JPH0352130B2 - - Google Patents
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- JPH0352130B2 JPH0352130B2 JP21346685A JP21346685A JPH0352130B2 JP H0352130 B2 JPH0352130 B2 JP H0352130B2 JP 21346685 A JP21346685 A JP 21346685A JP 21346685 A JP21346685 A JP 21346685A JP H0352130 B2 JPH0352130 B2 JP H0352130B2
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気デイスク装置に使用される磁気
記録媒体の製造方法、特に、ガラス基板上に磁性
膜を被着した磁気記録媒体の製造方法に関する。
記録媒体の製造方法、特に、ガラス基板上に磁性
膜を被着した磁気記録媒体の製造方法に関する。
近年、磁気記録媒体の高密度記録化の要請によ
り、金属磁性薄膜を磁性膜とする連続薄膜形の磁
気記録媒体が注目を集めている。この金属磁性膜
としては、スパツタリング法等により被着された
Co、又はCo−Ni、Co−Ni−Ｐ、Co−Ｐなどの
Co合金系の金属薄膜が知られ、その磁性特性を
改善するために、磁気記録媒体用基板と磁性膜と
の間に下地層としてCr膜を介在したものも知ら
れている。
り、金属磁性薄膜を磁性膜とする連続薄膜形の磁
気記録媒体が注目を集めている。この金属磁性膜
としては、スパツタリング法等により被着された
Co、又はCo−Ni、Co−Ni−Ｐ、Co−Ｐなどの
Co合金系の金属薄膜が知られ、その磁性特性を
改善するために、磁気記録媒体用基板と磁性膜と
の間に下地層としてCr膜を介在したものも知ら
れている。
一方、磁気記録媒体用基板としては、従来主と
してアルミニウム合金基板が使用されていたが、
高密度記録化の要請に伴い、アルミニウム合金基
板の加工精度の向上が望まれ、更に、アルミニウ
ム合金特有の金属間化合物による表面欠陥（突起
やピツト等）が問題になり、アルミニウム合金基
板に代わるものとしてガラス基板が注目されつゝ
ある。
してアルミニウム合金基板が使用されていたが、
高密度記録化の要請に伴い、アルミニウム合金基
板の加工精度の向上が望まれ、更に、アルミニウ
ム合金特有の金属間化合物による表面欠陥（突起
やピツト等）が問題になり、アルミニウム合金基
板に代わるものとしてガラス基板が注目されつゝ
ある。
一方、低温型イオン交換は、転移温度を越えな
い温度域でガラスを、そのガラス中に含まれてい
るアルカリより大きいイオン半径を有するアルカ
リの溶融塩と接触させて、例えばNa+（ガラス）
K+（溶融塩）置換、Li+（ガラス）Na+（溶融
塩）置換を起こさせることにより、ガラスを強化
させる手段として知られている。
い温度域でガラスを、そのガラス中に含まれてい
るアルカリより大きいイオン半径を有するアルカ
リの溶融塩と接触させて、例えばNa+（ガラス）
K+（溶融塩）置換、Li+（ガラス）Na+（溶融
塩）置換を起こさせることにより、ガラスを強化
させる手段として知られている。
磁気記録媒体と磁気ヘツドとの距離、いわゆる
ヘツド浮上高さは、高密度記録化の要請により微
小化傾向にあり、現在でも1000Å以下であり、磁
気記録媒体用基板の表面粗さRnax（最大高さ）に
対しては上記ヘツド浮上高さの20％以下、すなわ
ち200Å以下まで要求されている。
ヘツド浮上高さは、高密度記録化の要請により微
小化傾向にあり、現在でも1000Å以下であり、磁
気記録媒体用基板の表面粗さRnax（最大高さ）に
対しては上記ヘツド浮上高さの20％以下、すなわ
ち200Å以下まで要求されている。
しかしながら、アルミニウム合金基板は、通常
の研摩方法ではその表面粗さRnax200Å程度が限
界であり、上記要求に対して応えることができな
い。また、前述のアルミニウム合金特有の金属間
化合物による表面欠陥（突起やピツト等）が磁気
記録媒体の回転駆動時におけるエラーの原因であ
ると考えられ、それらの欠陥を少なくする改善が
