JPH0352002Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0352002Y2 JPH0352002Y2 JP6461986U JP6461986U JPH0352002Y2 JP H0352002 Y2 JPH0352002 Y2 JP H0352002Y2 JP 6461986 U JP6461986 U JP 6461986U JP 6461986 U JP6461986 U JP 6461986U JP H0352002 Y2 JPH0352002 Y2 JP H0352002Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- phase shift
- pattern
- phase
- inductance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案はデジタル的に透過位相量の可変ができ
るダイオード移相器に係り、特にレーダやECM
等に利用されるフエイズドアレイなどに適用して
好適なダイオード移相器に関する。
るダイオード移相器に係り、特にレーダやECM
等に利用されるフエイズドアレイなどに適用して
好適なダイオード移相器に関する。
この種のダイオード移相器としては第２図ない
し第４図に示す構造のものが既に提供されてお
り、それに採用されている理論についての詳細は
例えば「清水紀雄；“日本無線技報″No.19，1983
年第64頁〜第74頁」に記載されている。
し第４図に示す構造のものが既に提供されてお
り、それに採用されている理論についての詳細は
例えば「清水紀雄；“日本無線技報″No.19，1983
年第64頁〜第74頁」に記載されている。
このダイオード移相器について、第２図ないし
第４図を参照しながら以下に説明する。
第４図を参照しながら以下に説明する。
第２図は従来のダイオード移相器の全体構成を
示す斜視図であり、第３図は第２図の移相器の平
面回路のパターンの一部を拡大して示す平面図で
あり、また、第４図は第３図のＡ−Ａ線に沿つて
示す断面図である。
示す斜視図であり、第３図は第２図の移相器の平
面回路のパターンの一部を拡大して示す平面図で
あり、また、第４図は第３図のＡ−Ａ線に沿つて
示す断面図である。
これらの図において、金属板２の一端部に端子
４ａ〜４ｄが取付けられる板体２を立設してあ
り、その金属板２の上に誘電体基板８を固着して
ある。この誘電体基板８上には薄膜生成技術を用
いて図示の如き形状をした金属導体の平面回路パ
ターン１０が形成してある。平面回路パターン１
０は、線路１１を含むローデツドライン型移相回
路１２Ａ，１２Ｂと、線路１１を含む反射型移相
回路１４Ａ，１４Ｂと、接続端子１６ａ〜１６ｄ
を含み、移相回路１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４
Ｂに各々接続されるバイアス回路１８ａ〜１８ｄ
と、このバイアス回路１８ａ〜１８ｄに個々に設
けたローパスフイルタ２０ａ〜２０ｄと、高周波
入出力用の線路２２ａ，２２ｂとからなつてい
る。また、誘電体基板８には、各移相回路１２
Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂと対応した位置に
PINダイオード素子２６a1，２６a2，２６b1，２
６b2，２６c1，２６c2，２６d1，２６d2が設けら
れている。
４ａ〜４ｄが取付けられる板体２を立設してあ
り、その金属板２の上に誘電体基板８を固着して
ある。この誘電体基板８上には薄膜生成技術を用
いて図示の如き形状をした金属導体の平面回路パ
ターン１０が形成してある。平面回路パターン１
０は、線路１１を含むローデツドライン型移相回
路１２Ａ，１２Ｂと、線路１１を含む反射型移相
回路１４Ａ，１４Ｂと、接続端子１６ａ〜１６ｄ
を含み、移相回路１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４
Ｂに各々接続されるバイアス回路１８ａ〜１８ｄ
と、このバイアス回路１８ａ〜１８ｄに個々に設
けたローパスフイルタ２０ａ〜２０ｄと、高周波
入出力用の線路２２ａ，２２ｂとからなつてい
る。また、誘電体基板８には、各移相回路１２
Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂと対応した位置に
