
ができるように密閉容器のタイプになつている。
(ホ) 実施例
第１図は本考案に係る成膜装置用加熱体の一実
施例の部分切欠斜視図であり、第２図は第１図に
おける−線断面図である。
施例の部分切欠斜視図であり、第２図は第１図に
おける−線断面図である。
図において、１はステンレス材等の耐熱耐蝕性
金属で略直方体状に形成した密閉容器であり、そ
の底部は基板装着面１１を有している。そして、
基板装着面１０の外面１１は鏡面状に仕上げられ
ている。
金属で略直方体状に形成した密閉容器であり、そ
の底部は基板装着面１１を有している。そして、
基板装着面１０の外面１１は鏡面状に仕上げられ
ている。
この外面１１上に蒸着被覆されるべき基板Ａが
クランプ１４とネジでもつて装着されることとな
る。
クランプ１４とネジでもつて装着されることとな
る。
密閉容器１の内部には例えばニクロム線等の電
熱線２１の内蔵したシースヒータ２が渦巻き状ま
たは蛇行状に収納されている。そして、前記シー
スヒータ２を取り囲むように例えばアルミニユウ
ム等の熱良導体６が鋳込まれてあり、しかも熱良
導体６は前記基板装着面に充分接触するように鋳
込まれている。さらにシースヒータの電熱線２１
の端部は通電端子３をハーメチツク封止したセラ
ミツク４にろう付けされてあり、さらに前記密閉
容器の上面に前記セラミツクが気密に封止され
る。
熱線２１の内蔵したシースヒータ２が渦巻き状ま
たは蛇行状に収納されている。そして、前記シー
スヒータ２を取り囲むように例えばアルミニユウ
ム等の熱良導体６が鋳込まれてあり、しかも熱良
導体６は前記基板装着面に充分接触するように鋳
込まれている。さらにシースヒータの電熱線２１
の端部は通電端子３をハーメチツク封止したセラ
ミツク４にろう付けされてあり、さらに前記密閉
容器の上面に前記セラミツクが気密に封止され
る。
７は前記熱良導体６と密閉容器の上面間の空隙
であつて、この空隙には内蔵した金属の酸化防止
の観点から例えばドライ窒素等の不活性ガスを充
填してある。
であつて、この空隙には内蔵した金属の酸化防止
の観点から例えばドライ窒素等の不活性ガスを充
填してある。
このガスの充填密閉は一度容器全体を洗浄し、
適宜温度で熱処理した後、脱ガスしつつ排気し、
そのあと前記ガスを充填し、つづいて前記密閉容
器に気密に取りつけた銅等の封じ切りパイプ１５
を封じ切りすることにより行われる。
適宜温度で熱処理した後、脱ガスしつつ排気し、
そのあと前記ガスを充填し、つづいて前記密閉容
器に気密に取りつけた銅等の封じ切りパイプ１５
を封じ切りすることにより行われる。
５は成膜装置用加熱体のほぼ中央に設けた温度
検出体であつて、この温度検出体５の先端は熱良
導体６に密着しつつこれを貫通して前記基板装着
面の内面に密着している。そして、温度検出体５
の他端は密閉容器の外側に突出していて、この突
出部には図示しない測温体が接触するようになつ
ている。
検出体であつて、この温度検出体５の先端は熱良
導体６に密着しつつこれを貫通して前記基板装着
面の内面に密着している。そして、温度検出体５
の他端は密閉容器の外側に突出していて、この突
出部には図示しない測温体が接触するようになつ
ている。
８は密閉容器の上部分に着脱自在に取りつけら
れ密閉容器全体を覆う遮蔽カバーであつて、遮蔽
カバー８の適宜場所には成膜装置用加熱体全体を
成膜装置本体にとりつけるためのリテーナ１３が
取りつけられている。
れ密閉容器全体を覆う遮蔽カバーであつて、遮蔽
カバー８の適宜場所には成膜装置用加熱体全体を
成膜装置本体にとりつけるためのリテーナ１３が
取りつけられている。
本実施例においては、成膜装置用加熱体は全体
として略直方体状で基板は成膜装置用加熱体の下
部に装着されるとして説明したが、本考案は全体
形状は特に限定されず、例えば円筒状であつても
よく、また基板の取りつけ方向も上向きまたは横
向きであつてもよい。
として略直方体状で基板は成膜装置用加熱体の下
部に装着されるとして説明したが、本考案は全体
形状は特に限定されず、例えば円筒状であつても
よく、また基板の取りつけ方向も上向きまたは横
向きであつてもよい。
(ヘ) 効果
本考案の成膜装置用加熱体によれば、その熱容
量は大きくなつている故、基板が加熱体に装着さ
れた状態で隣接する成膜室に移動する際の成膜装
置用加熱体ないし基板の温度低下は防止できる。
量は大きくなつている故、基板が加熱体に装着さ
れた状態で隣接する成膜室に移動する際の成膜装
置用加熱体ないし基板の温度低下は防止できる。
また、全体が密閉状態に形成してあるので、使
用後の洗浄は可能であり、不活性ガスが充填して
あるので、内部金属の酸化が防止できる。
用後の洗浄は可能であり、不活性ガスが充填して
あるので、内部金属の酸化が防止できる。
第１図は本考案に係る成膜装置用加熱体の一実
施例の部分切欠斜視図であり、第２図は第１図に
おける−線断面図である。 １……密閉容器、２……シースヒータ、３……
通電端子、５……温度検出体、６……熱良導体、
７……空隙、８……遮蔽カバー、１０……基板装
着面、１５……封じ切りパイプ。
施例の部分切欠斜視図であり、第２図は第１図に
おける−線断面図である。 １……密閉容器、２……シースヒータ、３……
通電端子、５……温度検出体、６……熱良導体、
７……空隙、８……遮蔽カバー、１０……基板装
着面、１５……封じ切りパイプ。
Claims (1)
- その外面を鏡面仕上げとした基板装着面を一側
面として有する密閉容器と、前記基板装着面を加
熱するシースヒータと、前記シースヒータを取り
囲み且つ前記基板装着面の内面に着接する熱良導
体とを具備した成膜装置用加熱体において、密閉
容器には不活性ガスを充填してあり、且つ前記熱
良導体に埋設されその先端を前記密閉容器外に設
けた温度検出体と前記密閉容器の上部をカバーす
る着脱自在な遮蔽カバーとを具備したことを特徴
とする成膜装置用加熱体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16969683U JPS6078870U (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 成膜装置用加熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16969683U JPS6078870U (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 成膜装置用加熱体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6078870U JPS6078870U (ja) | 1985-06-01 |
| JPH0351333Y2 true JPH0351333Y2 (ja) | 1991-11-01 |
Family
ID=30370665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16969683U Granted JPS6078870U (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 成膜装置用加熱体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6078870U (ja) |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP16969683U patent/JPS6078870U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6078870U (ja) | 1985-06-01 |
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