なされたが、それでもなお、基板表面には欠陥が
残るという問題点があり、このような表面欠陥が
発生しない基板が要求されている。
の研摩方法ではその表面粗さRnax200Å程度が限
界であり、上記要求に対して応えることができな
い。また、前述のアルミニウム合金特有の金属間
化合物による表面欠陥（突起やピツト等）が磁気
記録媒体の回転駆動時におけるエラーの原因であ
ると考えられ、それらの欠陥を少なくする改善が
なされたが、それでもなお、基板表面には欠陥が
残るという問題点があり、このような表面欠陥が
発生しない基板が要求されている。
一方、ガラス基板は、上記要求に対して充分応
えることができるが、ガラス基板と磁性膜（又は
下地層）との間の付着力が充分でないために、膜
がはがれやすい問題点があつた。
えることができるが、ガラス基板と磁性膜（又は
下地層）との間の付着力が充分でないために、膜
がはがれやすい問題点があつた。
本発明は、このような問題点を解決するために
なされたもので、第１の目的は、突起やピツトと
いつた表面欠陥のない基板に磁性膜を含む薄膜を
被着した磁気記録媒体を得ること、第２の目的
は、表面粗さの小さい基板に磁性膜を含む薄膜を
被着した磁気記録媒体を得ること、第３の目的
は、基板への膜の付着力を改善した磁気記録媒体
を得ることである。
なされたもので、第１の目的は、突起やピツトと
いつた表面欠陥のない基板に磁性膜を含む薄膜を
被着した磁気記録媒体を得ること、第２の目的
は、表面粗さの小さい基板に磁性膜を含む薄膜を
被着した磁気記録媒体を得ること、第３の目的
は、基板への膜の付着力を改善した磁気記録媒体
を得ることである。
そこで、従来の磁気記録媒体用基板におけるア
ルミニウム合金の欠点とガラス基板の問題点を解
消するために鋭意研究した結果、先ず、基板表面
上の突起やピツト状の微小欠陥を除去し、ヘツド
浮上高さを1000Å以下にするとの要求に対して、
磁気記録媒体用基板をガラス基板に選定し、この
ガラス基板の主表面を表面粗さRnax200Å以下に
研摩することにより、充分に応えられることを見
い出した。そして、低温型イオン交換処理するこ
とにより、単にガラスを強化するだけでなく、ガ
ラス基板とその上の薄膜との付着力を増大させる
ことができるとの知見に基づき、前述した研摩後
のガラス基板を低温型イオン交換処理し、次にそ
のガラス基板の主表面に磁性膜を含む薄膜を被着
することを特徴とする本発明の磁気記録媒体の製
造方法を完成するに到達した。
ルミニウム合金の欠点とガラス基板の問題点を解
消するために鋭意研究した結果、先ず、基板表面
上の突起やピツト状の微小欠陥を除去し、ヘツド
浮上高さを1000Å以下にするとの要求に対して、
磁気記録媒体用基板をガラス基板に選定し、この
ガラス基板の主表面を表面粗さRnax200Å以下に
研摩することにより、充分に応えられることを見
い出した。そして、低温型イオン交換処理するこ
とにより、単にガラスを強化するだけでなく、ガ
ラス基板とその上の薄膜との付着力を増大させる
ことができるとの知見に基づき、前述した研摩後
のガラス基板を低温型イオン交換処理し、次にそ
のガラス基板の主表面に磁性膜を含む薄膜を被着
することを特徴とする本発明の磁気記録媒体の製
造方法を完成するに到達した。
以下、本発明の実施例を説明する。
実施例 １
磁気記録媒体用基板の材料としてソーダライム
ガラス（140mm□ 、厚さ2.2mm）を用意し、これを
40〓内径加工と130〓外径加工を同心度10μｍ以内で
行い、次いで、面取り加工も行う。
ガラス（140mm□ 、厚さ2.2mm）を用意し、これを
40〓内径加工と130〓外径加工を同心度10μｍ以内で
行い、次いで、面取り加工も行う。
次に、＃400と＃1000砥粒の砂かけ工程を経て、
酸化セリウム（CeO2）による研摩工程を行い、
洗浄工程を経て、上記ソーダライムガラスを厚さ
1.9mm、表面粗さRnax20Å程度に仕上げる。
酸化セリウム（CeO2）による研摩工程を行い、
洗浄工程を経て、上記ソーダライムガラスを厚さ
1.9mm、表面粗さRnax20Å程度に仕上げる。
次に、このソーダライムガラスを低温型イオン
交換工程を経て、磁気記録媒体用基板とする。こ
の低温型イオン交換処理済のソーダライムガラス