PINダイオード素子２６a1，２６a2，２６b1，２
６b2，２６c1，２６c2，２６d1，２６d2が設けら
れている。
このPINダイオード２６を接地する手段は、第
３図に示す如く、いわゆる接地面を使用せずに、
１／４波長開放スタブ５０をもつて高周波的に接地
してある。伝送路１１はキヤパシタを用いずに共
通接地電位として、これを高周波チヨーク５２を
もつて金属板２に接地してある。また、1/4波長
開放スタブ５０は、高周波チヨーク５４をもつバ
イアス回路５６を接続してある。バイアス回路５
６は、バイアス端５８が設けてある。1/4波長開
放スタブ５０の端部には、PINダイオード２６の
一端が固定してあり、そのPINダイオード２６の
他端は金属のワイヤ６０をもつて移相回路１２の
一端部に接続してある。
３図に示す如く、いわゆる接地面を使用せずに、
１／４波長開放スタブ５０をもつて高周波的に接地
してある。伝送路１１はキヤパシタを用いずに共
通接地電位として、これを高周波チヨーク５２を
もつて金属板２に接地してある。また、1/4波長
開放スタブ５０は、高周波チヨーク５４をもつバ
イアス回路５６を接続してある。バイアス回路５
６は、バイアス端５８が設けてある。1/4波長開
放スタブ５０の端部には、PINダイオード２６の
一端が固定してあり、そのPINダイオード２６の
他端は金属のワイヤ６０をもつて移相回路１２の
一端部に接続してある。
このように構成された回路の動作を説明する。
バイアス端５８は直流バイアスが印加されると、
直流がバイアス回路５４を介してダイオード２６
に加わる。すると、ダイオード２６が導通して、
直流電流が金属板２、高周波チヨーク５２、移相
回路１２、ダイオード２６、1/4波長開放スタブ
５０、バイアス回路５６と流れる。この移相回路
１２は所望の移相量を得るように回路構成してあ
る。
バイアス端５８は直流バイアスが印加されると、
直流がバイアス回路５４を介してダイオード２６
に加わる。すると、ダイオード２６が導通して、
直流電流が金属板２、高周波チヨーク５２、移相
回路１２、ダイオード２６、1/4波長開放スタブ
５０、バイアス回路５６と流れる。この移相回路
１２は所望の移相量を得るように回路構成してあ
る。
しかして、線路１１を伝播する高周波は、一定
位相量が得られることになるのである。
位相量が得られることになるのである。
なお、開放スタブは1/4波長に限られず、1/4
（１＋2n）波長（ただし、ｎ＝０，１，２，３，
……）のものも用いられる。なお、ｎ＝０の場合
以外は、それなりのスペースが必要となる。要す
るに、1/4（１＋2n）波長開放スタブの場合は、
その入力インピーダンスが他の長さのものに比較
して最少になり、また周波数特性も最良となるの
で、これをもつて接地面とするのが最も良い。
（１＋2n）波長（ただし、ｎ＝０，１，２，３，
……）のものも用いられる。なお、ｎ＝０の場合
以外は、それなりのスペースが必要となる。要す
るに、1/4（１＋2n）波長開放スタブの場合は、
その入力インピーダンスが他の長さのものに比較
して最少になり、また周波数特性も最良となるの
で、これをもつて接地面とするのが最も良い。
このような、従来のダイオード移相器において
は、移相量が設定値よりズレた場合、ダイオード
を交換する（接合容量の変更）が、ダイオードの
ワイヤボンデイングをやり直す（インダクタンス
の変更）こと等が行われている。ところが、この
ような方法によつたのでは、いずれも工数が増大
し、信頼性の低下を招き、量産に適さないという
欠点を有している。
は、移相量が設定値よりズレた場合、ダイオード
を交換する（接合容量の変更）が、ダイオードの
ワイヤボンデイングをやり直す（インダクタンス
の変更）こと等が行われている。ところが、この
ような方法によつたのでは、いずれも工数が増大
し、信頼性の低下を招き、量産に適さないという
欠点を有している。
本考案の目的は、移相量の調整、検査時に測定
器にセツトしたままで所望の移相量を得ることの
できるダイオード移相器を提供することにある。
器にセツトしたままで所望の移相量を得ることの
できるダイオード移相器を提供することにある。
本考案は、高周波接地用スタブに補正パターン
を設け、移相誤差の補正を容易にするものであ
る。すなわち、本考案は、誘電体基板上の金属導
体のパターンをもつて一定の位相変化量をもたせ
る移相回路を所定数形成し、当該移相回路を接地
