JPH0351722Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0351722Y2 JPH0351722Y2 JP14175184U JP14175184U JPH0351722Y2 JP H0351722 Y2 JPH0351722 Y2 JP H0351722Y2 JP 14175184 U JP14175184 U JP 14175184U JP 14175184 U JP14175184 U JP 14175184U JP H0351722 Y2 JPH0351722 Y2 JP H0351722Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- photoelectric conversion
- semiconductor laser
- conversion element
- adder
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 1
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は半導体レーザの横モード測定装置に関
する。
する。
(ロ) 従来の技術
現在、CD(コンパクトデイスク)、VD(ビデオ
デイスク)等の光源として広く普及しつつある半
導体レーザは低しきい値電流、高出力の他に単一
横モード発振が望まれている。
デイスク)等の光源として広く普及しつつある半
導体レーザは低しきい値電流、高出力の他に単一
横モード発振が望まれている。
従来半導体レーザの横モード発振を測定する装
置としてはアルフアツクス電算システム有限会社
より昭和58年2月1日付で発行された「レーザダ
イオードテスターModel CM−800Hの説明書」
において解説された装置がある。
置としてはアルフアツクス電算システム有限会社
より昭和58年2月1日付で発行された「レーザダ
イオードテスターModel CM−800Hの説明書」
において解説された装置がある。
第2図は斯る装置を模式的に示したものであ
り、斯る装置では図中矢印方向に回転する回転台
1上に載置された半導体レーザ2の出力光を固定
のスリツト3を介して光検出器4に入射せしめ、
斯る検出器4において入射光の強度を検出して記
録計5で記録する。
り、斯る装置では図中矢印方向に回転する回転台
1上に載置された半導体レーザ2の出力光を固定
のスリツト3を介して光検出器4に入射せしめ、
斯る検出器4において入射光の強度を検出して記
録計5で記録する。
従つて、上記回転台1の回動に伴なつて順次に
上記半導体レーザ2の出力強度を記録することに
より光軸及びこれからずれた位置での強度を測定
できるため、光軸以外の位置で上記強度が高まつ
た場合、多重横モード発振が生じていることがわ
かる。
上記半導体レーザ2の出力強度を記録することに
より光軸及びこれからずれた位置での強度を測定
できるため、光軸以外の位置で上記強度が高まつ
た場合、多重横モード発振が生じていることがわ
かる。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
然るに上記装置では半導体レーザを回転して光
出力の変化を記録しているため装置自体が大型化
し、またその測定に時間がかかつていた。
出力の変化を記録しているため装置自体が大型化
し、またその測定に時間がかかつていた。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は斯る問題点に鑑みてなされたもので、
装置が小型でかつ測定時間が短かい半導体レーザ
の横モード測定装置を提供せんとするものであ
る。
装置が小型でかつ測定時間が短かい半導体レーザ
の横モード測定装置を提供せんとするものであ
る。
一般に単一の横モード発振の半導体レーザでは
第3図aに示す如くその水平方向の放射角(θN1)
特性は動作電流をI1、I2、I3(I1<I2<I3)と変化
させても光軸Aを頂点としてなめらかに減少し、
その半値角は一定となる。また、横モードが不安
定な半導体レーザでは第3図bに示す如くその水
平方向の放射角(θN1)特性は光軸A以外にピー
クが発生し、かつ動作電流をI1、I2、I3と増加せ
しめるとそのピークも増大する。
第3図aに示す如くその水平方向の放射角(θN1)
特性は動作電流をI1、I2、I3(I1<I2<I3)と変化
させても光軸Aを頂点としてなめらかに減少し、
その半値角は一定となる。また、横モードが不安
定な半導体レーザでは第3図bに示す如くその水
平方向の放射角(θN1)特性は光軸A以外にピー
クが発生し、かつ動作電流をI1、I2、I3と増加せ
しめるとそのピークも増大する。
本考案は斯る知見に基づいてなされたものであ
り、その特徴は半導体レーザ、該半導体レーザの
出力レーザ光の光軸上において上記レーザ光の出
力面と受光面とが光学的に対向してなる第1の光
電変換素子、上記レーザ光の水平拡がり方向と平
行となるように上記第1の光電変換素子の両側に
配され各受光面が上記出力面と光学的に対向する
第2、第3の光電変換素子、上記第2、第3の光
電変換素子の出力を加算する加算器、該加算器の
出力と上記第1の光電変換素子の出力とを比較す
る比較器を備えたことにある。
り、その特徴は半導体レーザ、該半導体レーザの
出力レーザ光の光軸上において上記レーザ光の出
力面と受光面とが光学的に対向してなる第1の光
電変換素子、上記レーザ光の水平拡がり方向と平
行となるように上記第1の光電変換素子の両側に
配され各受光面が上記出力面と光学的に対向する
第2、第3の光電変換素子、上記第2、第3の光
電変換素子の出力を加算する加算器、該加算器の
出力と上記第1の光電変換素子の出力とを比較す
る比較器を備えたことにある。
(ホ) 作用
上記半導体レーザが単一横モード発振を行なう
場合、半導体レーザの駆動電流を変化させたとし
ても上記比較器の出力は一定であり、またそうで
ない場合、上記比較器の出力は上記電流の変化と
共に変化することとなる。
場合、半導体レーザの駆動電流を変化させたとし
ても上記比較器の出力は一定であり、またそうで
ない場合、上記比較器の出力は上記電流の変化と
共に変化することとなる。
(ヘ) 実施例
第1図は本考案の一実施例を示し、11は半導
体レーザ、12〜14はその受光面が上記半導体