は、ガラスの強化の他に、後述する薄膜との付着
力を増大させる。
交換工程を経て、磁気記録媒体用基板とする。こ
の低温型イオン交換処理済のソーダライムガラス
は、ガラスの強化の他に、後述する薄膜との付着
力を増大させる。
次に、上記ソーダライムガラスの両主表面上に
下地層としてCr膜（1800Å）、磁性層として25wt
％のNiを含むCo−Ni合金膜（1000Å）、保護膜
としてＣ膜（1000Å）をスパツタリング法により
順次積層して、本実施例の磁気記録媒体を製造し
た。
下地層としてCr膜（1800Å）、磁性層として25wt
％のNiを含むCo−Ni合金膜（1000Å）、保護膜
としてＣ膜（1000Å）をスパツタリング法により
順次積層して、本実施例の磁気記録媒体を製造し
た。
本実施例の磁気記録媒体の製造方法によれば、
ソーダライムガラス基板の表面粗さRnaxが20Å
程度まで精密研摩されているので、その基板表面
には突起やピツト状の微小欠陥を除去し、磁気ヘ
ツドとの浮上高さを100Å程度まで低くすること
ができ、磁気デイスク装置に磁気記録媒体を設置
して3600rpmで回転させても、ヘツドクラツシユ
のようなトラブルも発生しなかつた。また、本実
施例の磁気記録媒体のソーダライムガラスと薄膜
との間の付着力については、上記した研摩工程後
のソーダライムガラス基板について低温型イオン
交換処理工程を経た処理基板と同工程を行わない
未処理基板の主表面上に上記したCo−Ni合金の
磁性膜をスパツタリング法により被着したものを
試料（それぞれ20枚）として用意し、次のような
引つかき法により評価した。すなわち、引つかき
試験器（新東化学製：HEIDON−18）の先端に
砂消しゴム（６mm〓）を取り付け、荷重600ｇ、引
つかき速度50mm／分、移動距離50mmで各試料につ
いて５回引つかき試験をした結果、処理基板上の
磁性膜については引つかきキズが全く発生しなか
つたが、未処理基板上の磁性膜については引つか
きキズが多少発生したことから、イオン交換処理
によるガラス基板とその基板上の薄膜との間の付
着力が増大していることが判明された。その他、
回転破壊強度についても2.5×104rpmで回転試験
に対して、処理基板では割れるものは皆無であつ
たが、未処理基板では逆に約20％のものが割れて
しまつた。また、処理基板と未処理基板はそれぞ
れ坑折強度について約50Kg／mm2及び約10Kg／mm2、
硬度（Hv）について約600Kg／mm2及び約500Kg／
mm2であつて、何れも処理基板の方が優れていた。
ソーダライムガラス基板の表面粗さRnaxが20Å
程度まで精密研摩されているので、その基板表面
には突起やピツト状の微小欠陥を除去し、磁気ヘ
ツドとの浮上高さを100Å程度まで低くすること
ができ、磁気デイスク装置に磁気記録媒体を設置
して3600rpmで回転させても、ヘツドクラツシユ
のようなトラブルも発生しなかつた。また、本実
施例の磁気記録媒体のソーダライムガラスと薄膜
との間の付着力については、上記した研摩工程後
のソーダライムガラス基板について低温型イオン
交換処理工程を経た処理基板と同工程を行わない
未処理基板の主表面上に上記したCo−Ni合金の
磁性膜をスパツタリング法により被着したものを
試料（それぞれ20枚）として用意し、次のような
引つかき法により評価した。すなわち、引つかき
試験器（新東化学製：HEIDON−18）の先端に
砂消しゴム（６mm〓）を取り付け、荷重600ｇ、引
つかき速度50mm／分、移動距離50mmで各試料につ
いて５回引つかき試験をした結果、処理基板上の
磁性膜については引つかきキズが全く発生しなか
つたが、未処理基板上の磁性膜については引つか
きキズが多少発生したことから、イオン交換処理
によるガラス基板とその基板上の薄膜との間の付
着力が増大していることが判明された。その他、
回転破壊強度についても2.5×104rpmで回転試験
に対して、処理基板では割れるものは皆無であつ
たが、未処理基板では逆に約20％のものが割れて
しまつた。また、処理基板と未処理基板はそれぞ
れ坑折強度について約50Kg／mm2及び約10Kg／mm2、
硬度（Hv）について約600Kg／mm2及び約500Kg／