点に離・接し1/4波長開放スタブからなる金属パ
ターンで形成される高周波接地手段に装着される
ダイオードを設け、該ダイオードにバイアスを印
加できるバイアス回路を設けてなるダイオード移
相器において、上記スタブの開放端に補正パター
ンを設け、該補正パターンを切り離すことにより
上記ダイオードのインダクタンスを等価的に増減
させるようにしたことを特徴とするものである。
を設け、移相誤差の補正を容易にするものであ
る。すなわち、本考案は、誘電体基板上の金属導
体のパターンをもつて一定の位相変化量をもたせ
る移相回路を所定数形成し、当該移相回路を接地
点に離・接し1/4波長開放スタブからなる金属パ
ターンで形成される高周波接地手段に装着される
ダイオードを設け、該ダイオードにバイアスを印
加できるバイアス回路を設けてなるダイオード移
相器において、上記スタブの開放端に補正パター
ンを設け、該補正パターンを切り離すことにより
上記ダイオードのインダクタンスを等価的に増減
させるようにしたことを特徴とするものである。
以下、本考案の実施例について説明する。
第１図には本考案の一実施例が示されている。
図において、PINダイオード２６は1/4波長
（1/4λg）開放スタブ５０によつて高周波的に接
地されている。伝送路１１はキヤバシタを用いず
に共通接地電位として、これを高周波チヨーク５
２をもつて金属板８に接地されている。
（1/4λg）開放スタブ５０によつて高周波的に接
地されている。伝送路１１はキヤバシタを用いず
に共通接地電位として、これを高周波チヨーク５
２をもつて金属板８に接地されている。
この1/4波長開放スタブ５０の開放端には補正
パターン１００が設けられている。この補正パタ
ーン１００は、1/4λgの開放スタブの開放端に設
けられ細い過状パターンが設けられ各帯状パター
ンがワイヤによつて接続されている。このワイヤ
を切離すことによつてPINダイオード２６のイン
ダクタンスを変更することができる。例えば、
180°の移相量を得るには（なお、第１図は180°移
相回路ではない）PINダイオード２６の接合容量
をC′ボンデイングワイヤのインダクタンスをＬと
すると、 Ｌ／Ｃ＝（１−ω2CL）＝ZO 2 ……(1) 但）ZO：伝送ラインの特性インピーダンス を満足しなければならない。しかしながらダイオ
ードのＣおよびボンデイングワイヤのＬのばらつ
きにより、(1)式の設計値と一致しない場合が多
い。そこでこの補正パターン１００のワイヤを切
り離して1/4λgの値を変化させ、所望の移相量を
得るべくダイオードのインダクタンスを得る。す
なわち、補正パターン１００の波長（λg′）によ
つてインダクタンスL′が付加される。このインダ
クタンスL′は L′＝Zt／ωtan2πλg′／λg ……(2) 但）Zt：スタブの特性インピーダンス なお、L′（λg′）を小さくする方向で移相の補正
が可能となるようにＣ，Ｌを予め決定しておき、
（Ｃ，Ｌのバラツキを許容しておく）、移相量の調
整、検査時に測定器にセツトしたままでボンデイ
ングワイヤの“はぎとり″で所望の移相量を得る
ことができる。また、1/4波長開放スタブ５０に
は、高周波チヨーク５４をもつバイアス回路５６
が接続されている。このバイアス回路５６には、
バイアス端５８が設けられている。また1/4波長
開放スタブ５０の端部には、PINダイオード２６
の一端が固定されており、そのPINダイオード２
６の他端は金属のワイヤ６０をもつて移相回路１
２の一端部に接続されている。
パターン１００が設けられている。この補正パタ
ーン１００は、1/4λgの開放スタブの開放端に設
けられ細い過状パターンが設けられ各帯状パター
ンがワイヤによつて接続されている。このワイヤ
を切離すことによつてPINダイオード２６のイン
ダクタンスを変更することができる。例えば、
180°の移相量を得るには（なお、第１図は180°移
相回路ではない）PINダイオード２６の接合容量
をC′ボンデイングワイヤのインダクタンスをＬと
すると、 Ｌ／Ｃ＝（１−ω2CL）＝ZO 2 ……(1) 但）ZO：伝送ラインの特性インピーダンス を満足しなければならない。しかしながらダイオ
ードのＣおよびボンデイングワイヤのＬのばらつ
きにより、(1)式の設計値と一致しない場合が多
い。そこでこの補正パターン１００のワイヤを切
り離して1/4λgの値を変化させ、所望の移相量を
得るべくダイオードのインダクタンスを得る。す