レーザ11の出力面と光学的に対向する第1〜第
3の光電変換素子であり、該素子は例えば5mm角
のフオトダイオードチツプからなる。また上記第
1の光電変換素子12は上記半導体レーザ11の
光軸X上に配され、かつ上記第2、第3の光電変
換素子13,14は上記第1の光電変換素子12
の両側に配されると共に第1〜第3の光電変換素
子の配列方向は上記半導体レーザ11の出力光の
水平拡がり方向と一致している。15は上記第
2、第3の光電変換素子13,14の出力値を加
算する第1の加算器、16は該加算器の加算結果
と上記第1の光電変換素子12の出力値とを比較
する比較器、17は第1〜第3の光電変換素子1
2〜14の出力値の総計を演算出力する第2の加
算器である。
体レーザ、12〜14はその受光面が上記半導体
レーザ11の出力面と光学的に対向する第1〜第
3の光電変換素子であり、該素子は例えば5mm角
のフオトダイオードチツプからなる。また上記第
1の光電変換素子12は上記半導体レーザ11の
光軸X上に配され、かつ上記第2、第3の光電変
換素子13,14は上記第1の光電変換素子12
の両側に配されると共に第1〜第3の光電変換素
子の配列方向は上記半導体レーザ11の出力光の
水平拡がり方向と一致している。15は上記第
2、第3の光電変換素子13,14の出力値を加
算する第1の加算器、16は該加算器の加算結果
と上記第1の光電変換素子12の出力値とを比較
する比較器、17は第1〜第3の光電変換素子1
2〜14の出力値の総計を演算出力する第2の加
算器である。
斯る本実施例装置において上記半導体レーザ1
1の駆動電流を変化させながら上記比較器16の
比較出力の変化を測定すると、上記半導体レーザ
が単一横モード発振を行なう場合、上記比較出力
は変化せず、また単一横モード発振をしない場
合、上記比較出力は駆動電流の変化と共に変化す
る。従つて、上記比較器16の出力変化を測定す
るだけで単一横モード発振の半導体レーザである
か否かが判定できる。
1の駆動電流を変化させながら上記比較器16の
比較出力の変化を測定すると、上記半導体レーザ
が単一横モード発振を行なう場合、上記比較出力
は変化せず、また単一横モード発振をしない場
合、上記比較出力は駆動電流の変化と共に変化す
る。従つて、上記比較器16の出力変化を測定す
るだけで単一横モード発振の半導体レーザである
か否かが判定できる。
また、上記第2の加算器17の出力結果を見る
ことにより半導体レーザの総出力強度が判る。
ことにより半導体レーザの総出力強度が判る。
(ト) 考案の効果
本考案の半導体レーザの横モード測定装置は半
導体レーザ、該半導体レーザの出力レーザ光の光
軸上において上記レーザ光の出力面と受光面とが
光学的に対向してなる第1の光電変換素子、上記
レーザ光の水平拡がり方向と平行となるように上
記第1の光電変換素子の両側に配され各受光面が
上記出力面と光学的に対向する第2、第3の光電
変換素子、上記第2、第3の光電変換素子の出力
を加算する加算器、該加算器の出力と上記第1の
光電変換素子の出力とを比較する比較器からなる
ため装置自体が小型でき、かつ測定も短時間で行
える。
導体レーザ、該半導体レーザの出力レーザ光の光
軸上において上記レーザ光の出力面と受光面とが
光学的に対向してなる第1の光電変換素子、上記
レーザ光の水平拡がり方向と平行となるように上
記第1の光電変換素子の両側に配され各受光面が
上記出力面と光学的に対向する第2、第3の光電
変換素子、上記第2、第3の光電変換素子の出力
を加算する加算器、該加算器の出力と上記第1の
光電変換素子の出力とを比較する比較器からなる
ため装置自体が小型でき、かつ測定も短時間で行
える。
第1図は本考案の一実施例を模式的に示すブロ
ツク図、第2図は従来例を示す模式図、第3図
a,bは水平方向の放射角特性を示す模式図であ
る。 1……半導体レーザ、12〜14……第1〜第
3の光電変換素子、15……(第1の)加算器、
16……比較器。
ツク図、第2図は従来例を示す模式図、第3図
a,bは水平方向の放射角特性を示す模式図であ
る。 1……半導体レーザ、12〜14……第1〜第
3の光電変換素子、15……(第1の)加算器、
16……比較器。
Claims (1)
- 半導体レーザ、該半導体レーザの出力レーザ光
の光軸上において上記レーザ光の出力面と受光面
とが光学的に対向してなる第1の光電変換素子、
上記レーザ光の水平拡がり方向と平行となるよう
に上記第1の光電変換素子の両側に配され各受光
面が上記出力面と光学的に対向する第2、第3の
光電変換素子、上記第2、第3の光電変換素子の
出力を加算する加算器、該加算器の出力と上記第
1の光電変換素子の出力とを比較する比較器を備
えたことを特徴とする半導体レーザの横モード測
定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14175184U JPH0351722Y2 (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14175184U JPH0351722Y2 (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156530U JPS6156530U (ja) | 1986-04-16 |
| JPH0351722Y2 true JPH0351722Y2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=30700090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14175184U Expired JPH0351722Y2 (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0351722Y2 (ja) |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP14175184U patent/JPH0351722Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6156530U (ja) | 1986-04-16 |
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