mm2であつて、何れも処理基板の方が優れていた。
実施例 ２
磁気記録媒体用基板としてソーダアルミノケイ
酸ガラスを使用して、実施例１と同様な加工を行
つた後、研摩工程において、酸化セリウムによる
研摩加工の後に、コロイダルシリカ（SiO2）に
よる超精密研摩加工を行つて、表面粗さRnax10
Å程度まで仕上げる。このガラスを低温型イオン
交換処理した後、実施例１と同様にCr膜、Co−
Ni膜及びＣ膜を積層して、磁気記録媒体を製造
した。
酸ガラスを使用して、実施例１と同様な加工を行
つた後、研摩工程において、酸化セリウムによる
研摩加工の後に、コロイダルシリカ（SiO2）に
よる超精密研摩加工を行つて、表面粗さRnax10
Å程度まで仕上げる。このガラスを低温型イオン
交換処理した後、実施例１と同様にCr膜、Co−
Ni膜及びＣ膜を積層して、磁気記録媒体を製造
した。
本実施例の製造方法によれば、ソーダアルミノ
ケイ酸ガラス基板の表面粗さRnaxが10Å程度ま
で超精密研摩されているので、実施例１によるも
のよりさらに、磁気ヘツドとの浮上高さを50Å程
度まで低くすることができる。また、付着力や坑
折強度及び硬度についても実施例１と同様な効果
が確認された。
ケイ酸ガラス基板の表面粗さRnaxが10Å程度ま
で超精密研摩されているので、実施例１によるも
のよりさらに、磁気ヘツドとの浮上高さを50Å程
度まで低くすることができる。また、付着力や坑
折強度及び硬度についても実施例１と同様な効果
が確認された。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、実施例１
及び２に限定されない。先ず、ガラス基板の材料
についてはソーダライムガラスやソーダアルミノ
ケイ酸ガラスの他に、アルミノシリケートガラス
などのナトリウムイオン（Na+）やリチウムイオ
ン（Li+）などのイオン交換可能なイオンを含有
した多成分系ガラスであればよい。ガラス基板の
研摩方法については酸化セリウムやコロイダルシ
リカの研摩剤の他に、アルミナ（γ−Al2O3）、
べんがら（Fe2O3）、酸化クロム（Cr2O3）、酸化
ジルコニウム（ZrO2）、酸化チタン（TiO2）など
を使用してもよいし、更に、研摩加工後に、ウエ
ツトエツチング又はドライエツチングを行つても
よい。
及び２に限定されない。先ず、ガラス基板の材料
についてはソーダライムガラスやソーダアルミノ
ケイ酸ガラスの他に、アルミノシリケートガラス
などのナトリウムイオン（Na+）やリチウムイオ
ン（Li+）などのイオン交換可能なイオンを含有
した多成分系ガラスであればよい。ガラス基板の
研摩方法については酸化セリウムやコロイダルシ
リカの研摩剤の他に、アルミナ（γ−Al2O3）、
べんがら（Fe2O3）、酸化クロム（Cr2O3）、酸化
ジルコニウム（ZrO2）、酸化チタン（TiO2）など
を使用してもよいし、更に、研摩加工後に、ウエ
ツトエツチング又はドライエツチングを行つても
よい。
また、薄膜について、下地層はCr以外のTa、
Moなどの非磁性材料の薄膜であつてもよいし、
この下地層を設けなくてもよい。また、磁性層は
Co−Ni合金以外に、Co単体や、Co−Ni、Co−
Ni−ｐ、Co−Ｐ、Cr−γFe2O3等のCo系合金の
薄膜でもよい。保護膜はＣ膜以外に、SiO2膜、
Cr／Ｃ複合膜などでもよい。これ等の薄膜の被
着面は、実施例ではガラス基板の両主表面とした
が、一方の主表面としてもよい。これ等の成膜方
法についてはスパツタリング法以外に各種蒸着
法、イオンプレーテイング法、メツキ法などでも
よい。
Moなどの非磁性材料の薄膜であつてもよいし、
この下地層を設けなくてもよい。また、磁性層は
Co−Ni合金以外に、Co単体や、Co−Ni、Co−
Ni−ｐ、Co−Ｐ、Cr−γFe2O3等のCo系合金の
薄膜でもよい。保護膜はＣ膜以外に、SiO2膜、
Cr／Ｃ複合膜などでもよい。これ等の薄膜の被
着面は、実施例ではガラス基板の両主表面とした
が、一方の主表面としてもよい。これ等の成膜方
法についてはスパツタリング法以外に各種蒸着
法、イオンプレーテイング法、メツキ法などでも
よい。
以上の通り、本発明の磁気記録媒体の製造方法
によれば、ガラス基板の表面粗さをRnax200Å以