なわち、補正パターン１００の波長（λg′）によ
つてインダクタンスL′が付加される。このインダ
クタンスL′は L′＝Zt／ωtan2πλg′／λg ……(2) 但）Zt：スタブの特性インピーダンス なお、L′（λg′）を小さくする方向で移相の補正
が可能となるようにＣ，Ｌを予め決定しておき、
（Ｃ，Ｌのバラツキを許容しておく）、移相量の調
整、検査時に測定器にセツトしたままでボンデイ
ングワイヤの“はぎとり″で所望の移相量を得る
ことができる。また、1/4波長開放スタブ５０に
は、高周波チヨーク５４をもつバイアス回路５６
が接続されている。このバイアス回路５６には、
バイアス端５８が設けられている。また1/4波長
開放スタブ５０の端部には、PINダイオード２６
の一端が固定されており、そのPINダイオード２
６の他端は金属のワイヤ６０をもつて移相回路１
２の一端部に接続されている。
このように構成された実施例の動作を説明す
る。バイアス端５８は直流バイアスが印加される
と、直流がバイアス回路５４を介してダイオード
２６に加わる。すると、ダイオード２６が導通し
て、直流電流が金属板２、高周波チヨーク５２、
移相回路１２、ダイオード２６、1/4波長開放ス
タブ５０、バイアス回路５６と流れる。この移相
回路１２は所望の移相量を得るように回路構成し
てある。
る。バイアス端５８は直流バイアスが印加される
と、直流がバイアス回路５４を介してダイオード
２６に加わる。すると、ダイオード２６が導通し
て、直流電流が金属板２、高周波チヨーク５２、
移相回路１２、ダイオード２６、1/4波長開放ス
タブ５０、バイアス回路５６と流れる。この移相
回路１２は所望の移相量を得るように回路構成し
てある。
以上説明したように、本考案によれば、補正パ
ターンを設け、微少インダクタンスL′（λg′）を小
さくする（ボンデイングのはぎとり）ことでダイ
オードのインダクタンスを補正できるようにして
あるため、測定器にセツトしたままで検査しなが
ら移相量の調整をすることができる。
ターンを設け、微少インダクタンスL′（λg′）を小
さくする（ボンデイングのはぎとり）ことでダイ
オードのインダクタンスを補正できるようにして
あるため、測定器にセツトしたままで検査しなが
ら移相量の調整をすることができる。
また、本考案によれば移相器を測定器にセツト
したままで調整できるためインダクタンス調整の
ための特別な技能を要しない。
したままで調整できるためインダクタンス調整の
ための特別な技能を要しない。
また、本考案によれば、補正パターンの帯状パ
ターンの切り離しによつて調整するものであるか
らダイオードのインダクタンスの微調整を行うこ
とができる。
ターンの切り離しによつて調整するものであるか
らダイオードのインダクタンスの微調整を行うこ
とができる。
また、本考案によれは、ダイオードのインダク
タンス調整用の補正パターンを有しているので、
移相量の周波数特性の改善を行うこともできる。
タンス調整用の補正パターンを有しているので、
移相量の周波数特性の改善を行うこともできる。
さらに本考案によれば、回路方式（ローデイツ
トライン型、反射型）にもかかわらず有効に用い
ることができる。
トライン型、反射型）にもかかわらず有効に用い
ることができる。
第１図は本考案の実施例を示す図、第２図は従
来のダイオード移相器の全体構成図、第３図は第
２図の移相器の平面回路パターンの一部拡大図、
第４図は第３図のＡ−Ａ断面図である。 １１……伝送路、２６……ダイオード、５０…
…1/4波長開放スタブ、１００……補正パターン。
来のダイオード移相器の全体構成図、第３図は第
２図の移相器の平面回路パターンの一部拡大図、
第４図は第３図のＡ−Ａ断面図である。 １１……伝送路、２６……ダイオード、５０…
…1/4波長開放スタブ、１００……補正パターン。
Claims (1)
- 誘電体基板上の金属導体のパターンをもつて一
定の位相変化量をもたせる移相回路を所定数形成
し、当該移相回路を接地点に離・接し1/4波長開
放スタブからなる金属パターンで形成される高周
波接地手段に装着されるダイオードを設け、該ダ
イオードにバイパスを印加できるバイアス回路を
設けてなるダイオード移相器において、上記スタ
ブ開放端に補正パターンを設け、該補正パターン
を切り離すことにより上記ダイオードのインダク
タンスを等価的に増減させるようにしたことを特
徴とするダイオード移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6461986U JPH0352002Y2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6461986U JPH0352002Y2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177102U JPS62177102U (ja) | 1987-11-10 |
| JPH0352002Y2 true JPH0352002Y2 (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=30900936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6461986U Expired JPH0352002Y2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352002Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP6461986U patent/JPH0352002Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62177102U (ja) | 1987-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4266206A (en) | Stripline filter device | |
| SU1510726A3 (ru) | Симметрирующее устройство | |
| US4450418A (en) | Stripline-type power divider/combiner with integral resistor and method of making the same | |
| US4901042A (en) | High frequency power divider | |
| US3965445A (en) | Microstrip or stripline coupled-transmission-line impedance transformer | |
| JPS6251005B2 (ja) | ||
| US4123730A (en) | Slot transmission line coupling technique using a capacitor | |
| JPS60180202A (ja) | ストリツプ線路回路 | |
| JPH06152206A (ja) | 無反射終端 | |
| US4749969A (en) | 180° hybrid tee | |
| JPH0352002Y2 (ja) | ||
| US4251784A (en) | Apparatus for parallel combining an odd number of semiconductor devices | |
| US11406008B2 (en) | Wideband termination for high power applications | |
| JPH0770887B2 (ja) | 半導体素子の整合回路 | |
| JPH0246001A (ja) | インピーダンス整合回路 | |
| JPS60124851A (ja) | マイクロ波集積回路装置 | |
| JPS6033608Y2 (ja) | 可変インピ−ダンス変換器 | |
| US20040085150A1 (en) | Terminations for shielded transmission lines fabricated on a substrate | |
| JP2002008901A (ja) | 薄膜抵抗体、ハイブリッドｉｃ及びｍｍｉｃ | |
| JPH07326909A (ja) | マイクロ波整合回路 | |
| JPS5991701A (ja) | ダイオ−ド移相器 | |
| JPS62254503A (ja) | ミリ波減衰器 | |
| JPH0574004U (ja) | 平面型平衡不平衡変換器 | |
| JPS60247304A (ja) | 方向性結合器 | |
| JPH0136323Y2 (ja) |