下に研摩していることから、表面上の突起やピツ
ト状の微小欠陥を除去しているため、磁性膜の均
一化（膜厚の一定化、膜表面の平坦化）が得ら
れ、磁気デイスク装置での回転駆動時におけるノ
イズの発生を除去することができる。また、ヘツ
ド浮上高さを1000Å以下にするとの要求に充分に
応えることができ、また、ガラス基板の表面粗さ
はRnax10Å程度まで容易に研摩することができ
るので、今後の高密度記録化が一層進められた場
合に対しても余裕をもつて応えることができる。
更に、研摩されたガラス基板をイオン交換処理し
た後に磁性膜を含む薄膜を被着していることか
ら、ガラス基板と薄膜との間の付着力を増大し、
また回転破壊強度、坑折強度及び硬度も増大する
ことができる。
によれば、ガラス基板の表面粗さをRnax200Å以
下に研摩していることから、表面上の突起やピツ
ト状の微小欠陥を除去しているため、磁性膜の均
一化（膜厚の一定化、膜表面の平坦化）が得ら
れ、磁気デイスク装置での回転駆動時におけるノ
イズの発生を除去することができる。また、ヘツ
ド浮上高さを1000Å以下にするとの要求に充分に
応えることができ、また、ガラス基板の表面粗さ
はRnax10Å程度まで容易に研摩することができ
るので、今後の高密度記録化が一層進められた場
合に対しても余裕をもつて応えることができる。
更に、研摩されたガラス基板をイオン交換処理し
た後に磁性膜を含む薄膜を被着していることか
ら、ガラス基板と薄膜との間の付着力を増大し、
また回転破壊強度、坑折強度及び硬度も増大する
ことができる。
Claims (1)
- １ ガラス基板の主表面を表面粗さRnax200Å以
下に研摩した後、そのガラス基板を低温型イオン
交換処理し、次に、そのガラス基板の主表面上に
磁性膜を含む薄膜を被着することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21346685A JPS6273426A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21346685A JPS6273426A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273426A JPS6273426A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0352130B2 true JPH0352130B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=16639669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21346685A Granted JPS6273426A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273426A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2547994B2 (ja) * | 1987-01-16 | 1996-10-30 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH0695363B2 (ja) * | 1987-08-27 | 1994-11-24 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録再生装置 |
| JP2657967B2 (ja) * | 1988-07-20 | 1997-09-30 | ホーヤ株式会社 | 記録媒体用ガラス基板及び記録媒体並びにそれらの製造方法 |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP21346685A patent/JPS6273426A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6273426A (ja) | 1987-04-04 |
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